CN112908985B - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents
一种阵列基板及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112908985B CN112908985B CN202110108619.4A CN202110108619A CN112908985B CN 112908985 B CN112908985 B CN 112908985B CN 202110108619 A CN202110108619 A CN 202110108619A CN 112908985 B CN112908985 B CN 112908985B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- stress
- array substrate
- stress layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 195
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N ethyl trimethyl methane Natural products CCC(C)(C)C HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006018 1-methyl-ethenyl group Chemical group 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003208 poly(ethylene sulfide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种阵列基板及显示面板,该阵列基板包括基板、反射层以及应力层。基板具有相对设置的第一面和第二面,反射层设置在第一面,应力层设置在第二面,应力层用于匹配反射层对基板造成的应力。通过在基板与反射层相对的一侧设置应力层,能够匹配反射层对基板造成的应力,这样可以避免基板发生翘曲,进而避免了基板发生翘曲对后续封装、绑定、组装等制程造成的影响。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)显示凭借色彩优势,在显示行业中拥有很大市场。Mini LED可以通过背光区域调节技术(local dimming)实现百万级的对比度,也就是与面板的显示画面匹配实现区域开启背光,面板上不显示的区域背光不开启,实现完全的黑态,从而达到百万级的对比度。而传统背光开启时所有的灯都会开启,在面板上不显示的区域也会受到背光照射,导致暗态不够黑,对比度低。
由于Mini LED背板为玻璃材质,在没灯的地方反射率较低,会有较大的光损失,因此基板表面需要做一层白油反射层,以增加背板的反射率,提高光利用率。
但由于Mini LED背板为单板玻璃,上面有大量的金属线路,且涂布完白油后由于白油与Mini LED基板应力不匹配,会导致Mini LED基板出现较大的翘曲,这会严重影响后续的表面封装(Surface Mounted Technology, SMT)、绑定(bonding)及组装等制程。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板,可以避免基板发生翘曲。
本申请提供一种阵列基板,包括:
基板,所述基板具有相对设置的第一面和第二面;
反射层,所述反射层设置在所述第一面;
应力层,所述应力层设置在所述第二面,所述应力层用于匹配所述反射层对所述基板产生的应力。
可选的,在本申请的一些实施例中,还包括多个发光二极管,所述反射层上设置有多个第一安装孔,所述发光二极管设置在所述反射层远离所述第一面的一侧,且对应设置在所述第一安装孔内,所述应力层整面覆盖所述第二面。
可选的,在本申请的一些实施例中,还包括多个发光二极管,所述反射层上设置有多个第一安装孔,所述发光二极管设置在所述反射层远离所述第一面的一侧,且对应设置在所述第一安装孔内,所述应力层上设置有多个第二安装孔,所述第二安装孔与所述第一安装孔一一对应。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述应力层的厚度沿所述基板中心向边缘的方向逐渐增大。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述应力层围设在所述基板的四周边缘。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述反射层与所述应力层的厚度相同。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述反射层与所述应力层的厚度为22 μm至28μm。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述反射层与所述应力层采用的材料相同。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述反射层与所述应力层采用的材料为白色油墨。
相应的,本申请还提供一种显示面板,包括一种阵列基板,所述阵列基板为以上所述的阵列基板。
本申请提供的阵列基板及显示面板,包括基板、反射层及应力层。所述基板具有相对设置的第一面和第二面。所述反射层设置在所述第一面。所述应力层设置在所述第二面,所述应力层用于匹配所述反射层对所述基板造成的应力。通过在基板与反射层相对的一侧设置应力层,能够匹配反射层对所述基板造成的应力,这样可以避免基板发生翘曲。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的阵列基板的第一种结构示意图;
图2是本申请提供的阵列基板的第二种结构示意图;
图3是本申请提供的阵列基板的第三种结构示意图;
图4是本申请提供的阵列基板的第四种结构示意图;
图5是本申请提供的阵列基板的第五种结构示意图;
图6是本申请提供的阵列基板的第六种结构示意图;
图7是本申请提供的阵列层的一种结构示意图;
图8为本申请提供的阵列基板制程方法的一种流程示意图;
