CN112875657A - 硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用 - Google Patents

硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN112875657A
CN112875657A CN202110153039.7A CN202110153039A CN112875657A CN 112875657 A CN112875657 A CN 112875657A CN 202110153039 A CN202110153039 A CN 202110153039A CN 112875657 A CN112875657 A CN 112875657A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene oxide
manganese
manganese selenide
reduced graphene
selenide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110153039.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112875657B (zh
Inventor
高伟
高千粟
王宏岩
刘晶函
殷红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jilin University
Original Assignee
Jilin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jilin University filed Critical Jilin University
Priority to CN202110153039.7A priority Critical patent/CN112875657B/zh
Publication of CN112875657A publication Critical patent/CN112875657A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112875657B publication Critical patent/CN112875657B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32—Carbon-based
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明提供硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用。先以锰粉、硒粉为原料，采用直流电弧法制备出硒化锰纳米颗粒，再将均匀混合的硒化锰纳米颗粒与氧化石墨烯悬浊液冷冻干燥，然后将其在5％NH3/Ar混合气体氛围中煅烧，即可得硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料。本发明还公开了其在超级电容器方面的应用，将硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料涂覆在泡沫镍上，在1A/g的电流密度下，其质量比电容为176.6F/g。

Description

硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用
技术领域
本发明属于无机纳米材料制备的技术领域，特别涉及了一种制备硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的方法。
背景技术
复合材料是指采用材料制备技术将不同性质的两种或多种材料优化组合而成的新材料。它不仅能保持各组分材料性能的优点，还能通过各组分性能的互补和关联克服单一组成材料的缺陷，并获得优于单一组分材料的综合性能。
石墨烯是一种由单层碳原子紧密堆积成的二维蜂窝状晶格结构的多功能材料。它具有较大的比表面积、卓越的导电性，在电化学领域具有重要的应用前景。但由于石墨烯片层间存在极强的范德华力，使石墨烯在应用时易发生堆叠团聚，导致其有效面积降低，影响其电化学性能。将纳米材料与石墨烯进行复合，能有效阻止石墨烯堆叠团聚，增加比表面积，且二者复合可以同时保留纳米材料和石墨烯材料的特性并提升材料电化学性能。例如，Li等人采用溶剂热法所制备的ZnMn2O4/rGO复合电极材料在2A/g的电流密度下比电容为763.4F/g(Journal of Light Industry，2020，35(03)，44-51)；Li等人采用共沉淀法制备的CoMn2O4/rGO复合电极材料具有较好的电化学性能(J.Chin.Ceram.Soc.,2021，49(01)，167-173)。
硒化锰是一种典型的过渡金属硒化物，共有三种晶体结构：α-MnSe(岩盐矿结构)，β-MnSe(纤锌矿结构)和γ-MnSe(闪锌矿结构)，其中α相是热力学最稳定的相。硒化锰具有良好的导电性，主要应用在电容器电极材料、钠离子电池电极材料、稀磁半导体材料、温差电材料和太阳能电池等方面。目前MnSe的制备方法有溶剂热法、水热法、化学气相沉积法等。例如，Javed等人采用溶剂热合成法制备出α-MnSe纳米微花(Chem.Eng.J.，2020，382，122814)；Sahoo等人采用水热法合成出α-MnSe纳米颗粒(Electrochim.Acta，2018，268,403-410)。但以上方法相较于直流电弧法具有原材料复杂、合成时间长、环境不友好等缺点。将硒化锰纳米材料与石墨烯进行复合，能够有效阻止石墨烯堆叠，同时也能使硒化锰纳米材料分散开，增加比表面积，且二者复合可以提升材料导电性，增大电极电容，从而提升其电化学性能。
发明内容
本发明主要提供一种硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的制备方法，此方法生产成本低、操作简单，且合成产物产量高、纯度高，可用作超级电容器电极材料。
本发明具体技术方案如下：
