CN112864175B - 显示面板及显示屏 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供的显示面板及显示屏，涉及显示技术领域。源极层远离有效显示区的一端相对于平坦化层伸出，在刻蚀该源极层上的阳极膜层时，源极层可以作为正极，阳极膜层可以作为负极进行刻蚀，如此可以加速位于源极层上阳极膜层的刻蚀速度，避免在源极层远离有效显示区的一端残留阳极膜层，从而可以在源极层远离有效显示区的一侧有效的隔断残留阳极膜层，避免残留阳极膜层形成连续的导电走线。此外，在覆晶薄膜的金手指与显示面板的邦定焊盘邦定的过程中，可以避免金手指上的导电金球与连续导电走线接触而导致相邻源极层短路引起的显示暗线问题，提升显示面板的显示效果及市场竞争力。

Description

显示面板及显示屏
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及显示屏。
背景技术
显示面板的显示效果是衡量显示屏质量的关键性指标，然而在对显示面板进行显示效果检测时，发现显示面板显示的画面存在显示暗线的问题，暗线会影响用户的观看体验，降低产品的市场竞争力。如何除去显示面板在显示画面时存在的暗线是本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
为了克服上述技术背景中所提及的显示暗线的技术问题，本申请实施例提供一种显示面板及显示屏。
本申请的第一方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括有效显示区及远离所述有效显示区一侧的邦定区，所述显示面板还包括：
阵列基板；
位于所述阵列基板上的平坦化层，所述平坦化层在所述阵列基板对应的所述邦定区形成多个平坦化层开口，每个所述平坦化层开口位于所述阵列基板的不同源极层上，所述平坦化层开口处裸露的源极层形成与覆晶薄膜的金手指邦定的邦定焊盘；
所述源极层远离所述有效显示区的一端位于所述平坦化层正投影之外。
在上述结构中，源极层远离有效显示区的一端相对于平坦化层伸出，在后续制作阳极膜层的过程中，阳极膜层会覆盖在源极层上，在刻蚀该源极层上的阳极膜层时，源极层可以作为正极，阳极膜层可以作为负极进行刻蚀，如此可以加速位于源极层上阳极膜层的刻蚀速度，避免在源极层远离有效显示区的一端残留阳极膜层，从而可以在源极层远离有效显示区的一侧有效的隔断残留阳极膜层形成连续的导电走线。在覆晶薄膜的金手指与显示面板的邦定焊盘邦定的过程中，可以避免金手指上的导电金球与连续导电走线接触而导致相邻源极层短路引起的显示暗线问题。
在本申请的一种可能实施例中，所述平坦化层开口包括靠近所述有效显示区的一侧的第一平坦化层开口及远离所述有效显示区的一侧的第二平坦化层开口；
所述第一平坦化层开口包括沿远离所述有效显示区的方向延伸的第一开口边缘、第二开口边缘，及连接所述第一开口边缘及第二开口边缘靠近所述有效显示区一端的第三开口边缘；
所述第二平坦化层开口包括第四开口边缘、第五开口边缘、及沿远离所述有效显示区的方向延伸的第六开口边缘及第七开口边缘，其中，所述第四开口边缘连接在所述第一开口边缘远离所述有效显示区的一端与所述第六开口边缘靠近所述有效显示区的一端之间，所述第五开口边缘连接在所述第二开口边缘远离所述有效显示区的一端与所述第七开口边缘靠近所述有效显示区的一端之间。
在本申请的一种可能实施例中，所述第一开口边缘与所述第二开口边缘之间的距离小于所述第六开口边缘与第七开口边缘之间的距离。
在本申请的一种可能实施例中，所述第一开口边缘、第二开口边缘及第三开口边缘的正投影位于对应的源极层内，所述第六开口边缘及第七开口边缘的正投影分别位于对应的源极层的两侧。
在本申请的一种可能实施例中，所述第六开口边缘与第七开口边缘之间的距离，大于所述金手指的宽度与两个导电金球直径的和。
在本申请的一种可能实施例中，所述第六开口边缘与靠近该第六开口边缘的源极层边缘之间的距离大于1um；所述第七开口边缘与靠近该第七开口边缘的源极层边缘之间的距离大于1um。
在本申请的一种可能实施例中，所述平坦化层开口包括沿远离所述有效显示区的方向延伸的第八开口边缘、第九开口边缘，及连接所述第八开口边缘及第九开口边缘靠近所述有效显示区一端的第十开口边缘；
