CN217545910U - 一种激光发射器驱动电路及其系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种激光发射器驱动电路及其系统,涉及激光测距技术领域,用于提供一种激光发射器驱动电路的实施方式,针对目前的激光发射器驱动电路使用二极管续流效果不足的问题,提供了一种激光发射器驱动电路,通过第二开关模块代替目前通常使用的二极管为激光发射器提供续流通路。第二开关模块相较于二极管而言,是通过输入至控制端的电信号控制第一端和第二端之间的导通与否,不需要正向压降,所以寄生电感所存储的电荷不足以支持使二极管导通的正向压降时,通过第二开关模块仍可也进行电流的泄放,进而实现寄生电感电荷的全部泄放,增强了电流泄放效果,从而避免了电压尖峰和电流振铃现象的产生。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光测距技术领域,特别是涉及一种激光发射器驱动电路及其系统。
背景技术
近年来,随着光子时间飞行(Time of Flight)技术的发展,逐渐被应用到无人驾驶、激光雷达以及机器视觉等技术领域中,被认为是未来最精准,且最可靠的测距手段之一。主要通过激光发射器发射光脉冲,记录光脉冲从发射端发出,再经过物体反射回接收端的时间,来实现精准的测距。
目前常见的激光发射器驱动电路如图1所示,包括:激光发射器LD1、二极管D1、去耦电容C1、寄生电感(BDL1、BDL2、BDL3、L1、L2、L3、L4)和等效串联电感(ESL1、ESL2)等器件。其中,虚线框内的电路于实际应用中多集成为激光发射器驱动芯片,作为芯片内部的电路结构,芯片将内部各封装打线寄生电感(BDL1、BDL2、BDL3)的一端作为芯片的管脚(VLD、DRV、GND)与外部的驱动电路连接,实现对于激光发射器的驱动。另外,二极管用于为寄生电感提供续流通路,以实现降低由寄生电感所产生的电压尖峰以及电流振铃现象的目的。但是,二极管需要一个正向压降才会打开,这导致当压降不足时,二极管关闭,无法续流,影响了续流效果,不利于上述降低电压尖峰以及电流振铃现象,进而,影响了激光发射器平稳工作。并且,该续流二极管的面积非常大,这带来了成本的增加。
所以,现在本领域的技术人员亟需要一种激光发射器驱动电路,解决目前的激光发射器驱动电路使用二极管对寄生电感进行续流导致续流效果不足的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种激光发射器驱动电路及其系统,解决目前的激光发射器驱动电路使用二极管对寄生电感进行续流导致续流效果不足的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种激光发射器驱动电路,包括:第一开关模块、高电压端口、低电压端口、地端口;驱动电路外部的待驱动激光发射器连接在高电压端口和低电压端口之间,第一开关模块连接在低电压端口和地端口之间,用于控制激光发射器的通断;
驱动电路还包括第二开关模块,第二开关模块连接在高电压端口和低电压端口之间;
第一开关模块与第二开关模块的通断状态相反,当第一开关模块导通时,第二开关模块断开,激光发射器启动;当第一开关模块断开时,第二开关模块导通,激光发射器停止。
优选地,还包括脉冲产生模块,用于输出第一控制信号控制第二开关模块和第一开关模块的通断。
优选地,第二开关模块包括具有三端的第一晶体管,第一晶体管的两端连接在高电压端口和低电压端口之间;其控制端连接脉冲产生模块。
优选地,驱动电路包括高电压域和低电压域,第一晶体管处在高电压域内,驱动电路还包括:电平移位电路,用于将脉冲产生模块产生的第一控制信号的高电平从低电压移位到高电压,对应输出第二控制信号;第二控制信号连接第一晶体管的控制端。
优选地,还包括:第一预驱动电路,用于提高第二控制信号的驱动能力,对应输出第三控制信号;第三控制信号连接第一晶体管的控制端。
优选地,当外部的激光发射器为N个时,驱动电路包括N个第二开关模块和N个第一开关模块。
优选地,第一晶体管为PMOS管;对应的,PMOS管的源极作为第一晶体管的第一端,PMOS管的漏极作为第一晶体管的第二端,PMOS管的栅极作为第一晶体管的控制端。
为解决上述技术问题,本实用新型还提供一种激光发射器驱动系统,其特征在于,包括上述的激光发射器驱动电路及至少一个激光发射器,激光发射器连接在激光发射器驱动电路的高电压端口和低电压端口之间。
优选地,还包括:直流电源;对应的,激光发射器由直流电源供电。
优选地,激光发射器驱动电路还包括:高电压生成模块,用于为激光发射器供电。
本实用新型所提供的一种激光发射器驱动电路,通过第二开关模块代替目前通常使用的二极管为激光发射器提供续流通路,由此可以通过控制第二开关模块通断来控制续流通路的通断,以此达到在激光发射器切换开闭状态时,使回路内的电流继续流动的目的。同时,第二开关模块相较于目前所使用的二极管而言,是通过输入至控制端的电信号控制第一端和第二端之间的导通与否,所以不需要第一端和第二端之间有一个正向的压降才能使其导通,所以寄生电感所存储的电荷不足以支持使二极管导通的正向压降时,仍可也进行电流的泄放,进而实现将寄生电感存储的电荷全部泄放的效果,增强了电流泄放的能力,从而避免了电压尖峰和电流振铃现象的产生,进一步保护了激光发射器以及激光发射器驱动芯片的IO端口。
本申请提供的激光发射器驱动系统,包括上述的激光发射器驱动电路,效果同上。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例,下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的一种激光发射器驱动电路的结构图;
图2为本实用新型提供的一种激光发射器驱动电路的结构图;
图3为本实用新型提供的一种激光发射器驱动电路内电流流向示意图;
图4为本实用新型提供的另一种激光发射器驱动电路及其系统的结构图;
图5为本实用新型提供的另一种激光发射器驱动系统的结构图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护范围。
本实用新型的核心是提供一种激光发射器驱动电路及其系统。
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。
如上述可知,对于目前的光子时间飞行技术而言,通常使用图1所示的激光发射器驱动电路10驱动激光发射器LD1,包括:激光发射器LD1、二极管D1、去耦电容C1、寄生电感(BDL1、BDL2、BDL3、L1、L2、L3、L4)和等效串联电感(ESL1、ESL2)等器件。使得激光发射器LD1从输出端发射激光脉冲,激光脉冲经过物体反射后到达接收端,进而可以根据往返的飞行时间实现对反射物体之间的精准测距。
由于激光发射器LD1发射的激光脉冲的频率非常高,以及接收端对于测距精度的要求,对激光脉冲提出了以下要求:
1、脉冲宽度足够窄,要达到纳秒甚至皮秒。
2、峰值电流足够高,要达到安培级别,
3、上升下降要足够快,要达到皮秒级别,
以上这3条要求对激光发射器驱动电路10的设计提出了非常大的挑战,而寄生电感是造成该挑战的主要因素。在激光脉冲快速上升和下降时(也即激光发射器LD1切换开闭状态时),寄生电感由于其自身特性,会阻碍激光脉冲的电流变化,造成以下两种情况:
1、高电压端口VLD和低电压端口DRV存在一个非常大的电压尖峰,电压尖峰的数值V=L*dI/dt,L是寄生电感的感量,dI/dt是电流变化率,这个电压尖峰会超过芯片正常工作电压,也即输出电压尖峰现象,造成芯片损坏。
2、输出电流出现振铃现象,振铃幅度随着寄生电感存储能量的不断释放而衰减。
基于上述问题,目前通常使用二极管D1为寄生电感提供续流电路,使其驱动电路在切换开关状态时,寄生电感处的电荷仍可以流动,以减少甚至避免输出电压尖峰以及输出电流振铃现象,保护激光发射器驱动电路10。
但是,二极管D1的两端之间需要一个正向压降才能导通,当压降不足时,二极管D1关断,电流不能从二极管D1流过,所以对于激光发射器驱动电路10而言,寄生电感处的电荷不能完全释放,仍会出现一定的输出电压尖峰以及输出电流振铃现象,对激光发射器驱动电路10的保护不彻底。
因此,本申请提供一种激光发射器驱动电路10,如图2所示,包括:第一开关模块11、高电压端口VLD、低电压端口DRV、地端口GND;驱动电路外部的待驱动激光发射器LD1连接在高电压端口VLD和低电压端口DRV之间,第一开关模块11连接在低电压端口DRV和地端口GND之间,用于控制激光发射器LD1的通断;
驱动电路还包括第二开关模块12,第二开关模块12连接在高电压端口VLD和低电压端口DRV之间;
第一开关模块11与第二开关模块12的通断状态相反,当第一开关模块11导通时,第二开关模块12断开,激光发射器LD1启动;当第一开关模块11断开时,第二开关模块12导通,激光发射器LD1停止。
需要说明的是,开关模块可以是机械开关也可以是电子开关,电子开关又可以是晶闸管、晶体管、场效应管、可控硅、继电器等,本实施例对此未作限制,但考虑到在实际应用中,对激光发射器驱动电路10的尺寸有一定的要求,且激光发射器LD1本身多通过脉冲信号等方式进行开闭状态的控制,所以一种优选的方式为第一开关模块11和第二开关模块12为电子开关,通断状态受用于切换激光发射器LD1开闭状态的信号所控制。
因此,本实施例还提供一种优选的实施方案,如图2所示,激光发射器驱动电路10还包括:脉冲产生模块13,用于输出第一控制信号控制第二开关模块12和第一开关模块11的通断。
由图1可知,于目前的激光发射器驱动电路10中就存在脉冲产生模块13,用于生成脉冲信号(也即第一控制信号)控制开关模块(也即本驱动电路中的第一开关模块11)通断,因此本实施例复用脉冲产生模块13,将其输出的脉冲信号作为控制信号还用于控制第二开关模块12的通断,进而实现控制续流通路的通断,并且无需额外的硬件装置,节省了成本的同时也有利于激光发射器驱动电路10尺寸的控制。
又由上述可知,第一开关模块11和第二开关模块12的通断状态始终相反,所以在上述实施例皆由脉冲产生模块13输出的脉冲信号所控制的情况下,第一开关模块11和第二开关模块12的通断控制逻辑应相反,例如:当脉冲模块输出高电平时,第一开关模块11导通、第二开关模块12断开;当脉冲模块输出低电平时,第一开关模块11断开、第二开关模块12导通。
进而,由上述所示的激光发射器驱动电路10结构可知,当激光发射器LD1在打开状态(也即第一开关模块11导通时)下,激光发射器LD1的寄生电感(BDL1,L1,ESL1,L2,BDL2)处都有持续的电流经过,进而存储了电荷。而当激光发射器LD1从打开状态切换到关闭状态(也即第一开关模块11断开时)的瞬间,寄生电感上储存的电荷会阻止电感电流的变化。因此高电压端口VLD和低电压端口DRV在切换瞬间会产生很大的电压尖峰,但本申请通过设置第二开关模块12,其在激光发射器LD1处于关闭状态时导通,形成续流通路,使电感电流通过打开的续流通路继续流动,直到寄生电感储存的电荷全部泄放为止。因此,寄生电感处的电流就不会发生突变,由V=L*dI/dt可知,输出电压(高电压端口VLD和低电压端口DRV之间的电压)不会产生电压尖峰,同时输出电流也不会产生振铃现象。
为进一步说明本申请所提供的激光发射器驱动电路10对寄生电感的电流泄放作用,下面结合图3,对激光发射器LD1处于不同工作状态时,电路内的电流流向进行详细说明:
如图3所示,两条首尾相连的曲线闭环中,都以箭头指示方向为电流的流向,其中,实线段构成的曲线闭环为激光发射器LD1处于关闭状态时的电流回路,虚线段构成的曲线闭环为激光发射器LD1处于打开状态时的电流回路。
另外,还需要进行说明的是,无论图1、图2、还是图3,都是以一个激光发射器LD1为例的示意图,但容易理解的是,本申请所提供的一种激光发射器驱动电路10不仅仅只支持驱动一个激光发射器。当存在N个激光发射器时,本实施例还提供一种优选的实施方案为:上述的驱动电路包括N个第二开关模块12和第一开关模块11。
相应的,高电压端口VLD和低电压端口DRV也应存在N个,和激光发射器、第一开关模块11、第二开关模块12一一对应。
本申请所提供的一种激光发射器驱动电路10通过由控制信号控制通断的第二开关模块12代替传统的二极管,作为续流模块为激光发射器LD1提供续流通路,以在激光发射器LD1从开启状态切换为关闭状态的瞬间,寄生电感处存储的电荷可以通过第二开关模块继续流动,直到寄生电感存储的电荷全部释放,从而避免输出电压尖峰以及输出电流振铃现象,进一步保护了激光发射器驱动芯片的输入输出端口和激光发射器LD1。并且,相对于目前所使用的二极管D1对寄生电感电流的泄放作用,由于本申请提供的一种激光发射器驱动电路10使用受控制信号控制的第二开关模块12,其导通无需两端施加有正向压降,所以当寄生电感存储的电荷不足、无法在续流模块两端施加大于正向压降的电压时,仍能导通,进而可以将寄生电感存储的电荷完全释放,从根本解决了寄生电感处电流突变所引发的电压尖峰和电流振铃现象,对激光发射器LD1和芯片IO端口保护的更彻底,进一步提高了激光发射器LD1在实际应用中的安全性。
进一步的,在上述实施例的基础上,本实施例还提供一种第二开关模块12的优选方案,第二开关模块12包括:具有三端的第一晶体管,第一晶体管的两端连接在高电压端口VLD和低电压端口DRV之间;其控制端连接脉冲产生模块13。
容易理解的是,上述的第一晶体管不同于现有的二极管D1,为三端的晶体管,三端的晶体管又包括:三极管、晶闸管、场效应管等。这种具有三端的晶体管,其通断主要由控制端处输入的电压决定,无需两端必须具有一个正向压降才能导通,可以实现完全泄放寄生电感电流的效果,进而避免出现输出电压尖峰现象以及输出电流振铃现象。
晶体管作为常见的电子开关,种类多泛用性强,同时,由于使用电信号控制通断,开关切换速度可以非常快,远超于机械开关。另外,作为提供续流电路的第二开关模块12在实际应用中,通常集成封装在芯片内,机械开关等不方便进行控制。本实施例通过具有三端的晶体管作为第二开关,可以通过激光发射器驱动电路10中的脉冲产生模块13输出的脉冲信号作为控制信号,实现续流回路通断的控制,控制简单,控制电路易实现,并且可以与其他电路进行集成封装,进一步缩小激光发射器驱动电路10的面积,更有利于激光发射器的实际应用。
同样的,上述实施例并未限制第二开关模块12所包括的具有三端的晶体管具体种类,但如图4所示,本实施例提供一种优选的实施方案为:第一晶体管为PMOS管PM0。
在本实施例所提供的优选方案的情况下,PMOS管PM0的源极作为第一晶体管的第一端,PMOS管PM0的漏极作为第一晶体管的第二端,PMOS管PM0的栅极作为第一晶体管的控制端。
基于此,PMOS管PM0和与其连接的电路结构即为:PMOS管PM0的源极与高电压端口VLD连接;漏极与低电压端口DRV连接,栅极则连接于脉冲产生模块13,用于接收脉冲产生模块13输出的脉冲信号,使得PMOS管PM0得以根据脉冲信号控制续流电路的通断。
由上述实施例可知,在实际应用中,通常以脉冲产生模块13输出高电平窄脉冲作为激光发射器LD1开启的控制信号,相应的,此时第二开关模块12应断开。而PMOS管PM0的栅极连接脉冲产生模块13的输出端,栅极电压为高,PMOS管PM0关断,满足上述通断控制需求。而当激光发射器LD1应为关闭状态时,脉冲产生模块13输出电压为低(也即为0),PMOS管PM0的栅极电压为0,PMOS管PM0导通,续流回路导通,使得寄生电感的电流可沿续流回路继续流动,满足上述的通断需求。
同样的,如图4所示,本实施例还提供一种第一开关模块11的优选方案为:第一开关模块11为NMOS管NM0。
相应的,NMOS管NM0的源极作为第一开关模块11的第一端,与接地端口GND连接;NMOS管NM0的漏极作为第一开关模块11的第二端,与低电压端口DRV连接;NMOS管NM0的栅极作为第一开关模块11的控制端,与脉冲产生模块13连接,用于根据脉冲产生模块13输出的脉冲信号控制激光发射器LD1两端的电压,进而控制激光发射器LD1的开闭。
当脉冲产生模块13输出高电平时,NMOS管NM0的栅极电压为高,NMOS管NM0打开,激光发射器LD1两端电压差大,激光发射器LD1正常工作;当脉冲产生模块13输出低电平时,NMOS管NM0的栅极电压为0,NMOS管NM0关断,激光发射器LD1两端电压差几乎为0v,激光发射器LD1关闭,在满足上述的控制需求的同时,电路结构简单易实施,且电路所占面积小,有利于控制激光发射器驱动电路10的尺寸。
本实施例所提供的一种第二开关模块12为PMOS管PM0的优选的实施方案,对于实现通断需求的电路结构简单,无需额外的电气元件也无需复杂的电路结构即可实现在激光发射器开启时续流回路关断、在激光发射器关闭时续流回路导通的控制需求,进一步降低了激光发射器驱动电路10的成本与复杂性,有利于控制激光发射器驱动电路10的尺寸,更满足实际应用的需要。
在实际应用中,由于激光发射器LD1的供电需求多为5V电压,进而高电压端口VLD处的电压值就应为5V以驱动激光发射器LD1,而脉冲产生模块13所输出的高电压脉冲信号多为3.3V,两者相差较大,所以激光发射器驱动电路10存在两个不同的电压域。此时,对于上述实施例中的PMOS管PM0而言,就存在当脉冲产生模块13输出脉冲为高(3.3V)时,栅极电压(3.3V)低于源极电压(高电压端口VLD处电压5V),影响PMOS管PM0的通断控制。所以本实施例为解决上述问题,提供一种优选的实施方案,如图4所示,上述的驱动电路还包括:
电平移位电路14,用于将脉冲产生模块13产生的第一控制信号的高电平从低电压移位到高电压,对应输出第二控制信号;第二控制信号连接第一晶体管的控制端。
其中,第一控制信号也即上述的脉冲产生模块13输出的高电平窄脉冲,为3.3V,第二控制信号则为经过电平移位电路14移位后的脉冲信号,电压为5V,使得第一晶体管源极和栅极所处的电压域统一。
本实施例通过增加电平移位电路14统一激光发射器驱动电路10的电压域,使得第一晶体管栅极和源极所处同一电压域,进一步地保证第一晶体管能够正常切换通断状态,以满足电流泄放要求,也即进一步保证了激光发射器和驱动电路的安全性。
通过上述实施例所提供的优选方案可知,第二开关模块12由脉冲产生模块13输出的脉冲信号作为控制信号,以控制其通断,而进一步的,第二开关模块12为三端的晶体管,优选为PMOS管PM0。所以为保证第二开关模块12能够正常的导通、关断,对脉冲产生模块13输出的脉冲信号有一定的驱动要求。
因此,本实施例为解决上述问题,在上述实施例的基础上,提供一种优选的实施方案,如图4所示,上述的激光发射器驱动电路10还包括:
第一预驱动电路15,用于提高第二控制信号的驱动能力,对应输出第三控制信号;第三控制信号连接第一晶体管的控制端。
同样的,本实施例还提供另一种优选的实施方案,如图4所示,驱动电路还包括:第二预驱动电路16,用于提高第一控制信号的驱动能力,对应输出第四控制信号;第四控制信号连接第一开关模块11的控制端。
在上述实施例中,第一开关模块11可以优选为NMOS管NM0,所以对应的,第四控制信号连接于NMOS管NM0的栅极处,从而增强对NMOS管NM0的驱动能力,保证NMOS管NM0能够根据脉冲产生模块13输出的脉冲信号控制自身通断。
需要进行说明的是,第一预驱动电路15和第二预驱动电路16可能不同,且与本实施例中,第一预驱动电路15和第二预驱动电路16不为同一预驱动电路。
在图4所示的驱动电路示意图中可知,脉冲产生模块13产生的脉冲信号到达PMOS管PM0的栅极需经过电平移位电路14和第一预驱动电路15,而到PMOS管PM0的栅极则需经过第二预驱动电路16。因此,脉冲产生模块13同一时刻产生的脉冲信号到达PMOS管PM0和NMOS管NM0栅极的时间会出现变化。又由上述可知,在实际应用中,应保证PMOS管PM0和NMOS管NM0的通断状态始终相反,且切换状态的时刻应保持一致,所以在实际应用中,第一预驱动电路15和第二预驱动电路16不能为同一预驱动电路,且应该通过调整电平移位电路14、第一预驱动电路15和第二预驱动电路16的尺寸,或通过延时电路使得同一脉冲信号在同一时刻到达PMOS管PM0的栅极处和NMOS管NM0的栅极处。
本实施例通过增加预驱动电路,增强控制信号的驱动能力,保证第一开关模块11以及第二开关模块12能够被脉冲产生模块13发出的脉冲信号驱动,控制自身导通或断开,实现上述的功能,进一步提高了本申请提供的驱动电路的可靠性。
此外,本申请还提供一种激光发射器驱动系统,如图4所示,包括上述的激光发射器驱动电路10以及至少一个激光发射器LD1,激光发射器LD1连接在在激光发射器驱动电路10的高电压端口VLD和低电压端口DRV之间。
需要注意的是,对于激光发射器LD1及其驱动电路、系统的供电方式,本申请并未作出限制,一种优选的实施方案如图4所示,本驱动系统还包括:高电压生成模块21;对应的,还包括电源正极端口VCC和时钟产生模块22。
高电压生成模块21与电源正极端口VCC、时钟产生模块22以及高电压端口VLD连接,用于根据时钟产生模块22输出的时钟信号、以及由电源正极端口VCC输入的供电电压产生高电压,输出至高电压端口VLD,用于驱动激光发射器LD1工作。
这种方式复用原有激光发射器驱动电路10的高电压生成模块21、电源正极端口VCC和时钟产生模块22,实现对激光发射器LD1的供电,无需额外的供电装置,节省成本的同时还有利于控制驱动电路及系统的尺寸,更有利于实际实施。
另外,本实施例还提供另一种优选的激光发射器驱动系统的供电方式,如图5所示,上述驱动系统还包括:直流电源DC;对应的,激光发射器LD1由直流电源DC供电。
直流电源DC并联于激光发射器LD1两端,其中,直流电源DC的正极对应连接于高电压端口VLD,负极对应连接于地端口GND,为激光发射器LD1供电。
本实施例通过直流电源DC外接于激光发射器两端对激光发射器供电,相较于上述通过高电压生成模块21方式供电的方式而言,供电电压更加稳定,更有利于激光发射器的稳定工作,进而提高激光发射器测距的准确度,更符合实际工程需要。
以上对本实用新型所提供的一种激光发射器驱动电路及其系统进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以对本实用新型进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
还需要说明的是,在本说明书中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
Claims (10)
1.一种激光发射器驱动电路,其特征在于,包括:第一开关模块、高电压端口、低电压端口、地端口;所述驱动电路外部的待驱动激光发射器连接在高电压端口和低电压端口之间,所述第一开关模块连接在所述低电压端口和所述地端口之间,用于控制激光发射器的通断;
所述驱动电路还包括第二开关模块,所述第二开关模块连接在所述高电压端口和所述低电压端口之间;
所述第一开关模块与所述第二开关模块的通断状态相反,当所述第一开关模块导通时,所述第二开关模块断开,所述激光发射器启动;当所述第一开关模块断开时,所述第二开关模块导通,所述激光发射器停止。
2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,还包括脉冲产生模块,用于输出第一控制信号控制所述第二开关模块和所述第一开关模块的通断。
3.根据权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,所述第二开关模块包括具有三端的第一晶体管,所述第一晶体管的两端连接在所述高电压端口和所述低电压端口之间;其控制端连接所述脉冲产生模块。
4.根据权利要求3所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括高电压域和低电压域,所述第一晶体管处在高电压域内,所述驱动电路还包括:电平移位电路,用于将脉冲产生模块产生的第一控制信号的高电平从低电压移位到高电压,对应输出第二控制信号;第二控制信号连接所述第一晶体管的控制端。
5.根据权利要求4所述的驱动电路,其特征在于,还包括:第一预驱动电路,用于提高所述第二控制信号的驱动能力,对应输出第三控制信号;第三控制信号连接所述第一晶体管的控制端。
6.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,当外部的所述激光发射器为N个时,所述驱动电路包括N个所述第二开关模块和N个所述第一开关模块。
7.根据权利要求5所述的驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管为PMOS管;对应的,所述PMOS管的源极作为所述第一晶体管的第一端,所述PMOS管的漏极作为所述第一晶体管的第二端,所述PMOS管的栅极作为所述第一晶体管的控制端。
8.一种激光发射器驱动系统,其特征在于,包括权利要求1至7任意一项所述的激光发射器驱动电路及至少一个激光发射器,所述激光发射器连接在激光发射器驱动电路的高电压端口和低电压端口之间。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:直流电源;对应的,所述激光发射器由所述直流电源供电。
10.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述激光发射器驱动电路还包括:高电压生成模块,用于为所述激光发射器供电。
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CN202221423560.4U CN217545910U (zh) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 一种激光发射器驱动电路及其系统 |
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CN202221423560.4U Active CN217545910U (zh) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 一种激光发射器驱动电路及其系统 |
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2022
- 2022-06-08 CN CN202221423560.4U patent/CN217545910U/zh active Active
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GR01 | Patent grant | ||
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