CN112909066A - 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。本发明所述显示面板包括:基板;第一有源层,设置于所述基板上;第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上;第一金属层,通过第一过孔与所述第一有源层连接;以及第二金属层,通过第二过孔与所述第二有源层连接;其中所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内,如此设计以实现在显示面板的垂直方向上套设两个TFT,从而有效解决指纹识别电路集成在显示面板内所产生空间不足的问题,并且提高了显示面板的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及面板技术,尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。
背景技术
目前屏下指纹原理,都是需要利用显示屏下方的光学指纹模组来发射光束,通过显示屏对手指的纹路进行发射,再用显示面板内部的识别软件进行识别对比,完成解锁。若要得到清晰的识别手指纹路,对显示屏的透过光要求是十分高,得益于有机发光二极管(OrganicLightEmitting Diode,简称OLED)的超薄、超高透光等特性。目前屏下指纹识别都是采用OLED显示面板,采用这种外挂式指纹传感器是由于自身限制无法进行全屏多点指纹识别,也无法使用在柔性显示屏上。
将光电指纹模组集成在显示面板内是未来的技术趋势,其具有高集成化、全屏多点指纹识别、高屏占比、可卷曲等特点,简称屏内光敏指纹。然而采用屏内光敏指纹的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)通过同一个平面来布局设计可能会无法满足空间上的要求。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,有效解决了采用屏内光敏指纹的薄膜晶体管通过同一个平面来布局设计而无法满足空间要求的问题。
根据本发明的一方面,本发明提供一种显示面板,所述显示面板包括:包括:基板;第一有源层,设置于所述基板上;第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上;第一金属层,通过第一过孔与所述第一有源层连接;以及第二金属层,通过第二过孔与所述第二有源层连接;其中所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内。
进一步地,所述显示面板还包括二极管,所述二极管设置在第二金属层上;所述二极管包括依次层叠设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层。
进一步地,所述二极管为PIN型二极管;所述第一半导体层的材料为N型非晶硅;所述本征半导体层的材料为非晶硅;所述第二半导体层的材料为P型非晶硅。
进一步地,所述显示面板还包括:第一绝缘层,部分覆盖于所述第一有源层上;第三金属层,设置于所述第一绝缘层上;以及第二绝缘层,部分覆盖于所述第三金属层上。
进一步地,所述显示面板还包括:第四金属层,设置于所述第二绝缘层上;第一介电层,部分覆盖于所述第四金属层上;其中所述第二有源层设置于所述第一介电层上。
进一步地,所述显示面板还包括:第三绝缘层,部分覆盖于所述第二有源层上;以及第五金属层,设置于所述第三绝缘层上。
进一步地,所述第一金属层与所述显示面板的阳极连接,用于控制显示面板的发光。
进一步地,所述第一有源层的材料为低温多晶硅半导体材料,所述第二有源层的材料为金属氧化物半导体材料或非晶硅半导体材料。
根据本发明的另一方面,本发明提供一种显示面板的制备方法,包括步骤:提供一基板;在所述基板上形成第一有源层;在所述基板上形成第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上;在所述基板上形成第一金属层,并通过第一过孔与所述第一有源层连接;以及在所述基板上形成第二金属层,并通过第二过孔与所述第二有源层连接;其中所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内。
根据本发明的另一方面,本发明提供一种显示装置,包括本发明实施例任一所述的显示面板。
本发明的优点在于,本发明通过所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内,第一金属层通过第一过孔与所述第一有源层连接,第二金属层通过第二过孔与所述第二有源层连接,以实现在显示面板的垂直方向上套设两个TFT,从而有效解决指纹识别电路集成在显示面板内所产生空间不足的问题,并且提高了显示面板的可靠性。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明一实施例中所提供的一种显示面板的结构示意图。
图2为本发明一实施例中所提供的一种显示面板的制备方法步骤流程图。
图3为本发明一实施例中所提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1所示,为本发明一实施例中所提供的一种显示面板的结构示意图。所述显示面板包括:基板100、第一有源层101、第二有源层104、第一金属层106、第二金属层107、第一绝缘层110、第三金属层102、第四金属层103、第一介电层130、第三绝缘层140、第五金属层105、第二介电层150、第一钝化层160、第二钝化层161、第三钝化层170、平坦层190、公共电极层180、二极管174、阳极层210、OLED器件层220及像素定义层200。
