CN112180629A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板。该阵列基板包括基板、透明绝缘层、吸光层、薄膜晶体管层、第一保护层和彩膜层。通过在阵列基板中设置吸光层，改善薄膜晶体管层设置区域反射率高的问题。同时在基板与吸光层之间设置整面的透明绝缘层。该透明绝缘层一方面可以改善彩膜层对应区域反射率高的问题，另一方面可以增强吸光层与基板之间的附着力，使阵列基板的结构更稳定。由于在阵列基板中增加了透明绝缘层和吸光层的结构，能够解决阵列基板侧出光的显示面板反射率大的问题，增强显示面板的画质品质，以使显示面板更好的适应市场的全面屏需求。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
对比度是评估液晶显示屏(LCD)的画质表现的重要指标之一。在真实使用场景中，由于周围环境光的影响，显示面板的反射率会影响画面的对比度，如下所示：
Figure BDA0002727654640000011
Lon/Loff分别表示显示面板的亮态/暗态亮度，RL表示显示面板的反射率。因此，想要提高显示面板的对比度可以从两个方面入手：1、提高显示面板的亮态亮度Lon；2、降低显示面板的反射率RL。
同时，随着市场对无边框产品的需求增长，TFT侧朝外的方案有利于提升四边无边框产品的模组良率。但TFT区域的金属反光强烈，同时透光区的反射率也比CF侧朝外时偏大，导致显示面板对环境光的反射率明显增大，会降低显示面板的画质品质。
因此，需要降低显示面板的反射率以提升显示面板的画质和显示效果。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示面板，能够降低显示面板的反射率。
本发明提供一种阵列基板，包括：
基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
透明绝缘层，所述透明绝缘层设置在所述第一面；
吸光层，所述吸光层设置在所述透明绝缘层远离所述第一面的一侧，所述吸光层上设置有多个通孔；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置在所述吸光层远离所述透明绝缘层的一侧，所述薄膜晶体管层对应所述吸光层设置；
第一保护层，所述第一保护层设置在所述吸光层和所述薄膜晶体管层远离所述第一面的一侧；
彩膜层，所述彩膜层对应所述通孔设置在所述第一保护层远离所述第一面的一侧。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、栅极绝缘层及第二金属层，所述第一金属层对应所述吸光层设置在所述吸光层远离所述透明绝缘层的一侧，所述栅极绝缘层设置在所述第一金属层远离所述第一面的一侧且延伸至所述透明绝缘层，所述第二金属层设置在所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述第二金属层设置在所述第一金属层的正投影区域内。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、栅极绝缘层及第二金属层，所述吸光层包括第一吸光层和第二吸光层，所述第一吸光层设置在所述透明绝缘层远离所述第一面的一侧，所述第一金属层对应所述第一吸光层设置，且所述第一金属层设置在所述第一吸光层远离所述第一面的一侧，所述栅极绝缘层设置在所述第一金属层远离所述第一面的一侧且延伸至所述透明绝缘层，所述第二吸光层设置在所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述第二金属层对应所述第二吸光层设置，且所述第二金属层设置在所述第二吸光层远离所述第一面的一侧。
在一些实施例中，还包括绝缘层，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、栅极绝缘层及第二金属层，所述吸光层包括子吸光层和子金属层，所述子吸光层设置在所述透明绝缘层远离所述第一面的一侧，所述子金属层设置在所述子吸光层远离所述透明绝缘层的一侧，所述绝缘层设置在所述子金属层远离所述第一面的一侧且延伸至所述透明绝缘层，所述第一金属层对应所述吸光层设置在所述绝缘层远离所述第一面的一侧，所述栅极绝缘层设置在所述第一金属层远离所述第一面的一侧且延伸至所述透明绝缘层，所述第二金属层对应所述吸光层设置在所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧。
在一些实施例中，所述子金属层采用的材料为铜、钼、钛、铝、镍、铌、铊或铬中的任一种或多种组合。
在一些实施例中，所述吸光层采用的材料为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物或金属碳化物。
在一些实施例中，所述吸光层的厚度为40nm至120nm，所述吸光层的吸光系数为1以下，所述吸光层的折射率为1.4至3。
在一些实施例中，所述透明绝缘层的厚度为40nm至120nm，所述透明绝缘层的吸光系数为0.2以下，所述透明绝缘层的折射率为1.5至1.9。
在一些实施例中，还包括第二保护层及像素电极层，所述第二保护层设置在所述彩膜层远离所述第一面的一侧且延伸至第一保护层，所述像素电极层对应所述彩膜层设置在所述第二保护层远离所述彩膜层的一侧。
本发明提供一种显示面板，包括一种阵列基板，所述阵列基板为以上所述的阵列基板。
本发明所提供的阵列基板包括基板、透明绝缘层、吸光层、薄膜晶体管层、第一保护层和彩膜层。基板包括相对设置的第一面和第二面。透明绝缘层设置在所述第一面。吸光层设置在所述透明绝缘层远离所述第一面的一侧，所述吸光层上设置有多个通孔。薄膜晶体管层设置在所述吸光层远离所述透明绝缘层的一侧，所述薄膜晶体管层对应所述吸光层设置。第一保护层设置在所述吸光层和所述薄膜晶体管层远离所述第一面的一侧。彩膜层对应所述通孔设置在所述第一保护层远离所述第一面的一侧。通过在阵列基板中设置吸光层，改善薄膜晶体管层设置区域反射率高的问题。同时在基板与吸光层之间设置整面的透明绝缘层。该透明绝缘层一方面可以改善彩膜层对应区域反射率高的问题，另一方面可以增强吸光层与基板之间的附着力，使阵列基板的结构更稳定。由于在阵列基板中增加了透明绝缘层和吸光层的结构，能够解决阵列基板侧出光的显示面板反射率大的问题，增强显示面板的画质品质，以使显示面板更好的适应市场的全面屏需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的阵列基板的第一种结构示意图；
图2为本发明提供的阵列基板的第二种结构示意图；
图3为本发明提供的阵列基板的第三种结构示意图；
图4为本发明提供的阵列基板的第四种结构示意图；
图5为本发明提供的阵列基板的第五种结构示意图；
图6为本发明提供的阵列基板的第六种结构示意图；
图7为本发明提供的阵列基板的第七种结构示意图；
图8为本发明提供的显示面板的第一种结构示意图；
图9为本发明提供的显示面板的第二种结构示意图；
图10为本发明提供的显示面板中薄膜晶体管层所在区域的反射光谱；
图11为本发明提供的显示面板中彩膜层所在区域的反射光谱。
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
本发明提供一种阵列基板及显示面板，以下对阵列基板做详细介绍。
请参阅图1和图2，图1是本发明中的阵列基板10的第一种结构示意图，图2是本发明中的阵列基板10的第二种结构示意图。其中，阵列基板10包括基板101、透明绝缘层102、吸光层103、薄膜晶体管层104、第一保护层105和彩膜层106。基板101包括相对设置的第一面101a和第二面101b。透明绝缘层102设置在第一面101a。吸光层103设置在透明绝缘层102远离第一面101a的一侧，吸光层103上设置有多个通孔。薄膜晶体管层104设置在吸光层103远离透明绝缘层102的一侧，薄膜晶体管层104对应吸光层103设置。第一保护层105设置在吸光层103和薄膜晶体管层104远离第一面101a的一侧。彩膜层106对应通孔设置在第一保护层105远离第一面101a的一侧。
本发明通过在阵列基板10中设置吸光层103，改善薄膜晶体管层104设置区域反射率高的问题。同时在基板101与吸光层103之间设置整面的透明绝缘层102。该透明绝缘层102一方面可以改善彩膜层106对应区域反射率高的问题，另一方面可以增强吸光层103与基板101之间的附着力，使阵列基板10的结构更稳定。由于在阵列基板10中增加了透明绝缘层102和吸光层103的结构，能够解决阵列基板侧出光的显示面板反射率大的问题，增强显示面板的画质品质，以使显示面板更好的适应市场的全面屏需求。
需要说明的是，第一面101a可以为基板101的上表面，第二面101b可以为基板101的下表面。当然，第一面101a也可以为基板101的下表面，第二面101b可以为基板101的上表面。本发明中不做特殊说明的情况下，默认为第一面101a为基板101的下表面，第二面101b为基板101的上表面。
其中，图1和图2分别示出了第一保护层105的两种设置方式。图1的设置方式第一保护层105设置平坦化，这样可以方便后续膜层的制作。图2的设置方式第一保护层105可以采用蒸镀的方式一次性制成，这种设置方式可以节约材料成本和生产工艺成本。
其中，吸光层103采用的材料为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物或金属碳化物。具体地，吸光层103采用材料的化学式为MoaXbOcNd、MoaXbWc、MoaXbCc或AlaObNc，其中，a、c和d为大于0的有理数，b为0以上的有理数，c和d不同时为0，X为金属元素。进一步地，X为钽(Ta)、钒(V)、镍(Ni)、铌(Nb)、锆(Zr)、钨(W)、钛(Ti)、铼(Re)或铪(Hf)中的任一种。
其中，吸光层103的厚度为40nm至120nm，进一步地，吸光层103的厚度可以为50nm至90nm。其中，吸光层103的吸光系数为1以下，吸光层103的折射率为1.4至3。具体地，吸光层103的厚度为40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm或120nm。吸光层103的吸光系数为0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9或1。吸光层103的折射率为1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8、2.9或3。采用以上参数范围的材料用于吸光层103的制作，能够更好的实现减小反射率的效果。
其中，透明绝缘层102采用的材料为透明绝缘材料，具体地，可以采用氮化硅或氮氧化硅。透明绝缘层102设置在基板101和吸光层103之间，一方面可以降低阵列基板101的反射率，另一方面可以提升吸光层103和基板101之间的附着力。透明绝缘层102可以采用化学气相沉积法进行整面设置，无需进行额外的黄光、蚀刻制程，操作简单，制程方便。
其中，透明绝缘层102的厚度为40nm至120nm，进一步地，透明绝缘层102的厚度可以为60nm至100nm。其中，透明绝缘层102的吸光系数为0.2以下，透明绝缘层102的折射率为1.5至1.9。具体地，透明绝缘层102的厚度为40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm或120nm。透明绝缘层102的吸光系数为0、0.1、0.15、0.18或0.2。透明绝缘层102的折射率为1.5、1.6、1.7、1.8或1.9。采用以上参数范围的材料用于透明绝缘层102的制作，能够更好的实现减小反射率的效果。
请参阅图3，图3是本发明中的阵列基板10的第三种结构示意图。其中，薄膜晶体管层104包括第一金属层1041、栅极绝缘层1042及第二金属层1043，第一金属层1041对应吸光层103设置在吸光层103远离透明绝缘层102的一侧，栅极绝缘层1042设置在第一金属层1041远离第一面101a的一侧且延伸至透明绝缘层102，第二金属层1043设置在栅极绝缘层1042远离第一金属层1041的一侧，第二金属层1043设置在第一金属层1041的正投影区域内。
在这种实施例中，吸光层103可以同时遮盖第一金属层1041和第二金属层1043，只需要一道吸光层103的制程即可，工艺步骤简单，能够减少设备成本。另外，不会过多的增加阵列基板10的厚度，能够保持阵列基板10的轻薄化。
请参阅图4，图4是本发明中的阵列基板10的第四种结构示意图。其中，薄膜晶体管层包括第一金属层1041、栅极绝缘层1042及第二金属层1043，吸光层103包括第一吸光层1031和第二吸光层1032，第一吸光层1031设置在透明绝缘层102远离第一面101a的一侧，第一金属层1041对应第一吸光层1031设置，且第一金属层1041设置在第一吸光层1031远离第一面101a的一侧，栅极绝缘层1042设置在第一金属层1041远离第一面101a的一侧且延伸至透明绝缘层102，第二吸光层1032设置在栅极绝缘层1042远离第一金属层1041的一侧，第二金属层1043对应第二吸光层1032设置，且第二金属层1043设置在第二吸光层1032远离第一面101a的一侧。
在这种实施例中，吸光层103包括第一吸光层1031和第二吸光层1032，第一金属层1041和第二金属层1042分别对应第一吸光层1031和第二吸光层1032设置。由于第一金属层1041和第二金属层1042之间可能发生偏移，导致第二金属层1042从吸光层103所在的正投影区域漏出，影响吸光层改善反射率的效果。这样的设置方式可以防止出现第二金属层1042从吸光层103所在的正投影区域漏出的问题。
请参阅图5，图5是本发明中的阵列基板10的第五种结构示意图。其中，还包括绝缘层109，薄膜晶体管层104包括第一金属层1041、栅极绝缘层1042及第二金属层1043，吸光层103包括子吸光层1033和子金属层1034，子吸光层1033设置在透明绝缘层102远离第一面101a的一侧，子金属层1034设置在子吸光层1033远离透明绝缘层102的一侧，绝缘层109设置在子金属层1034远离第一面101a的一侧且延伸至透明绝缘层102，第一金属层1041对应吸光层103设置在绝缘层109远离第一面101a的一侧，栅极绝缘层1042设置在第一金属层1041远离第一面101a的一侧且延伸至透明绝缘层102，第二金属层1043对应吸光层103设置在栅极绝缘层1042远离第一金属层1041的一侧。
其中，子金属层1034采用的材料为铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、镍(Ni)、铌(Nb)、钽(Ta)或铬(Cr)中的任一种或多种组合。
在这种实施例中，由于吸光层103是单独制作的，也就是没有直接与薄膜晶体管层104中的第一金属层1041或第二金属层1042接触，因此其减小反射率的效果不是很理想，需要再组合设置一层子金属层1034用于减小反射率。但考虑到还需再设置一层绝缘层109，因此吸光层103的厚度设置为较小的范围，避免对阵列基板10的厚度产生影响。
请参阅图6和图7，图6是本发明中的阵列基板10的第六种结构示意图，图7是本发明中的阵列基板10的第七种结构示意图。其中，阵列基板10还包括第二保护层107及像素电极层108，第二保护层107设置在彩膜层106远离第一面101a的一侧且延伸至第一保护层105，像素电极层108对应彩膜层106设置在第二保护层107远离彩膜层106的一侧。
本发明提供一种显示面板100，图8为本发明中显示面板100的第一种结构示意图。其中，显示面板100包括以上所述的阵列基板10和彩膜基板20，显示面板100还可以包括其他装置。本发明中彩膜基板20和其他装置及其装配是本领域技术人员所熟知的相关技术，在此不做过多赘述。
本发明提供的显示面板100，采用了一种阵列基板10，通过在阵列基板10中设置吸光层，改善薄膜晶体管层设置区域反射率高的问题。同时在基板与吸光层之间设置整面的透明绝缘层。该透明绝缘层一方面可以改善彩膜层对应区域反射率高的问题，另一方面可以增强吸光层与基板之间的附着力，使阵列基板10的结构更稳定。由于在阵列基板10中增加了透明绝缘层和吸光层的结构，能够解决阵列基板侧出光的显示面板反射率大的问题，增强显示面板的画质品质，以使显示面板更好的适应市场的全面屏需求。
具体地，请参阅图9，图9为本发明中显示面板100的第二种结构示意图。其中，显示面板100包括相对设置的阵列基板10、彩膜基板20以及液晶层30。液晶层30设置在阵列基板10和彩膜基板20之间。
其中，阵列基板10为以上所述的阵列基板10，彩膜基板20包括玻璃基板201、公共电极层202及光阻层203。玻璃基板201与阵列基板10相对设置，公共电极层202设置在玻璃基板201靠近阵列基板10的一侧。光阻层203设置在公共电极层202靠近阵列基板10的一侧，光阻层203对应薄膜晶体管层104设置。
在这种实施例中，对本发明提供的阵列基板10应用于液晶显示器进行了说明，但实际上本发明提供的阵列基板10还可以用于OLED显示面板或其他显示面板。因此图9所示的实施例不作为对本发明的限制。
请参阅图10和图11，图10是本发明提供的显示面板100中薄膜晶体管层所在区域的反射光谱。图10中横坐标表示光的波长，单位为纳米(nm)，纵坐标表示折射率(n)，A为本发明提供的阵列基板，B为没有设置吸光层和透明绝缘层的阵列基板。图11是本发明提供的显示面板100中彩膜层所在区域的反射光谱。图11中横坐标表示光的波长，单位为纳米(nm)，纵坐标表示折射率(n)，C为本发明提供的阵列基板，D为没有设置吸光层和透明绝缘层的阵列基板。从图10和图11的结果可以看出，由于本发明在薄膜晶体管层所在区域设置了吸光层和透明绝缘层，反射率平均减小到了5％以下，吸光层和透明绝缘层共同作用减小反射率的效果很明显。并且由图11的结果可以看出，本发明的阵列基板结构也能够在一定程度上减小彩膜层所在区域的反射率。因此，在阵列基板中设置吸光层和透明绝缘层，能够大幅减小阵列基板的反射率，提高阵列基板侧出光的显示面板的画质品质，以适应全面屏的产品需求。
以上对本发明提供阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
透明绝缘层，所述透明绝缘层设置在所述第一面；
吸光层，所述吸光层设置在所述透明绝缘层远离所述第一面的一侧，所述吸光层上设置有多个通孔；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置在所述吸光层远离所述透明绝缘层的一侧，所述薄膜晶体管层对应所述吸光层设置；
第一保护层，所述第一保护层设置在所述吸光层和所述薄膜晶体管层远离所述第一面的一侧；
彩膜层，所述彩膜层对应所述通孔设置在所述第一保护层远离所述第一面的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、栅极绝缘层及第二金属层，所述第一金属层对应所述吸光层设置在所述吸光层远离所述透明绝缘层的一侧，所述栅极绝缘层设置在所述第一金属层远离所述第一面的一侧且延伸至所述透明绝缘层，所述第二金属层设置在所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述第二金属层设置在所述第一金属层的正投影区域内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、栅极绝缘层及第二金属层，所述吸光层包括第一吸光层和第二吸光层，所述第一吸光层设置在所述透明绝缘层远离所述第一面的一侧，所述第一金属层对应所述第一吸光层设置，且所述第一金属层设置在所述第一吸光层远离所述第一面的一侧，所述栅极绝缘层设置在所述第一金属层远离所述第一面的一侧且延伸至所述透明绝缘层，所述第二吸光层设置在所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述第二金属层对应所述第二吸光层设置，且所述第二金属层设置在所述第二吸光层远离所述第一面的一侧。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括绝缘层，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、栅极绝缘层及第二金属层，所述吸光层包括子吸光层和子金属层，所述子吸光层设置在所述透明绝缘层远离所述第一面的一侧，所述子金属层设置在所述子吸光层远离所述透明绝缘层的一侧，所述绝缘层设置在所述子金属层远离所述第一面的一侧且延伸至所述透明绝缘层，所述第一金属层对应所述吸光层设置在所述绝缘层远离所述第一面的一侧，所述栅极绝缘层设置在所述第一金属层远离所述第一面的一侧且延伸至所述透明绝缘层，所述第二金属层对应所述吸光层设置在所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述子金属层采用的材料为铜、钼、钛、铝、镍、铌、铊或铬中的任一种或多种组合。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层采用的材料为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物或金属碳化物。
7.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层的厚度为40nm至120nm，所述吸光层的吸光系数为1以下，所述吸光层的折射率为1.4至3。
8.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述透明绝缘层的厚度为40nm至120nm，所述透明绝缘层的吸光系数为0.2以下，所述透明绝缘层的折射率为1.5至1.9。
9.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二保护层及像素电极层，所述第二保护层设置在所述彩膜层远离所述第一面的一侧且延伸至第一保护层，所述像素电极层对应所述彩膜层设置在所述第二保护层远离所述彩膜层的一侧。
10.一种显示面板，其特征在于，包括一种阵列基板，所述阵列基板为权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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