1.首先将锰粉、硒粉按1：1的摩尔比混合，然后将混合粉末充分研磨使其混合均匀且颗粒大小相近。研磨后将混合粉末放入定制的压片模具中，并将模具放入压片装置中，粉末被压制成圆柱形块体。
2.将块体放入阳极铜锅中，并将阴极钨棒垂直固定于铜锅上，且使其尖端在块体中心位置，密封反应室。
3.将反应室气压抽至小于10Pa，然后通入氩气反复洗气两次以上，洗气结束后通入氩气，使反应室内气体压强保持在60kPa。启动设备的冷却循环系统，打开直流弧焊机开关，设置电流参数为60-160A，反应10-15min后，关闭直流弧焊机开关，终止反应，经冷却钝化后在顶盖和水冷壁处得到纯净的硒化锰纳米颗粒。
4.将硒化锰纳米颗粒配制成浓度为2g/L的悬浊液，并将其与0.5g/L的氧化石墨烯悬浊液按体积比1:(0.5-2)混合，超声分散后放在磁力搅拌器上搅拌。
5.将混合溶液进行冷冻干燥，得到蓬松的棕色硒化锰/氧化石墨烯，并将其在5％NH3/Ar混合气体氛围中300-500℃煅烧30-60min，升温速度为2℃/min即可得棕色硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料。
本发明制备硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的优点在于：硒化锰纳米颗粒均匀地分布在石墨烯表面；原材料简单、制备方法操作简单、合成时间短、可重复性高。
附图说明
图1硒化锰纳米颗粒和硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的X射线衍射(XRD)谱图。
图2硒化锰纳米颗粒和硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的扫描电子显微镜(SEM)图。
图3硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的(a)透射电子显微镜(TEM)图，(b)高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图。
图4(a)不同扫描速率下硒化锰/还原氧化石墨烯电极的CV曲线图，(b)不同电流密度下硒化锰/还原氧化石墨烯电极的恒电流充放电(GCD)曲线图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明，现结合附图及较佳实施例更加具体地描述本发明。
实施例1制备最佳硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的全过程及电化学性能测试。
首先按1：1的摩尔比称量锰粉、硒粉，其中锰粉质量为0.6148g，硒粉质量为0.8844g。然后在玛瑙研钵中将混合粉末充分研磨使其混合均匀且颗粒大小相近。研磨后将混合粉末放入定制的压片模具中，并将模具放入压片装置中，粉末被压制成圆柱形块体。再将圆柱形块体放入阳极铜锅中。并将作为阴极的钨棒垂直固定于铜锅上，调整阴极钨棒，使其在块体中心位置。
用真空泵将反应室气压抽至小于10Pa，然后通入氩气反复洗气两次以上。洗气结束后通入氩气，使反应室内气体压强保持在60kPa。启动设备的冷却循环系统，打开直流弧焊机开关，设置电流参数为140A，进行引弧，起弧反应10min后，关闭直流弧焊机开关，终止反应。在氩气氛围下冷却、钝化2h后在顶盖和水冷壁附近收集到的黄绿色粉末为硒化锰纳米颗粒。
将硒化锰纳米颗粒配制成浓度为2g/L的悬浊液，并将其与0.5g/L的氧化石墨烯悬浊液按体积比1:1混合，超声分散15min后放到磁力搅拌器上搅拌15min。
将悬浊液进行冷冻干燥，温度为-60℃，时间为48h，得到蓬松的棕色硒化锰/氧化石墨烯，并将其在5％NH3/Ar混合气体氛围中400℃煅烧30min，升温速度为2℃/min即可得棕色硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料。
将制备的硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料作为活性物质，以乙炔黑为导电剂，PTFE(聚四氟乙烯)为粘结剂，酒精为溶剂，按活性物质：导电剂：粘结剂＝8:1:1的质量比混合，涂覆在泡沫镍上作为工作电极。以铂片为对电极，汞/氧化汞为参比电极，6M的氢氧化钾溶液为电解液，在电化学工作站上进行电化学测试。
图1给出了上述方法制备的硒化锰纳米颗粒与硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的X射线衍射(XRD)谱图。通过和标准卡片JCPDS No.11-0683谱图比对，我们制备出的MnSe纳米晶是立方相的α-MnSe，谱图峰型尖锐，衍射谱的背底基线较为平直，表明样品的结晶性较好，且与石墨烯复合后材料衍射峰峰位仍与标准卡片谱图峰位吻合，无其他杂峰出现。
图2a给出了上述方法制备的硒化锰纳米颗粒的扫描电子显微镜(SEM)图，从图中可以看出样品为高度聚集的粒度分布均匀的纳米颗粒，颗粒直径为10-100nm。图2b给出了上述方法制备的硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的扫描电子显微镜(SEM)图，从图可以看出硒化锰纳米颗粒在石墨烯表面具有较高的分散性，每平方微米的石墨烯上有7-8个硒化锰纳米颗粒。
图3a给出了硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的透射电子显微镜(TEM)图。从图中我们可以看出其形貌与扫描电子显微镜(SEM)图中所观察到的一致，硒化锰纳米颗粒均匀地分布在石墨烯表面。图3b给出了硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料的高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图。从图中我们可以看出晶体晶格间距d值为0.1980nm，为α-MnSe的(220)面。