其中所述第一有源层101设置于所述基板100上,第一绝缘层110部分覆盖于所述第一有源层101上,第三金属层102设置于所述第一绝缘层110上,第二绝缘层120部分覆盖于所述第三金属层102上。
在本实施例中,基板100可以是玻璃基板100,但不限于此。例如所述基板100也可以为塑料基板,或PI材料制成的基板。
所述第一有源层101的材料为氧化物,所述氧化物的材料可以是低温多晶硅半导体材料,厚度100-1000埃。在制作所述氧化物的过程中,需对氧化物进行光刻,形成所述第一有源层101。
所述第一绝缘层110材料为SiOx或是SiNx,或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜,其厚度为1000-3000埃,第一绝缘层110材料可以为Mo、Al、Cu、Ti等,或者是合金,厚度可以为2000-10000埃。
第四金属层103设置于所述第二绝缘层120上,第一介电层130部分覆盖于所述第四金属层103上,其中所述第二有源层104设置于所述第一介电层130上,第三绝缘层140部分覆盖于所述第二有源层104上,第五金属层105设置于所述第三绝缘层140上。
在本实施例中,第一金属层106和第二金属层107的厚度为200nm。在本实施例中,通过对第一金属层106和第二金属层107进行图案化的操作,以形成间隔设置的源电极层和漏电极层。所述第一金属层106与所述显示面板的阳极连接,用于控制显示面板的发光。
所述第二绝缘层120和第三绝缘层140材料为SiOx或是SiNx,或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜,其厚度为1000-3000埃,第一绝缘层110材料可以为Mo、Al、Cu、Ti等,或者是合金,厚度可以为2000-10000埃。
第一金属层106通过第一过孔109与所述第一有源层101连接,第二金属层107通过第二过孔108与所述第二有源层104连接。
在本实施例中,所述第二有源层104的材料为金属氧化物半导体材料或非晶硅半导体材料,所述氧化物的材料可以是铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等等,厚度可以为100-1000埃。在制作所述氧化物的过程中,需对氧化物进行光刻,形成所述第二有源层104。所述第二有源层104在所述基板100上的正投影的区域位于所述第一有源层101在所述基板100上的正投影的区域之内。源电极层和漏电极层分别通过第一过孔109和第二过孔108相应地与所述第一有源层101和第二有源层104的源极接触区和漏极接触区接触,以实现在显示面板的垂直方向上套设两个TFT,从而有效解决指纹识别电路集成在显示面板内所产生空间不足的问题,并且提高了显示面板的可靠性。
所述第二介电层150部分覆盖在所述第五金属层105上,所述第一金属层106设置于所述第二介电层150,所述第一钝化层160部分覆盖在所述第一金属层106上,所述第二钝化层161设置于所述第一钝化层160上,第二金属层107设置于所述第二钝化层161上,所述第三钝化层170部分设置于所述第二金属层107上。
所述二极管设置在第二金属层107上,所述二极管包括依次层叠设置的第一半导体层171、本征半导体层172及第二半导体层173。所述二极管174可以为PIN型二极管,所述第一半导体层171的材料为N型非晶硅,所述本征半导体层172的材料为非晶硅,所述第二半导体层173的材料为P型非晶硅。
所述平坦层190设置于所述第三钝化层170上,所述像素定义层200设置于所述平坦层190上,所述阳极层210设置于所述平坦层190上,所述OLED器件层220设置于所述阳极层210上,所述公共电极层180设置于所述第三钝化层170上。
其中所述第二金属层107与所述公共电极层180连接,所述公共电极层180还与所述二极管连接。
现有的指纹之别电路通常采用3T1D的电路架构,而显示面板的驱动电路通常采用7T1C的结构。本发明通过所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内,第一金属层通过第一过孔与所述第一有源层连接,第二金属层通过第二过孔与所述第二有源层连接,以实现在显示面板的垂直方向上套设两个TFT,从而有效解决指纹识别电路集成在显示面板内所产生空间不足的问题,并且提高了显示面板的可靠性。
如图2所示,为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法步骤流程图。所述方法包括步骤:
S210:提供一基板。
在本实施例中,基板可以是玻璃基板,但不限于此。例如所述基板也可以为塑料基板,或PI材料制成的基板。
S220:在所述基板上形成第一有源层。
在本实施例中,所述第一有源层的材料为氧化物,所述氧化物的材料可以是低温多晶硅半导体材料,厚度可以为100-1000埃。在制作所述氧化物的过程中,需对氧化物进行光刻,形成所述第一有源层。
S230:在所述基板上形成第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上。
在本实施例中,所述第二有源层的材料为金属氧化物半导体材料或非晶硅半导体材料,所述氧化物的材料可以是铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等等,厚度可以为100-1000埃。在制作所述氧化物的过程中,需对氧化物进行光刻,形成所述第二有源层。所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内。所述源电极层和漏电极层分别通过第一过孔和第二过孔相应地与所述第一有源层和第二有源层的源极接触区和漏极接触区接触。
S240:在所述基板上形成第一金属层,并通过第一过孔与所述第一有源层连接。