所述第八开口边缘、第九开口边缘及第十开口边缘的正投影位于对应的所述源极层内。
在本申请的一种可能实施例中，所述不同源极层相互隔离，多个邦定焊盘也相互平行；
所述源极层的宽度为17um～19um，相邻的源极层之间的间隔距离为6um～7um，相邻的邦定焊盘之间的间隔距离为10um～11um，所述邦定焊盘的宽度13.5um～14.5um。
优选地，所述源极层的宽度为18um，相邻的源极层之间的间隔距离为6.7um，相邻的邦定焊盘之间的间隔距离为10.7um，所述邦定焊盘的宽度14um。
在本申请的一种可能实施例中，显示面板还包括解复用电路及测试电路；
所述解复用电路位于所述邦定焊盘靠近有效显示区的一侧，并与所述邦定焊盘靠近有效显示区的一端连接，所述解复用电路用于将一路信号分解层多路信号；
所述测试电路位于所述邦定焊盘远离有效显示区的一侧，并与所述邦定焊盘远离有效显示区的一端连接，所述测试电路用于测试是否存在相邻导电焊盘之间的短路。
本申请的第二方面，还提供一种显示屏，所述显示屏包括覆晶薄膜、位于所述覆晶薄膜的金手指及第一方面所述的显示面板；
所述覆晶薄膜通过所述金手指与所述显示面板上的邦定焊盘邦定，以通过所述显示驱动芯片驱动所述显示面板进行显示。
相对于现有技术，本申请实施例提供的显示面板及显示屏，使源极层远离有效显示区的一端相对于平坦化层伸出，在刻蚀该源极层上的阳极膜层时，源极层可以作为正极，阳极膜层可以作为负极进行刻蚀，如此可以加速位于源极层上阳极膜层的刻蚀速度，避免在源极层远离有效显示区的一端残留阳极膜层，从而可以在源极层远离有效显示区的一侧有效的隔断残留阳极膜层形成连续的导电走线。此外，在覆晶薄膜的金手指与显示面板的邦定焊盘邦定的过程中，可以避免金手指上的导电金球与连续导电走线接触而导致相邻源极层短路引起的显示暗线问题，提升显示面板的显示效果及市场竞争力。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为V-Style像素排列中Data线的分布示意图；
图2为现有技术中的显示面板的膜层结构示意图；
图3为对图2中位于平坦化层上的阳极膜层进行刻蚀的一种示意图；
图4为对图2中位于平坦化层上的阳极膜层进行刻蚀的另一种示意图；
图5为相邻邦定焊盘短路的示意图；
图6为本申请实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；
图7为本申请实施例提供的平坦化层与源极层的位置关系图；
图8为对位于平坦化层上的阳极膜层进行刻蚀时的电化学腐蚀示意图；
图9为对位于源极层上的阳极膜层进行刻蚀时的电化学腐蚀示意图；
图10为本申请实施例源极层与邦定焊盘的尺寸关系示意图；
图11为本申请实施例的一种可能实施方式提供的平坦化层开孔与源极层之间的位置关系示意图；
图12为本申请实施例的另一种可能实施方式提供的平坦化层开孔与源极层之间的位置关系示意图；
图13为本申请实施例提供的与邦定焊盘连接的可能电路示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
发明人通过对产生显示暗线的原因进行分析发现，显示暗线产生的一种原因如下。
以V-Style像素排列方式及显示纯色画面为例进行说明，请参照图1，在V-Style像素排列方式中G像素单元单用一Data线，R像素单元和B像素单元共用Data线且交替排列。在显示绿色画面时，在G像素单元的像素驱动电路中，扫描信号线开启时所有G像素单元单用的Data线会提供低电位信号，并将低电位信号写入到存储电容的下极板，存储电容的下极板与驱动晶体管的栅极连接，此时驱动晶体管处于打开状态，电源电位可以通过驱动晶体管作用于发光器件(比如，OLED)的阳极，发光器件根据阳极与阴极之间的电位差控制发光材料发光，G像素单元被点亮。此时，需要所有的R像素单元和B像素单元处于关闭状态，在R像素单元和B像素单元的像素驱动电路中，R像素单元和B像素单元共用的Data线提供高电位，高电位被对应写入到相应的存储电容的下极板，使得驱动晶体管处于高阻状态，电源电位无法写入到R像素单元和B像素单元对应的发光器件的阳极，导致发光器件的阳极与阴极之间的电位差小，R像素单元和B像素单元发光不良。如果相邻的邦定焊盘短路(即G像素单元的Data线与R像素单元和B像素单元的Data线短接)，则在显示绿色画面时，R像素单元和B像素单元的Data线提供的电位会拉高相邻G像素单元的Data线提供的电位，使得相邻G像素单元不发光，从而出现暗线。同理，显示红色画面和蓝色画面时，相邻邦定焊盘短路，也会使R像素单元不发光或B像素单元不发光，形成暗线。
请参照图2，发明人进一步对相邻邦定焊盘短路的原因进行分析发现，在显示面板1’的制作过程中，会通过在远离显示面板1’的有效显示区(Active Area，AA)一侧的邦定区40’上设置平坦化层开孔210’，在邦定区40’上形成用于与覆晶薄膜(Chip On Flex，COP)的金手指30’邦定的邦定焊盘1101’，其中，邦定焊盘1101’由平坦化层开孔210’对应位置处裸露的源极层110’构成。平坦化层20’在远离显示面板1’的有效显示区一侧相对于源极层110’伸出。
下面结合附图对邦定焊盘1101’远离有效显示区一端的阳极膜层16’刻蚀过程进行介绍。
首先，整个阵列基板10’上的阳极膜层16’上涂覆光刻胶；接着，将需要刻蚀掉阳极膜层16’位置处的光刻胶去除；最后，采用刻蚀药液去除需要刻蚀掉位置处的阳极膜层16’。请参照图3及图4，由于邦定焊盘1101’远离有效显示区一端的平坦化层的侧面具有一定的倾斜角度，在进行光刻胶涂覆时，光刻胶容易在流动到与斜面紧邻底面的区域(Taper区，图中虚线框所示区域)时在该区域积留，导致该区域的光刻胶层较厚，进而在显影曝光时，容易在Taper区残留光刻胶，影响后续阳极膜层16’的刻蚀。另外在进行刻蚀时，根据流体力学中的伯努利原理可知，在刻蚀药液沿侧面向上流动时，刻蚀药液的动能会部分转换为重力势能，使得刻蚀药液在Taper区的流速相对斜面的流速大一些，Taper区容易形成涡流，导致刻蚀药液在Taper区爬坡难度大，刻蚀药液替换较慢，使得刻蚀速度较慢。在刻蚀药液沿侧面向下流动时，刻蚀药液的重力势能会部分转换为动能，使得刻蚀药液在Taper区的流速相对斜面的流速大一些，也容易在Taper区形成涡流，导致刻蚀药液在Taper区的作用力较小，刻蚀药液的刻蚀效果不好，刻蚀速度也较慢。请参照图5，基于上述两个原因会导致位于Taper区的阳极膜层16’在刻蚀过程中难以被去除，在邦定焊盘远离有效显示区一端的平坦化层20’的侧面形成残留阳极膜层16’形成的连续导线。
请再次参照图2，在覆晶薄膜的金手指30’与显示面板1的邦定焊盘1101’邦定时，金手指30’上的导电金球(Au ball)31’与残留阳极膜层16’导通。请再次参照图5，若相邻的邦定焊盘1101’远离显示面板1’的有效显示区一侧的残留阳极膜层16’均与对应金手指30’上的导电金球31’导通，则会使相邻邦定焊盘1101’及对应相邻金手指30’之间通过残留阳极膜层16’短接，从而在显示面板1’显示时会形成暗线。
为了解决上述技术问题，发明人创新性地设计了以下的技术方案，通过源极层在远离有效显示区的一端相对于平坦化层伸出，可以加速位于源极层上阳极膜层的刻蚀速度，避免在源极层远离有效显示区的一端残留阳极膜层，从而可以在源极层远离有效显示区的一侧有效的隔断残留阳极膜层。下面将结合附图对本申请的具体实现方案进行详细说明。
请参照图6，图6示出了本申请实施例提供的一显示面板的膜层结构示意图，显示面板1可以包括阵列基板10及位于该阵列基板10上的平坦化层20。平坦化层20在阵列基板10对应的邦定区40形成多个平坦化层开口210。请参照图7，不同的平坦化层开口210位于阵列基板10的不同的源极层110上，平坦化层开口210处裸露的源极层形成用于与覆晶薄膜的金手指30邦定的邦定焊盘1101。
在本申请实施例中，源极层110远离有效显示区的一端位于平坦化层20正投影之外。
下面以阳极膜层16的材质为ITO/Ag/ITO，源极层110的材质为Ti/Al/Ti为例，结合图8及图9进行说明，图8示出了阳极膜层16位于平坦化层20上时进行刻蚀的示意图，图9示出了阳极膜层16位于源极层110上时进行刻蚀的示意图。由图8可知，在刻蚀阳极膜层16时，阳极膜层16中的Ag作为负极，ITO作为正极进行电化学腐蚀，阳极膜层16中的ITO层和Ag层是一层一层的被腐蚀；反观图9，在刻蚀阳极膜层16时，阳极膜层16整体作为负极，Ti作为正极进行电化学腐蚀，阳极膜层16中的ITO层和Ag层会被同时腐蚀掉。通过上述比对可知，位于源极层110上的阳极膜层16被腐蚀的速度更快，更易被刻蚀掉。另外，源极层110具有较好的反光性能，可以通过反射光增大去除光刻胶层时的光照剂量，不易存在光刻胶层的残留，进一步确保位于源极层110上阳极膜层16能被刻蚀清除。