图4a给出了不同扫描速率下硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料电极的CV曲线图。在氢氧化钾溶液中，电极在不同扫描速率(10–50mV/s)下的循环伏安曲线显示出可逆的氧化还原峰，这属于法拉第(电池型)电极的特征，可归因于法拉第氧化还原反应。图4b给出了不同电流密度下硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料电极的恒电流充放电(GCD)曲线图。在放电过程中观察到了明显的电压平台，这与其CV结果一致，再次表明了法拉第行为。根据质量比电容计算公式可算出，在电流密度为1A/g下其质量比电容为176.6F/g。
以上所述仅为本发明的是实施例，并非因此限制本发明的范围，凡是对本发明的技术方案进行等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关技术领域，均应落入本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法，其特征在于：将锰粉、硒粉按照摩尔比为1:1的比例混合均匀并压块；将压块置于直流电弧放电装置反应室内的阳极铜锅中，阴极钨棒垂直固定于铜锅上；将反应室抽成真空后通入氩气，铜锅及水冷壁中通循环冷却水，启动直流弧焊机，设置电流参数，反应10-15min；在氩气环境中降温、钝化，于顶盖及水冷壁处收集到的黄绿色粉末为硒化锰纳米颗粒；将浓度为2g/L的硒化锰纳米颗粒悬浊液和0.5g/L的氧化石墨烯悬浊液按体积比1:(0.5-2)混合超声分散后移入磁力搅拌器中搅拌均匀；将混合溶液进行冷冻干燥，得到蓬松的棕色硒化锰/氧化石墨烯，将其在5％NH3/Ar混合气体氛围中300-500℃煅烧30-60min，升温速率为2℃/min，即可得硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料。
2.根据权利要求1所述的硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法，其特征在于：锰粉、硒粉的纯度为99.99％及以上。
3.根据权利要求1所述的硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法，其特征在于：反应室内气体压强为10-60kPa。
4.根据权利要求1所述的硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法，其特征在于：电流保持在60-160A。
5.根据权利要求1所述的硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法，其特征在于：超声分散和磁力搅拌时间为10-15min。
6.根据权利要求1所述的硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法，其特征在于：冷冻干燥条件为-60℃，24-72h。
CN202110153039.7A 2021-02-03 2021-02-03 硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用 Expired - Fee Related CN112875657B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110153039.7A CN112875657B (zh) 2021-02-03 2021-02-03 硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110153039.7A CN112875657B (zh) 2021-02-03 2021-02-03 硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112875657A true CN112875657A (zh) 2021-06-01
CN112875657B CN112875657B (zh) 2022-05-06

Family

ID=76057019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110153039.7A Expired - Fee Related CN112875657B (zh) 2021-02-03 2021-02-03 硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112875657B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114420908A (zh) * 2022-01-11 2022-04-29 西北工业大学 一种石墨烯负载氮掺杂碳包覆的硒化锰基钠/钾离子电池负极材料及其制备方法
CN114560449A (zh) * 2022-02-23 2022-05-31 西安交通大学 一种不同形貌及相态的硒化锰纳米材料的制备方法及应用

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0845826A1 (fr) * 1996-12-02 1998-06-03 Saft Electrode à support tridimensionnel poreux
EP1061044A1 (en) * 1999-06-16 2000-12-20 Institute of Metal Research of the Chinese Academy of Sciences Production of single-walled carbon nanotubes
CN101471436A (zh) * 2007-12-28 2009-07-01 索尼株式会社 负极及其制造方法、二次电池及其制造方法、和砜化合物
KR20120118566A (ko) * 2011-04-19 2012-10-29 성균관대학교산학협력단 박막 트랜지스터
CN103495427A (zh) * 2013-10-17 2014-01-08 大连理工大学 利用低温等离子体制备负载型金属硫化物催化剂的方法
CN104051733A (zh) * 2014-06-12 2014-09-17 江苏大学 二硒化钒/碳基复合材料、制备方法及锂离子电池负电极
CN104399496A (zh) * 2014-11-27 2015-03-11 中国科学技术大学 一种二硒化钴修饰碳纤维复合材料及其制备方法和应用
CN105304878A (zh) * 2015-11-13 2016-02-03 中国科学院福建物质结构研究所 纳米二硒化锡/石墨烯复合材料、其制备方法及应用
CN105696014A (zh) * 2016-03-16 2016-06-22 西安交通大学 一种氮掺杂石墨烯N-rGO与纳米片层团簇MoSe2复合结构及制备方法
KR101691815B1 (ko) * 2015-07-10 2017-01-02 성균관대학교산학협력단 2차원 나노시트를 이용한 신경작용제 감지 가스 센서
US20170047223A1 (en) * 2015-08-13 2017-02-16 The Regents Of The University Of California Epitaxial growth of gallium arsenide on silicon using a graphene buffer layer
CN106555167A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 阙郁伦 制备过渡金属硫族化物的方法
CN111606316A (zh) * 2020-06-04 2020-09-01 西南科技大学 一种过渡金属单原子碳材料的生物富集制备方法
CN111640584A (zh) * 2020-04-20 2020-09-08 北京邮电大学 一种二维过渡金属硒化物复合碳材料制备超级电容器电极材料的方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0845826A1 (fr) * 1996-12-02 1998-06-03 Saft Electrode à support tridimensionnel poreux
EP1061044A1 (en) * 1999-06-16 2000-12-20 Institute of Metal Research of the Chinese Academy of Sciences Production of single-walled carbon nanotubes
CN101471436A (zh) * 2007-12-28 2009-07-01 索尼株式会社 负极及其制造方法、二次电池及其制造方法、和砜化合物
KR20120118566A (ko) * 2011-04-19 2012-10-29 성균관대학교산학협력단 박막 트랜지스터
CN103495427A (zh) * 2013-10-17 2014-01-08 大连理工大学 利用低温等离子体制备负载型金属硫化物催化剂的方法
CN104051733A (zh) * 2014-06-12 2014-09-17 江苏大学 二硒化钒/碳基复合材料、制备方法及锂离子电池负电极
CN104399496A (zh) * 2014-11-27 2015-03-11 中国科学技术大学 一种二硒化钴修饰碳纤维复合材料及其制备方法和应用
KR101691815B1 (ko) * 2015-07-10 2017-01-02 성균관대학교산학협력단 2차원 나노시트를 이용한 신경작용제 감지 가스 센서
US20170047223A1 (en) * 2015-08-13 2017-02-16 The Regents Of The University Of California Epitaxial growth of gallium arsenide on silicon using a graphene buffer layer
CN106555167A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 阙郁伦 制备过渡金属硫族化物的方法
CN105304878A (zh) * 2015-11-13 2016-02-03 中国科学院福建物质结构研究所 纳米二硒化锡/石墨烯复合材料、其制备方法及应用
CN105696014A (zh) * 2016-03-16 2016-06-22 西安交通大学 一种氮掺杂石墨烯N-rGO与纳米片层团簇MoSe2复合结构及制备方法
CN111640584A (zh) * 2020-04-20 2020-09-08 北京邮电大学 一种二维过渡金属硒化物复合碳材料制备超级电容器电极材料的方法
CN111606316A (zh) * 2020-06-04 2020-09-01 西南科技大学 一种过渡金属单原子碳材料的生物富集制备方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FENG, J ET AL.: "Hexagonal prism structured MnSe stabilized by nitrogen-doped carbon for high performance lithium ion batteries", 《JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 》 *
WANG, YP ET AL.: "VSe2/graphene nanocomposites as anode materials for lithium-ion batteries", 《MATERIALS LETTERS》 *
吕红艳: "钠离子电池中碳负极及碳材料提升负极复合物储钠性能的研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》 *
吴志乾: "石墨烯及二维半导体异质光电器件研究", 《中国博士学位论文全文数据库 信息科技辑》 *
董丹丹: "二硫化钼—柔性碳基底负极电池材料的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114420908A (zh) * 2022-01-11 2022-04-29 西北工业大学 一种石墨烯负载氮掺杂碳包覆的硒化锰基钠/钾离子电池负极材料及其制备方法
CN114560449A (zh) * 2022-02-23 2022-05-31 西安交通大学 一种不同形貌及相态的硒化锰纳米材料的制备方法及应用
