CN112905034A

CN112905034A - 触控侦测方法、装置及电子设备

Info

Publication number: CN112905034A
Application number: CN201911223137.2A
Authority: CN
Inventors: 肖钡; 骆志强
Original assignee: Inferpoint Systems Shenzhen Ltd
Current assignee: Inferpoint Systems Shenzhen Ltd
Priority date: 2019-12-03
Filing date: 2019-12-03
Publication date: 2021-06-04
Anticipated expiration: 2039-12-03
Also published as: CN112905034B; TW202122987A; TWI724707B

Abstract

本发明提供一种触控侦测方法，包括：启动所述触控屏，并通过自电容扫描所述触控屏各行及各列的自电容变化量差分数据，以获取相应的第一差分数列及第二差分数列；通过互电容扫描获取所述第一差分数列及第二差分数列的参考值及所述参考值的对应位置；以及根据所述参考值及所述参考值的对应位置，对所述第一差分数列及第二差分数列进行数据还原处理；采用还原处理的数据代表触控产生的电容变化量，从而完成触控侦测。所述方法可使差分扫描检测的数据准确的呈现出其实际电容变化量，对触控或其他场景识别有非常高的还原度和可行性。本发明还提供一种触控侦测装置及电子设备。

Description

触控侦测方法、装置及电子设备

技术领域

本发明涉及触控技术领域，尤其涉及一种触控侦测方法、装置及电子设备。

背景技术

在类似于Y-OCTA OLED显示面板上搭载On-cell触控屏，其结构上由于超薄贴合，导致该触控屏极容易受到OLED显示面板的显示噪声(Display Noise)的影响，并且还需要负载一个超大的Base电容(即电极与系统地之间的电容)。要突破这个技术堡垒，现有技术采用的解决方案是在前端扫描的时候同步差分扫描检测。但此方案虽然有效的减掉了触控屏内的显示噪声，但Base电容引起的Loading(负载)也被相应的减掉。

例如，请一并参阅图1，假设触控屏内有N个感应通道Sx1-SxN。在任意一个时刻(t0)，该N个感应通道Sx1-SxN收到相同的显示屏噪声(Display Noise)N。那么t0时刻每个感应通道感应到的信号分别为Sx1+N(t0)，Sx2+N(t0)，Sx3+N(t0)，……，Sx(N-1)+N(t0)，SxN+N(t0)。当采用上述同步差分方式检测时，可以得到N-1组数列：Sx2-Sx1，Sx3-Sx2，Sx4-Sx3，……，Sx(N-1)-Sx(N-2)，SxN-Sx(N-1)。显然，当采用同步差分方式处理后，显示屏噪声(Display Noise)N可在差分过程中被完全有效的减掉。然而，在差分过程中，也会把直流分量一并去除，而导致最终的差分数据变成一个没有基准参考的相对变化量。如此，无法确认触控能量的大小，而无法进行一些特殊行为、形态的准确识别。

发明内容

鉴于上述内容，有必要提供一种可对触控屏的差分数据进行有效还原的触控侦测方法、装置及电子设备。

本发明一方面提供一种触控侦测方法，应用于触控屏，所述触控屏为自互一体结构的电容式触控屏，所述触控屏包含检测电极，用以形成自电容和互电容；所述方法包括：

启动所述触控屏，并通过自电容扫描所述触控屏各行及各列的自电容变化量差分数据，以获取相应的第一差分数列及第二差分数列；

通过互电容扫描获取所述第一差分数列及第二差分数列的参考值及所述参考值的对应位置；以及

根据所述参考值及所述参考值的对应位置，对所述第一差分数列及第二差分数列进行数据还原处理；

采用还原处理的数据代表触控产生的电容变化量，从而完成触控侦测。

作为一种优选方案，所述方法还包括：

通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量数据后获取第一电容数列及第二电容数列；

定义一差分数据特征；

利用所述差分数据特征对所述第一电容数列及第二电容数列分别进行差分处理，进而得到所述第一差分数列及第二差分数列。

作为一种优选方案，所述差分数据特征为集合S＝{S1-Sn，S2-S1，S3-S2，……，S(n-1)-S(n-2)，Sn-S(n-1)}。

作为一种优选方案，获取所述第一差分数列及所述第二差分数列的参考值及所述参考值的对应位置步骤包括：

通过互电容扫描，获取所述触控屏的互电容变化量数据，以获得一互容数据阵列；

获取所述互容数据阵列中每行互容在Y轴方向上的绝对值累和/平均绝对值或累和/平均值，以形成相应的第一数列投影；

获取所述第一数列投影的最小值及所述最小值在所述第一数列投影的位置，并将所述第一数列投影的最小值或所述第一数列投影的最小值的倍数作为所述第一差分数列的参考值；

获取所述互容数据阵列中每列互容在X轴方向上的绝对值累和/平均绝对值或累和/平均值，以形成相应的第二数列投影；以及

获取所述第二数列投影的最小值及所述最小值在所述第二数列投影的位置，并将所述第二数列投影的最小值或所述第二数列投影的最小值的倍数作为所述第二差分数列的参考值。

作为一种优选方案，根据所述第一差分数列及所述第二差分数列的参考值及其对应位置，采用递归累和的方式或递归作差的方式对所述第一差分数列及第二差分数列进行数据还原处理。

本发明另一方面提供一种触控侦测装置，应用于触控屏，所述触控屏为自互一体结构的电容式触控屏，所述触控屏包含检测电极，用以形成自电容和互电容；所述触控侦测装置包括：

第一获取模块，用以启动所述触控屏，并通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量差分数据，进而获取第一差分数列及第二差分数列；

第二获取模块，用以通过互电容扫描获取所述第一差分数列及第二差分数列的参考值及所述参考值的对应位置；以及

数据还原模块，用以根据所述第一差分数列及所述第二差分数列的参考值及所述参考值的对应位置，对获取的第一差分数列及第二差分数列进行数据还原处理，以采用还原处理的数据代表触控产生的电容变化量，从而完成触控侦测。

作为一种优选方案，所述第一获取模块还用以通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量数据，进而获取第一电容数列及第二电容数列；所述装置还包括：

定义模块，用以定义一差分数据特征；

差分处理模块，用以利用所述差分数据特征对所述第一电容数列及第二电容数列分别进行差分处理，进而得到所述第一差分数列及第二差分数列。

作为一种优选方案，所述第一获取模块还用以通过互电容扫描获取所述触控屏的互容数据阵列；所述第二获取模块还用以：

作为一种优选方案，所述数据还原模块根据所述第一差分数列及所述第二差分数列的参考值及其对应位置，采用递归累和的方式或递归作差的方式对所述第一差分数列及第二差分数列进行数据还原处理。

本发明另一方面提供一种电子设备，所述电子设备包括：

触控屏，所述触控屏为自互一体结构的电容式触控屏，所述触控屏包含检测电极，用以形成自电容和互电容；以及

触控芯片；

所述触控芯片中存储有计算机程序指令并执行上述所述的触控侦测方法。

本发明的触控侦测方法、装置及电子设备在不同的触控场景时，基本上均可实现比较完美的还原，不会对信噪比产生任何影响。也就是说，所述方法及装置可有效地使差分扫描检测的数据准确的呈现出其实际电容变化量，对触控或其他场景识别有非常高的还原度和可行性。

附图说明

图1为一触控屏内的感应通道示意图。

图2为本发明较佳实施方式中触控侦测方法的流程图。

图3为自互一体结构的电容式触控屏中自电容与互电容的触控能量关系示意图。

图4为图2所示触控侦测方法中步骤S14的子流程图。

图5为利用图2所示触控侦测方法获取的互容数据阵列示意图。

图6为利用图2所示触控侦测方法获取的数列投影示意图。

图7为第一差分数列及第二差分数列的数据形态曲线图。

图8为第一差分数列还原前后及理论数据的形态曲线图。

图9为第二差分数列还原前后及理论数据的形态曲线图。

图10为当分别采用最小值进行还原或者采用最大值进行还原时第一电容数列的数据形态曲线图。

图11为本发明较佳实施方式中触控侦测装置的功能框图。

图12为本发明较佳实施方式中电子设备的功能框图。

主要元件符号说明

触控侦测装置	100
		第一获取模块	11
定义模块	13
		差分处理模块	15
第二获取模块	16
		数据还原模块	17
电子设备	200
		存储器	201
处理器	202
		计算机程序	203
触控屏	205
		显示面板	207

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

请参阅图2，图2是本发明较佳实施例中触控侦测方法的流程图。该方法用以对自互一体结构的电容式触控屏的差分数据进行有效还原，进而有效确认触控能量的大小，以实现对一些特殊行为、形态进行准确识别。可以理解，在本实施例中，所述触控屏包含检测电极，用以形成自电容和互电容。可以理解，根据不同的需求，所述流程图中步骤的顺序可以改变，某些步骤可以省略。

步骤S11，启动所述触控屏，并通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量差分数据，进而获取第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’。

可以理解，在本实施例中，可通过以下子步骤1-3获取所述第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’。

子步骤1，通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量数据，进而获取第一电容数列SXr及第二电容数列SXc。

子步骤2，定义一差分数据特征，例如第一差分数据特征1。

在本实施例中，第一差分数据特征1为集合S＝{S1-Sn，S2-S1，S3-S2，……，S(n-1)-S(n-2)，Sn-S(n-1)}。所述第一差分数据特征1中，由于首尾相连，因此集合S共有n个元素。即第一差分数据特征1为闭合循环差分数据特征。

子步骤3，利用子步骤2定义的差分数据特征，例如第一差分数据特征1对所述第一电容数列SXr及第二电容数列SXc分别进行差分处理，进而得到所述第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’。

可以理解，在本实施例中，假设该触控屏内有n个感应通道Sx1-Sxn。在任意一个时刻(t0)，该n个感应通道Sx1-Sxn收到相同的显示屏噪声(Display Noise)N。那么t0时刻每个感应通道感应到的信号分别为Sx1+N(t0)，Sx2+N(t0)，Sx3+N(t0)，……，Sx(n-2)+N(t0)，Sx(n-1)+N(t0)，Sxn+N(t0)。当采用上述同步差分方式检测时，即执行子步骤3后，可以得到n组数列。

显然，当采用上述同步差分方式，即采用第一差分数据特征1，该显示屏噪声(Display Noise)N均可在差分过程中被完全有效的减掉。

步骤S12，获取所述第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’的参考值及所述参考值的对应位置。

可以理解，请一并参阅图3，通常在自互一体结构的电容式触控屏中，自电容的触控能量可近似等效成是互电容分别往X轴、Y轴方向的二维投影。另外，通常互电容能量集中的位置，对应的自电容投影位置必定能量相对集中。因此，在选择参考通道Ref-Sx的时候，尽可能的挑选触控信号小的通道，以便有效接近还原出真实的触摸电容变化量。

也就是说，在本实施例中，在获取参考通道Ref-Sx时，可借助互电容扫描辅助筛选出所述触控屏内有效合适的参考通道Ref-Sx。同时所述参考通道Ref-Sx要尽可能的避开有效触摸信号的影响。

具体地，请一并参阅图4，该步骤S12包括以下子步骤：

子步骤S121：请一并参阅图5，通过互电容扫描，获取所述触控屏的互电容变化量数据，进而获得一互容数据阵列。

子步骤S122：获取或计算所述互容数据阵列中每行互容在Y轴方向上的绝对值累和或平均绝对值，以形成相应的第一数列投影{L1:Ln}。

其中，子步骤S122中，假设每行有n个通道，则按照第一预设公式(1)获取每行互容在Y轴方向上的绝对值累和。或者，根据第二预设公式(2)获取每行互容在Y轴方向上的平均绝对值。

子步骤S123：请一并参阅图6，获取所述第一数列投影{L1:Ln}的最小值及所述最小值在所述第一数列投影{L1:Ln}的位置Pn，并将所述最小值作为所述第一差分数列SXr’的参考值Tx_Ref，即Tx_Ref＝min{Ln}。