由此可见，在上述结构中，源极层110远离显示面板1的有效显示区的一端相对于平坦化层20伸出，在后续制作阳极膜层16的过程中，阳极膜层16会覆盖在源极层110上，在刻蚀该源极层110上的阳极膜层时，源极层110可以作为正极，阳极膜层16可以作为负极进行刻蚀，如此可以加速位于源极层110上阳极膜层16的刻蚀速度。同时由于源极层110反光会增加光照剂量确保不会存在光刻胶层残留而导致阳极膜层16的刻蚀受影响，避免在源极层110远离显示面板1的有效显示区的一端残留阳极膜层线，从而可以在源极层110远离显示面板1的有效显示区的一侧有效的隔断残留阳极膜层16形成的导电线。从而在覆晶薄膜的金手指30与显示面板1的邦定焊盘1101邦定的过程中，解决因金手指30上的导电金球与残留阳极膜层16接触而导致相邻源极层110短路引起的显示暗线问题，提升显示面板1的显示效果及市场竞争力。
请再次参照图6，阵列基板10可以包括基板11、缓冲层12及驱动层13。
基板11可以为玻璃基板，缓冲层12位于基板11的一侧，驱动层13位于缓冲层12远离基板11的一侧。在本实施例中，缓冲层12可由无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等制备形成。在本实施例中，缓冲层12可以是依次形成于基板11上的氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层的双层结构。
驱动层13可以包括有源层131、栅极绝缘层132、栅极133、源极134、漏极135、第一绝缘层136、第二绝缘层137，以及用于形成电容的第一电极138及第二电极139。
有源层131形成于缓冲层12上并部分覆盖缓冲层12，有源层131可以由无机半导体(如，非晶体硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体形成，有源层131可以包括位于有效显示区的源区(S)、漏区(D)和沟道区(ACT)，及位于非显示区的沟道层(P-Si)。
栅极绝缘层132形成于有源层131和未被有源层131覆盖的缓冲层12上，以将有源层131和栅极133绝缘隔离。栅极绝缘层132可以采用氧化硅或氮化硅等材料制成，但不限于此。
栅极133形成于有源层131对应位置处的栅极绝缘层132的一侧，栅极133可以使用金属Al、Mo、Cu、Ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种形成。同时，在栅极绝缘层132上还形成有电容的第一电极138。该第一电极138形成于栅极绝缘层132上并部分覆盖栅极绝缘层132，第一电极138与栅极133的材料可以相同，可以在栅极绝缘层132上制作第一金属层M1，以达到同时制作栅极133和第一电极138的目的。
第一绝缘层136形成于栅极绝缘层132上并覆盖栅极133和第一电极138，第二电极139位于第一电极138所对应的第一绝缘层136一侧。第一绝缘层136用于将栅极133与源极134和漏极135绝缘隔离，以及将第一电极138与第二电极139绝缘隔离。第一绝缘层136使栅极133分别与源极134和漏极135之间电绝缘，并使第一电极138与第二电极139形成电容。第一绝缘层136同样可以由无机材料，如：氮化硅和氧化硅形成。第二电极138位于第一绝缘层136上方制作的第二金属层M2中。
第二绝缘层137形成于第一绝缘层136上并覆盖第二电极139，用于隔离源极134、漏极135与第二电极139，使得源极134、漏极135与第二电极139相互绝缘。第二绝缘层137同样可以由无机材料(如：氮化硅和氧化硅)形成。第二绝缘层137的结构可以为氮化硅和氧化硅形成的双层或三层以上的结构。