图9是本申请提供的显示面板的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请中的附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请提供一种阵列基板及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1,图1是本申请提供的阵列基板10的第一种结构示意图。该阵列基板10包括基板101、反射层102以及应力层103。基板101具有相对设置的第一面101a和第二面101b,反射层102设置在第一面101a,应力层103设置在第二面101b,应力层103用于匹配反射层102对基板101产生的应力。
本申请提供的阵列基板10,通过在基板101与反射层102相对的一侧设置应力层103,能够对反射层102在基板101上造成的应力起到匹配作用。应力层103的设置可以避免基板101发生翘曲,进而避免了基板101发生翘曲对后续封装、绑定、组装等制程造成的影响,能够提高阵列基板10的制程良率。
需要说明的是,第一面101a可以为基板101的上表面,第二面101b可以为基板101的下表面。当然,第一面101a也可以为基板101的下表面,第二面101b可以为基板101的上表面。本申请在不做特殊说明的情况下,默认为第一面101a为基板101的上表面,第二面101b为基板101的下表面。
其中,基板101指的是用于承载膜层的基体构件。基板101为玻璃、功能玻璃(sensor glass)或柔性衬底。
其中,功能玻璃是在超薄玻璃上溅射透明金属氧化物导电薄膜镀层,并经过高温退火处理得到的。其中,透明金属氧化物的材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性,并且厚度较小,不会影响阵列基板101的整体厚度。同时,还可以减少对人体有害的电子辐射、紫外及红外光。
其中,柔性衬底可以由单层柔性有机层构成,也可以由两层以及两层以上的柔性有机层构成。柔性有机层的材料选自聚酰亚胺(Polyimide, PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester, PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene glycol terephthalate, PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide, PEI)和聚醚砜(Polyether sulfone, PES)中的一种或多种。
请参阅图2,图2是本申请提供的阵列基板10的第二种结构示意图。阵列基板10还包括多个发光二极管104。反射层102上设置有多个第一安装孔102a。发光二极管104设置在反射层102远离第一面的一侧,且对应设置在第一安装孔102a内,应力层103整面覆盖第二面101b。
其中,发光二极管104为LED(Light Emitting Diode)、Mini-LED或Micro-LED中的一种。其中,LED功耗低、耐高温和低温、使用寿命长。Mini-LED和Micro-LED能够实现更精密的动态背光效果,在有效提高屏幕亮度和对比度的同时,还能抑制传统大灯泡动态背光在屏幕亮暗区域之间造成的眩光现象。
其中,发光二极管104包括红色发光二极管、绿色发光二极管及蓝色发光二极管。本申请对红色发光二极管、绿色发光二极管及蓝色发光二极管的排列顺序不做限制。
其中,采用表面贴装技术(Surface Mounting Technology, SMT)在反射层102远离第一面101a的一侧设置多个发光二极管104。具体地,采用丝网印刷机将焊膏用钢网漏印到阵列基板10上需要发光二极管104的焊盘上,为发光二极管104的焊接做准备。然后采用贴片机将发光二极管104准确安装到焊膏上。最后将焊膏通过高温融化,冷却后使发光二极管104与基板101牢固焊接在一起。SMT技术目前发展成熟,因此采用SMT工艺进行表面组装,能够保证产品良率。采用SMT的方法设置发光二极管104,组装密度高、电子产品体积小、重量轻,可靠性高、抗振能力强、焊点缺陷率低、高频特性好。这种方法减少了电磁和射频干扰,易于实现自动化,提高生产效率、降低成本,节省材料、能源、设备、人力、时间。
其中,焊膏采用的材料可以为锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)中的一种或多种组合。焊膏将发光二极管104焊接到阵列基板10上,能够使发光二极管104与阵列基板10的连接更紧密,不易脱落,保障了发光二极管104的焊接可靠性。
在本实施例中,通过在反射层102上设置第一安装孔102a来放置发光二极管104,能够使反射层102设置得更平整,降低了反射层102的贴合难度,增加了贴合可靠性。另外,由于设置了第一安装孔102a,能够整体减小阵列基板10的厚度,保证阵列基板10的轻薄度。其中,第一安装孔102a可以是通孔或盲孔。
由于反射层102上设置了多个第一安装孔102a以设置发光二极管104,发光二极管104发出的部分光会通过安装孔由基板101的第二面101b漏出,这一部分漏掉的光会导致发光二极管104的光利用率降低。而本申请中在第二面101b设置了应力层103,可以有效阻挡光线的漏出,并且应力层103也可以采用反射率高的材料,从而有效地将漏出的光线反射回去,不但可以平衡应力,改善基板101的翘曲,还提高了光线的利用率。
在本实施例中,应力层103是整面设置的,能够对第一安装孔102a中发光二极管104周缘缝隙处可能产生的细微漏光进行反射,避免发光二极管104与第一安装孔102a的尺寸误差导致的显示暗点。
请参阅图3,图3是本申请提供的阵列基板10的第三种结构示意图。该阵列基板10还包括多个发光二极管104。反射层102上设置有多个第一安装孔102a。发光二极管104设置在反射层102远离第一面101a的一侧,且对应设置在第一安装孔102a内。应力层103上设置有多个第二安装孔103a。第二安装孔103a与第一安装孔102a一一对应。
在本实施例中,应力层103上设置有多个第二安装孔103a。第二安装孔103a与第一安装孔102a一一对应。这样的设置方式能够使应力层103更好的匹配反射层102在基板101上产生的应力。