其中，位置Pn为即将要还原的第一差分数列SXr’的参考值的代入位置。

子步骤S124：请再次参阅图5，获取或计算所述互容数据阵列中每列互容在X轴方向上的绝对值累和或平均绝对值，以形成相应的第二数列投影{R1:Rm}。

其中，子步骤S124中，假设每行有m个通道，则按照第三预设公式(3)获取每列互容在X轴方向上的绝对值累和。或者，根据第四预设公式(4)获取每列互容在X轴方向上的平均绝对值。

子步骤S125：请再次参阅图6，获取所述第二数列投影{R1:Rm}的最小值及所述最小值在所述第二数列投影{R1:Rm}的位置Pm，并将所述第二数列投影{R1:Rm}的最小值作为所述第二差分数列SXc’的参考值Rx_Ref，即Rx_Ref＝min{Rm}。

其中，位置Pm为即将要还原的第二差分数列SXc’的参考值的代入位置。

步骤S13，根据步骤S12获取的第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’的参考值Tx_Ref、Rx_Ref及其对应位置Pn、Pm，对步骤S11获取的第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’进行数据还原处理。

在本实施例中，假设采用第一差分数据特征1，即闭合循环差分数据特征对第一电容数列SXr进行差分处理，以获得相应的第一差分数列SXr’。所述第一差分数列SXr’为Sx1-Sxn。

接着，假设第一差分数列SXr’的参考值Tx_Ref投影在P1位置，即第一个通道Sx1，则按照第一处理方式从参考值Tx_Ref的下一个通道开始数据还原。

在本实施例中，所述第一处理方式可以为递归累和。即Sx2’＝Tx_Ref+Sx2，Sx3’＝Sx2’+Sx3，Sx4’＝Sx3’+Sx4，……，Sxn’＝Sx(n-1)’+Sxn，Sx1＝Sxn’+Sx1。

同理，假设采用第一差分数据特征1，即闭合循环差分数据特征对第二电容数列SXc进行差分处理，以获得相应的第二差分数列SXc’。所述第二差分数列SXc’为Sx1-Sxn。接着，假设第二差分数列SXc’的参考值Rx_Ref投影在P9位置，即第9个通道Sx9。则可按照所述第一处理方式从参考值Rx_Ref的下一个通道，即第9个通道开始还原，即Sx10’＝Rx_Ref+Sx10，Sx1’＝Sx10’+Sx1，Sx2’＝Sx1’+Sx2，Sx3’＝Sx2’+Sx3，Sx4’＝Sx3’+Sx4，……，Sxn’＝Sx(n-1)’+Sxn，x1＝Sxn’+Sx1。

可以理解，在其他实施例中，不局限采用所述第一差分数据特征1，即闭合循环差分数据特征对第一电容数列SXr及第二电容数列SXc进行差分处理。例如可根据具体情况采用一第二差分数据特征2对第一电容数列SXr及第二电容数列SXc进行差分处理。在本实施例中，所述第二差分数据特征2为集合S＝{S2-S1，S3-S2，S4-S3，……，S(n-1)-S(n-2)，Sn-S(n-1)}。所述第二差分数据特征2中，集合S共有n-1个元素，即第二差分数据特征2为不循环差分数据特征。

可以理解，在其他实施例中，不局限于采用所述第一处理方式对所述差分数据进行还原，其还可采用其他的处理方式，例如第二处理方式，即递归做差的方式对所述差分数据进行还原。

例如，假设采用第二差分数据特征2，即不循环差分数据特征对第二电容数列SXc进行差分处理，以获得相应的第二差分数列SXc’。所述第二差分数列SXc’为Sx1-Sxn。接着，假设第二差分数列SXc’的参考值Rx_Ref投影在P9位置，即第九个通道Sx9，则按照所述第二处理方式从参考值Rx_Ref的下一个通道开始还原。即Sx1’＝Sx2’-Sx1，……，Sx8’＝Sx9’-Sx8，Sx9’＝Rx_Ref，Sx10’＝Sx9’+Sx9，Sxn’＝Sx(n-1)’+Sx(n-1)。