源极134和漏极135形成于第二绝缘层137上，源极134通过通孔与有源层131中的源区(S)电连接，漏极135通过通孔与有源层131中的漏区(D)电连接。栅极133、源极134、漏极135、第一电极138、第二电极139的电极材料可同为金属Al、Mo、Cu、Ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种。源极134和漏极135位于第二绝缘层137上制作第三金属层M3中。在本实施例中，第三金属层M3中还包括用于接收电源信号(ELVDD信号)且通过第二绝缘层137上开设的通孔与第二电极139电连接的源信号接收层111，及用于接收数据信号(Vdata信号)的源极层110。
在驱动层13远离基板11的一侧依次形成有平坦化层20、阳极膜层16、像素限定层17、像素层18及阴极膜层19。驱动层13包括由栅极133、源极134、漏极135以及有源层131等形成的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)结构。阳极膜层16通过平坦化层过孔与TFT的漏极135电连接。像素层18位于像素限定层17限定的像素开口中，阴极膜层19位于像素层18远离基板11的一侧。
在本申请实施例中，不同的源极层110相互隔离，不同的源极层110通过平坦化层开口210所限定的邦定焊盘1101可以相互平行。请参照图10，源极层110的宽度La的范围可以为17um～19um，相邻的源极层之间的间隔距离Lb的范围可以为6um～7um，相邻的邦定焊盘1101之间的间隔距离Lc的范围可以为10um～11um，邦定焊盘1101的宽度Ld的范围可以为13.5um～14.5um。
在本申请实施例中，源极层110的宽度La可以为17um、17.2um、17.6um、18um、18.5um及19um等，优选地，源极层110的宽度La为18um。相邻的源极层110之间的间隔距离Lb可以为6um、6.3um、6.5um、6.7um、6.9um及7um等，优选地，相邻的源极层110之间的间隔距离Lb为6.7um。相邻的邦定焊盘1101之间的间隔距离Lc可以为10um、10.3um、10.4um、10.7um、10.9um及11um等，优选地，相邻的邦定焊盘1101之间的间隔距离Lc为10.7um。邦定焊盘1101的宽度范围可以为13.5um、13.8um、14um、14.2um、14.3um及14.5um等，优选地，邦定焊盘1101的宽度为14um。在源极层110及邦定焊盘1101采用上述尺寸制作时，金手指的宽度可以优选为12um。
在本申请实施例的一种可能实施方式中，请参照图11，平坦化层开口210可以包括远离显示面板1的有效显示区的一侧的第一平坦化层开口211及靠近显示面板1的有效显示区的一侧的第二平坦化层开口212。其中，第一平坦化层开口211的宽度大于第二平坦化层开口212的宽度。
第一平坦化层开口211可以包括沿远离显示面板1的有效显示区的方向延伸的第一开口边缘211a、第二开口边缘211b，及连接第一开口边缘211a及第二开口边缘211b且靠近显示面板1的有效显示区一端的第三开口边缘211c。
第二平坦化层开口212可以包括第四开口边缘212a、第五开口边缘212b、及沿远离显示面板1的有效显示区的方向延伸的第六开口边缘212c及第七开口边缘212d，其中，第四开口边缘212a连接在第一开口边缘211a远离显示面板1的有效显示区的一端于第六开口边缘212c靠近显示面板1的有效显示区的一端之间，第五开口边缘212b连接在第二开口边缘211b远离显示面板1的有效显示区的一端与第七开口边缘212d靠近显示面板1的有效显示区的一端之间。
在本实施方式中，第一开口边缘211a与第二开口边缘211b之间的距离小于第六开口边缘212c与第七开口边缘212d之间的距离，即第一平坦化层211开口的宽度小于第二平坦化层212开口的宽度。
在本实施方式中，第一开口边缘211a、第二开口边缘211b及第三开口边缘211c的正投影位于对应的源极层110内，第六开口边缘212c及第七开口边缘212d的正投影分别位于对应的源极层110的两侧。在本实施方式中，平坦化层开口210的形状可以为凸字型。
进一步地，在本实施方式中，第六开口边缘212c与第七开口边缘212d之间的距离，大于金手指的宽度与两个导电金球直径的和。如此设置可以确保在覆晶薄膜的金手指30与显示面板1的邦定焊盘1101邦定时，导电金球不会与残留的阳极膜层16接触，从而可以进一步保证相邻源极层110不会因短路而引起的显示暗线问题。