其中,反射层102与应力层103的厚度相同。具体地,反射层102与应力层103的厚度为22 μm至28 μm。反射层102与应力层103厚度相同,能够更好的保证第一面101a与第二面101b的应力匹配。由于第一面101a上的反射层102起到反射发光二极管104光线的作用,另外还能对基板101或第一面101a上的设置的其他膜层进行保护。例如在设置发光二极管104时,反射层102能够防止钢网在网印刷时将基板101压损。基于以上的作用,反射层102需要具有一定的厚度。但是,反射层102的厚度过厚也会影响后续表面封装制程的良率。综合各项因素,将反射层102和应力层103的厚度设置为22 μm至28 μm效果是最好的。进一步地,反射层102与应力层103的厚度可以为22 μm、23 μm、24 μm、25 μm、26 μm、27 μm或28 μm。
其中,反射层102与应力层103采用的材料相同。具体地,反射层102与应力层103采用的材料为白色油墨。白色油墨的主要成分包括2-丙烯酸2- [2-(乙烯氧基)乙氧基]乙酯、三甲基丙烷三酰基化物、2-[[2,2-双[[(1-氧代-2-丙烯基]甲基]丁氧基]甲基]-2-乙基-1,3-丙烷二基-2-丙烯酸酯、二氧化钛、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰)氧化磷、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、寡-[2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]和α,α',α''-1,2,3-三丙基三[ω-[(1-氧代-2-丙烯基)羟基]-聚[氧化(甲基-1,2-亚乙基)]。
需要说明的是,由于白色的油墨材料反射率高,反射层102和应力层103的材料采用白色油墨能够达到更好的反射效果,提高发光二极管104的光线利用率。反射层102和应力层103也可以采用其他颜色的材料,只要保证高的反射率即可,本申请中采用白色油墨作为反射层102和应力层103仅为一种示例,不作为对本申请的限制。
其中,反射层102与应力层103采用的材料相同。反射层102采用的材料需保证高反射率,应力层103采用的材料只需保证与反射层102的应力匹配。因此,本申请不限制应力层103材料的反射率和反射效果。
其中,第一安装孔102a与第二安装孔103a的孔深相同。其中,第一安装孔102a与第二安装孔103a的孔深为14 μm至28 μm。具体地,第一安装孔102a与第二安装孔103a的孔深为14 μm、16 μm、18 μm、20 μm、22 μm、23 μm、24 μm、25 μm、26 μm、27 μm或28 μm。当第一安装孔102a为通孔时,第二安装孔103a也为通孔;当第一安装孔102a为盲孔时,第二安装孔103a也为盲孔。一方面,孔深对应可以使应力得到更好的匹配,使基板101两侧受到的来自反射层102和应力层103的应力相同。另一方面,反射层102和应力层103设置安装孔可以采用同一掩模板,从而节省生产成本。
请参阅图4,图4是本申请提供的阵列基板10的第四种结构示意图。应力层103的厚度沿基板101中心向边缘的方向逐渐增大。由于基板101的边缘是最容易发生翘曲的位置,并且基板101受到的应力是与应力层103的厚度正相关的。因此,可以将应力层103的厚度设置为沿基板101中心向边缘的方向逐渐增大,在避免基板101发生翘曲的同时,可以降低应力层103材料的成本。
请参阅图5,图5是本申请提供的阵列基板10的第五种结构示意图。应力层103围设在基板101的四周边缘。如上所述,基板101的边缘是最容易发生翘曲的位置,因此可以在发生翘曲的位置对应设置应力层103,进行应力匹配。节约材料成本的同时也避免基板101发生翘曲问题。
请参阅图6,图6是本申请提供的阵列基板10的第六种结构示意图。该阵列基板10还包括阵列层105,阵列层105设置在第一面101a。反射层102设置在阵列层105远离阵列层105的一侧。阵列层105用于对发光二极管104进行驱动。其中,阵列层105可以采用薄膜晶体管器件、驱动开关或驱动芯片中的任一种对发光二极管104进行驱动。
其中,驱动开关可以为场效应管(metal oxide semiconductor, MOS)。场效应管的制造工艺简单、输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快,应用场效应管作为驱动开关能够获得更好的背光效果。
请参阅图7,图7是本申请提供的阵列层105的一种结构示意图。阵列层105包括有源层1051、栅极绝缘层1052、栅极层1053、层间绝缘层1054、金属层1055及钝化层1056。有源层1051设置在基板101上,且部分覆盖基板101。栅极绝缘层1052设置在有源层1051远离基板101的一侧,并延伸至基板101。栅极层1053对应有源层1051设置在栅极绝缘层1052远离基板101的一侧,且部分覆盖栅极绝缘层1053。层间绝缘层1054设置在有源层1051远离基板101的一侧并延伸至栅极绝缘层1052。金属层1055设置在层间绝缘层1054远离基板101的一侧,并与有源层1051连接。钝化层1056设置在金属层1055远离基板101的一侧,且延伸至层间绝缘层1054。
其中,有源层1051采用的材料包括单晶硅(α-Si)、低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon, LTPS)和透明金属氧化物中的任一种。采用α-Si制作有源层1051的技术简单成熟、成本低廉。而LTPS是非晶硅经过镭射光均匀照射后非晶硅吸收内部原子发生能级跃迁形变成为多晶结构而形成的。采用LTPS制成的有源层1051分辨率更高、反映速度更快、亮度更高。透明金属氧化物包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性,并且厚度较小,不会影响阵列基板10的整体厚度。同时,还可以减少对人体有害的电子辐射、紫外光及红外光。具体地,可以采用IGZO制作有源层1051,采用IGZO制作的有源层1051迁移率高、均一性好,且制作工艺简单。IGZO在光照下的稳定性较好,并且IGZO具有很强的弯曲性能,可用于柔性显示。
其中,栅极绝缘层1052的材料可以选自二氧化硅、二氧化氮或氮氧化硅。栅极绝缘层1052可以为单层或多层结构,栅极绝缘层1052为多层时,各层的材料可以相同或不同。
其中,金属层1055采用的材料为银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)、钨(W)或钛(Ti)中的任一种。银、铝、铜等金属的导电性好,成本较低,在保证阳极的导电性的同时可以降低生产成本。
其中,金属层1055包括金属走线1055a和源漏金属1055b。源漏金属1055b与栅极层1053、有源层1051形成薄膜晶体管器件。薄膜晶体管器件用于控制发光二极管104发光。金属走线1055a用于向薄膜晶体管器件输入信号。
可以理解的是,图7中阵列层105中形成的薄膜晶体管器件结构仅为示意,本申请不限定阵列层105中所包含的薄膜晶体管器件的结构,其可以为顶栅型薄膜晶体管,也可以为底栅型薄膜晶体管,其可以为双栅极型薄膜晶体管,也可以为单栅极型薄膜晶体管。对于薄膜晶体管器件的具体结构在本申请中不再赘述。
本申请提供一种阵列基板制程方法,请参阅图8,图8为本申请提供的阵列基板制程方法的一种流程示意图。该阵列基板制程方法具体包括如下步骤:
201、提供一基板,基板包括第一面和第二面。
202、在第一面设置反射层。
其中,在第一面设置反射层采用喷墨印刷或涂布的工艺。
具体地,在第一面上喷墨印刷反射层材料,对反射层材料进行平坦化处理并干燥,对反射层材料进行烘烤以得到反射层。喷墨印刷的方法可以精确控制成膜区域,能够节约材料,降低成本,提高产品良率。
具体地,采用涂布的工艺在第一面上设置反射层。首先,将雾化的反射层材料均匀地喷涂在第一面上,然后驱动基板旋转以使基板上的反射层材料形成膜层,待反射层材料分布稳定后停止基板的旋转以得到反射层。采用旋转涂布的工艺可提高反射层的厚度均匀性,方便在制程中灵活控制反射层的成膜状态,还能方便控制精度。可选的,在传统的旋涂之前增加一步喷涂,可在第一面形成一层薄的液体膜层,提高旋涂时反射层材料在基板表面的流动性,降低电机速度要求,提高旋涂效率,并提高材料的利用率。
203、在第二面设置应力层,应力层用于匹配反射层对基板产生的应力。
具体地,在第一面上喷墨印刷应力层材料,对应力层材料进行平坦化处理并干燥,对应力层材料进行烘烤以得到反射层。喷墨印刷的方法可以精确控制成膜区域,能够节约材料,降低成本,提高产品良率。
具体地,采用涂布的工艺在第一面上设置应力层。首先,将雾化的应力层材料均匀地喷涂在第一面上,然后驱动基板旋转以使基板上的应力层材料形成膜层,待应力层材料分布稳定后停止基板的旋转以得到应力层。采用旋转涂布的工艺可提高应力层的厚度均匀性,方便在制程中灵活控制应力层的成膜状态,还能方便控制精度。可选的,在传统的旋涂之前增加一步喷涂,可在第一面形成一层薄的液体膜层,提高旋涂时应力层材料在基板表面的流动性,降低电机速度要求,提高旋涂效率,并提高材料的利用率。
本申请提供一种显示面板100,请参阅图9,图9是本申请提供的显示面板100的一种结构示意图。该显示面板100包括阵列基板10和封装结构20,阵列基板10为以上的阵列基板10,显示面板100还可以包括其他装置,封装结构20和其他装置及其装配为本领域技术人员熟知的技术手段,在此不再赘述。
封装结构20可以采用无机封装层、有机封装层或交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。无机封装层可以选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等的无机材料。有机封装层选自环氧树脂、聚酰亚胺(Polyimide, PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene glycol terephthalate, PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(Polyethylene, PE)、聚丙烯酸酯(Polyacrylate, PEA)等的有机材料。
本申请提供的显示面板100,包括一种阵列基板10,该阵列基板10包括基板、反射层以及应力层。基板具有相对设置的第一面和第二面,反射层设置在第一面,应力层设置在第二面,应力层用于匹配反射层对基板造成的应力。通过在基板与反射层相对的一侧设置应力层,能够对反射层对基板造成的应力起到匹配作用,这样可以避免基板发生翘曲,进而避免了基板发生翘曲对后续封装、绑定、组装等制程造成的影响。
本申请提供的显示面板100为LED面板、Mini-LED面板或Micro-LED面板。其中,Mini-LED面板或Micro-LED面板可以通过背光区域调节技术(local dimming)实现百万级的对比度。Mini-LED面板或Micro-LED面板作为一个全新的显示技术,在亮度、功耗上较有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode, OLED)更有优势。
该显示面板100可以用于电子装置中,电子装置可以为智能手机(smartphone)、平板电脑(tablet personal computer)、移动电话(mobile phone)、视频电话机、电子书阅读器(e-book reader)、台式计算机(desktop PC)、手提电脑(laptop PC)、上网本(netbookcomputer)、工作站(workstation)、服务器、个人数字助理(personal digitalassistant)、便携式媒体播放器(portable multimedia player)、MP3播放器、移动医疗机器、照相机、游戏机、数码相机、车载导航仪、电子广告牌、自动取款机或可穿戴设备(wearable device)中的至少一个。
以上对本申请所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (6)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板,所述基板具有相对设置的第一面和第二面;
反射层,所述反射层设置在所述第一面;
应力层,所述应力层设置在所述第二面,所述应力层用于匹配所述反射层对所述基板产生的应力,所述应力层覆盖所述第二面;
多个发光二极管,所述反射层上设置有多个第一安装孔,所述发光二极管设置在所述反射层远离所述第一面的一侧,且对应设置在所述第一安装孔内;
其中,所述应力层上设置有多个第二安装孔,在所述阵列基板的正投影方向上,所述第二安装孔与所述第一安装孔一一对应设置,所述第一安装孔和第二安装孔的孔深相同,所述反射层与所述应力层的厚度相同,所述反射层为22 μm至28 μm。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述应力层的材料包括反射性材料。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层与所述应力层采用的材料相同。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层与所述应力层采用的材料为白色油墨。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括阵列层,所述阵列层设置在所述第一面,所述反射层设置在所述阵列层远离所述应力层的一侧,所述阵列层用于驱动所述发光二极管。
6.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板,所述阵列基板为权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110108619.4A CN112908985B (zh) | 2021-01-27 | 2021-01-27 | 一种阵列基板及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110108619.4A CN112908985B (zh) | 2021-01-27 | 2021-01-27 | 一种阵列基板及显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112908985A CN112908985A (zh) | 2021-06-04 |
CN112908985B true CN112908985B (zh) | 2023-10-31 |
Family
ID=76120518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110108619.4A Active CN112908985B (zh) | 2021-01-27 | 2021-01-27 | 一种阵列基板及显示面板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112908985B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113471217A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-10-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法与显示面板 |
CN113690250B (zh) * | 2021-08-09 | 2023-10-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
CN114023899A (zh) * | 2021-10-25 | 2022-02-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN114582913B (zh) * | 2022-02-16 | 2024-10-25 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的制造方法及显示面板 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1124059A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズ基板 |
JP2011199192A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ基板並びにそれを備えた表示装置及び電磁波センサ |
CN108231730A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、电子设备及显示面板的制备方法 |
CN108597376A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 预拉伸基底及其制作方法、电子器件及其制作方法 |
CN111738192A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
CN111798765A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的制备方法、显示装置 |
CN112103384A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-18 | 福建华佳彩有限公司 | 一种Mini LED屏结构及其封装方法 |
CN112180629A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-01-05 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200941758A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Bright Led Electronics Corp | LED-based surface light-source device |
KR102009727B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치를 제조하기 위한 캐리어 기판 |
KR20150003466A (ko) * | 2013-07-01 | 2015-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 거울형 표시장치 및 그 제조방법 |
-
2021
- 2021-01-27 CN CN202110108619.4A patent/CN112908985B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1124059A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズ基板 |
JP2011199192A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ基板並びにそれを備えた表示装置及び電磁波センサ |
CN108231730A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、电子设备及显示面板的制备方法 |
CN108597376A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 预拉伸基底及其制作方法、电子器件及其制作方法 |
CN111738192A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
CN111798765A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的制备方法、显示装置 |
CN112103384A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-18 | 福建华佳彩有限公司 | 一种Mini LED屏结构及其封装方法 |
CN112180629A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-01-05 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112908985A (zh) | 2021-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112908985B (zh) | 一种阵列基板及显示面板 | |
US20210296394A1 (en) | Array substrate and preparation method therefor, and display panel and display device | |
US10923529B2 (en) | Display substrate, method for manufacturing display substrate, and display device | |
WO2020207013A1 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
US11367713B2 (en) | Micro light emitting device display apparatus | |
US11063108B2 (en) | Organic light emitting diode array substrate and electronic device | |
US10734608B2 (en) | Display panel and manufacturing method thereof and display device including display panel | |
US10748884B2 (en) | Electronic device with common electrode | |
US11637166B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
CN109599421B (zh) | Oled显示装置及其制作方法 | |
US11393959B2 (en) | Micro light-emitting diode device | |
US20240088329A1 (en) | Display module comprising junction structure between micro led and tft layer | |
US20120161191A1 (en) | Light-emitting module | |
US20230060979A1 (en) | Array substrate and preparation method therefor, and display apparatus | |
KR20190114738A (ko) | 전자 장치 | |
US11183622B2 (en) | Micro light-emitting device module | |
US20220167537A1 (en) | Device for manufacturing side line, method of manufacturing side line and method of manufacturing display device | |
JP2011151187A (ja) | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 | |
CN105452755B (zh) | 印刷电路板和包括该印刷电路板的照明单元 | |
US20220285600A1 (en) | Micro light emitting device display apparatus | |
CN112864253B (zh) | 一种阵列基板及显示面板 | |
US11948908B2 (en) | Electronic device and manufacturing method of electronic device | |
KR20130051120A (ko) | 신호 전송 필름 및 그 제조 방법과 그를 가지는 표시 장치 | |
CN112736178B (zh) | mini-LED装置及制作方法 | |
TWI404241B (zh) | 發光二極體及其封裝方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |