CN112799285B - 三维微纳结构光刻系统及其方法 - Google Patents

Abstract

一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，工作台驱使基片在平面内沿设定路径移动曝光电性。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。

Description

三维微纳结构光刻系统及其方法

技术领域

本发明涉及微纳结构光刻技术领域，特别涉及一种三维微纳结构光刻系统及其方法。

背景技术

三维微纳结构的加工技术属于微纳制造领域中比较常见，同时又具备一定技术门槛的技术领域，目前常用的三维微结构加工技术包括：掩模套刻曝光、电子束曝光、激光直写光刻、金刚石刀具精密加工等。其中，掩模套刻技术面临套刻精度和掩模板昂贵等问题，且工艺流程复杂；电子束或激光束直写技术属于逐点加工技术，加工效率低且成本高，不利于批量加工；金刚石刀具精密加工技术的加工精度和形状受制于金刚石刀头，难以加工出高精度和高深宽比的微纳结构。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。

一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：

数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；

数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；

投影物镜将图形光投影在基片上，工作台驱使基片在平面内沿设定路径移动曝光。

在本发明的实施例中，上述三维微纳结构光刻系统还包括控制系统，所述控制系统与所述投影物镜、所述工作台电性连接，所述控制系统用以控制所述工作台按照设定的路径移动以及控制所述工作台的移动速度。

在本发明的实施例中，上述三维微纳结构光刻系统还包括光源，所述光源用以为所述空间光调制器提供光，所述光源与所述控制系统电性连接，所述控制系统用以调节控制所述光源的光强。

在本发明的实施例中，上述三维微纳结构光刻系统还包括准直透镜，所述准直透镜设置于所述光源的出光方向上，所述光源发出的光线经过所述准直透镜后射向所述空间光调制器。

在本发明的实施例中，上述图形曝光区为灰度图。

本发明还提供一种三维微纳结构光刻方法，所述方法包括:

提供数字掩模装置，利用所述数字掩模装置生成数字掩模，所述数字掩模包括图形曝光区；

提供空间光调制器，将所述数字掩模上载至所述空间光调制器，利用所述空间光调制器显示所述数字掩模时，光线从所述图形曝光区射出，通过调节所述图形曝光区的长度，实现调节曝光剂量，所述图形曝光区的长度与曝光剂量成正比；

提供投影物镜，利用所述投影物镜将图形光投影在待光刻的基片上；

提供工作台，利用所述工作台承载固定所述基片，所述工作台驱使所述基片在平面内沿设定路径移动曝光。

在本发明的实施例中，提供控制系统，利用所述控制系统控制所述工作台按照设定的路径移动以及控制所述工作台的移动速度，通过调节所述工作台的移动速度，实现调节曝光剂量，所述工作台的移动速度与曝光剂量成反比。

在本发明的实施例中，提供光源，利用所述光源为所述空间光调制器提供光，所述光源在工作状态时为常开模式，利用所述控制系统调节控制所述光源的光强，通过调节所述光源的光强，实现调节曝光剂量，所述光源的光强与曝光剂量成正比。

在本发明的实施例中，提供准直透镜，所述准直透镜设置于所述光源的出光方向上，利用所述准直透镜准准直光线。

在本发明的实施例中，将所述基片固定在所述工作台前，在所述基片表面涂覆光刻胶，并对所述基片进行烘烤，温度85～110℃，时间1～60min。

在本发明的实施例中，利用NaOH显影液对曝光后的所述基片进行显影，显影液浓度为0.6％～1％，显影液温度为20～24℃，显影时间为30～150s；

对显影后的所述基片进行冲洗、吹干，使所述基片表面形成三维微纳结构。

在本发明的实施例中，上述图形曝光区为灰度图。

本发明的三维微纳结构光刻系统与金刚石车床加工相比，分辨率高出1-2个数量级，光刻分辨率可达到0.1um。而且，本发明的三维微纳结构光刻系统与掩模套准光刻、灰度掩模曝光相比，本系统光刻出的三维结构更加光滑，且效率更高、成本更低。

附图说明

图1是本发明第一实施例的三维微纳结构光刻系统的示意图。

图2是三维微纳结构光刻系统光刻形成的三维微纳结构的局部示意图。

图3a至图3b是本发明的控制系统控制工作台移动路径的示意图。

图4是本发明的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图。

图5是本发明的三维微纳结构光刻系统光刻形成的三维微纳结构的剖视示意图。

图6是图5所示的三维微纳结构的局部俯视示意图。

图7是本发明的三维微纳结构光刻系统光刻形成的三维微纳结构的俯视示意图。

图8是本发明第二实施例的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图。

图9是本发明第三实施例的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图。

图10是本发明第四实施例的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图。

图11是本发明第五实施例的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图。

具体实施方式

第一实施例

图1是本发明第一实施例的三维微纳结构光刻系统的示意图，图2是三维微纳结构光刻系统光刻形成的三维微纳结构的局部示意图，如图1和图2所示，三维微纳结构光刻系统包括数字掩模装置11、空间光调制器12、投影物镜13和工作台14，其中：

数字掩模装置11与空间光调制器12电性连接，投影物镜13设置于空间光调制器12与工作台14之间，工作台14用于固定待光刻的基片21；

数字掩模装置11用以生成数字掩模101，数字掩模101包括图形曝光区101a，数字掩模装置11将数字掩模101上载至空间光调制器12，空间光调制器12用以显示数字掩模101，光经过空间光调制器12上的图形曝光区101a后射向投影物镜13，图形曝光区101a的高度h与曝光剂量呈正比；

投影物镜13将图形光投影在基片21上，工作台14驱使基片21在平面内沿设定路径移动曝光。在本实施例中，工作台14可采用真空吸附的方式固定基片21，但并不以此为限。

值得一提的是，投影物镜13首先将图形光投影在基片21的边缘，当工作台14驱使基片21沿直线移动至基片21的另一边缘时停止移动，此时空间光调制器12停止曝光；

接着投影物镜13沿基片21的长度方向或宽度方向移动一个周期的距离，此时工作台14驱使基片21再次移动，同时空间光调制器12继续曝光，依次类推，直到完成整个幅面的扫描曝光；

之后利用碱性显影液(例如TMAH、KOH、NaOH)对曝光后的基片21进行显影，显影液浓度为0.6％～1％，显影液温度为20～24℃，显影时间为30～150s；

最后对显影后的基片21进行冲洗、吹干，使基片21表面形成三维微纳结构211。

为了进一步控制曝光深度和曝光均匀性，工作台14驱使基片21往复移动两次或两次以上，保持投影物镜13不移动位置，此时空间光调制器12可持续曝光，当工作台14停止移动时，空间光调制器12停止曝光。

进一步地，将基片21固定在工作台14前，在基片21表面涂覆光刻胶22，并对基片21进行烘烤，烘烤温度85～110℃，烘烤时间1～60min。在本实施例中，光刻胶22的厚度为10um，但并不以此为限，可选用正性光刻胶22或负性光刻胶22。

进一步地，数字掩模装置11包括移动终端、电脑、ipad等，通过软件编程在数字掩模装置11上生成数字掩模101，数字掩模101的格式为Bmp位图(2值位图)，数字掩模101的图形曝光区101a形状可根据需要自由选择，本实施例以图形曝光区101a为直角三角形为例进行说明，如图1和图2所示，图形曝光区101a具有三个顶角，分别为第一顶角A、第二顶角B和第三顶角C，其中第二顶角B为直角，第一顶角A处的曝光剂量最弱，第二顶角B处的曝光剂量最强，从第一顶角A到第三顶角C的方向，图形曝光区101a的高度h逐渐增大，曝光剂量逐渐增大，对应基片21表面的三维微纳结构211的深度越大，如图2所示。值得一提的是，通过设计和调整图形曝光区101aBC边长的长度(图形曝光区101a的高度h)，进而控制曝光剂量，从而获得不同曝光深度的三维微纳结构211。在本实施例中，图形曝光区101a的高度h方向平行于空间光调制器12的宽度方向或长度方向。

进一步地，数字掩模101还包括非透光区101b，非透光区101b设置于图形曝光区101a的周侧，非透光区101b呈黑色，当空间光调制器12的显示屏整屏显示数字掩模101时，非透光区101b不透光，图形曝光区101a透光,如图1所示。

进一步地，图3a至图3b是本发明的控制系统控制工作台移动路径的示意图，如图3a和图3b所示，三维微纳结构光刻系统还包括控制系统15，控制系统15与投影物镜13、工作台14电性连接，控制系统15用以控制工作台14按照设定的路径直线移动以及控制工作台14的移动速度。如图3a所示，控制系统15控制工作台14沿着X方向移动和Y方向移动,实现对基片21两个方向的曝光；如图3b所示，控制系统15控制工作台14沿着X方向移动、控制工作台14沿着与X方向呈120°的方向移动、控制工作台14沿着与X方向呈240°的方向移动，实现对基片21三个方向的曝光。在本实施例中，控制系统15能控制曝光剂量，从而获得不同曝光深度的三维微纳结构211。进一步地，三维微纳结构光刻系统还包括光源16，光源16用以为空间光调制器12提供光，光源16与控制系统15电性连接，控制系统15用以调节控制光源16的光强。在本实施例中，控制系统15能调节控制光源16的光强，实现控制控制曝光剂量，从而获得不同曝光深度的三维微纳结构211。光源16例如为汞灯、LED、激光或者其他可以对光刻胶22进行感光的发光器件。

进一步地，三维微纳结构光刻系统还包括准直透镜17，准直透镜17设置于光源16的出光方向上，光源16发出的光线经过准直透镜17后射向空间光调制器12。

进一步地，本发明的三维微纳结构光刻系统可以通过调整光强、控制工作台14速度、图形曝光区101a的高度h等参量来控制曝光剂量。

进一步地，空间光调制器12为DMD、LCD或者LCOS等微型显示器件。

进一步地，投影物镜13微缩倍率范围采用5X～100X。

进一步地，工作台14的高精度可支持1inch～12inch幅面的光刻。

本发明的三维微纳结构光刻系统可快速光刻出三维微纳结构，以双闪耀槽型三维微结构为光刻实例进行说明：

图4是本发明的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图，图5是本发明的三维微纳结构光刻系统光刻形成的三维微纳结构的剖视示意图，图6是图5所示的三维微纳结构的局部俯视示意图，如图4、图5和图6所示，三维微纳结构的设计参数：单元宽度a＝20um，高度h＝10um，周期P＝40um。详细步骤如下：

在基片21表面涂覆厚度10um的光刻胶21，并进行软烘烤，热板温度90-120oc，烘烤时间5-30分钟，采用4英寸的基片21，基片21类型可以为玻璃、金属、陶瓷或硅片等；

数字掩模装置11软件生成倒梯形的数字掩模101，数字掩模101的像素宽度根据空间光调制器12的像素单元大小和投影物镜13的微缩倍率来计算或调整，例如空间光调制器12的像素单元大小为10.8um，投影物镜13的微缩倍率50X2.16，那么微缩后的空间光调制器12像素单元为0.1um，经计算，倒梯形像素尺寸为a＝200pixel，b＝400pixel，h决定工作台14的移动方向，根据经验，这里设定800pixel；开启三维微纳结构光刻系统，将倒梯形数字掩模101上载到空间光调制器12上，控制系统15按照设定好的路径控制工作台14移动开始曝光。

图7是本发明的三维微纳结构光刻系统光刻形成的三维微纳结构的俯视示意图，如图7所示，利用数字掩模装置11生成图4所示数字掩模101以及生成矩形图形曝光区101a的数字掩模101，并控制工作台14按照图3a所示的方向移动即可形成三维微纳结构211。

本发明的三维微纳结构光刻系统的结构简单、精度高、成本低、快速高效等优点。本发明的三维微纳结构光刻系统与金刚石车床加工相比，分辨率高出1-2个数量级，光刻分辨率可达到0.1um。而且，本发明的三维微纳结构光刻系统与掩模套准光刻、灰度掩模曝光相比，本系统光刻出的三维结构更加光滑，且效率更高、成本更低。

第二实施例

图8是本发明第二实施例的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图，如图8所示，本实施例的二维微纳结构光刻系统与第一实施例的三维微纳结构光刻系统结构大致相同，不同点在于数字掩模装置11生成的数字掩模101形状不同。

具体地，数字掩模101的图形曝光区101a为多个高度h逐渐减小的直角三角形。

第三实施例

图9是本发明第三实施例的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图，如图9所示，本实施例的三维微纳结构光刻系统与第一实施例的三维微纳结构光刻系统结构大致相同，不同点在于数字掩模装置11生成的数字掩模101形状不同。

具体地，数字掩模101的图形曝光区101a为多个高度h相同，面积不同的直角三角形。

第四实施例

图10是本发明第四实施例的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图，如图10所示，本实施例的三维微纳结构光刻系统与第一实施例的三维微纳结构光刻系统结构大致相同，不同点在于数字掩模装置11生成的数字掩模101形状不同。

具体地，数字掩模101的图形曝光区101a为阶梯型。

第五实施例

图11是本发明第五实施例的数字掩模装置生成的数字掩模的示意图，如图11所示，本实施例的三维微纳结构光刻系统与第一实施例的三维微纳结构光刻系统结构大致相同，不同点在于数字掩模装置11生成的数字掩模101形状不同。

具体地，数字掩模101的图形曝光区101a为镰刀型。

第六实施例

本实施例的三维微纳结构光刻系统与第一实施例的三维微纳结构光刻系统结构大致相同，不同点在于数字掩模装置11生成的数字掩模101形状不同。

具体地，数字掩模101的图形曝光区101a为等边三角形，且图形曝光区101a为灰度图，能进一步提高三维形状和曝光剂量的设计灵活度。图形曝光区101a的灰度从中部向着两侧逐渐增加或减少，例如图形曝光区101a中间灰度为0，两侧的灰度为255，但并不以此为限。

第七实施例

本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法，所述方法包括:

提供数字掩模装置11，利用数字掩模装置11生成数字掩模101，数字掩模101包括图形曝光区101a；

提供空间光调制器12，将数字掩模101上次至空间光调制器12，利用空间光调制器12显示数字掩模101时，光线从图形曝光区101a射出，通过调节图形曝光区101a的长度，实现调节曝光剂量，图形曝光区101a的长度与曝光剂量成正比；

提供投影物镜13，利用投影物镜13将图形光投影在待光刻的基片21上；

提供工作台14，利用工作台14承载固定基片21，工作台14驱使基片21在平面内沿设定路径移动曝光。在本实施例中，工作台14可采用真空吸附的方式固定基片21，但并不以此为限。

值得一提的是，投影物镜13首先将图形光投影在基片21的边缘，当工作台14驱使基片21沿设定路径移动至基片21的另一边缘时停止移动，此时空间光调制器12停止曝光；

接着投影物镜13沿基片21的长度方向或宽度方向移动一个周期的距离，此时工作台14驱使基片21再次移动，同时空间光调制器12继续曝光，依次类推，直到完成整个幅面的扫描曝光。

进一步地,将基片21固定在工作台工作台14前，在基片21表面涂覆光刻胶22，并基片21进行烘烤，温度85～110℃，时间1～60min。在本实施例中，光刻胶22的厚度为10um，但并不以此为限，可选用正性光刻胶22或负性光刻胶22。

进一步地,利用碱性显影液(例如TMAH、KOH、NaOH)对曝光后的基片21进行显影，显影液浓度为0.6％～1％，显影液温度为20～24℃，显影时间为30～150s；

对显影后的基片21进行冲洗、吹干，使基片21表面形成三维微纳结构211。

进一步地，控制工作台14驱使基片21往复移动两次或两次以上，保持投影物镜13不移动位置，控制空间光调制器12持续曝光，当工作台14停止移动时，空间光调制器12停止曝光，可进一步控制曝光深度和曝光均匀性。

进一步地，数字掩模装置11包括移动终端、电脑、ipad等，通过软件编程在数字掩模装置11上生成数字掩模101，数字掩模101的格式为Bmp位图(2值位图)，数字掩模101的图形曝光区101a形状可根据需要自由选择，本实施例以图形曝光区101a为直角三角形为例进行说明，请参照图1和图2，图形曝光区101a具有三个顶角，分别为第一顶角A、第二顶角B和第三顶角C，其中第二顶角B为直角，第一顶角A处的曝光剂量最弱，第二顶角B处的曝光剂量最强，从第一顶角A到第三顶角C的方向，图形曝光区101a的高度h逐渐增大，曝光剂量逐渐增大，对应基片21表面的三维微纳结构211的深度越大，请参照图2。值得一提的是，通过设计和调整图形曝光区101aBC边长的长度(图形曝光区101a的高度h)，进而控制曝光剂量，从而获得不同曝光深度的三维微纳结构211。在本实施例中，图形曝光区101a的高度h方向平行于空间光调制器12的宽度方向或长度方向。

进一步地，数字掩模101还包括非透光区101b，非透光区101b设置于图形曝光区101a的周侧，非透光区101b呈黑色，当空间光调制器12的显示屏整屏显示数字掩模101时，非透光区101b不透光，图形曝光区101a透光,请参照图1。

进一步地，提供控制系统15，利用控制系统15控制工作台14按照设定的路径移动以及控制工作台14的移动速度，通过调节工作台14的移动速度，实现调节曝光剂量，工作台14的移动速度与曝光剂量成反比。请参照图3a，控制系统15控制工作台14沿着X方向移动和Y方向移动,实现对基片21两个方向的曝光；请参照图3b，控制系统15控制工作台14沿着X方向移动、控制工作台14沿着与X方向呈120°的方向移动、控制工作台14沿着与X方向呈240°的方向移动，实现对基片21三个方向的曝光。在本实施例中，控制系统15能控制曝光剂量，从而获得不同曝光深度的三维微纳结构211。

进一步地，提供光源16，利用光源16为空间光调制器12提供光，利用控制系统15调节控制光源16的光强，光源16在工作状态时为常开模式，利用控制系统15调节控制光源16的光强，通过调节光源16的光强，实现调节曝光剂量，光源16的光强与曝光剂量成正比。在本实施例中，控制系统15能调节控制光源16的光强，实现控制控制曝光剂量，从而获得不同曝光深度的三维微纳结构211。光源16例如为汞灯、LED、激光或者其他可以对光刻胶22进行感光的发光器件。

进一步地，提供准直透镜17，准直透镜17设置于光源16的出光方向上，利用准直透镜17准准直光线。

进一步地，本发明的三维微纳结构211光刻方法可以通过调整光强、控制工作台14速度、图形曝光区101a的高度h等参量来控制曝光剂量。

进一步地，空间光调制器12为DMD、LCD或者LCOS等微型显示器件。

进一步地，投影物镜13微缩倍率范围采用5X～100X。

进一步地，工作台14的高精度可支持1inch～12inch幅面的光刻。

进一步地，图形曝光区101a为灰度图，能进一步提高三维形状和曝光剂量的设计灵活度。图形曝光区101a的灰度从中部向着两侧逐渐增加或减少，例如图形曝光区101a中间灰度为0，两侧的灰度为255，但并不以此为限。

进一步地，本发明的三维微纳结构光刻方法采用第一实施例的三维微纳结构光刻系统，关于三维微纳结构光刻系统的结构和功能请参照第一实施例，此处不再赘述。

本发明的三维微纳结构光刻方法具有光刻精度高、快速高效等优点。

本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

Claims (12)

1.一种三维微纳结构光刻系统，其特征在于，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：

所述数字掩模装置与所述空间光调制器电性连接，所述投影物镜设置于所述空间光调制器与所述工作台之间，所述工作台用于固定待光刻的基片；

所述数字掩模装置用以生成数字掩模，所述数字掩模包括图形曝光区，所述数字掩模装置将数字掩模上传至所述空间光调制器，所述空间光调制器用以显示所述数字掩模，光经过所述空间光调制器上的所述图形曝光区后射向所述投影物镜，所述图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；

所述投影物镜将图形光投影在所述基片上，所述工作台驱使所述基片在平面内沿设定路径移动曝光,所述三维微纳结构光刻系统还包括控制系统，所述控制系统与所述投影物镜、所述工作台电性连接，所述控制系统通过控制所述图形曝光区的高度来控制曝光剂量。

2.如权利要求1所述的三维微纳结构光刻系统，其特征在于，所述控制系统用以控制所述工作台按照设定的路径移动以及控制所述工作台的移动速度。

3.如权利要求2所述的三维微纳结构光刻系统，其特征在于，所述三维微纳结构光刻系统还包括光源，所述光源用以为所述空间光调制器提供光，所述光源与所述控制系统电性连接，所述控制系统用以调节控制所述光源的光强。

4.如权利要求3所述的三维微纳结构光刻系统，其特征在于，所述三维微纳结构光刻系统还包括准直透镜，所述准直透镜设置于所述光源的出光方向上，所述光源发出的光线经过所述准直透镜后射向所述空间光调制器。

5.如权利要求1所述的三维微纳结构光刻系统，其特征在于，所述图形曝光区为灰度图。

6.一种三维微纳结构光刻方法，其特征在于，所述方法包括:

提供数字掩模装置，利用所述数字掩模装置生成数字掩模，所述数字掩模包括图形曝光区；

提供空间光调制器，将所述数字掩模上载至所述空间光调制器，利用所述空间光调制器显示所述数字掩模时，光线从所述图形曝光区射出，通过调节所述图形曝光区的长度，实现调节曝光剂量，所述图形曝光区的长度与曝光剂量成正比；

提供投影物镜，利用所述投影物镜将图形光投影在待光刻的基片上；

提供工作台，利用所述工作台承载固定所述基片，所述工作台驱使所述基片在平面内沿设定路径移动曝光，提供控制系统，利用所述控制系统控制所述图形曝光区的高度来控制曝光剂量。

7.如权利要求6所述的三维微纳结构光刻方法，其特征在于，利用所述控制系统控制所述工作台按照设定的路径移动以及控制所述工作台的移动速度，通过调节所述工作台的移动速度，实现调节曝光剂量，所述工作台的移动速度与曝光剂量成反比。

8.如权利要求7所述的三维微纳结构光刻方法，其特征在于，提供光源，利用所述光源为所述空间光调制器提供光，所述光源在工作状态时为常开模式，利用所述控制系统调节控制所述光源的光强，通过调节所述光源的光强，实现调节曝光剂量，所述光源的光强与曝光剂量成正比。

9.如权利要求8所述的三维微纳结构光刻方法，其特征在于，提供准直透镜，所述准直透镜设置于所述光源的出光方向上，利用所述准直透镜准直光线。

10.如权利要求6所述的三维微纳结构光刻方法，其特征在于，将所述基片固定在所述工作台前，在所述基片表面涂覆光刻胶，并对所述基片进行烘烤，温度85～110℃，时间1～60min。

11.如权利要求6所述的三维微纳结构光刻方法，其特征在于，利用碱性显影液对曝光后的所述基片进行显影，显影液浓度为0.6％～1％，显影液温度为20～24℃，显影时间为30～150s；

对显影后的所述基片进行冲洗、吹干，使所述基片表面形成三维微纳结构。

12.如权利要求6所述的三维微纳结构光刻方法，其特征在于，所述图形曝光区为灰度图。

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