在上述实施方式的一种较佳实施方案中，在上述给定的源极层110及绑定焊盘1101的尺寸下，第二平坦化层开口212沿远离显示面板1的有效显示区的方向延伸的开口边缘与靠近该开口边缘的源极层边缘之间的距离大于1um。即，如图11所示，第六开口边缘212c与靠近该第六开口边缘212c的源极层边缘之间的距离d2大于1um；第七开口边缘212d与靠近该第七开口边缘212d的源极层边缘之间的距离d1大于1um。
进一步地，在本实施方式中，第二平坦化层开口212在远离显示面板1的有效显示区方向上的长度可以大于15um。如此设置可以避免刻蚀阳极膜层16的过程中，刻蚀药液中的络合物迁移，确保阳极膜层16的刻蚀效果。
请参照图12，在本申请实施例的另一种可能实施方式中，平坦化层开口210可以包括沿远离显示面板1的有效显示区的方向延伸的第八开口边缘210a、第九开口边缘210b，及连接第八开口边缘210a及第九开口边缘210b靠近显示面板1的有效显示区一端的第十开口边缘210c。其中，第八开口边缘210a、第九开口边缘210b及第十开口边缘210c的正投影位于对应的源极层110内。
上述提供的两种实施方式的平坦化层开口210设计，可以使源极层110远离显示面板1的有效显示区的一端相对于平坦化层210伸出，在刻蚀该源极层110上的阳极膜层16时，源极层110可以作为正极，阳极膜层16可以作为负极进行刻蚀，如此可以加速位于源极层110上阳极膜层16的刻蚀速度，避免在源极层110远离显示面板1的有效显示区的一端残留阳极膜层16，从而可以在源极层110远离显示面板1的有效显示区的一侧有效的隔断残留阳极膜层16，避免残留阳极膜层16形成连续的导电走线。从而在覆晶薄膜的金手指30与显示面板1的邦定焊盘1101邦定的过程中，解决因金手指30上的导电金球与导电走线接触而导致相邻源极层110短路引起的显示暗线问题，提升显示面板1的显示效果及市场竞争力。
在本申请实施例中，请参照图13，显示面板1还可以包括复用电路(Demux电路)及测试电路(CT电路)；解复用电路位于邦定焊盘1101靠近显示面板1的有效显示区的一侧，并与邦定焊盘1101靠近显示面板1的有效显示区的一端连接，解复用电路用于将一路信号分解层多路信号。
测试电路位于邦定焊盘1101远离显示面板1的有效显示区的一侧，并与邦定焊盘1101远离显示面板1的有效显示区的一端连接，测试电路用于测试是否存在相邻邦定焊盘1101之间的短路，具体地，由于源极层110在远离显示面板1的有效显示区的一端相对于平坦化层伸出，可以通过CT电路检测相邻邦定焊盘1101是否因源极层110在远离显示面板1的有效显示区的一端与残留阳极膜层16连通而短接。在显示面板1制作完成后即可对上述不良进行检测，及时将不良的显示面板1筛选出来，避免将存着相邻邦定焊盘1101短路的显示面板1流入后续的显示屏组装环节，导致组装后的显示屏不良的技术问题。因此，在显示面板1制作完成后，可以通过CT电路检测出残留阳极膜层16与源极层110在远离显示面板1的有效显示区的一端连通导致相邻源极层110之间的短路而引起的显示不良。
本申请实施例还提供一种显示屏，显示屏包括覆晶薄膜、位于覆晶薄膜的金手指及上面所描述的显示面板。覆晶薄膜通过金手指与显示面板上的邦定焊盘邦定。采用上述显示面板的显示屏可以有效避免显示暗线不良，提升显示屏的显示效果及市场竞争力。
本申请实施例提供的显示面板及显示屏，源极层远离有效显示区的一端相对于平坦化层伸出，在刻蚀该源极层上的阳极膜层时，源极层可以作为正极，阳极膜层可以作为负极进行刻蚀，如此可以加速位于源极层上阳极膜层的刻蚀速度，避免在源极层远离有效显示区的一端残留阳极膜层，从而可以在源极层远离有效显示区的一侧有效的隔断残留阳极膜层，避免残留阳极膜层形成连续的导电走线。此外，在覆晶薄膜的金手指与显示面板的邦定焊盘邦定的过程中，可以避免金手指上的导电金球与连续导电走线接触而导致相邻源极层短路引起的显示暗线问题，提升显示面板的显示效果及市场竞争力。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括有效显示区及远离所述有效显示区一侧的邦定区，所述显示面板还包括：
阵列基板；
位于所述阵列基板上的平坦化层，所述平坦化层在所述阵列基板对应的所述邦定区形成多个平坦化层开口，每个所述平坦化层开口位于所述阵列基板的不同源极层上，所述平坦化层开口处裸露的源极层形成与覆晶薄膜的金手指邦定的邦定焊盘，其中，所述源极层远离所述有效显示区的一端位于所述平坦化层正投影之外；
位于所述平坦化层远离所述阵列基板一侧的阳极膜层，在远离所述有效显示区的一端，所述阳极膜层形成的导电线被所述平坦化层开口隔断，所述导电线与所述源极层绝缘。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层开口包括靠近所述有效显示区的一侧的第一平坦化层开口及远离所述有效显示区的一侧的第二平坦化层开口；
所述第一平坦化层开口包括沿远离所述有效显示区的方向延伸的第一开口边缘、第二开口边缘，及连接所述第一开口边缘及第二开口边缘靠近所述有效显示区一端的第三开口边缘；
所述第二平坦化层开口包括第四开口边缘、第五开口边缘、及沿远离所述有效显示区的方向延伸的第六开口边缘及第七开口边缘，其中，所述第四开口边缘连接在所述第一开口边缘远离所述有效显示区的一端与所述第六开口边缘靠近所述有效显示区的一端之间，所述第五开口边缘连接在所述第二开口边缘远离所述有效显示区的一端与所述第七开口边缘靠近所述有效显示区的一端之间。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口边缘与所述第二开口边缘之间的距离小于所述第六开口边缘与第七开口边缘之间的距离。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口边缘、第二开口边缘及第三开口边缘的正投影位于对应的源极层内，所述第六开口边缘及第七开口边缘的正投影分别位于对应的源极层的两侧。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第六开口边缘与第七开口边缘之间的距离，大于所述金手指的宽度与两个导电金球直径的和。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第六开口边缘与靠近该第六开口边缘的源极层边缘之间的距离大于1um；所述第七开口边缘与靠近该第七开口边缘的源极层边缘之间的距离大于1um。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层开口包括沿远离所述有效显示区的方向延伸的第八开口边缘、第九开口边缘，及连接所述第八开口边缘及第九开口边缘靠近所述有效显示区一端的第十开口边缘；
所述第八开口边缘、第九开口边缘及第十开口边缘的正投影位于对应的所述源极层内。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的显示面板，其特征在于，
所述不同源极层相互隔离，多个邦定焊盘相互平行。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述源极层的宽度为17um～19um，相邻的源极层之间的间隔距离为6um～7um，相邻的邦定焊盘之间的间隔距离为10um～11um，所述邦定焊盘的宽度13.5um～14.5um。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述源极层的宽度为18um，相邻的源极层之间的间隔距离为6.7um，相邻的邦定焊盘之间的间隔距离为10.7um，所述邦定焊盘的宽度为14um。
11.如权利要求1-7中任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括解复用电路及测试电路；
所述解复用电路位于所述邦定焊盘靠近所述有效显示区的一侧，并与所述邦定焊盘靠近所述有效显示区的一端连接，所述解复用电路用于将一路信号分解层多路信号；
所述测试电路位于所述邦定焊盘远离所述有效显示区的一侧，并与所述邦定焊盘远离所述有效显示区的一端连接，所述测试电路用于测试是否存在相邻导电焊盘之间的短路。
12.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏包括覆晶薄膜、位于所述覆晶薄膜的金手指及权利要求1-11中任意一项所述的显示面板；
所述覆晶薄膜通过所述金手指与所述显示面板上的邦定焊盘邦定。
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