CN112805414A - 表面处理铜箔、以及使用该表面处理铜箔的覆铜板及电路基板 - Google Patents

表面处理铜箔、以及使用该表面处理铜箔的覆铜板及电路基板 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种具备优异的激光加工性的表面处理铜箔。其是对表面进行粗化处理形成粗化面的表面处理铜箔，使用三维粗糙度测量仪测定的粗化面的表面偏度Ssk在‑0.300以上且小于0的范围内，并且，顶点曲率算术平均值Ssc在0.0220nm‑1以上且小于0.0300nm‑1的范围内。

Description

表面处理铜箔、以及使用该表面处理铜箔的覆铜板及电路 基板
技术领域
本发明涉及表面处理铜箔。进而，本发明涉及使用所述表面处理铜箔的覆铜板和电路基板。
背景技术
对表面进行粗化处理而形成粗化面的表面处理铜箔例如被用作电路基板的材料。并且，对表面处理铜箔要求与制造电路基板时使用的树脂的密合性(以下记为“树脂密合性”)，对得到的电路基板要求信号(例如高频信号)的传输特性。
在专利文献1中，公开了粗化面的波峰顶点的算术平均值曲Spc为55mm-1以上的表面处理铜箔和使用该表面处理铜箔制造的印刷布线板，记载有该表面处理铜箔的树脂密合性优异。另外，在专利文献2中，公开了极薄铜层的粗化面的表面偏度Ssk在-0.3以上且0.3以下的范围内的带载体铜箔，记载有该带载体铜箔的微距形成性优异。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/179416号
专利文献2：日本专利公开公报2014年第194067号
发明内容
发明所要解决的问题
然而，对于表面处理铜箔，除了要求优异的树脂密合性以外，还要求制造电路基板时与表面处理铜箔的粗化面密合的树脂(例如液晶聚合物)容易通过照射激光从粗化面被去除的性质(以下记为“激光加工性”)。
本发明的问题在于，提供一种具备优异的激光加工性的表面处理铜箔。另外，本发明的问题还在于，提供一种容易制造的覆铜板和电路基板。
用于解决问题的方案
本发明的一方案的表面处理铜箔是对表面进行粗化处理而形成粗化面的表面处理铜箔，其主旨在于：使用三维粗糙度测量仪测定的粗化面的表面偏度Ssk在-0.300以上且小于0的范围内，并且，顶点曲率算术平均值Ssc在0.0220nm-1以上且小于0.0300nm-1的范围内。
另外，本发明的其他方案的覆铜板和电路基板的主旨在于，具备上述一方案的表面处理铜箔。
发明效果
根据本发明，表面处理铜箔的激光加工性优异，覆铜板和电路基板的制造容易。
附图说明
图1是粗化面的表面偏度Ssk在-0.300以上且小于0的范围内的表面处理铜箔的剖视图。
图2是粗化面的表面偏度Ssk为0以上的表面处理铜箔的剖视图。
具体实施方式
对本发明的一实施方式进行说明。需要说明的是，本实施方式示出本发明的一例，可以对本实施方式施加各种变更或改良，该施加了各种变更或改良的形态也可包含于本发明。
本实施方式的表面处理铜箔是对表面进行粗化处理而形成粗化面的表面处理铜箔，使用三维粗糙度测量仪测定的粗化面的表面偏度Ssk在-0.300以上且小于0的范围内，并且，顶点曲率算术平均值Ssc在0.0220nm-1以上且小于0.0300nm-1的范围内。
在此，表面偏度Ssk表示以平均面为中心的表面的高度的对称性程度，由ISO25178-2规定(参照下式)。另外，顶点曲率算术平均值Ssc是各种山结构的平均峰顶曲率(参照下式)。
[数学式1]
Figure BDA0002994785650000031
[数学式2]
Figure BDA0002994785650000032
上式中，Sq是均方根高度，z(x，y)是x，y坐标中的高度方向的坐标，N是三维粗糙度测定范围内的顶点个数。
这种本实施方式的表面处理铜箔具备优异的树脂密合性和激光加工性。因此，本实施方式的表面处理铜箔例如优选作为制造高频传输用覆铜板等覆铜板、高频传输用电路基板等电路基板时使用的表面处理铜箔。
若使用三维粗糙度测量仪测定的粗化面的表面偏度Ssk在-0.300以上且小于0的范围内，则激光加工性良好。若表面偏度Ssk在-0.300以上且小于0的范围内，则粗化面如图1所示成为粗化粒子之间具有大量细小谷结构的结构。在这样的结构中，进入粗化粒子之间的激光被反复反射，连与粗化粒子的根部附近密合的树脂(例如液晶聚合物)也容易被去除，激光加工性优异。但是，若表面偏度Ssk小于-0.300，则粗化粒子之间的谷结构变得过于细长，激光不易到达至粗化粒子的根部，因此激光加工性恐怕会降低。
另一方面，若表面偏度Ssk为正值(0以上)，则粗化面如图2所示成为粗化面上散布有细长的凸部的结构。其结果，很难期待照射的激光被粗化粒子反复反射，因此为了去除与粗化粒子的根部附近密合的树脂，需要长时间的激光照射，激光加工性恐怕会降低。
为了实现优异的激光加工性，需要表面处理铜箔的粗化面的表面偏度Ssk为负值(小于0)，优选小于-0.100。
表面处理铜箔的粗化面的表面偏度Ssk例如可自相对于粗化面成垂直的位置，使用例如白光干涉及式三维粗糙度测量仪等三维粗糙度测量仪进行测定。
另外，若使用三维粗糙度测量仪测定的粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.0220nm-1以上，则树脂密合性良好。即，通过控制粗化面的顶点曲率，会担保良好的树脂密合性。形成粗化面的凹凸的铜粒子的顶点(顶端部)越尖，例如制造覆铜板时铜粒子的顶端越易刺入树脂，因此锚固效应提高，由此树脂密合性变得良好。为了实现优异的树脂密合性，需要表面处理铜箔的粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.0220nm-1以上，优选为0.0250nm-1以上。
另一方面，若使用三维粗糙度测量仪测定的粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc小于0.0300nm-1，则能抑制因粗化粒子的顶端部折断而产生的掉粉。若粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.0300nm-1以上，则粗化粒子的顶端部的锐利度过度，顶端部容易折断而脱落。其结果，因覆铜层叠时在铜箔与树脂之间残存折断的顶端部，恐怕会导致覆铜板的可靠性的降低。
通过调整表面处理铜箔的制造工序中的粗化处理的条件，能对表面处理铜箔的粗化面的上述性状，即表面偏度Ssk和顶点曲率算术平均值Ssc进行控制。例如，在粗化处理为镀覆处理的情况下，可向镀覆槽中的镀液中添加与铜不同的异种金属元素，根据异种金属的种类和浓度来控制粗化面的上述性状。
例如，通过向粗化处理所使用的镀液中适量添加钪，能减小粗化粒子生成的位点间的距离，使粗化粒子间包含大量更细小的谷结构，因此能控制粗化面的表面偏度Ssk为负值且朝向绝对值变大的方向。另外，通过向粗化处理所使用的镀液中适量添加钼，能提高镀液的液体电阻率，使电流效率降低，形成顶端部更锐利的细长的粗化粒子，因此能控制粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc的数值朝向变大的方向。
本实施方式的表面处理铜箔包含铜或铜合金。作为铜合金的种类，可列举出含有镍、锡、锌、铅、铝、锰、钛、铁、磷、铍、钴、镁、铬以及硅等合金成分中的至少一成分的铜合金等。铜或铜合金可以含有不可避免的杂质。
本实施方式的表面处理铜箔优选用于覆铜板的制造。另外，这种覆铜板优选用于电路基板的制造。
本实施方式的覆铜板使用上述的本实施方式的表面处理铜箔而形成。这样的本实施方式的覆铜板可以利用公知的方法形成。例如，覆铜板可以通过在本实施方式的表面处理铜箔的粗化面(贴附面)层叠并贴附树脂基材来制造。
在此，作为树脂基材中使用的树脂，可以使用各种成分的高分子树脂。在刚性布线板或半导体封装(PKG)用的印刷布线板中，主要可以使用酚醛树脂、环氧树脂。在柔性基板中，主要可以使用聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺。在精细图案(高密度)布线板或高频基板中，作为尺寸稳定性好的材料、翘曲扭曲少的材料、热收缩少的材料等，可以使用玻璃化转变点(Tg)高的耐热树脂。作为耐热树脂，可列举出液晶聚合物、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯氧基、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、热塑性聚酰亚胺等热塑性树脂，或由它们构成的聚合物合金，进而可列举出聚酰亚胺、耐热性环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪等氰酸酯系树脂，热固性改性聚苯醚等热固性树脂等。特别是，本实施方式的覆铜板的树脂基材中使用的树脂优选为液晶聚合物。液晶聚合物的介电损耗角正切和相对介电常数小，因此将液晶聚合物用于树脂基材的电路基板的信号传输特性优异。
以下，以将液晶聚合物膜用作树脂基材的情况为例，对覆铜板的制造方法的具体例进行说明。
液晶聚合物有在熔融状态下显示液晶性的热致液晶聚合物和在溶液状态下显示液晶性的低温液晶聚合物。在本实施方式中，可使用任一种液晶聚合物，从为热塑性、介电特性更优异的观点考虑，优选使用热致液晶聚合物。
热致液晶聚合物中的热致液晶聚酯(以下，简称为“液晶聚酯”)是指，例如为通过将芳香族羟基羧酸作为必需单体，与芳香族二羧酸或芳香族二醇等单体反应而得的芳香族聚酯，在熔融时显示液晶性。作为其代表例，可列举出由对羟基苯甲酸(PHB)、苯二甲酸以及4,4’-双酚合成的I型(参照下式(1))，由PHB与2,6-羟基萘甲酸合成的II型(参照下式(2))，由PHB、对苯二甲酸及乙二醇合成的III型(参照下式(3))。
[化学式1]
Figure BDA0002994785650000061
Figure BDA0002994785650000062
Figure BDA0002994785650000063
在本实施方式中，从耐热性、耐水解性更优异的角度考虑，优选上述的I型液晶聚酯和II型液晶聚酯。另外，在上述式(1)中，作为苯二甲酸优选间苯二甲酸。
为了介电特性等，本实施方式中使用的液晶聚合物膜实质上优选仅由液晶聚合物构成。另一方面，液晶聚合物若施加剪切应力则显示出强各向异性，因此，根据需要，也可以配合用于缓和对液晶聚合物进行熔融加工时产生的分子取向的各向异性的填料。通过引入这种取向缓和用的填料，例如，挤出后的液晶聚合物膜的表面变平滑，另外容易得到均取向性、各向同性。除此以外，为了控制液晶聚合物膜的色调，也可以配合着色的填料。
这种液晶聚合物膜的平面方向的热线膨胀系数优选为3ppm/℃以上且30ppm/℃以下。若液晶聚合物膜的热线膨胀系数与表面处理铜箔的热线膨胀系数之差大，则有覆铜板产生翘曲的倾向。因此，通过使液晶聚合物膜与表面处理铜箔的热线膨胀系数大致一致，可以抑制翘曲的发生。
一般而言，已知液晶聚合物的分子刚直且具有长的化学结构，因此极其容易取向。液晶聚合物的分子在特定方向取向的各向异性膜在取向方向容易破裂而操作困难，另外，尺寸精度差，热应力、机械强度、相对介电常数等的偏差也大。进而，在将表面处理铜箔层叠于各向异性膜而制造覆铜板的情况下，在覆铜板会产生由膜的各向异性引起的翘曲，因此无法用作电路基板的树脂基材。
因此，作为用作电路基板用的树脂基材的液晶聚合物膜，优选控制分子取向以使其具有各向同性。具体而言，平面方向的热线膨胀系数的最大值与最小值之比优选为1.0以上且2.5以下。作为该比，更优选2.0以下，进一步优选1.8以下，特别优选1.5以下。需要说明的是，热线膨胀系数的最小值和最大值分别在液晶聚合物膜的平面沿圆周向以30°间隔测定6点热线膨胀系数，设定为测定值的中的最小值和最大值。
通过将热线膨胀系数以及平面方向的热线膨胀系数的最大值与最小值之比调整在上述范围内，能在平面方向上更可靠地降低热应力、机械强度、相对介电常数的各向异性。
液晶聚合物膜的介电特性一般优异。具体而言，在以3GHz的频率测定的情况下，介电损耗角正切优选为0.0035以下，更优选为0.003以下，进一步优选相对介电常数为3.5以下。需要说明的是，在形成于作为电介质的树脂基材上的电路传播交流电信号时，该信号的电力的一部分被电介质吸收，信号有衰减损失的倾向。这时吸收的电力和通过(传播)的电力之比为介电损耗角正切，在使用介电损耗角正切小的电介质的电路中，可以减小传输损失。
液晶聚合物为热塑性，因此本实施方式的覆铜板可以通过在液晶聚合物膜的单面或两面层叠表面处理铜箔，接着进行热压而容易地制作。热压可使用真空压制装置、辊压装置、双带压制装置等利用以往公知的方法而进行。热压的条件可以适当调整，例如，在真空压制的情况下，可以设为温度200℃以上且350℃以下左右，压力1MPa以上且10MPa以下左右，压制时间1分钟以上且2小时以下左右。
本实施方式的电路基板优选使用上述覆铜板形成。这样的本实施方式的电路基板可以利用公知的方法形成。
另外，可以通过用常规方法化学蚀刻上述覆铜板的表面处理铜箔的一部分，形成所希望的电路图案，制作电路基板。另外，当然可以在电路图案上安装电子电路部件。作为电子电路部件，只要安装在电子电路基板就没有特别限制，除了半导体元件单体以外，例如，还可列举出芯片电阻、芯片电容器、半导体封装(PKG)等。
〔实施例〕
以下示出实施例以及比较例，更具体地说明本发明。首先，将硫酸-硫酸铜水溶液作为电解液，通过以下操作制造了厚度12μm的电解铜箔。即，向阳极和与阳极对置设置的阴极鼓之间供给电解液，一边使阴极鼓以一定速度旋转，一边在阳极与阴极鼓之间通电直流电流，由此在阴极鼓的表面上析出铜。并且，从阴极鼓的表面剥离析出的铜，连续卷取，由此制造电解铜箔。
电解液中的铜浓度为80g/L，硫酸浓度为70g/L，氯浓度为25mg/L。电解液中添加有3-巯基-1-丙磺酸钠、羟乙基纤维素和低分子量胶(分子量3000)作为添加剂，这些添加剂的浓度按记载顺序为2mg/L，10mg/L，50mg/L。另外，制造电解铜箔时的电解液的温度为55℃，电流密度为45A/dm2。
得到的电解铜箔的十点平均粗糙度Rz为1.3μm。电解铜箔的十点平均粗糙度Rz使用株式会社小坂研究所制的接触式表面粗糙度测定机“Surfcoder SE1700”测定。
接着，对电解铜箔实施将表面形成粗化面的粗化处理，制造表面处理铜箔。具体而言，实施使微细的铜粒子电沉积于电解铜箔的表面的电镀作为粗化处理，由此形成了由铜粒子形成有微细凹凸的粗化面。
对实施例1～6的表面处理铜箔实施了以下所示的条件的粗化处理1。另外，对实施例7～12的表面处理铜箔实施了以下所示的条件的粗化处理2，对实施例13～21的表面处理铜箔实施了以下所示的条件的粗化处理3，对实施例22～30的表面处理铜箔实施了以下所示的条件的粗化处理4。用于电镀的镀液含有铜、硫酸、钼、钪，各浓度如下所示。
(粗化处理1)
硫酸铜的浓度：按铜浓度计为60g/L
硫酸浓度：150g/L
钼化合物的浓度：按钼浓度计为2.0～3.0g/L
钪化合物的浓度：按钪浓度计为0.001～0.002ppm
液温：15～30℃
电流密度：30～40A/dm2
镀覆处理时间：5～60秒
(粗化处理2)
硫酸铜的浓度：按铜浓度计为60g/L
硫酸浓度：150g/L
钼化合物的浓度：按钼浓度计为3.0～4.0g/L
钪化合物的浓度：按钪浓度计为0.001～0.002ppm
液温：15～30℃
电流密度：30～40A/dm2
镀覆处理时间：5～60秒
(粗化处理3)
硫酸铜的浓度：按铜浓度计为60g/L
硫酸浓度：150g/L
钼化合物的浓度：按钼浓度计为2.0～3.0g/L
钪化合物的浓度：按钪浓度计为0.002～0.003ppm
液温：15～30℃
电流密度：30～40A/dm2
镀覆处理时间：5～60秒
(粗化处理4)
硫酸铜的浓度：按铜浓度计为60g/L
硫酸浓度：150g/L
钼化合物的浓度：按钼浓度计为3.0～4.0g/L
钪化合物的浓度：按钪浓度计为0.002～0.003ppm
液温：15～30℃
电流密度：30～40A/dm2
镀覆处理时间：5～60秒
另一方面，对比较例1～6的表面处理铜箔实施了以下所示的条件的粗化处理5，对比较例7～11的表面处理铜箔实施了以下所示的条件的粗化处理6。另外，对比较例12的表面处理铜箔实施了专利文献1的实施例中记载的粗化处理。另外，对比较例13、14、15、16的表面处理铜箔实施了专利文献2的实施例中记载的粗化镀覆A、B、C、D。进而，对比较例17～22的表面处理铜箔实施了以下所示的条件的粗化处理7。
(粗化处理5)
硫酸铜的浓度：按铜浓度计为60g/L
硫酸浓度：150g/L
钼化合物的浓度：按钼浓度计为2.0～4.0g/L
钪化合物的浓度：按钪浓度计为0～0.001ppm
液温：15～30℃
电流密度：30～40A/dm2
镀覆处理时间：5～60秒
(粗化处理6)
硫酸铜的浓度：按铜浓度计为60g/L
硫酸浓度：150g/L
钼化合物的浓度：按钼浓度计为0～2.0g/L
钪化合物的浓度：按钪浓度计为0.001～0.004ppm
液温：15～30℃
电流密度：30～40A/dm2
镀覆处理时间：5～60秒
(粗化处理7)
硫酸铜的浓度：按铜浓度计为60g/L
硫酸浓度：150g/L
钼化合物的浓度：按钼浓度计为2.0～4.0g/L
钪化合物的浓度：按钪浓度计为0.004～0.005ppm
液温：15～30℃
电流密度：30～40A/dm2
镀覆处理时间：5～60秒
接着，对粗化面实施镀铜作为用于防止铜粒子自粗化面脱落的固定化处理。对实施例1～30、比较例1～11以及比较例17～22在以下所示的条件下实施了固定化处理。需要说明的是，关于比较例12，在专利文献1的实施例中记载的粗化处理中包含固定化处理，关于比较例13～16，在专利文献2的实施例中记载的粗化镀覆A、B、C、D中包含固定化处理，因此不实施追加的镀铜。
(固定化处理)
硫酸铜的浓度：按铜浓度计为80g/L
硫酸浓度：120g/L
液温：20～30℃
电流密度：1.5～4A/dm2
镀覆处理时间：5～60秒
进而，在固定化处理后，进一步依次实施镀镍、镀锌、镀铬。用于镀镍的镀液含有镍、硼酸(H3BO3)，镍浓度为40g/L，硼酸浓度为5g/L。另外，镀液的温度为20℃，pH为3.6，电流密度为0.2A/dm2，镀覆处理时间为10秒钟。
用于镀锌的镀液含有锌、氢氧化钠，锌浓度为2.5g/L，氢氧化钠浓度为40g/L。另外，镀液的温度为20℃，电流密度为0.3A/dm2，镀覆处理时间为5秒钟。
用于镀铬的镀液含有铬，铬浓度为5g/L。另外，镀液的温度为30℃，pH为2.2，电流密度为5A/dm2，镀覆处理时间为5秒钟。
〔关于铜箔粗化面的表面偏度Ssk、顶点曲率算术平均值Ssc的测定方法〕
使用布鲁克(Bruker)株式会社制白光干涉式表面形状测定装置Contour GT-X(Model:831-567-1)，测定表面处理铜箔的粗化面的表面偏度Ssk以及顶点曲率算术平均值Ssc。
具体而言，进行如下设定：以内部透镜的倍率为1倍，物镜的倍率为50倍选择VSI/VXI模式，按项移动(F-操作，柱面及倾斜)、数据复原(方式：获接，交互：5，未选择复原边缘)、傅立叶滤波(傅立叶滤波窗口：高斯窗、高频通过，频率截止：62.5[1/mm])，统计滤波的顺序进行测定值的滤波处理。然后，在3D分析所列举的参数群中，选择“S参数-混合”测定顶点曲率算术平均值Ssc，选择“S参数-高度”测定表面偏度Ssk。1次测定中扫描次数设为3次，采用3次扫描中所得的数值的平均值作为测定值。
如上所述，分别制造了实施例1～30以及比较例1～22的表面处理铜箔。这些表面处理铜箔的厚度均为12μm。得到的各表面处理铜箔的粗化处理的条件和粗化面的各种性状(表面偏度Ssk、顶点曲率算术平均值Ssc)如表1、2所示。
接着，对得到的实施例1～30以及比较例1～22的表面处理铜箔进行评价。评价项目有树脂密合性、激光加工性以及有无掉粉。关于各评价项目的评价方法在以下说明。
〔关于树脂密合性的评价方法〕
在厚度50μm的液晶聚合物膜(株式会社伊势村田制作所制，厚度精度：0.7μm，相对介电常数：3.4，介电损耗角正切：0.0020，热线膨胀系数的最大值与最小值之比：1.4)的一个面层叠上述的实施例或比较例的表面处理铜箔，在另一个面层叠聚酰亚胺膜(宇部兴业株式会社制的“UPILEX 20S”)作为脱模材。
将该层叠物夹在2片厚度2mm的不锈钢板之间，再夹在2片作为缓冲材料的厚度1mm的不锈钢纤维织布之间，使用真空压制机在温度300℃，压力3MPa下保持5分钟制作单面覆铜板。
将制作的单面覆铜板装接于株式会社岛津制作所制的拉伸试验机“AGS-H”，依照JISC6471-1995中规定的方法，从液晶聚合物膜剥离表面处理铜箔，测定剥离强度。
详述剥离强度的测定方法，在单面覆铜板的表面处理铜箔贴附宽度5mm的遮蔽胶带，浸渍于氯化亚铁溶液中，蚀刻去除表面处理铜箔的不需要的部分。然后，对单面覆铜板进行水洗并将遮蔽胶带剥离，在80℃的循环式烘箱中干燥1小时，在单面覆铜板形成宽度5mm的直线状的电路图案。
从单面覆铜板剥离表面处理铜箔时，为了不使单面覆铜板弯曲而使剥离角度变化，将单面覆铜板贴附于厚度1mm以上的加强板。将形成的电路图案的一端从单面覆铜板剥离并夹入拉伸试验机后，利用拉伸试验机将表面处理铜箔以剥离角度180°(剥离方向相对于单面覆铜板的表面处理铜箔去除面的角度为180°)、拉伸速度50mm/min的条件拉伸而自单面覆铜板剥离10mm以上，计算剥离期间的强度的平均值而设为剥离强度。
并且，在剥离强度为0.80N/mm以上的情况下，评价为树脂密合性极优异，在表1、2中以“◎”符号表示。另外，在剥离强度为0.60N/mm以上且小于0.80N/mm的情况下，评价为树脂密合性优异，在表1、2中以“○”符号表示。而且，在剥离强度为0.5N/mm以上且小于0.60N/mm的情况下，评价为树脂密合性稍微不良，在表1、2中以“Δ”符号表示。而且，在剥离强度小于0.5N/mm的情况下，评价为树脂密合性不良，在表1、2中以“×”符号表示。
〔关于激光加工性的评价方法〕
在厚度50μm的液晶聚合物膜(株式会社伊势村田制作所制，相对介电常数：3.4，介电损耗角正切：0.0020，热线膨胀系数的最大值与最小值之比：1.4)的一个面，通过与在“关于树脂密合性的评价方法”中说明的方法同样的方法贴合上述的实施例或比较例的表面处理铜箔，制作单面覆铜板。这时，在表面处理铜箔的粗化面贴合液晶聚合物膜。
接着，对以上述方式制作的单面覆铜板的液晶聚合物膜照射二氧化碳激光，在任意部位形成100个通孔。需要说明的是，二氧化碳激光的照射在脉冲宽度1～5μs，顶端能量1～3mJ，掩模直径1～3mm，照射数5～10shot的条件下进行。另外，形成的通孔的直径为100μm。
使用扫描型电子显微镜观察单面覆铜板的各通孔的底面。扫描型电子显微镜的加速电压设定为3kV。在得到的图像中，亮度高的部分露出粗化粒子的顶端部，亮度低的部分露出粗化粒子间的谷结构的底部，都是没有残存液晶聚合物的部分。亮度的中间部分是液晶聚合物以包围粗化粒子间、粗化粒子顶端部的方式残存的部分。
因此，取得到的图像的亮度、明度分布，将如下部分设为通孔的底面中残存有液晶聚合物的部分，算出残存有液晶聚合物的部分的比例(面积率)，上述部分相当于以将众数与最小值内分为1：2的亮度为下限，以将众数与最大值内分为1：2的亮度为上限的亮度范围。图像解析使用图像分析软件ImageJ。残存有液晶聚合物的部分的比例越小，可以说激光加工性越优异。
并且，在通孔的底面中残存有液晶聚合物的部分的比例小于40面积％的情况下，评价为激光加工性极优异，在表1、2中以“◎”符号表示。另外，在通孔的底面中残存有液晶聚合物的部分的比例为40面积％以上且小于70面积％的情况下，评价为激光加工性优异，在表1、2中以“○”符号表示。而且，在通孔的底面中残存有液晶聚合物的部分的比例为70面积％以上的情况下，评价为激光加工性不良，在表1、2中以“×”符号表示。
〔关于掉粉试验〕
在上述的实施例或比较例的表面处理铜箔的粗化面上放置宽度30mm，长度100mm的试验纸(滤纸Grade2)，再在其上放置质量200g，底面的直径30mm的砝码。并且，将试验纸沿水平方向拉伸且拖行120mm后，目视确认铜粒子粉有无向试验纸附着。在未确认到铜粒子粉的附着的情况下，评价为没有掉粉，在表1、2中以“OK”符号表示，在确认到铜粒子粉的附着的情况下，评价为有掉粉，在表1、2中以“NG”符号表示。
[表1]
Figure BDA0002994785650000151
[表2]
Figure BDA0002994785650000161
根据表1、2可知，实施例1～30的表面处理铜箔满足粗化面的表面偏度Ssk和顶点曲率算术平均值Ssc的要件，因此激光加工性、树脂密合性以及掉粉均优异。
相对于此，比较例1～6的表面处理铜箔的粗化面的表面偏度Ssk超过0而为正值，因此激光加工性不良。另外，比较例17～22的表面处理铜箔的粗化面的表面偏度Ssk低于-0.300，因此激光加工性不良。
而且，比较例7～11的表面处理铜箔的粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc低于0.0220nm-1，因此树脂密合性不良。而且，比较例12～16的表面处理铜箔的粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.0300nm-1以上，因此发生掉粉。

Claims (5)

1.一种表面处理铜箔，其是对表面进行粗化处理形成粗化面的表面处理铜箔，使用三维粗糙度测量仪测定的所述粗化面的表面偏度Ssk在-0.300以上且小于0的范围内，并且，顶点曲率算术平均值Ssc在0.0220nm-1以上且小于0.0300nm-1的范围内。
2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，
所述粗化面的表面偏度Ssk在-0.300以上且小于-0.100的范围内，并且，顶点曲率算术平均值Ssc在0.0250nm-1以上且小于0.0300nm-1的范围内。
3.一种覆铜板，其具备权利要求1或权利要求2所述的表面处理铜箔。
4.根据权利要求3所述的覆铜板，其具备：
所述表面处理铜箔和层叠于所述表面处理铜箔的粗化面的树脂基材，所述树脂基材含有液晶聚合物。
5.一种电路基板，其具备权利要求3或权利要求4所述的覆铜板。
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