可以理解，在本实施例中，以上两种特征的差分数据，将待还原的第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’的Pn、Pm位置的值，分别以Tx_Ref，Rx_Ref数值为基准代入，并采用递归累和或递归作差的方式，进而有效滤除显示屏噪声(Display Noise)N，以复原实际电容变化量。即采用还原处理的数据代表触控产生的电容变化量，从而完成触控侦测。

可以理解，在本实施例中，是采用加绝对值的方式，例如绝对值累和或平均绝对值，来获取参考值及所述参考值的对应位置。在其他实施例中，也可采用不加绝对值的方式，例如累和或平均值，来获取参考值及所述参考值的对应位置。

当然，在其他实施例中，也可先采用加绝对值的方式，例如绝对值累和或平均绝对值，以获取参考值的对应位置，即最小参考通道的位置。再采用不加绝对值的方式获取所述对应位置的参考值，即计算所述最小参考通道的位置对应的参考值，以防止引入直流量。

可以理解，为了使得本领域的技术人员更加清楚的了解如何实施上述步骤，下面以其中一个应用场景进行说明。

首先，请参阅表1，在自互一体结构的电容式触控屏上，通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量数据，即第一电容数列SXr及第二电容数列SXc。

表1自电容扫描获取的第一电容数列SXr及第二电容数列SXc

SXr	85	100	179	1008	2556	2159	329	154	129	95
											SXc	84	120	213	807	1732	1988	975	113	53	30

接着，请参阅表2，利用子步骤2中的差分数据特征，例如第一差分数据特征1，对所述第一电容数列SXr及第二电容数列SXc分别进行差分处理，进而得到相应的第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’。

表2经差分处理获得的第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’

请一并参阅表3，获取所述触控屏的互电容变化量数据。例如通过互电容扫描获得一个10*10的互容数据阵列。

表3互容数据阵列

7	4	4	7	5	3	-1	3	-3	7
										19	21	24	47	65	71	43	13	19	19
22	24	35	43	103	123	53	21	13	9
										8	27	56	157	458	630	253	18	1	19
22	39	111	564	1069	1121	715	46	11	9
										27	42	100	454	942	1024	526	46	9	-3
27	36	52	121	230	265	115	25	8	3
										9	15	17	33	40	35	15	6	-3	7
10	11	16	41	52	52	30	8	7	10
										20	15	16	32	46	48	34	23	13	16

请参阅表4，根据上述子步骤S122、S124，以对表3中的互容数据阵列进行处理，进而获得第一数列投影{L1:Ln}及第二数列投影{R1:Rm}。

表4具有第一数列投影及第二数列投影的互容数据阵列

请一并参阅表5，接着根据上述子步骤S123、S125，获取第一数列投影{L1:Ln}及第二数列投影{R1:Rm}的数列极小值分别为Ln＝4和Rm＝8，且其数列极小值的位置分别为P1及P9。

表5第一数列投影及第二数列投影

Ln	4	34	44	162	370	317	88	18	23	26
											Rm	17	23	43	149	301	337	178	20	8	10

请一并参阅表6，最后根据步骤S13所述的还原方法，例如采用递归累和的方式，对所述第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’进行数据还原处理，以获得实际电容变化量SXr-diff、SXc-diff。

表6数据还原后的第一数列投影及第二数列投影

SXr-diff	4	19	98	927	2475	2078	248	73	48	14
											SXc-diff	39	75	168	762	1687	1943	930	68	8	-15

请一并参阅图7，图7为第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’的数据形态曲线图。其中，曲线S71为第一差分数列SXr’的数据形态曲线。曲线S72为第二差分数列SXc’的数据形态曲线。

请一并参阅图8，图8为第一差分数列SXr’还原前后及理论数据的形态曲线图。其中曲线S81为所述SXr差分处理后即第一差分数列SXr’的数据形态曲线。曲线S82为所述第一差分数列SXr’采用上述方式进行还原后即SXr-diff的数据形态曲线。曲线S83为所述第一电容数列SXr的理论数据形态曲线。