CN114560449B (zh) * 2022-02-23 2023-08-18 西安交通大学 一种不同形貌及相态的硒化锰纳米材料的制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN112875657B (zh) 2022-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. Constructing a novel strategy for carbon-doped TiO 2 multiple-phase nanocomposites toward superior electrochemical performance for lithium ion batteries and the hydrogen evolution reaction
Huang et al. Zn–Al layered double oxides as high-performance anode materials for zinc-based secondary battery
Gou et al. Synthesis, characterization and application of SnSx (x= 1, 2) nanoparticles
Wang et al. Optical and electrochemical properties of nanosized NiO via thermal decomposition of nickel oxalate nanofibres
Li et al. Controllable formation and electrochemical properties of one-dimensional nanostructured spinel Li4Ti5O12
Yu et al. Surfactant-free nonaqueous synthesis of lithium titanium oxide (LTO) nanostructures for lithium ion battery applications
Zhu et al. Microstructure and electrochemical properties of ZnMn 2 O 4 nanopowder synthesized using different surfactants
CN112875657B (zh) 硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用
Wu et al. Characterization of spherical-shaped Li4Ti5O12 prepared by spray drying
Zhang et al. Zn 2 SiO 4 urchin-like microspheres: controlled synthesis and application in lithium-ion batteries
Ye et al. One-step synthesis of Ni-doped SnO 2 nanospheres with enhanced lithium ion storage performance
Zhen et al. Well-distributed TiO 2 nanocrystals on reduced graphene oxides as high-performance anode materials for lithium ion batteries
Zhang et al. Improving electrochemical properties of spinel lithium titanate by incorporation of titanium nitride via high-energy ball-milling
Luo et al. One-step synthesis of spherical α-Ni (OH) 2 nanoarchitectures
He et al. Spherical Li4Ti5O12 synthesized by spray drying from a different kind of solution
Ahmed et al. Delafossite CuAlO2 nanoparticles with electrocatalytic activity toward oxygen and hydrogen evolution reactions
Wu et al. Hydrothermal synthesis of Li 4 Ti 5 O 12 nanosheets as anode materials for lithium ion batteries
CN107611359A (zh) 锂离子电池Ni‑NiO/石墨烯复合负极材料的制备方法
CN109065874B (zh) 一种MoO3/rGO-N纳米复合材料及其制备方法和应用
Liu et al. Sonochemical intercalation synthesis of nano γ-nickel oxyhydroxide: Structure and electrochemical properties
CN109873150A (zh) 以坡缕石为原料制备纳米硅复合材料的方法
Ren et al. Hydrothermal synthesis of β-Ni (OH) 2 nanoplates as electrochemical pseudocapacitor materials
CN112436136B (zh) 含氧空位的钼酸钴纳米棒及其制备方法和应用
CN107317019B (zh) 一种钠离子电池负极用碳酸亚铁/石墨烯复合材料及其制备方法与应用
JP4674347B2 (ja) 層状二酸化マンガンナノベルト及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20220506

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee