CN112899685A - 一种硫酸、双氧水金属微观处理剂 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种硫酸、双氧水金属微观处理剂,涉及微蚀、酸性蚀刻、褪镀领域。该一种金属微观处理剂,包括以下组分:硫酸、双氧水、促进剂、双氧水稳定剂,所述将上述组分溶解在清水中,各组分的配比为硫酸的含量为30~120g/L、双氧水含量为20~100g/L、促进剂含量为2~20g/L,双氧水稳定剂含量为10~50mg/L。可以通过浸泡和喷淋的方式对PCB铜、镍腐蚀处理,操作方便,且咬蚀速率0.25μm~5μm/mi n可控。

Description

一种硫酸、双氧水金属微观处理剂
技术领域
本发明涉及铜、镍金属腐蚀技术领域,具体为一种硫酸、双氧水金属微观处理剂。
背景技术
硫酸、双氧水金属微观处理剂用于PCB制作中图形电镀和化镍金工艺流程的微蚀前处理,特别适用于精细线路铜面的粗化处理,可用于内层减铜处理,可用于电镀挂具的退铜处理,可用于化镍金镍缸的除镍处理。微蚀是利用双氧水在酸性环境的氧化性把金属铜、镍氧化,从而被硫酸溶解出来,使铜面产生均匀和粗糙的表面,提高后制程铜面的结合力,电镀挂具的退铜、化镍金镍缸的除镍可以代替硝酸,避免产生有害烟雾,安全环保,在电子产品线路的制作和生产当中经常会使用到硫酸、双氧水金属微观处理剂。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种硫酸、双氧水金属微观处理剂,解决了现有微蚀剂微蚀速率不稳定,孔角咬蚀过多,需要图形电镀增加镀铜厚度造成浪费,微蚀不均匀,铜面粗糙度不够,代替硝酸解决环保的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种硫酸、双氧水金属微观处理剂,包括以下组分:硫酸、双氧水、促进剂、双氧水稳定剂,所述将上述组分溶解在清水中,各组分的配比为硫酸的含量为30~120g/L、双氧水含量为20~100g/L、促进剂含量为2~20g/L,双氧水稳定剂含量为10~50mg/L。
优选的,所述促进剂为环己胺。
优选的,所述双氧水稳定剂为多乙烯多胺多亚烷基磷酸盐、肌醇六磷酸的一种或二种。
优选的,一种硫酸、双氧水金属微观处理剂的生产工艺,包括以下内容:将硫酸加入水中搅拌溶解,并不断搅拌,冷却后依次稳定剂、双氧水、促进剂,待各组分充分混合后便获得硫酸、双氧水金属微观处理剂。
优选的,一种硫酸、双氧水金属微观处理剂的使用方法,包括以下内容:将硫酸、双氧水金属微观处理剂加入至容器中,并使用清水进行稀释,控制硫酸的浓度为30~120g/L,双氧水浓度为20~100g/L,促进剂含量为2~20g/L,双氧水稳定剂含量为10~50mg/L,并对稀释液进行加热处理,保持稀释液的温度为20℃~30℃,将待处理的PCB置于容器中,或者将稀释液采用喷淋的方式喷附在待处理的PCB,或将待处理的电镀挂具置于容器中,处理1~5min,接着使用清水冲洗2~3次。或者将稀释液导入化学镍缸中,循环处理4~12hr。
(三)有益效果
本发明提供了一种硫酸、双氧水金属微观处理剂。具备以下有益效果:
本发明,解决了现有微蚀剂微蚀速率不稳定,孔角咬蚀过多,需要图形电镀增加镀铜厚度造成浪费,微蚀不均匀,铜面粗糙度不够,代替硝酸解决环保的问题。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一:
本发明实施例提供一种硫酸、双氧水金属微观处理剂,包括以下组分:硫酸、双氧水、促进剂、双氧水稳定剂,所述将上述组分溶解在清水中,优选使用去离子水,各组分的配比为硫酸的含量为30g/L、双氧水含量为20g/L、促进剂含量为2g/L,双氧水稳定剂含量为10mg/L,PCB基板完成绿油工序后,需要化学沉金、防氧化(OSP)等工艺的基板,或者半导体封装基板,浸入或者喷淋本硫酸、双氧水金属微观处理剂中,进行铜面微蚀处理,铜表面形成显微蜂窝状结构,增加镍的结合力和防氧化膜的成膜。
所述微蚀剂有硫酸、双氧水组成,按照质量配比为硫酸的含量为30g/L、双氧水含量为20g/L,所述促进剂为环己胺,含量为2g/L,所述双氧水稳定剂为多乙烯多胺多亚烷基磷酸盐,含量为10mg/L。
一种硫酸、双氧水金属微观处理剂的生产工艺,包括以下内容:将硫酸加入水中搅拌溶解,并不断搅拌,冷却后依次稳定剂、双氧水、促进剂,待各组分充分混合后便获得硫酸、双氧水金属微观处理剂。
一种硫酸、双氧水金属微观处理剂的使用方法,包括以下内容:将硫酸、双氧水金属微观处理剂加入至容器中,并使用清水进行稀释,控制硫酸的浓度为30g/L,双氧水浓度为20g/L,促进剂含量为2g/L,双氧水稳定剂含量为10mg/L,并对稀释液进行加热处理,保持稀释液的温度为20℃~30℃,将待处理的PCB置于容器中,或者将稀释液采用喷淋的方式喷附在待处理的PCB,处理1min,接着使用清水冲洗2~3次,优选使用去离子水。
实施例二:
本发明实施例提供一种硫酸、双氧水金属微观处理剂,包括以下组分:硫酸、双氧水、促进剂、双氧水稳定剂,所述将上述组分溶解在清水中,优选使用去离子水,各组分的配比为硫酸的含量为70g/L、双氧水含量为50g/L、促进剂含量为5g/L,双氧水稳定剂含量为50mg/L,PCB基板电镀工序,电镀挂具需要化学褪除残铜,代替浓硝酸,化学沉镍金工序,镍缸褪除残镍代替浓硝酸,浸入本硫酸、双氧水金属微观处理剂中,进行残铜、残镍的溶解褪除。
所述微蚀剂有硫酸、双氧水组成,按照质量配比为硫酸的含量为70g/L、双氧水含量为50g/L,所述促进剂为环己胺,含量为5g/L,所述双氧水稳定剂为多乙烯多胺多亚烷基磷酸盐,含量为50mg/L。
一种硫酸、双氧水金属微观处理剂的生产工艺,包括以下内容:将硫酸加入水中搅拌溶解,并不断搅拌,冷却后依次稳定剂、双氧水、促进剂,待各组分充分混合后便获得硫酸、双氧水金属微观处理剂。
一种硫酸、双氧水金属微观处理剂的使用方法,包括以下内容:将硫酸、双氧水金属微观处理剂加入至容器中,并使用清水进行稀释,控制硫酸的浓度为70g/L,双氧水浓度为50g/L,促进剂含量为5g/L,双氧水稳定剂含量为50mg/L,并对稀释液进行加热处理,保持稀释液的温度为20℃~30℃,将待处理的电镀挂具置于容器中,处理5min,或者将稀释液导入化学镍缸中,循环处理4~12hr,接着使用清水冲洗2~3次,优选使用去离子水。
实施例三:
分别使用实施例一和实施例二配方制备的硫酸、双氧水金属微观处理剂和处理方式的与过硫酸钠微蚀剂和硝酸褪挂具的对比处理实验,结果如下表:
Figure BDA0002911516300000041
通过上表得知,本发明制得的微蚀剂,解决了现有微蚀剂微蚀速率不稳定,孔角咬蚀过多,需要图形电镀增加镀铜厚度造成浪费,微蚀不均匀,铜面粗糙度不够,代替硝酸解决环保的问题。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种硫酸、双氧水金属微观处理剂,其特征在于,包括以下组分:硫酸、双氧水、促进剂、双氧水稳定剂,所述将上述组分溶解在清水中,各组分的配比为硫酸的含量为30~120g/L、双氧水含量为20~100g/L、促进剂含量为2~20g/L,双氧水稳定剂含量为10~50mg/L。
2.根据权利要求1所述的一种硫酸、双氧水金属微观处理剂,其特征在于:所述促进剂为环己胺。
3.根据权利要求1所述的一种硫酸、双氧水金属微观处理剂,其特征在于:所述双氧水稳定剂为多乙烯多胺多亚烷基磷酸盐、肌醇六磷酸的一种或二种。
4.一种硫酸、双氧水金属微观处理剂的生产工艺,其特征在于,包括以下内容:将硫酸加入水中搅拌溶解,并不断搅拌,冷却后依次稳定剂、双氧水、促进剂,待各组分充分混合后便获得硫酸、双氧水金属微观处理剂。
5.一种硫酸、双氧水金属微观处理剂的使用方法,其特征在于,包括以下内容:将硫酸、双氧水金属微观处理剂加入至容器中,并使用清水进行稀释,控制硫酸的浓度为30~120g/L,双氧水浓度为20~100g/L,并对稀释液进行加热处理,保持稀释液的温度为20℃~30℃,将待处理的PCB置于容器中,或者将稀释液采用喷淋的方式喷附在待处理的PCB,处理1~5min,接着使用清水冲洗2~3次。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114025489A (zh) * 2021-10-27 2022-02-08 深圳市贝加电子材料有限公司 用于铜面处理的微蚀液及其在pcb制程中的应用和pcb生产流程
CN115216771A (zh) * 2022-09-20 2022-10-21 深圳市板明科技股份有限公司 一种印制线路板铜面粗化液及其应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109097776A (zh) * 2018-07-17 2018-12-28 东莞市广华化工有限公司 一种微蚀减铜添加液及工艺

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109097776A (zh) * 2018-07-17 2018-12-28 东莞市广华化工有限公司 一种微蚀减铜添加液及工艺

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114025489A (zh) * 2021-10-27 2022-02-08 深圳市贝加电子材料有限公司 用于铜面处理的微蚀液及其在pcb制程中的应用和pcb生产流程
CN114025489B (zh) * 2021-10-27 2024-05-24 深圳市贝加电子材料有限公司 用于铜面处理的微蚀液及其在pcb制程中的应用和pcb生产流程
CN115216771A (zh) * 2022-09-20 2022-10-21 深圳市板明科技股份有限公司 一种印制线路板铜面粗化液及其应用

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