请一并参阅图9，图9为第二差分数列SXc’还原前后及理论数据的形态曲线图。其中曲线S91为所述SXc差分处理后即第二差分数列SXc’的数据形态曲线。曲线S92为所述第二差分数列SXc’采用上述方式进行还原后即SXc-diff的数据形态曲线。曲线S93为所述第二电容数列SXc的理论数据形态曲线。

显然，由图8及图9可知晓，当所述第一电容数列SXr及第二电容数列SXc采用上述方式还原后，其还原数据与理论数据基本一致。

请一并参阅图10，图10为当分别采用最小值进行还原或者采用最大值进行还原时所述第一电容数列SXr的数据形态曲线图。其中曲线S101为当采用最小值的方式进行还原时所述第一电容数列SXr的数据形态曲线。曲线S102为当采用最大值的方式进行还原时所述第一电容数列SXr的数据形态曲线。曲线S103为采用常规扫描检测时所述第一电容数列SXr的数据形态曲线。显然，当所述第一电容数列SXr采用最小值的方式进行还原时，其还原数据与采用常规扫描检测时的数据基本一致。

可以理解，在其他实施例中，当出现所有通道均被触摸到的特殊场景，则触控信号便无法避开。此时，依然可采用上述方法获取最小触控量区域的通道作为参考去还原。而这部分被抬起的直流分量可通过预设调整系数，再将被还原数据乘以该调整系数，使直流量逼近于0。也就是说，在通道完全抬起的特殊场景，可以通过调整系数来校正。例如，该调整系数为所述第一数列投影的最小值的倍数及所述第二数列投影的最小值的倍数。

显然，本发明的触控侦测方法，由于自电容的能量大小或位置可以透过互电容能量的二维投影得以反馈，且通过参考互电容以找到触控信号最小的通道作为自容差分数据的参考基准。如此，通过参考基准的位置与数值代入的方式递归累和，进而将电容数列集合进行还原。以上方法，在不同的触控场景时，基本上均可实现比较完美的还原，不会对信噪比产生任何影响。也就是说，所述触控侦测方法可有效地使差分扫描检测的数据准确的呈现出其实际电容变化量，从而完成触控侦测，对触控或其他场景识别有非常高的还原度和可行性。

可以理解，请一并参阅图11，本发明另一实施例还提供一种触控侦测装置100。所述触控侦测装置100包括第一获取模块11、定义模块13、差分处理模块15、第二获取模块16、以及数据还原模块17。

其中，所述第一获取模块11用以启动所述触控屏，并通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量差分数据，进而获取第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’。

可以理解，在本实施例中，所述第一获取模块11还用以通过互电容扫描，获取所述触控屏的的互电容变化量数据，进而获得一互容数据阵列。

可以理解，在本实施例中，所述第一获取模块11还用以通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量数据，进而获取第一电容数列SXr及第二电容数列SXc。

所述定义模块13用以定义一差分数据特征，例如第一差分数据特征1或者第二差分数据特征2。

所述差分处理模块15用以利用所述第一差分数据特征1或第二差分数据特征2，对所述第一电容数列SXr及第二电容数列SXc进行差分处理，进而得到所述第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’。

例如，在本实施例中，可利用所述第一差分数据特征1对所述第一电容数列SXr及第二电容数列SXc分别进行差分处理，进而得到相应的第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’。

所述第二获取模块16用以根据所述互容数据阵列，获取所述第一电容数列SXr及第二电容数列SXc的参考值Rx_Ref、Tx_Ref及所述参考值Rx_Ref、Tx_Ref的对应位置。

所述数据还原模块17用以根据所述第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’的参考值Rx_Ref、Tx_Ref及其对应位置Pn、Pm，对获取的第一差分数列SXr’及第二差分数列SXc’进行数据还原处理。

可以理解，请一并参阅图12，本发明另一实施例还提供一种电子设备200。所述电子设备200包括存储器201、处理器202以及存储在所述存储器201中并可在所述处理器202上运行的计算机程序203。

所述电子设备200可以为手机、平板电脑、手表等。本领域技术人员可以理解，所述示意图仅仅是电子设备200的示例，并不构成对电子设备200的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件。

所述电子设备200还包括触控屏205及显示面板207。所述显示面板207为Y-OCTAOLED显示面板。所述触控屏205为自互一体结构的电容式触控屏，其可设置于该显示面板207上(ON-CELL)。

所述处理器202用以执行所述计算机程序203时实现上述触控侦测方法实施例中的步骤，例如图2所示的步骤S11-S13。或者，所述处理器202执行所述计算机程序203时实现上述触控侦测装置100实施例中各模块/单元的功能，例如图11中的第一获取模块11、定义模块13、差分处理模块15、第二获取模块16、以及数据还原模块17。

示例性的，所述计算机程序203可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器201中，并由所述处理器202执行，以完成本发明。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，所述指令段用于描述所述计算机程序203在所述电子设备200中的执行过程。例如，所述计算机程序203可以被分割成图10中的第一获取模块11、定义模块13、差分处理模块15、第二获取模块16、以及数据还原模块17。

所称处理器202可以是中央处理模块(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者所述处理器202也可以是任何常规的处理器等，所述处理器202是所述电子设备200的控制中心，利用各种接口和线路连接整个电子设备200的各个部分。可以理解，在本实施例中，所述处理器202为一触控芯片。

所述存储器201可用于存储所述计算机程序203和/或模块/单元。所述处理器202通过运行或执行存储在所述存储器201内的计算机程序和/或模块/单元，以及调用存储在存储器201内的数据，实现所述电子设备200的各种功能。所述存储器201可主要包括存储程序区和存储数据区。其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等。存储数据区可存储根据电子设备200的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器201可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。

所述电子设备200集成的模块/单元如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，所述计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。

在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的电子设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的电子设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。

另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在相同处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在相同模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能模块的形式实现。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他模块或步骤，单数不排除复数。电子设备权利要求中陈述的多个模块或电子设备也可以由同一个模块或电子设备通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。

最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种触控侦测方法，应用于触控屏，其特征在于，所述触控屏为自互一体结构的电容式触控屏，所述触控屏包含检测电极，用以形成自电容和互电容；所述方法包括：

2.如权利要求1所述的触控侦测方法，其特征在于：所述方法还包括：

定义一差分数据特征；

3.如权利要求2所述的触控侦测方法，其特征在于：所述差分数据特征为集合S＝{S1-Sn，S2-S1，S3-S2，……，S(n-1)-S(n-2)，Sn-S(n-1)}。

4.如权利要求1所述的触控侦测方法，其特征在于：获取所述第一差分数列及所述第二差分数列的参考值及所述参考值的对应位置步骤包括：

5.如权利要求1所述的触控侦测方法，其特征在于：根据所述第一差分数列及所述第二差分数列的参考值及其对应位置，采用递归累和的方式或递归作差的方式对所述第一差分数列及第二差分数列进行数据还原处理。

6.一种触控侦测装置，应用于触控屏，其特征在于，所述触控屏为自互一体结构的电容式触控屏，所述触控屏包含检测电极，用以形成自电容和互电容；所述触控侦测装置包括：

7.如权利要求6所述的触控侦测装置，其特征在于：所述第一获取模块还用以通过自电容扫描获取所述触控屏各行及各列的自电容变化量数据，进而获取第一电容数列及第二电容数列；所述装置还包括：

定义模块，用以定义一差分数据特征；

8.如权利要求7所述的触控侦测装置，其特征在于：所述差分数据特征为集合S＝{S1-Sn，S2-S1，S3-S2，……，S(n-1)-S(n-2)，Sn-S(n-1)}。

9.如权利要求7所述的触控侦测装置，其特征在于：所述第一获取模块还用以通过互电容扫描获取所述触控屏的互容数据阵列；所述第二获取模块还用以：

10.如权利要求6所述的触控侦测装置，其特征在于：所述数据还原模块根据所述第一差分数列及所述第二差分数列的参考值及其对应位置，采用递归累和的方式或递归作差的方式对所述第一差分数列及第二差分数列进行数据还原处理。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

触控芯片；

所述触控芯片中存储有计算机程序指令并执行如权利要求1-5任一项所述的触控侦测方法。