S250:在所述基板上形成第二金属层,并通过第二过孔与所述第二有源层连接。
在本实施例中,所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内。所述源电极层和漏电极层分别通过第一过孔和第二过孔与所述第一有源层和第二有源层源极接触区和漏极接触区接触。
现有的指纹之别电路通常采用3T1D的电路架构,而显示面板的驱动电路通常采用7T1C的结构。本发明通过所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内,第一金属层通过第一过孔与所述第一有源层连接,第二金属层通过第二过孔与所述第二有源层连接,以实现在显示面板的垂直方向上套设两个TFT,从而有效解决指纹识别电路集成在显示面板内所产生空间不足的问题,并且提高了显示面板的可靠性。
如图3所示,为本发明一实施例中所提供的一种显示装置的结构示意图,所述显示装置200包括上述实施例所述的显示面板100。该显示装置200可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
当本实施例的显示装置200采用上述实施例所述的显示面板100时,其显示效果更好。
当然,本实施例的显示装置200中还可以包括其他常规结构,如电源单元、显示驱动单元等。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一有源层,设置于所述基板上;
第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上;
第一金属层,通过第一过孔与所述第一有源层连接;以及
第二金属层,通过第二过孔与所述第二有源层连接;
其中所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括二极管,所述二极管设置在第二金属层上;所述二极管包括依次层叠设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述二极管为PIN型二极管;所述第一半导体层的材料为N型非晶硅;所述本征半导体层的材料为非晶硅;所述第二半导体层的材料为P型非晶硅。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一绝缘层,部分覆盖于所述第一有源层上;
第三金属层,设置于所述第一绝缘层上;以及
第二绝缘层,部分覆盖于所述第三金属层上。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第四金属层,设置于所述第二绝缘层上;
第一介电层,部分覆盖于所述第四金属层上;
其中所述第二有源层设置于所述第一介电层上。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第三绝缘层,部分覆盖于所述第二有源层上;以及
第五金属层,设置于所述第三绝缘层上。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层与所述显示面板的阳极连接,用于控制显示面板的发光。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源层的材料为低温多晶硅半导体材料,所述第二有源层的材料为金属氧化物半导体材料或非晶硅半导体材料。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一基板;
在所述基板上形成第一有源层;
在所述基板上形成第二有源层,间隔设置于所述第一有源层上;
在所述基板上形成第一金属层,并通过第一过孔与所述第一有源层连接;以及
在所述基板上形成第二金属层,并通过第二过孔与所述第二有源层连接;
其中所述第二有源层在所述基板上的正投影的区域位于所述第一有源层在所述基板上的正投影的区域之内。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任意一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110164485.8A CN112909066B (zh) | 2021-02-05 | 2021-02-05 | 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110164485.8A CN112909066B (zh) | 2021-02-05 | 2021-02-05 | 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112909066A true CN112909066A (zh) | 2021-06-04 |
CN112909066B CN112909066B (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=76123288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110164485.8A Active CN112909066B (zh) | 2021-02-05 | 2021-02-05 | 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112909066B (zh) |
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CN112909066B (zh) | 2024-02-02 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |