CN112795907A - 断线修复装置及断线修复装置调试方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 21
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 21
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 12
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本申请提供一种断线修复装置及断线修复装置调试方法，所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元，使用所述断线修复装置对基板进行镀膜操作时，所述阻值测试单元可随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试，而无需移动基板，相较于现有技术，减小了基板转运的时间，提高了断线修复装置的调试效率和断线修复效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种断线修复装置及断线修复装置调试方法。
背景技术
在电子器件领域，尤其是半导体显示行业中，经常会遇到电子器件内部的金属走线出现断线的问题，这一问题可以发生在整个制程中，也可以发生在电子器件制作完成后的检测过程中。显示面板中的金属断线会极大影响显示面板的性能，严重的甚至导致显示面板的报废，造成良率损失和资源浪费。
目前解决金属断线问题的方法是采用激光诱导化学气相沉积设备(LaserChemical Vapor Deposition,LCVD)在断线处沉积导电膜层，从而修复断线处的导电通路。为了保证在断线修复过程中形成的导电膜层的电阻一次性满足断线修复要求，在进行断线修复操作之前需要对化学气相沉积设备进行多次调试，使其能够产生稳定且符合要求的导电膜层。现有技术对化学气相沉积设备进行调试的方法是：首先将一玻璃基板置于化学气相沉积设备中，化学气相沉积设备在该玻璃基板上沉积一金属膜层；然后将玻璃基板移出化学气相沉积设备，并运送至电阻测试设备对形成的金属膜层的电阻进行测试，并判断测试结果。由于化学气相沉积设备中用于调控金属膜层电阻的参数较多，一台化学气相沉积设备的调试往往需要经过多次沉积金属膜层和多次电阻测试的操作，这样就需要在化学气相沉积设备和电阻测试设备之间反复运送玻璃基板，花费大量转移玻璃基板的时间，调试完成一台化学气相沉积设备的时间往往在2～3天左右，造成了大量的产能浪费。
发明内容
基于上述现有技术中的不足，本申请提供一种断线修复装置及断线修复装置的调试方法，通过在断线修复装置中直接设置阻值测试单元，方便了对断线修复装置所形成膜层的阻值测试，大大提高了断线修复装置的调试效率。
本申请提供一种断线修复装置，包括：
基座；
支撑架，安装于所述基座上，所述支撑架包括上端面，所述上端面与所述基座之间存在间隙；
镀膜单元，设置于所述上端面上，与所述上端面可移动连接；
阻值测试单元，设置于所述上端面上，与所述上端面可移动连接。
根据本申请一实施例，所述断线修复装置还包括壳体，所述壳体与所述基座之间形成可密封的腔体，所述支撑架、所述镀膜单元和所述阻值测试单元位于所述腔体中。
根据本申请一实施例，所述壳体上设置有密封门，所述密封门用于打开或密封所述腔体。
根据本申请一实施例，所述腔体内还设置有抽真空端口，所述抽真空端口用于将密封状态下的所述腔体内的气体抽出。
根据本申请一实施例，所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元，所述反应气体放射单元用于放射反应气体，所述激光发射单元用于发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应。
根据本申请一实施例，所述阻值测试单元包括探针、阻值计算单元和阻值显示单元，所述阻值计算单元用于计算所述探针接触的待测物体的阻值，所述阻值显示单元用于显示所述阻值计算单元计算的阻值。
本申请还提供一种断线修复装置调试方法，所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上端面上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元，所述支撑架的上端面与所述基座之间存在间隙；所述调试方法包括以下步骤：
提供一测试基板，所述测试基板包括测试端，将所述测试基板置于所述基座上；
移动所述镀膜单元至所述测试端，并在所述测试端镀膜以形成膜层；
移动所述阻值测试单元至所述测试端，并测试所述膜层的阻值；
判断所述膜层的阻值是否满足预设值，若满足，则结束调试；若不满足，则调整所述镀膜单元的镀膜参数，并重复进行所述镀膜单元的镀膜步骤和所述阻值测试单元的阻值测试步骤。
根据本申请一实施例，调整所述镀膜单元的镀膜参数，以调整形成的所述膜层的厚度。
根据本申请一实施例，所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元；
进行镀膜步骤时，所述反应气体放射单元放射反应气体，所述激光发射单元发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应，反应产物沉积于所述测试端形成所述膜层。
根据本申请一实施例，判断所述膜层的阻值是否满足预设值的方法是：
人工判断；或
将所述阻值测试单元连接一阻值判断单元进行自动判断。
本申请的有益效果是：本申请提供断线修复装置及断线修复装置调试方法中，所述断线修复装置包括镀膜单元和阻值测试单元，所述阻值测试单元可以随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试，相较于现有技术，减小了基板转运的时间，提高了断线修复装置的调试效率；并且使用所述断线修复装置进行断线修复时，可时刻检测所修复断线的阻值特征，提高断线修复效率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的断线修复装置的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的镀膜单元的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的阻值测试单元的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的断线修复装置调试方法流程图；
图5是本申请实施例提供的测试基板的结构示意图；
图6是将本申请实施例提供的测试基板置于断线修复装置中的示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请实施例提供一种断线修复装置，该断线修复装置内同时设置有镀膜单元和阻值测试单元，所述阻值测试单元可以随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试，相较于现有技术，减小了基板转运的时间，提高了断线修复装置的调试效率；并且使用所述断线修复装置进行断线修复时，可时刻检测所修复断线的阻值特征，提高断线修复效率。
如图1所述，是本申请实施例提供的断线修复装置10的结构示意图。所述断线修复装置包括基座11、安装于所述基座11上的支撑架12、以及设置于所述支撑件12上的镀膜单元13和阻值测试单元14；所述支撑架12包括上端面121，所述上端面121与所述基座11之间存在间隙；所述镀膜单元13和所述阻值测试单元14设置于所述上端面121上，并且所述上端面121之间均为可移动连接，即所述镀膜单元13和所述阻值测试单元14在所述上端面121上可前后左右自由移动；所述镀膜单元13用于形成导电膜层以完成断线修复，所述阻值测试单元14用于检测所述镀膜单元13形成的导电膜层的电阻。需要说明的是，所述断线修复装置10进行自身调试操作或断线修复操作时，移动所述镀膜单元13在待镀膜基板的指定位置形成导电膜层，然后移走所述镀膜单元13，并移动所述阻值测试单元14至所述导电膜层对其进行阻值测试；在整个操作过程中，无需移动待镀膜基板，从而大大提升了调试效率和断线修复效率。
可选地，所述断线修复装置10还包括壳体15，所述壳体15与所述基座11之间形成可密封的腔体，所述支撑架12、所述镀膜单元13和所述阻值测试单元14位于所述壳体15与所述基座11围成的腔体中。需要说明的是，对待镀膜基板进行断线修复操作往往需要在密封环境下进行，本实施例提供的断线修复装置10具有一个可密封的腔体，满足断线修复操作的密封需求。
可选地，所述壳体15上设置有密封门151，所述密封门151用于打开或密封所述壳体15与所述基座11围成的腔体，以实现该腔体的可密封特征。
可选地，所述壳体15与所述基座11围成的腔体内还设置有抽真空端口16，所述抽真空端口16用于将密封状态下的所述腔体内的气体抽出。可选地，所述抽真空端口16连接外部抽真空装置，通过抽真空装置将所述腔体内的空气抽出，防止在镀膜操作时空气中的成分影响镀膜质量。
可选地，如图2所示，所述镀膜单元13为激光诱导化学气相沉积单元，包括激光发射单元131和反应气体放射单元132，所述反应气体放射单元132用于放射反应气体，所述激光发射单元131用于发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应。在进行自身调试操作或断线修复操作时，所述反应气体放射单元132放出反应气体至所述腔体内，所述激光发射单元131发出激光并定向移动，所述反应气体在激光的诱导下沉积出具有一定走向和尺度的导电膜层。
可选地，如图3所示，所述阻值测试单元14包括探针141、阻值计算单元142和阻值显示单元143，所述阻值计算单元142用于计算所述探针141接触的待测物体的阻值，所述阻值显示单元143用于显示所述阻值计算单元142计算的阻值。在进行自身调试操作或断线修复操作时，形成所述导电膜层后，所述探针141接触所述导电膜层；所述阻值计算单元142通过所述探针141向所述导电膜层发出检测信号，并通过所述检测信号计算出所述导电膜层的阻值；所述阻值显示单元143将所述阻值计算单元142计算的阻值显示出来，以便于人工监控或自动监控。
综上所述，本申请实施例提供的断线修复装置包括镀膜单元和阻值测试单元，所述阻值测试单元可以随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试，相较于现有技术，减小了基板转运的时间，提高了断线修复装置的调试效率；并且使用所述断线修复装置进行断线修复时，可时刻检测所修复断线的阻值特征，提高断线修复效率。
本申请实施例还提供一种断线修复装置调试方法，如图4所示，为本申请实施例提供的断线修复装置调试方法流程图。需要说明的是，本实施例所述的断线修复装置为本申请上述实施例所述提供的断线修复装置10，参考图1所示，所述断线修复装置10的结构特征在上述实施例已经进行详细阐述，此处不再赘述。断线修复装置10调试方法包括以下步骤：
步骤S1、提供一测试基板20，参考图5和图6所示，图5是本申请实施例提供的测试基板20的结构示意图，图6是所述测试基板20置于所述断线修复装置中的示意图；所述测试基板20包括测试端21，将所述测试基板20置于所述基座11上。可选地，所述测试基板20可以包括多个所述测试端21，以便于进行多次镀膜操作。
步骤S2、参考图5和图6所示，移动所述镀膜单元13至所述测试端21，并在所述测试端21镀膜以形成膜层。
具体地，所述镀膜单元13进行镀膜操作之前还包括一下步骤：关闭所述密封门151，使所述壳体15与所述基座11之间形成的腔体密封；开启所述抽真空端口16，将所述腔体内的气体抽出，形成真空或接近真空的环境。
进一步地，所述镀膜单元13包括激光发射单元和反应气体放射单元。使用所述镀膜单元13进行镀膜操作时，所述反应气体放射单元放射反应气体，所述激光发射单元发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应，反应产物沉积于所述测试端21形成所述膜层。
步骤S3、参考图5和图6所示，移动所述阻值测试单元14至所述测试端21，并测试步骤S2中形成在所述测试端21的所述膜层的阻值。
具体地，参考图3所示，所述阻值测试单元14包括探针141、阻值计算单元142和阻值显示单元143，所述阻值计算单元142用于计算所述探针141接触的待测物体的阻值，所述阻值显示单元143用于显示所述阻值计算单元142计算的阻值。对所述膜层进行阻值测试时，使用所述探针141接触所述膜层；所述阻值计算单元142通过所述探针141向所述膜层发出检测信号，并通过所述检测信号计算出所述膜层的阻值；所述阻值显示单元143将所述阻值计算单元142计算的阻值显示出来。
步骤S4、判断所述膜层的阻值是否满足预设值；若满足，则结束调试；若不满足，则调整所述镀膜单元的镀膜参数，并重复进行步骤S2中的镀膜步骤和步骤S3中的阻值测试步骤；然后再次判断新形成的膜层阻值是否满足预设值，以判定是结束调试还是继续调试。
需要说明的是，当形成的所述膜层的阻值不满足预设值时，步骤2至步骤S4可进行多次循环。应当理解的是，在进行步骤2至步骤S4的多次循环操作过程中，无需移动所述测试基板20，相比于现有技术，大大减小了调试过程的复杂度，使调试时间缩短至3小时以内，提升了调试效率。
可选地，调整所述镀膜单元13的参数包括调整镀膜电压和镀膜时间等；通过调整所述镀膜单元13的参数，达到以调整形成的所述膜层厚度的目的。
可选地，判断所述膜层的阻值是否满足预设值的方法可以是人工判断或将所述阻值测试单元14连接一阻值判断单元进行自动判断。
综上所述，本申请实施例提供的断线修复装置调试方法，相较于现有技术，减小了对测试基板进行转运的时间，提高了调试效率。
需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种断线修复装置，其特征在于，包括：
基座；
支撑架，安装于所述基座上，所述支撑架包括上端面，所述上端面与所述基座之间存在间隙；
镀膜单元，设置于所述上端面上，与所述上端面可移动连接；
阻值测试单元，设置于所述上端面上，与所述上端面可移动连接。
2.根据权利要求1所述的断线修复装置，其特征在于，还包括壳体，所述壳体与所述基座之间形成可密封的腔体，所述支撑架、所述镀膜单元和所述阻值测试单元位于所述腔体中。
3.根据权利要求2所述的断线修复装置，其特征在于，所述壳体上设置有密封门，所述密封门用于打开或密封所述腔体。
4.根据权利要求3所述的断线修复装置，其特征在于，所述腔体内还设置有抽真空端口，所述抽真空端口用于将密封状态下的所述腔体内的气体抽出。
5.根据权利要求1所述的断线修复装置，其特征在于，所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元，所述反应气体放射单元用于放射反应气体，所述激光发射单元用于发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应。
6.根据权利要求1所述的断线修复装置，其特征在于，所述阻值测试单元包括探针、阻值计算单元和阻值显示单元，所述阻值计算单元用于计算所述探针接触的待测物体的阻值，所述阻值显示单元用于显示所述阻值计算单元计算的阻值。
7.一种断线修复装置调试方法，其特征在于，所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上端面上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元，所述支撑架的上端面与所述基座之间存在间隙；所述调试方法包括以下步骤：
提供一测试基板，所述测试基板包括测试端，将所述测试基板置于所述基座上；
移动所述镀膜单元至所述测试端，并在所述测试端镀膜以形成膜层；
移动所述阻值测试单元至所述测试端，并测试所述膜层的阻值；
判断所述膜层的阻值是否满足预设值，若满足，则结束调试；若不满足，则调整所述镀膜单元的镀膜参数，并重复进行所述镀膜单元的镀膜步骤和所述阻值测试单元的阻值测试步骤。
8.根据权利要求7所述的断线修复装置调试方法，其特征在于，调整所述镀膜单元的镀膜参数，以调整形成的所述膜层的厚度。
9.根据权利要求7所述的断线修复装置调试方法，其特征在于，所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元；
进行镀膜步骤时，所述反应气体放射单元放射反应气体，所述激光发射单元发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应，反应产物沉积于所述测试端形成所述膜层。
10.根据权利要求7所述的断线修复装置调试方法，其特征在于，判断所述膜层的阻值是否满足预设值的方法是：
人工判断；或
将所述阻值测试单元连接一阻值判断单元进行自动判断。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20210514 |