CN112805586B - 激光发射电路和激光雷达 - Google Patents

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Abstract

一种激光发射电路和激光雷达，属于激光雷达领域。激光二极管(LD)由原来的与释能开关元件(Q2)的漏极相连更改为与储能电容(C2)的第二端相连，且储能电容(C2)的第二端通过激光二极管(LD)的阴极接地，将储能电容(C2)的第二端通过激光二极管(LD)给悬浮起来，即储能电容(C2)的第二端不再直接接地，这样的激光发射电路在转能阶段，释能开关元件(Q2)的寄生电容不会因转能充电过程而造成激光二极管(LD)提前发光，从而避免激光二极管(LD)在非预期时间发光，解决了激光漏光的问题。

Description

激光发射电路和激光雷达
技术领域
本申请涉及激光电路领域，尤其涉及一种激光发射电路和激光雷达。
背景技术
在激光雷达中，激光发射电路用于发射激光，激光发射电路的工作过程一般分为三个阶段：充能阶段、转能阶段和释能阶段，充能阶段包括为一个储能元件进行充电，将电能存储在该储能元件中，转能阶段包括在充能阶段完成后，将该储能元件上存储的电能转移到转能元件上，释能阶段包括在完成电能的转移后，将该转能元件上存储的电能释放以驱动激光二极管发射激光。目前随着激光雷达的发展，需要激光雷达在更短的时间内完成充能阶段，但是发明人发现在减小充能时间的过程中，原有激光发射电路会在转能阶段提前发射激光，造成“激光漏光”的现象，即激光发射电路在非预期时间发光，这样会影响激光雷达的测量性能。
发明内容
本申请实施例提供了的激光发射电路及激光雷达，可以解决相关技术中激光发射电路在转能阶段发射激光造成的激光漏光的问题。所述技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供了一种激光发射电路，包括：
充能电路，与所述转能电路相连，用于存储电能；
转能电路，与所述充能电路和释能电路相连，用于将所述充能电路中储存的电能转存所述转能电路中；所述转能电路包括储能电容和浮地二极管，所述储能电容的第一端与所述充能电路相连，且所述储能电容的第一端通过所述释能开关元件的第一端连接；所述储能电容的第二端与所述浮地二极管的阳极相连，且所述储能电容的第二端与所述释能电路的相连，所述浮地二极管的阴极接地；
所述释能电路，与所述转能电路相连，用于利用所述转能电路中存储的电能驱动激光二极管发光；所述释能电路包括释能开关元件和所述激光二极管，所述释能开关元件的第一端与所述储能电容的第一端相连，所述释能开关元件的第二端接地，且所述释能开关元件的第二端与所述激光二极管的阳极相连，所述激光二极管的阴极与所述电容的第二端相连。
第二方面，本申请实施例提供了一种激光雷达，包括上述的激光发射电路。
本申请一些实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
激光二极管由原来的与释能开关元件的漏极相连更改为与储能电容的第二端相连，且储能电容的第二端通过激光二极管的阴极接地，将储能电容的第二端通过激光二极管给悬浮起来，即储能电容的第二端不再直接接地，这样本申请的激光发射电路在转能阶段，释能开关元件的寄生电容不会因转能充电过程而造成激光二极管提前发光，从而避免激光二极管在非预期时间发光，解决了激光漏光的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种相关技术的激光发射电路的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的激光发射电路的框图；
图3是本申请实施例提供的激光发送电路的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的激光发送电路的另一结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施例方式作进一步地详细描述。
图1示出了相关技术中激光发射电路的结构示意图，激光发射电路的工作过程分为三个阶段：充能阶段、转能阶段和释能阶段，下面分别对三个阶段进行详细说明。
充能阶段：开关管Q1的栅极连接脉冲发生器TX_CHG，脉冲发生器TX_CHG发送矩形脉冲，控制开关管Q1的导通和断开；脉冲发生器TX_EN发送矩形脉冲控制开关管Q2的导通和断开。开关管Q1为导通状态，且开关管Q2为断开状态时，激光发射电路处于充能阶段。电源VCC产生的电流经过电感L1和开关管Q1形成回路，对电感L1进行充电。假设开关管Q1的导通时间为△t(△t也叫充能时间)，则电感L1中的电流增量遵守公式：△I＝(VCC×△t)/L1(公式1)。
其中，公式1中的VCC表示电源VCC的电压值，L1表示电感L1的电感值。
充能的能量遵守公式
将公式1代入到公式2得到根据公式3可以看出，充能能量WL与电感值L1呈反比，且与开关管Q1的导通时间△t的平方成正比。在保持充能能量WL不变的情况下，如果要减少开关管Q1的导通时间，那么需要减少电感L1的电感值。
由公式1和公式2可知，脉冲发生器TX_CHG可以控制矩形脉冲的宽度来控制开关管Q1的导通时间，即控制电感L1的充能时间，从而改变充能能量的大小，调节激光的发射功率。
转能阶段：当开关管Q1处于断开状态，且开关管Q2也处于断开状态时，激光发射电路处于转能阶段。由于电感L1的电流不能突变，电感L1中存储有充电电能，电感L1通过升压整流二极管D1对储能电容C2进行充电，实现将电感L1上存储的充电电能转移到储能电容C2上。
虽然开关管Q1和开关管Q2处于断开状态，但是两个开关管的漏极和源极之间存在寄生电容，设开关管Q1的漏极和源极之间的寄生电容为CQ1-DS，开关管Q2的漏极和源极之间的寄生电容为CQ2-DS。
那么电感L1的电流增量△I会通过以下的三条支路进行分流：
回路1：电流由电感L1经寄生电容CQ1-DS到地GND形成回路，定义该回路上的电流为ICQ1。
回路2：电流由电感L1经升压整流二极管D1、储能电容C2到地GND形成回路，定义该回路上的电流为IC2。
回路3：电流由L1经升压整流二极管D1、激光二极管LD、CQ2-DS到地(GND)形成回路，定义电流为ICQ2。
以上3条回路只有回路2是主充能回路，实现对储能电容C2的储能作用，回路1和回路3都是由寄生电容引起的。
考虑到升压整流二极管D1和激光二极管LD的正向压降比较小，对各回路的影响较小，为了简化计算忽略升压整流二极管D1和激光二极管LD对回路的压降影响，可得△I＝IC2+ICQ1+ICQ2(公式4)。
假设CQ1-DS＝CQ2-DS＝C2/N，N为大于0的数，CQ1-DS表示开关管Q1的寄生电容的电容值，CQ2-DS表示开关管Q2的寄生电容的电容值，C2表示储能电容C2的电容值。则流过各回路的电流值为：
根据回路3可以看出，ICQ2等于激光二极管LD的电流ILD，即ICQ2＝ILD(公式8)。设激光二极管LD发光的电流阈值为ILD-TH，如果ICQ2大于电流阈值大于ILD-TH，则激光二极管LD会在转能阶段发射激光，造成漏光现象，即激光发射电路在非预期时间发光，对激光雷达的测量性能造成影响。
例如：为了满足激光雷达的综合性能，例如：提高系统频点、实现双发射和多发射等功能，要求减少充能时间△t。
在保持电感L1的能量WL和电源VCC的电压值不变前提下，根据公式3可以看出，需要相应的减小充能电路中电感L1的电感值。然后根据公式1可以看出，电感L1的电感值减小的话，电感L1产生的充电电流△I相应会增大。最后再根据公式7和公式8可知，在充电电流△I增大的情况下，转能过程流过激光二极管LD的电流也会增大，这样流过激光二极管LD的电流有可能会满足ICQ2＝ILD≥ILD-TH的条件，此时激光二极管LD会在非预期时间发光，造成“激光漏光”现象。
释能阶段：当开关管Q1处于断开状态，且开关管Q2处于导通状态时，激光发射电路处于释能阶段。储能电容C2上存储的能量会通过激光二极管LD、开关管Q2到地GND形成回路，驱动激光二极管LD发出激光，从而使激光二极管LD在预期时间发射激光。
为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种激光发射电路，参见图2所示，本申请实施例的激光发射电路包括：充能电路201、转能电路202和释能电路203。充能电路201与转能电路202相连，转能电路202和释能电路203相连。充能电路201用于存储电能，转能电路202用于将充能电路201中存储的电能转存储到转能电路中，释能电路203用于将转能电路202中存储的电能驱动激光二极管发光。
参见图3所示，为本申请实施例的转能电路202和释能电路203的结构示意图，转能电路202包括储能电容C2和浮地二极管D2。释能电路203包括储能电容C2、释能开关元件和激光二极管LD，释能开关元件包括两个开关端和一个控制端(图2中未画出)，控制端中输入控制信号(例如脉冲信号)控制两个开关端的闭合或断开，实现释能开关元件的导通状态或断开状态。其中，释能开关元件可以是GaN(Galliumnitride，氮化镓开关管)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管)或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)。
转能电路202和释能电路203中各个元件的连接关系为：储能电容C2的第一端与充能电路201相连，且储能电容C2的第一端与释能开关元件的第一端相连；所述储能电容C2的第二端与浮地二极管D2的阳极相连，且所述储能电容C2的第二端与激光二极管LD的阴极(K)相连；浮地二极管D2的阴极接地，激光二极管LD的阳极(A)接地，且激光二极管LD的阳极与释能开关元件的第二端相连。其中，本实施例中的释能开关元件的第一端和第二端指的是释能开关元件的两个开关端。
图3中激光发射电路的工作过程包括：
在充能阶段，充能电路201中的储能元件存储电源供给的电能，完成充能动作后，在进行转能阶段。
在转能阶段，释能开关元件处于断开状态，即释能开关元件的两端是断路的。充能电路201利用存储的电能为转能电路202充电，具体为将电能转存到转能电路202中的储能电容C2中。虽然释能开关元件处于断开状态，但是释能开关元件存在一定的寄生电容，那么实际上来自充能电路201的电流会形成两个回路，一个回路是经过储能电容C2和浮地二极管D2到地GND形成的回路，并且在储能电容C2充电过程的时间内，激光发射管LD处于反偏截止状态，转能动作完成。另一个回路是经过释能开关元件的寄生电容到地GND形成的回路，由此可见两个回路都不再经过激光二极管LD，那么在转能阶段激光二极管就不会发生“激光漏光”，即不会在非预期时间发光，解决了“激光漏光”的问题。在完成了对储能电容C2的转能后，在进行释能阶段。
在释能阶段，释能开关处于导通状态，储能电容上储存的电能通过释能开关元件的两端、激光二极管LD回到储能电容的第二端形成释能回路，驱动激光二极管LD发光。
在一个实施例中，转能电路还包括升压整流二极管，升压整流二极管的阳极与充能电路201相连，升压整流二极管的阴极与储能电容C2的第一端相连，升压整流二极管具有单向导通功能，在转能阶段只允许充能电路201为储能电容C2进行充电，避免储能电容C2在电势高于充能电路201的电势时，造成储能电容C2中电能的回流。其中，可以理解的是，该升压整流二极管可以是肖特基二极管。
在一个或多个实施例中，释能开关元件为晶体管，晶体管的集电极与储能电容C2的第一端相连，晶体管的发射极接地且晶体管的发射极与激光二极管LD的阳极相连，晶体管的基极与第一脉冲发生器的输出端相连。第一脉冲发生器可以发出脉冲，例如矩形脉冲，矩形脉冲为高电平时控制晶体管的集电极和发射极之间导通；矩形脉冲为低电平时控制晶体管的集电极和发射极之间断开，矩形脉冲的高电平的持续时间即为该晶体管的导通时间。
在一个或多个实施例中，释能开关元件为晶体管，晶体管的发射极与储能电容C2的第一端相连，晶体管的集电极接地且晶体管的集电极与激光二极管LD的阳极相连，晶体管的基极与第一脉冲发生器的输出端相连。第一脉冲发生器可以发出脉冲，例如矩形脉冲，矩形脉冲为高电平时控制晶体管的集电极和发射极之间断开；矩形脉冲为低电平时控制晶体管的集电极和发射极之间导通，矩形脉冲的低电平的持续时间即为该晶体管的导通时间。
在一个或多个实施例中，释能开关元件为氮化镓(GaN)开关管，氮化镓开关管为MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)管，氮化镓开关管的漏极与储能电容C2的第一端相连，氮化镓开关管的源极接地且氮化镓开关管的源极与激光二极管的阳极相连，氮化镓开关管的栅极与第一脉冲发生器的输出端相连。第一脉冲发生器可以发出脉冲，例如矩形脉冲，控制氮化镓开关管的集电极和发射极之间的导通或断开，矩形脉冲的持续时间即为氮化镓开关管的导通时间。
在一个或多个实施例中，充能电路包括电源、退耦电容、电感和充能开关元件。电源为直流电源，电源的正极与电感的第一端相连，电感的第二端通过充能开关元件接地且电感的第二端与储能电容C2的第一端相连。退耦电容用于消除电路之间的寄生耦合。充能开关元件在处于导通状态时，电源为电感进行充电，充电完成后，电感中存储有电能。其中，充能开关元件可以是氮化镓开关管、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管)或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)
进一步的，所述充能开关元件为晶体管，所述晶体管的集电极与所述储能电容C2的第一端相连，所述晶体管的发射极接地，所述晶体管的基极与第二脉冲发生器的输出端相连；第二脉冲发生器通过输出高电平控制晶体处于导通状态，以及输出低电平控制晶体管处于断开状态；或
充能开关元件为晶体管，所述晶体管的发射极与所述储能电容C2的第一端相连，所述晶体管的集电极接地，所述晶体管的基极与所述第二脉冲发生器的输出端相连，第二脉冲发生器通过输出高电平控制晶体处于断开状态，输出低电平控制晶体管处于导通状态；或
所述充能开关元件为氮化镓开关管，所述氮化镓开关管的漏极与所述储能电容C2的第一端相连，所述氮化镓开关管的源极接地，所述氮化镓开关管的栅极与第二脉冲发生器的输出端相连。第二脉冲发生器用于控制充能开关元件的导通时间。
在一个或多个实施例中，释能电路203还包括动态补偿电容，所述动态补偿电容跨接在所述释能开关元件的两端，动态补偿电容跨接在释能开关元件的两个开关端上。动态补偿电容可以抑制储能电容C2的放电回路的寄生参数带来的电流谐振，以及补充释能开关元件导通时的动态阻抗。
在一个或多个实施例中，所述动态补偿电容的电容值小于所述储能电容的电容值。
在一个或多个实施例中，所述储能电容C2可以由多个电容并联组成，用于减少储能电容C2的ESR(Equivalent Series Resistance，等效串联电阻)。可理解的是，该多个电容的电容值可以相等也可以不等。优选的，多个并联的电容的电容值相等，电容值相等的电容并联各自的ESR一致性更好，各并联电容的放电更对等，可以更好的提高储能电容的效率。
可以理解的是，图3中各个元器件(例如：浮地二极管D2、激光二极管LD和释能开关元件)接地的连接方式可以更改为与电源的负极相连，同样也能实现图3中的激光发射电路相同的功能。其中，可以理解的是所述电源的负极可以接地。
参见图4，为本申请实施例提供的一种激光发射电路的具体结构示意图，在本申请实施例中，充能电路201包括电源VCC、电感L1、退耦电容C1和MOS管Q1，MOS管Q1为充能开关元件。转能电路202包括升压整流二极管D1、储能电容C2和浮地二极管D2。释能电路203包括储能电容C2、MOS管Q2、动态补偿电容C3和激光二极管LD，MOS管Q2作为释能开关元件。
图4中的各个元件的连接关系为：电源VCC的负极接地，电源VCC的正极通过退耦电容C1接地，且电源VCC的正极还与电感L1与MOS管Q1的漏极(D)相连，MOS管Q1的漏极同时与升压整流二极管D1的阳极相连；MOS管Q1的源极(S)接地，MOS管Q1的栅极(G)与脉冲发生器TX_CHG的输出端相连。
升压整流二极管D1的阴极与储能电容C2的第一端相连，且升压整流二极管D2的阴极还与MOS管Q2的漏极(D)相连。储能电容C2的第二端与浮地二极管D2的阳极相连，浮地二极管D2的阴极接地。储能电容C2的第二端与激光二极管LD的阴极(K)相连，激光二极管LD的阳极(A)接地，且激光二极管LD的阳极与MOS管Q2的源极(S)相连，MOS管Q2的栅极(G)与脉冲发生器TX_EN的输出端相连。动态补偿电容C3跨接在MOS管Q2的源极和漏极上。
可以理解的是，图4中各个元器件(例如：退耦电容C1、MOS管Q1、浮地二极管D2、激光二极管LD和MOS管Q2)接地的连接方式可以更改为与电源的负极相连，同样也能实现图4中的激光发射电路相同的功能。其中，可以理解的是，所述电源的负极可以接地。
其中，动态补偿电容C3的电容值小于储能电容C2的电容值，动态补偿电容C3的电容值范围可以是2pF～10nF之间，例如：动态补偿电容C3的电容值为100pF。储能电容C2的电容值范围可以是2pF～20nF之间，例如：储能电容C2的电容值为2nF。电感L1的电感值范围可以是10nH～100μH之间，例如：电感L1的电感值为330nH。上述元件的参数值的取值范围仅供参数，本申请实施例并不限于此。
图4的激光发射电路的工作过程包括：
1、充能阶段。
脉冲发生器TX_CHG向MOS管Q1的栅极发送矩形脉冲，控制MOS管Q1处于导通状态，此时MOS管Q2处于断开状态。电源VCC向电感进行充电，退耦电容C1并接于电源VCC正负极之间，可防止电路通过电源VCC形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。所谓退耦，即防止前后电路电流大小变化时，在供电电路中所形成的电流波动对电路的正常工作产生影响，换言之，退耦电路能够有效地消除电路之间的寄生耦合。
2、转能阶段。
充能完成后，脉冲发生器TX_CHG停止向MOS管Q1发送矩形脉冲，MOS管Q1处于断开状态，此时MOS管Q2仍处于断开状态。因为电感l 1的电流不能突变，此时电感L1会延续ΔI所产生的电势通过升压整流二极管D1产生两路电流，其中一路对储能电容C2进行充能，充能电流经过升压整流二极管D1、储能电容C2、浮地二极管D2和地形成一个回路，并且在储能电容C2充电过程中，激光二极管LD处于反偏截止状态。另一路转能充电电流经过MOS管Q2的寄生电容CQ2-DS(图中未画出)和动态补偿电容C3和地形成另一回路，而流经MOS管Q2的寄生电容CQ2-DS的电流不再流过激光二极管LD。
显然，以上两路充电电流都不会产生流经激光二极管LD，所以不会在非预期时间发光，解决了激光漏光的问题。
其中，改进后激光发射电路具有如下特点：激光二极管LD由原来的与MOS管Q2的漏极相连更改与储能电容C2的第二端连接，储能电容C2的第二端通过激光二极管LD的接入对地给悬浮起来，即储能电容C2的第二端不再直接地。故此该激光发射电路中文也可称为“消除激光泄漏浮地发射电路”，英文取名简称FCEL(float ground circuit for eliminatinglaser leakage，消除激光泄漏浮地发射电路)。
3、释能阶段。
脉冲发生器TX_EN向MOS管Q2的栅极发送矩形脉冲，控制MOS管Q2处于导通状态，此时MOS管Q1处于断开状态。储能电容C2中存储的电能通过MOS管Q2的漏极、源极、激光二极管LD、储能电容C2的第二端形成释能(放电)回路，驱动激光二极管LD完成激光的发射动作。另外，动态补偿电容C3也通过MOS管Q2的漏极和源极形成自身的放电回路，把转能时所存储的电能释放掉，为下一周期的激光发送做准备。
本申请实施例还提供了一种激光雷达，包括上述的激光发射电路。
具体地，上述激光发射电路可以应用在激光雷达中，激光雷达中除了激光发射电路外，还可以包括电源、处理设备、光学接收设备、旋转体、底座、外壳以及人机交互设备等具体结构。可以理解的是，激光雷达可以为单路激光雷达，包括有一路上述激光发射电路，激光雷达也可以为多路激光雷达，包括多路上述激光发射电路以及相应的控制系统，其中多路的具体数量可以根据实际需求确定。
上述激光雷达，通过更改激光发射电路的结构，激光二极管LD由原来的与MOS管Q2的漏极相连更改与储能电容C2的第二端连接，储能电容C2的第二端通过激光二极管LD的阴极接地，储能电容C2的第二端通过激光二极管LD给悬浮起来，即储能电容C2的第二端不再直接地，在转能阶段，释能开光元件的寄生电容不会因转能充电过程而造成激光二极管提前发光，避免激光二极管在非预期时间发光，解决了激光漏光的问题。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体或随机存储记忆体等。
以上所揭露的仅为本申请较佳实施例而已，当然不能以此来限定本申请之权利范围，因此依本申请权利要求所作的等同变化，仍属本申请所涵盖的范围。

Claims (8)

1.一种激光发射电路，其特征在于，包括：
充能电路，与转能电路相连，用于存储电能；所述充能电路包括电源、退耦电容、电感、以及充能开关元件；所述电源的正极通过所述退耦电容接地且所述电源的正极与所述电感的第一端相连，所述电感的第二端通过所述充能开关元件接地，所述电源的负极接地，所述充能开关元件还与充能脉冲发生器相连；
转能电路，与所述充能电路和释能电路相连，用于将所述充能电路中储存的电能转存于所述转能电路中；所述转能电路包括储能电容和浮地二极管，所述储能电容的第一端与所述充能电路相连，且所述储能电容的第一端分别与所述释能开关元件的第一端和所述电感的第二端连接；所述储能电容的第二端与所述浮地二极管的阳极相连，且所述储能电容的第二端与所述释能电路相连，所述浮地二极管的阴极接地；
所述释能电路，与所述转能电路相连，用于利用所述转能电路中存储的电能驱动激光二极管发光；所述释能电路包括释能开关元件和所述激光二极管，所述释能开关元件的第一端与所述储能电容的第一端相连，所述释能开关元件的第二端接地，且所述释能开关元件的第二端与所述激光二极管的阳极相连，所述激光二极管的阴极与所述电容的第二端相连；所述释能电路还包括动态补偿电容，所述动态补偿电容跨接在所述释能开关元件的两端，所述释能开关元件还与释能脉冲发生器相连；所述激光发射电路在充能阶段，所述充能脉冲发生器向所述充能开关元件发送第一矩形脉冲信号以控制所述充能开关元件导通、所述释能开关元件断开；在转能阶段，所述充能脉冲发生器停止发送矩形脉冲信号以使所述充能开关元件和所述释能开关元件均断开；在释能阶段，所述释能脉冲发生器向所述充能开关元件发送第二矩形脉冲信号以使所述充能开关元件断开、所述释能开关元件导通；并且，
所述充能脉冲发生器通过控制所述第一矩形脉冲信号的宽度来控制所述充能开关元件的导通时间。
2.根据权利要求1所述的激光发射电路，其特征在于，所述转能电路还包括升压整流二极管，所述升压整流二极管的阳极与所述充能电路相连，所述升压整流二极管的阴极与所述储能电容的第一端相连。
3.根据权利要求1所述的激光发射电路，其特征在于，所述释能开关元件为晶体管，所述晶体管的集电极与所述储能电容的第一端相连，所述晶体管的发射极接地且所述晶体管的发射极与所述激光二极管的阳极相连，所述晶体管的基极与第一脉冲发生器的输出端相连；或
所述释能开关元件为晶体管，所述晶体管的发射极与所述储能电容的第一端相连，所述晶体管的集电极接地且所述晶体管的集电极与所述激光二极管的阳极相连，所述晶体管的基极与第一脉冲发生器的输出端相连；或
所述释能开关元件为氮化镓开关管，所述氮化镓开关管的漏极与所述储能电容的第一端相连，所述氮化镓开关管的源极接地且所述氮化镓开关管的源极与所述激光二极管的阳极相连，所述氮化镓开关管的栅极与所述第一脉冲发生器的输出端相连。
4.根据权利要求1所述的激光发射电路，其特征在于，所述充能开关元件为晶体管，所述晶体管的集电极与所述储能电容的第一端相连，所述晶体管的发射极接地，所述晶体管的基极与第二脉冲发生器的输出端相连；或
所述充能开关元件为晶体管，所述晶体管的发射极与所述储能电容的第一端相连，所述晶体管的集电极接地，所述晶体管的基极与第二脉冲发生器的输出端相连；或
所述充能开关元件为氮化镓开关管，所述氮化镓开关管的漏极与所述储能电容的第一端相连，所述氮化镓开关管的源极接地，所述氮化镓开关管的栅极与第二脉冲发生器的输出端相连。
5.根据权利要求1所述的激光发射电路，其特征在于，所述动态补偿电容的电容值小于所述储能电容的电容值。
6.根据权利要求1所述的激光发射电路，其特征在于，所述储能电容由多个电容并联组成。
7.根据权利要求2所述的激光发射电路，其特征在于，所述升压整流二极管和所述浮地二极管为肖特基二极管。
8.一种激光雷达，其特征在于，包括：如权利要求1至7任意一项所述的激光发射电路。
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