CN112921270A - 掩膜装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供的掩膜装置，涉及显示技术领域。通过全厚区表面与半刻区表面形成的至少部分弧形导流通道可以对半刻区中易积留液体位置处的液体进行导流，可以使液体自由流动不会积留在固定某处，便于通过风吹处理将清洗掩膜装置后残留的药液排出掩膜装置，使药液不会残留在半刻区内。从而避免采用掩膜装置蒸镀发光层的发光材料时，残留在半刻区内的药液混入到发光材料中，导致蒸镀形成的发光层的发光特性因药液的混入受影响。保证采用该掩膜装置蒸镀发光层的OLED显示装置不会出现因蒸镀工艺中药液混入发光材料而导致的显示异常。

Description

掩膜装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种掩膜装置。

背景技术

OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置因良好的发光性能被越来越多的厂商使用。然而OLED显示装置的显示异常(比如，显示亮度不均的mura不良)也是困扰业界的技术难题，如何解决OLED显示装置因不同原因导致的显示异常是本领域技术人员急需解决的技术问题。

需要说明的是，公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本申请的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种掩膜装置。

本申请的第一方面，提供一种掩膜装置，包括掩膜支撑框架及支撑掩膜板；

所述支撑掩膜板包括两端固定在所述掩膜支撑框架上的多个掩膜支撑条，及由所述多个掩膜支撑条形成的至少一个掩膜开口；

所述掩膜支撑条包括半刻区和全厚区，所述半刻区位于所述掩膜支撑条靠近所述掩膜开口的一侧，其中，半刻区的厚度小于全厚区的厚度；

所述全厚区靠近所述半刻区的全厚区表面与所述半刻区中和该全厚区表面相交的半刻区表面，形成将所述半刻区中的液体进行导流的导流通道，所述导流通道的至少部分为弧形导流通道，所述弧形导流通道至少位于所述半刻区中液体易积留的位置。

上述提供的掩膜装置，通过全厚区表面与半刻区表面形成的至少部分弧形导流通道可以对半刻区中易积留液体位置处的液体进行导流，可以使液体自由流动不会积留在固定某处，便于通过风吹处理将清洗掩膜装置后残留的药液排出掩膜装置，使药液不会残留在半刻区内，从而避免采用掩膜装置蒸镀发光层的发光材料时，残留在半刻区内的药液混入到发光材料中，导致蒸镀形成的发光层的发光特性因药液的混入受影响。保证采用该掩膜装置蒸镀发光层的OLED显示装置不会出现因蒸镀工艺中药液混入发光材料而导致的显示异常。

在本申请的一种可能实施例中，所述全厚区表面包括相交的两个掩膜支撑条在相交位置处的第一全厚区表面，所述半刻区表面包括与该第一全厚区表面相交的第一半刻区表面；

所述第一全厚区表面和所述第一半刻区表面形成第一弧形导流通道。

在本申请的一种可能实施例中，所述第一全厚区表面为一弧形表面，所述弧形表面的法线朝向所述掩膜开口的方向。

在两个掩膜支撑条的相交位置处(即，半刻区顶角对应的位置处)形成由第一全厚区表面和第一半刻区表面组成的第一弧形导流通道，可以将半刻区顶角位置的药液导流到掩膜开口侧边对应的半刻区，避免药液在半刻区顶角位置积留，以方便通过风吹处理方式将药液排出掩膜装置。

在本申请的一种可能实施例中，所述全厚区表面还包括位于所述掩膜开口一侧的掩膜支撑条的第二全厚区表面，所述半刻区表面还包括与该第二全厚区表面相交的第二半刻区表面；

所述第二全厚区表面与所述第二半刻区表面形成第二弧形导流通道。

在本申请的一种可能实施例中，所述第二全厚区表面为一弧形表面，其中，所述第二半刻区表面在垂直所述第二全厚区表面的方向上的宽度由所述掩膜支撑条两端朝所述掩膜支撑条的中间方向逐渐增大。

在掩膜开口一侧形成由第二全厚区表面及第二半刻区表面组成的第二弧形导流通道，可以在对半刻区中药液进行清理时，将半刻区中的药液导流集中到该第二弧形导流通道中，便于通过风吹处理方式将药液排出掩膜装置。

在本申请的一种可能实施例中，所述掩膜开口一侧的掩膜支撑条的半刻区开设有贯穿所述掩膜支撑条上的全厚区的凹槽。

在本申请的一种可能实施例中，所述凹槽设置在所述掩膜开口一侧的掩膜支撑条的中部。

在掩膜开口一侧的掩膜支撑条的半刻区开设贯穿掩膜支撑条上全厚区的凹槽，可以加快液体排出掩膜装置。

在本申请的一种可能实施例中，位于所述掩膜开口一侧的掩膜支撑条的半刻区贯穿该掩膜支撑条，所述掩膜支撑条上还包括与所述全厚区的厚度一致的支撑柱。

在本申请的一种可能实施例中，所述支撑柱的数量为多个，多个所述支撑柱沿所述掩膜支撑条的延伸方向离散分布在所述半刻区上。

本申请的一种可能实施例中，还包括用于蒸镀相应图案的蒸镀掩膜板；

所述蒸镀掩膜板层叠设置在所述支撑掩膜板上且与所述掩膜支撑框架固定；

所述支撑掩膜板用于支撑所述蒸镀掩膜板。

半刻区贯穿掩膜支撑条，并在该掩膜支撑条上设置包括与全厚区的厚度一致的支撑柱，一方面，可以通过支撑柱对蒸镀掩膜板进行有效的支撑，可以减少掩膜装置的重量；另一方面，上述设计可以减小全厚区与蒸镀掩膜板的贴合面积，改善蒸镀掩膜板与支撑掩膜板贴合过紧的问题，有利于减少蒸镀掩膜板在支撑掩膜板上摊平时出现的褶皱现象。

相对于现有技术，本申请实施例提供的掩膜装置，通过全厚区表面与半刻区表面形成的至少部分弧形导流通道可以对半刻区中易积留液体位置处的液体进行导流，可以使液体自由流动不会积留在固定某处，便于通过风吹处理将清洗掩膜装置后残留的药液排出掩膜装置，使药液不会残留在半刻区内。从而避免采用掩膜装置蒸镀发光层材料时，残留在半刻区内的药液混入到发光材料中，导致蒸镀形成的发光层的发光特性因药液的混入受影响。保证采用该掩膜装置蒸镀发光层的OLED显示装置不会出现因蒸镀工艺中药液混入发光材料而导致的显示异常。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为一种现有掩膜装置的结构示意图；

图2为图1中掩膜装置的局部放大示意图；

图3为本申请实施例提供的掩膜装置的结构示意图之一；

图4为图3中掩膜装置的局部放大示意图；

图5为本申请实施例提供的掩膜装置的结构示意图之二；

图6为图5中掩膜装置的局部放大示意图；

图7为本申请实施例提供的掩膜装置的结构示意图之三；

图8为本申请实施例提供的掩膜装置的结构示意图之四；

图9为本申请实施例提供的掩膜装置的结构示意图之五。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。

发明人通过对出现显示不良的OLED显示装置进行大量的拆解分析发现，很多出现显示不良的OLED显示装置中的发光材料存在不同程度的污染。进而发现导致OLED显示装置显示不良的主要原因之一是污染物影响了发光材料的发光特性，从而造成显示不良。发明人对污染物进行溯源发现，污染物的成份与清洗蒸镀发光材料的掩膜板的药液成份基本相同。

请参照图1，图1示出了一种现有的掩膜装置1’的结构示意图。掩膜装置1’可以包括掩膜支撑框架10’、支撑掩膜板20’及蒸镀掩膜板30’。支撑掩膜板20’包括多个掩膜支撑条21’，多个掩膜支撑条21’交错设置在掩膜支撑框架10’上，并在该掩膜支撑框架10’内形成至少一个掩膜开口22’。掩膜支撑条21’用于支撑蒸镀掩膜板30’。由于蒸镀掩膜板30’在使用一段时间后会产生下垂现象，同时考虑到掩膜支撑条21’与蒸镀掩膜板30’贴合面积过大会使两者之间的贴合过紧，易导致蒸镀掩膜板30’在支撑掩膜板20’上摊平时易出现褶皱现象。掩膜支撑条21’包括可以对下垂的蒸镀掩膜板30’进行支撑的半刻区211’，及与蒸镀掩膜板30表面贴合用以支撑该蒸镀掩膜板30的全厚区212’，其中，半刻区211’的厚度小于全刻区212’的厚度。掩膜支撑条21’的全厚区212’与蒸镀掩膜板30’贴合，可以减小掩膜支撑条21’与蒸镀掩膜板30’的贴合面积。在蒸镀时，将蒸镀掩膜板30’层叠设置在支撑掩膜板20’上，并将蒸镀掩膜板30’与掩膜支撑框架10’固定。蒸镀掩膜板30’与全厚区212’朝向该蒸镀掩膜板30’一侧的表面贴合，在蒸镀装置1’使用的次数达到一定次数后，需要对蒸镀装置1’进行清洁以除去蒸镀时残留在掩膜装置1’上的蒸镀材料。在对掩膜装置1’进行清洗时采用的药液会残留在支撑掩膜板20’与蒸镀掩膜板30’重合的区域，由于全厚区212’与蒸镀掩膜板30’贴合，药液主要残留在支撑掩膜板20’的半刻区211’中。为了加速药液排出掩膜装置1’，可以将掩膜装置1’竖直放立，并采用风吹的处理方式，借助于药液自身重力和风力的作用加速药液排出掩膜装置1’。

然而，发明人发现，采用上述方式处理完成之后，半刻区211’上还是会存在残留的药液，究其原因是药液分散在半刻区的不同位置(比如，两个掩膜支撑条21’相交的位置)处，请参照图2，图2为图1的局部放大图，在两个掩膜支撑条21’的相交位置区域A’，全厚区212’在相交位置区域A’与半刻区211’接触的面为两个相互垂直的面，药液在此处不易流动，即便借助于药液自身重力及风力作用下也很难将该处残留的药液完全排出掩膜装置1’。

为了解决掩膜装置在清洗后存在的药液残留，影响蒸镀形成的OLED显示装置存在显示不良的技术问题，发明人创新性地设计了以下的技术方案。下面将结合附图对本申请的具体实现方案进行详细说明。

请参照图3，图3示出了本申请实施例提供的掩膜装置1的结构示意图，在本实施例中，掩膜装置1可以包括掩膜支撑框架10及支撑掩膜板20。

在本申请实施例中，掩膜支撑框架10可以为矩形框架。支撑掩膜板20可以包括多个掩膜支撑条21，掩膜支撑条21的两端固定在掩膜支撑框架10上，多个掩膜支撑条21在掩膜支撑框架10内形成至少一个掩膜开口22。比如，如图3所示，4个掩膜支撑条21垂直于掩膜支撑框架10的宽边，并等间距分布在掩膜支撑框架10的宽边上，3个掩膜支撑条21垂直于掩膜支撑框架10的长边，并等间距分布在掩膜支撑框架10的长边上，上述7个掩膜支撑条21在掩膜支撑框架10内形成6个掩膜开口22，掩膜开口22的形状为矩形。当然，上述图3所示的结构仅仅只是为了说明掩膜装置1的结构的示例，掩膜开口22的形状可以根据待蒸镀显示区的形状不同而进行相应的设置，比如，在待蒸镀显示区上方还包括用于设置摄像头模组的刘海区域时，掩膜开口22的形状可以相应进行调整。为了方便介绍，以下描述以矩形掩膜开口22进行描述，当然可以理解针对该矩形掩膜开口22的描述同样适用于其他形状的掩膜开口22。

掩膜支撑条21可以包括半刻区211和全厚区212，半刻区211位于掩膜支撑条21靠近掩膜开口22的一侧，其中，半刻区211的厚度小于全厚区212的厚度。

在本申请实施例中，全厚区212靠近半刻区211的全厚区表面(图中未示出)，与半刻区211中与该全厚区表面相交的半刻区表面(图中未示出)，形成将半刻区211中的液体进行导流的导流通道。导流通道的至少部分为弧形导流通道，弧形导流通道至少位于半刻区中液体易积留的位置。

在上述掩膜装置1中，通过全厚区表面与半刻区表面形成的至少部分弧形导流通道可以对半刻区211中易积留液体位置处的液体进行导流，可以使液体自由流动不会积留在固定某处，，便于在将掩膜装置1竖立放置，并采用风吹处理时，半刻区211中的药液可以借助于自身重力和风力作用排出掩膜装置1，确保将残留在半刻区211内的药液清除。从而避免采用掩膜装置1蒸镀发光层的发光材料时，残留在半刻区211内的药液混入到发光材料中，导致蒸镀形成的发光层的发光特性因药液的混入受影响。保证采用该掩膜装置1蒸镀发光层的OLED显示装置不会出现因蒸镀工艺中药液混入发光材料而导致的显示异常。

发明人发现，药液最易残留在两个掩膜支撑条21相交位置处对应的半刻区211上，尤其是半刻区211的顶角位置区域。为了解决半刻区211的顶角位置区域的药液残留，发明人通过改善半刻区211的顶角位置区域通道的导流性能，解决药液在半刻区211的顶角位置区域的残留问题。

具体地，请参照图4，图4为图3的局部放大示意图，全厚区表面可以包括位于两个掩膜支撑条21相交位置处的第一全厚区表面2121，半刻区表面可以包括与该第一全厚区表面2121相交的第一半刻区表面2111。第一全厚区表面2121与第一半刻区表面2111形成第一弧形导流通道231。

第一全厚区表面2121为一弧形表面，第一全厚区表面2121的法线朝向掩膜开口22的方向，即，在两个掩膜支撑条21相交位置处，两个掩膜支撑条21朝向掩膜开口22的表面通过第一全厚区表面2121连接。两个掩膜支撑条21的半刻区211中的药液可以通过第一弧形导流通道231自由流动。

在半刻区211的顶角位置区域A形成由第一全厚区表面2121及第一半刻区表面2111组成的第一弧形导流通道231，在清洗掩膜装置1时，将掩膜装置1竖立放置，半刻区211中的药液会在自身重力作用下沿着半刻区211向下流动，在流动到半刻区211的顶角位置区域A时，由于该处形成的第一弧形导流通道231，使得药液不会在该处囤积，药液会汇集到掩膜开口22下方的半刻区211中，在风吹处理时，下方半刻区211中的药液在风力作用下翻越掩膜开口22下方的全厚区212进入到与该掩膜开口22相邻的下一个掩膜开口22四周的半刻区211中。与上面半刻区211排出药液的过程相同，重复上述过程，将所有掩膜开口22四周的半刻区211中的药液排出，即可实现将药液排出整个掩膜装置1。

在上述结构中，可以根据掩膜装置1竖立方向的不同，在位于半刻区211的不同顶角位置区域A设置第一弧形通道231，比如，第一弧形通道231可以设置在半刻区211长边所在一侧的两个顶角位置区域，也可以设置在半刻区211宽边所在一侧的两个顶角位置区域，还可以在半刻区211的四个顶角位置A区域均设置。

为了便于清洗掩膜装置1时，掩膜开口22的半刻区211中的药液在该掩膜开口22下方的半刻区中聚集，以便风吹处理统一将药液排出。在本申请实施例的实施方式中，请参照图5及图6，图6为图5中的局部放大图，全厚区表面还可以包括位于掩膜开口22一侧的掩膜支撑条21上的第二全厚区表面2122，半刻区表面还可以包括与该第二全厚区表面2122相交的第二半刻区表面2112。

第二全厚区表面2122与第二半刻区表面2112形成第二弧形导流通道232。

进一步地，第二全厚区表面2122为一弧形表面，其中，第二半刻区表面2112在垂直于第二全厚区表面方向2122上的宽度由掩膜支撑条21的两端朝掩膜支撑条21的中间方向逐渐增大。即在掩膜支撑条21的中间位置处，半刻区的宽度最大，全厚区的宽度最小；相应地，在掩膜支撑条21的两端位置，半刻区的宽度最小，全厚区的宽度最大。

在上述结构中，可以根据清洗掩膜装置1时，竖立摆放掩膜装置1的方式不同，将第二弧形导流通道232设置在掩膜开口22不同侧上的掩膜支撑条21上，比如，在采用如图5所示药液流动方向竖直摆放掩膜装置1时，第二弧形导流通道232可以位于掩膜开口22的长边一侧的掩膜支撑条21上，当然，可以理解的是，在将图5中的掩膜装置1旋转90度摆放时，第二弧形导流通道232也可以位于掩膜开口22的宽边一侧的掩膜支撑条21上。

下面以掩膜开口22的长边一侧的掩膜支撑条21上设置第二弧形导流通道232为例进行说明。在清洗掩膜装置1时，将掩膜装置1竖立放置，半刻区211中的药液会在重力作用下汇集到掩膜开口22下方的半刻区211中，即第一弧形导流通道232中，由于掩膜开口22下方对应的掩膜支撑条21在中间位置处的半刻区211宽度最大，全厚区212的宽度最小。一方面可以将掩膜开口22四周的半刻区21中的药液聚集到第一弧形导流通道232中，在吹风处理时，只需对第一弧形导流通道232中的药液进行吹风处理，即可以将掩膜开口22四周的半刻区21中的药液全部排出；另一方面，由于全厚区212的宽度小方便在风吹处理时，药液更容易在风力作用下翻越掩膜开口22下方的全厚区进入到与该掩膜开口22相邻的掩膜开口22的四周半刻区211中。与上面掩膜开口22排出药液的过程相同，重复上述过程，可以将所有掩膜开口22四周的半刻区211中的药液排出，即可实现将药液排出整个掩膜装置1。

为了使掩膜开口22四周的半刻区211中的药液快速流出，请参照图7，在本申请实施例中，掩膜开口22一侧的掩膜支撑条21的半刻区211还可以开设贯穿该掩膜支撑条21上的全厚区的凹槽240。

具体地，可以根据清洗掩膜装置1时，竖立摆放掩膜装置1的方向不同，将凹槽240设置在掩膜开口的不同侧上，比如，在采用如图7所示药液流动方向竖直摆放掩膜装置1时，凹槽240可以位于掩膜开口22的长边一侧的掩膜支撑条21上，当然，可以理解的是，在将图7中的掩膜装置1旋转90度摆放时，凹槽240也可以位于掩膜开口22的宽边一侧的掩膜支撑条21上。

优先地，凹槽240可以设置在掩膜开口一侧的掩膜支撑条21的中部。

下面以掩膜开口22的长边一侧的掩膜支撑条21上设置凹槽240为例进行说明。在清洗掩膜装置1时，将掩膜装置1竖立放置，半刻区211中的药液会在重力作用下汇集到掩膜开口22下方的半刻区中，即掩膜开口22的长边一侧掩膜支撑条上的半刻区211中，由于凹槽240设置在掩膜开口22的长边一侧掩膜支撑条21的中部，汇集在半刻区211的药液可以通过凹槽240流出该掩膜开口22四周的半刻区211，在采用风吹处理时可以进一步加快药液从该掩膜开口22四周的半刻区211中排出的速度。在药液流动方向上相邻的掩膜开口共用的掩膜支撑条21上开设凹槽240，可以加快药液在不同掩膜开口四周半刻区211的流动速度，提高药液清洗掩膜装置1的清洗效率。

请参照图8，掩膜装置1还可以包括蒸镀相应图案的蒸镀掩膜板30。其中，蒸镀掩膜板30层叠在支撑掩膜板20上且掩膜支撑框架10固定，支撑掩膜板20用于支撑该蒸镀掩膜板30。

发明人还发现，在将蒸镀掩膜板30固定在掩膜支撑框架10时，会存在蒸镀掩膜板30在支撑掩膜板20摊平时会出现褶皱现象，这会影响后续发光材料的蒸镀，发明人对产生褶皱现象分析发现，上述褶皱是由蒸镀掩膜板30与支撑掩膜板20之间贴合过紧导致。

为了解决上述问题，本申请实施例的实施方式还提供以下方案。

请参照图9，使位于掩膜开口22一侧的掩膜支撑条21的半刻区211贯穿该掩膜支撑条21，并在该掩膜支撑条21上还可以包括与全厚区212的厚度一致的支撑柱213。可以理解的是，本实施例中，支撑柱213的厚度和全厚区212的厚度一致，是指支撑柱213的厚度与全厚区212的厚度之间的厚度差在预设范围(比如小于0.1um)以内。

在本实施方式中，支撑柱213的数量可以为多个，多个支撑柱213沿掩膜支撑条21的延伸方向分布在该掩膜支撑条21的半刻区211上。

具体地，可以根据清洗掩膜装置1时，竖立摆放掩膜装置1的方向不同，被半刻区211贯穿的掩膜支撑条21可以是位于掩膜开口22不同侧的掩膜支撑条21，比如，在采用如图9所示药液流动方向竖直摆放掩膜装置1时，被半刻区211贯穿的掩膜支撑条21可以为位于掩膜开口22的长边一侧的掩膜支撑条21。当然，可以理解的是，在将图9中的掩膜装置1旋转90度摆放时，被半刻区211贯穿的掩膜支撑条21可以是位于掩膜开口22的宽边一侧的掩膜支撑条21。

下面以掩膜开口22的长边一侧的掩膜支撑条21为被半刻区211贯穿的掩膜支撑条21为例进行说明。在清洗掩膜装置1时，将掩膜装置1竖立放置，半刻区211中的药液会在重力作用下汇集到掩膜开口22下方的半刻区211中，即掩膜开口的长边一侧对应的半刻区中，由于掩膜开口22下方对应的掩膜支撑条21被半刻区211贯穿，药液在重力作用下流出该掩膜开口22，如此可以不需要借助风吹处理即可将药液从掩膜开口22四周的半刻区211中排出。另外，设置的支撑柱213可以对蒸镀掩膜板30进行支撑，减小了全厚区212与蒸镀掩膜板30的贴合面积，改善蒸镀掩膜板30与支撑掩膜板20中全厚区212贴合过紧的问题，有利于减少蒸镀掩膜板30在支撑掩膜板20上摊平时出现的褶皱现象。

本申请实施例提供的掩膜装置，通过全厚区表面与半刻区表面形成的至少部分弧形导流通道可以对半刻区中易积留液体位置处的液体进行导流，可以使液体自由流动不会积留在固定某处，便于通过风吹处理将清洗掩膜装置后残留的药液排出掩膜装置，使药液不会残留在半刻区内，从而避免采用掩膜装置蒸镀发光层的发光材料时，残留在半刻区内的药液混入到发光材料中，导致蒸镀形成的发光层的发光特性因药液的混入受影响。保证采用该掩膜装置蒸镀发光层的OLED显示装置不会出现因蒸镀工艺中药液混入发光材料而导致的显示异常。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种掩膜装置，其特征在于，包括掩膜支撑框架及支撑掩膜板；

所述支撑掩膜板包括两端固定在所述掩膜支撑框架上的多个掩膜支撑条，及由所述多个掩膜支撑条形成的至少一个掩膜开口；

所述掩膜支撑条包括半刻区和全厚区，所述半刻区位于所述掩膜支撑条靠近所述掩膜开口的一侧，其中，半刻区的厚度小于全厚区的厚度；

所述全厚区靠近所述半刻区的全厚区表面与所述半刻区中和该全厚区表面相交的半刻区表面，形成将所述半刻区中的液体进行导流的导流通道，所述导流通道的至少部分为弧形导流通道，所述弧形导流通道至少位于所述半刻区中液体易积留的位置。

2.如权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述全厚区表面包括相交的两个掩膜支撑条在相交位置处的第一全厚区表面，所述半刻区表面包括与该第一全厚区表面相交的第一半刻区表面；

所述第一全厚区表面和所述第一半刻区表面形成第一弧形导流通道。

3.如权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述第一全厚区表面为一弧形表面，所述弧形表面的法线朝向所述掩膜开口的方向。

4.如权利要求3所述的掩膜装置，其特征在于，所述全厚区表面还包括位于所述掩膜开口一侧的掩膜支撑条的第二全厚区表面，所述半刻区表面还包括与该第二全厚区表面相交的第二半刻区表面；

所述第二全厚区表面与所述第二半刻区表面形成第二弧形导流通道。

5.如权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，

所述第二全厚区表面为一弧形表面，其中，所述第二半刻区表面在垂直于所述第二全厚区表面的方向上的宽度由所述掩膜支撑条两端朝所述掩膜支撑条的中间方向逐渐增大。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜开口一侧的掩膜支撑条的半刻区开设有贯穿所述掩膜支撑条上的全厚区的凹槽。

7.如权利要求6所述的掩膜装置，其特征在于，所述凹槽设置在所述掩膜开口一侧的掩膜支撑条的中部。

8.如权利要求1-3中任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，位于所述掩膜开口一侧的掩膜支撑条的半刻区贯穿该掩膜支撑条，所述掩膜支撑条上还包括与所述全厚区的厚度一致的支撑柱。

9.如权利要求8所述的掩膜装置，其特征在于，所述支撑柱的数量为多个，多个所述支撑柱沿所述掩膜支撑条的延伸方向离散分布在所述半刻区上。

10.如权利要求1-5中任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，还包括用于蒸镀图案的蒸镀掩膜板；

所述蒸镀掩膜板层叠设置在所述支撑掩膜板上且与所述掩膜支撑框架固定；

所述支撑掩膜板用于支撑所述蒸镀掩膜板。

Images