CN112813502B - 一种单晶硅刻蚀制绒添加剂及其应用 - Google Patents
一种单晶硅刻蚀制绒添加剂及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112813502B CN112813502B CN202011643702.3A CN202011643702A CN112813502B CN 112813502 B CN112813502 B CN 112813502B CN 202011643702 A CN202011643702 A CN 202011643702A CN 112813502 B CN112813502 B CN 112813502B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- texturing
- monocrystalline silicon
- per mill
- additive
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 title abstract description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title abstract description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 30
- 229920002581 Glucomannan Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 229920002752 Konjac Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 229940046240 glucomannan Drugs 0.000 claims abstract description 21
- 239000000252 konjac Substances 0.000 claims abstract description 21
- 241001312219 Amorphophallus konjac Species 0.000 claims abstract description 20
- 235000001206 Amorphophallus rivieri Nutrition 0.000 claims abstract description 20
- 235000010485 konjac Nutrition 0.000 claims abstract description 20
- LUEWUZLMQUOBSB-FSKGGBMCSA-N (2s,3s,4s,5s,6r)-2-[(2r,3s,4r,5r,6s)-6-[(2r,3s,4r,5s,6s)-4,5-dihydroxy-2-(hydroxymethyl)-6-[(2r,4r,5s,6r)-4,5,6-trihydroxy-2-(hydroxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-4,5-dihydroxy-2-(hydroxymethyl)oxan-3-yl]oxy-6-(hydroxymethyl)oxane-3,4,5-triol Chemical compound O[C@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@@H](O[C@@H]2[C@H](O[C@@H](OC3[C@H](O[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H]3O)CO)[C@@H](O)[C@H]2O)CO)[C@H](O)[C@H]1O LUEWUZLMQUOBSB-FSKGGBMCSA-N 0.000 claims abstract description 19
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- -1 alkynediol Substances 0.000 claims abstract description 11
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 8
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 4
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005007 perfluorooctyl group Chemical group FC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 7
- 239000008394 flocculating agent Substances 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 4
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 2
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 2
- 102100032487 Beta-mannosidase Human genes 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 239000004280 Sodium formate Substances 0.000 description 1
- 241001506047 Tremella Species 0.000 description 1
- ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N acetylenediol Chemical compound OC#CO ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 108010055059 beta-Mannosidase Proteins 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M sodium formate Chemical compound [Na+].[O-]C=O HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019254 sodium formate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011895 specific detection Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明属于硅片制绒技术，特别涉及一种单晶硅刻蚀制绒添加剂及其应用。选择特定种类、特定分子量的魔芋葡甘露聚糖作为添加剂加入到碱液中制备制绒液，并和表面活性剂、抗坏血酸、氢氧化钠、炔二醇、磺酸钠、絮凝剂加入复配协同，得到单晶硅刻蚀制绒液，并采用该制绒液对单晶硅进行制绒，不仅可达到降低碱液用量，而且避免了硅片表面的规整性受到破坏，能有效减少对光的反射，提高组装得到的太阳能电池片的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池生产制绒工艺技术领域，涉及一种单晶硅制绒添加剂以及制绒液的配制。
背景技术
目前常规硅太阳电池生产的工艺流程为表面预清洗、制绒去除损伤层并形成减反射的绒面结构、化学清洗并干燥；通过液态源扩散的方法在硅片表面各点形成均匀掺杂的PN结；去除扩散过程中形成的周边PN结和表面磷硅玻璃；表面沉积钝化和减反射膜；制作太阳电池的背面电极、背面电场和正面电极；烧结形成欧姆接触，从而完成整个电池片的制作过程。其中制绒去除损伤层并形成减反射的绒面结构这一步骤，目前大都采用化学腐蚀的方法来实现。
制绒是用化学或物理方法去除硅片表面损伤层并形成减反射的绒面结构的过程，目前常规制绒工艺一般采用氢氧化钠或氢氧化钾，并添加适当异丙醇和硅酸钠的混合溶液进行制绒。其缺点是：制绒时间较长，制绒金字塔大而不均匀，对原始硅片表面状态要求高，化学品消耗也比较大，并且溶液寿命短，制绒重复性差，异丙醇等挥发量很大，需要不断调液，操作难度高，从而带来制绒外观不良率很高，电池片转换效率较低等问题。
目前传统的单晶硅刻蚀制绒添加剂使用后得到的绒面尺寸金字塔型的小丘尺寸可控制仅能控制在2～4μm，难以进一步降低尺寸，无法进一步提高金字塔型的小丘的密度。而依靠表面金字塔形的方锥结构能对光进行多次反射，不仅减少了反射损失，而且改变了光在硅片中的前进方向，延长了光程，增加了光生载流子的产量，因此绒面反射率的降低有利于电池光电转换性能的改善，而目前的绒面的表面反射率也仅能达到10～14％，从而不利于太阳电池的光电转换率的进一步提高，而目前的制绒液中碱用量较大，不利于坏境环保。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种可以得到更小尺寸、更均匀的“金字塔”状绒面的单晶硅刻蚀制绒添加剂，使用后可以降低绒面的反射率，有利于提高太阳能电池的光电转换率。
为了达到上述目的，本发明提供了一种单晶硅刻蚀制绒添加剂，该添加为：单晶硅刻蚀制绒添加剂为高分子量有机糖，具体为：分子量10～13万的魔芋葡甘露聚糖。
制绒添加剂在制绒液中的应用：
制绒液按质量百分比计，由以下成分组成：
高分子量有机糖-分子量10～13万的魔芋葡甘露聚糖：0.5～2.0％；
表面活性剂：3～5‰；
抗坏血酸：3～5‰；
氢氧化钠：5～10‰；
炔二醇：2～5‰；
磺酸钠：0.5～2.0％；
絮凝剂(PMA)：0.3～0.5‰；
其余为去离子水。
其中，本发明选取的有机多糖为魔芋葡甘露聚糖作为制绒添加剂，一般而言常见的魔芋葡甘露聚糖分子量可达100万以上，有的甚至更高，直接加入制绒液中无法使用，因此本发明还需要将魔芋葡甘露聚糖进行酶解(参考现有的常规工艺即可，控制甘露聚糖酶的用量、酶解时间)，酶解后通过超滤膜截留分子量10～13万的魔芋葡甘露聚糖，将该分子量的魔芋葡甘露聚糖多糖加入至单晶硅刻蚀制绒添加剂中，和氢氧化钠等物质复配协同后可以得到更小的绒面，得到的绒面金字塔尺寸可控制在1um以下，从而有利于得到更低的反射率，反射率可以达到10％以下，显著高于传统的制绒效果，因此有利于太阳能电池转换效率的提高。
进一步，所述的表面活性剂为氟碳表面活性剂，如全氟辛基聚氧乙烯醚、全氟辛烷磺酸盐、全氟烷基聚氧乙烯醚或全氟烷基羧酸聚乙二醇酯等中的一种或多种。作为优选，当选用全氟辛烷磺酸盐时，相比于其它氟碳表面活性剂效果更佳。
进一步，加入絮凝剂，可以使制绒添加剂具有良好的去污、絮凝能力，极易将制绒槽药液内的脏污，形成脏污絮凝清洗去除，有利于制绒效果的改善。
制绒工艺将切割后的单晶硅片放入水中超声清洗后，将清洗后的单晶硅片浸入制绒液中，在制绒槽内制绒，制绒温度为75～85℃，制绒时间为3～15min；将制绒后的单晶硅片再用去离子水中超声清洗，将产品置于干燥箱中干燥获得制绒的单晶硅片。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
(1)对太阳能电池用单晶硅片进行表面制绒时，将本发明的添加剂(分子量10～13万的魔芋葡甘露聚糖)加入到碱性制绒液中，能取得优异的制绒效果。制绒后绒面金字塔的尺寸较小，分布较窄，能有效减少对光的反射，因而能提高组装得到的太阳能电池片的光电转换效率。
(2)采用特定分子量范围、特定种类的有机糖来辅助碱液对硅片表面进行制绒，不仅能在碱液非常低浓度的情况下促进了腐蚀的进行，提高了制绒效率；并且由于碱浓度较低，确保了腐蚀反应的平稳程度，避免了硅片表面的规整性受到破坏，延长了制绒后硅片的使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
实施例1
制绒液的配制：按质量百分比计，由以下成分组成：
魔芋葡甘露聚糖(分子量10万左右)：1.0％；
全氟辛烷磺酸盐表面活性剂：5‰；
抗坏血酸：5‰；
氢氧化钠：7‰；
炔二醇：3‰；
磺酸钠：1.0％；
絮凝剂(PMA)：0.5‰；
其余为去离子水。
将上述成分在室温下混合均匀后得制绒液。
将切割后的单晶硅片采用水和乙醇分别预清洗后，将其浸入制绒液中，制绒温度为75℃，制绒时间为5min；将制绒后的单晶硅片用去离子水中超声清洗，将产品置于干燥箱中干燥获得制绒的单晶硅片。
实施例2
制绒液的配制：按质量百分比计，由以下成分组成：
魔芋葡甘露聚糖(分子量10万左右)：1.5％；
全氟辛烷磺酸盐表面活性剂：4‰；
抗坏血酸：4‰；
氢氧化钠：7‰；
炔二醇：5‰；
磺酸钠：2.0％；
絮凝剂(PMA)：0.3‰；
其余为去离子水。
将上述成分在室温下混合均匀后得制绒液。
将切割后的单晶硅片采用水和乙醇预清洗后，将其浸入制绒液中，制绒温度为75℃，制绒时间为10min；将制绒后的单晶硅片再用去离子水中超声清洗，将产品置于干燥箱中干燥获得制绒的单晶硅片。
实施例3
制绒液的配制：按质量百分比计，由以下成分组成：
魔芋葡甘露聚糖(分子量10万左右)：1.2％；
全氟辛烷磺酸盐表面活性剂：3.5‰；
抗坏血酸：3.5‰；
氢氧化钠：8‰；
炔二醇：4‰；
磺酸钠：1.0％；
絮凝剂(PMA)：0.4‰；
其余为去离子水。
将上述成分在室温下混合均匀后得制绒液。
将切割后的单晶硅片采用水和乙醇预清洗后，将其浸入制绒液中，制绒温度为85℃，制绒时间为5min；将制绒后的单晶硅片再用去离子水中超声清洗，将产品置于干燥箱中干燥获得制绒的单晶硅片。
对比例1
对比例1与实施例1相比，区别在于：超滤膜筛选酶解后的魔芋葡甘露聚糖分子量为1～3万，其它操作与实施例1相同。
对比例2
对比例2与实施例1相比，区别在于：未对魔芋葡甘露聚糖进行酶解，其它操作与实施例1相同。
对比例3
对比例3与实施例1相比，区别在于：将魔芋葡甘露聚糖替换为银耳多糖，其它操作与实施例1相同。
对比例4
对比例4与实施例1相比，区别在于：将炔二醇等质量替换为全氟辛烷磺酸盐表面活性剂，其它操作与实施例1相同。
对比例5
对比例5与实施例1相比，区别在于：氢氧化钠用量为1.5％，其它操作与实施例1相同。
制绒液的配制：按质量百分比计，由以下成分组成：
魔芋葡甘露聚糖(分子量10万左右)：1.0％；
全氟辛烷磺酸盐表面活性剂：5‰；
抗坏血酸：5‰；
氢氧化钠：1.5％；
炔二醇：3‰；
磺酸钠：1.0％；
絮凝剂(PMA)：0.5‰；
其余为去离子水。
将上述成分在室温下混合均匀后得制绒液。
将切割后的单晶硅片采用水和乙醇分别预清洗后，将其浸入制绒液中，制绒温度为75℃，制绒时间为5min；将制绒后的单晶硅片用去离子水中超声清洗，将产品置于干燥箱中干燥获得制绒的单晶硅片。
对比例6
对比例6与实施例1相比，区别在于：将磺酸钠等质量替换为甲酸钠，其它操作与实施例1相同。
经过上述实施例1-3制绒液处理后的硅片表面均形成金字塔结构，且大小均匀、形貌规整，且尺寸小，平均尺寸在0.8～1μm(角锥体边长；而经过对比例1-6的制绒液处理后的硅片表面的金字塔形貌大小不均匀，且有的腐蚀明显，尺寸过大，而有的硅片表面制绒效果很差，难以获得均匀规整的金字塔结构。对制绒后的单晶硅片表面通过光反射检测仪在850nm处测试其光反射效果.其光反射率的具体检测结果请见表1：
表1
| 实施例 | 光反射率(％) |
| 实施例1 | 8.8 |
| 实施例2 | 9.2 |
| 实施例3 | 9.7 |
| 对比例1 | 35.8 |
| 对比例2 | 83.2 |
| 对比例3 | 52.4 |
| 对比例4 | 12.7 |
| 对比例5 | 32.1 |
| 对比例6 | 15.3 |
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (1)
1.一种单晶硅刻蚀制绒液，其特征在于:所述制绒液按质量百分比计，由以下成分组成：
分子量10~13万的魔芋葡甘露聚糖：0.5~2.0%；
表面活性剂：3~5‰；
抗坏血酸：3~5‰；
氢氧化钠：5~10‰；
炔二醇：2~5‰；
磺酸钠：0.5~2.0%；
聚丙烯酰胺絮凝剂：0.3~0.5‰；
其余为去离子水；
将上述成分混合后搅拌均匀，得到制绒液；
所述表面活性剂为全氟辛基聚氧乙烯醚、全氟辛烷磺酸盐、全氟烷基聚氧乙烯醚和全氟烷基羧酸聚乙二醇酯中的一种或多种混合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011643702.3A CN112813502B (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种单晶硅刻蚀制绒添加剂及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011643702.3A CN112813502B (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种单晶硅刻蚀制绒添加剂及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112813502A CN112813502A (zh) | 2021-05-18 |
| CN112813502B true CN112813502B (zh) | 2022-05-20 |
Family
ID=75858262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011643702.3A Active CN112813502B (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种单晶硅刻蚀制绒添加剂及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112813502B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114133876B (zh) * | 2021-11-04 | 2022-12-20 | 西安蓝桥新能源科技有限公司 | 一种小塔基硅片碱抛光辅助剂及其应用 |
| CN114351258A (zh) * | 2022-01-11 | 2022-04-15 | 江苏捷捷半导体新材料有限公司 | 一种高反射率单晶硅片碱抛添加剂、制备方法及其用途 |
| CN114634766B (zh) * | 2022-03-10 | 2024-02-13 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种单晶硅片背抛光用添加剂及其应用 |
| CN115820256B (zh) * | 2022-11-25 | 2024-05-24 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 用于提升太阳能电池绒面均匀性的添加剂及其使用工艺 |
| CN117210942B (zh) * | 2023-11-09 | 2024-02-02 | 江苏奥首材料科技有限公司 | 一种稳定单晶硅制绒添加剂、及包含其的制绒液、其制备方法及用途 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013051146A1 (ja) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | 株式会社 荻野商店 | 低分子量化こんにゃくグルコマンナンの製造方法およびこの方法により得られる低分子量化こんにゃくグルコマンナン |
| CN106521634A (zh) * | 2016-10-18 | 2017-03-22 | 湖州三峰能源科技有限公司 | 一种用于单晶硅或多晶硅酸性制绒的辅助化学组合物及其应用 |
| CN106835288A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-13 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种单晶硅片的制绒方法 |
| CN110042474A (zh) * | 2019-05-18 | 2019-07-23 | 上海汉遥新材料科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池制绒添加剂及其应用 |
| CN110396725A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-11-01 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种单晶硅片的制绒添加剂及其应用 |
| CN110578176A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-17 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 小绒面的单晶高阻密栅太阳电池制绒促进剂及其使用方法 |
| CN111321471A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-06-23 | 杭州飞鹿新能源科技有限公司 | 一种低减重的单晶硅制绒添加剂及其应用 |
-
2020
- 2020-12-30 CN CN202011643702.3A patent/CN112813502B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013051146A1 (ja) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | 株式会社 荻野商店 | 低分子量化こんにゃくグルコマンナンの製造方法およびこの方法により得られる低分子量化こんにゃくグルコマンナン |
| CN106521634A (zh) * | 2016-10-18 | 2017-03-22 | 湖州三峰能源科技有限公司 | 一种用于单晶硅或多晶硅酸性制绒的辅助化学组合物及其应用 |
| CN106835288A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-13 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种单晶硅片的制绒方法 |
| CN111321471A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-06-23 | 杭州飞鹿新能源科技有限公司 | 一种低减重的单晶硅制绒添加剂及其应用 |
| CN110042474A (zh) * | 2019-05-18 | 2019-07-23 | 上海汉遥新材料科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池制绒添加剂及其应用 |
| CN110396725A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-11-01 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种单晶硅片的制绒添加剂及其应用 |
| CN110578176A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-17 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 小绒面的单晶高阻密栅太阳电池制绒促进剂及其使用方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 不同分子链段的魔芋葡甘露聚糖对实验性糖尿病小鼠血糖含量的影响;李春美等;《中药材》;20040225;110-112 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112813502A (zh) | 2021-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112813502B (zh) | 一种单晶硅刻蚀制绒添加剂及其应用 | |
| WO2017185592A1 (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 | |
| CN102912451B (zh) | 一种单晶硅片制绒添加剂 | |
| CN106222756A (zh) | 用于金刚线切割单晶硅片制绒的添加剂及其应用方法 | |
| TW201416417A (zh) | 單晶矽片制絨添加劑、制絨液及其制絨方法 | |
| CN103774239B (zh) | 一种单晶硅硅片清洗制绒工艺 | |
| CN102005504A (zh) | 可提高太阳电池转化效率的硅片制绒方法 | |
| CN109473487B (zh) | 基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
| CN113417011B (zh) | 一种适用于单晶硅片的制绒添加剂及应用 | |
| CN112813501A (zh) | 一种单晶硅片制绒添加剂及其应用 | |
| CN114350265A (zh) | 一种单晶硅碱抛光添加剂及其使用方法 | |
| CN109037112B (zh) | 一种晶硅太阳能se电池刻蚀使用无机碱的方法 | |
| CN114292708A (zh) | 用于太阳能电池制绒前清洗的硅片清洗剂及使用方法 | |
| CN112940875A (zh) | 太阳能电池硅片清洗剂和太阳能电池硅片清洗方法 | |
| CN114481332A (zh) | 一种低减重单晶硅片制绒添加剂、制备方法及其用途 | |
| CN114317135A (zh) | 一种太阳能硅片制绒后的清洗剂及其清洗工艺 | |
| CN112899791A (zh) | 一种金刚线切割单晶硅片用制绒剂及其制备方法 | |
| CN114318549A (zh) | 一种用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂及使用方法 | |
| CN116504877A (zh) | 异质结电池及其制备方法 | |
| CN104393104B (zh) | 一种用于hit太阳电池织构的处理技术 | |
| CN103981575A (zh) | 一种单晶硅片的退火制绒方法 | |
| CN112608799B (zh) | 一种单晶硅片清洗剂及其应用 | |
| CN115000202A (zh) | 一种低反射绒面结构、制绒添加剂和制绒方法 | |
| CN105161553A (zh) | 一种新型全背电极晶体硅太阳电池的制备方法 | |
| CN114232105A (zh) | 一种p型单晶硅制绒方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |