CN112787060A - 一种超小型化微波旋磁环行器 - Google Patents

一种超小型化微波旋磁环行器 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种超小型化微波旋磁环行器，包括壳体和安装在壳体内部的第一陶瓷环铁氧体、中心导体、第二陶瓷环铁氧体和介质插芯；介质插芯包括插针，中心导体的脚部设有与插针相配合的通孔；第一陶瓷环铁氧体的介电常数与第二陶瓷环铁氧体的介电常数分别大于或等于30；第一铁氧体和第二铁氧体分别为BiCaVIG铁氧体；插针包括相连的伸入部和固定部，伸入部的直径小于固定部的直径，固定部固定在连接座上，插针与脚部在通孔处通过锡膏焊接，伸入部与固定部的连接处设有容锡槽。本微波旋磁环行器能够在带宽不降的情况下实现微型化；中心导体与插针焊接并在插针上设置容锡槽，提高了微波旋磁环行器的结构稳定性和导通稳定性。

Description

一种超小型化微波旋磁环行器
技术领域
本发明涉及微波铁氧体器件技术领域，特别涉及一种超小型化微波旋磁环行器。
背景技术
嵌入式隔离器在2G/3G/4G、物联网时代得到广泛使用，包括未来5G已经离我们越来越近，根据相关报道，中国5G预计在2020年实现商用，物联网、智能家电、无人驾驶等技术实现，移动数据流量将有8倍的增长，5G用户亦有望突破10亿，因为数量急剧增加，上游客户对隔离器厂家成本管控、小型化以及大批量生产提出了非常严格要求。
微波旋磁环行器小型化的困难在于小型化会影响器件的带宽。现有各基站用环行器尺寸集中在10mm和7mm，体积大成本高，另外，小型化的微波旋磁环行器中中心导体与介质插芯往往是通过直接接触的方式实现导通的，其结构稳定性难以保障，容易出现中心导体与介质插芯断开导通的现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种结构稳定的超小型化微波旋磁环行器，使导体尺寸减小情况下，保证环行器带宽不随之降低。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种超小型化微波旋磁环行器，包括壳体和安装在壳体内部的从上至下依次设置的补偿片、第一磁铁、第一铁片、第一陶瓷环铁氧体、中心导体、第二陶瓷环铁氧体、第二铁片、第二磁铁和介质插芯；所述介质插芯包括连接座和设于所述连接座上的三个插针，所述中心导体呈Y字形，所述中心导体的三个脚部分别设有与所述插针相配合的通孔；所述第一陶瓷环铁氧体包括第一陶瓷环和套设于所述第一陶瓷环内的第一铁氧体，所述第二陶瓷环铁氧体包括第二陶瓷环和套设于所述第二陶瓷环内的第二铁氧体，所述第一陶瓷环铁氧体的介电常数与所述第二陶瓷环铁氧体的介电常数分别大于或等于30；所述第一铁氧体和第二铁氧体分别为BiCaVIG铁氧体；所述插针包括相连的伸入部和固定部，所述伸入部的直径小于所述固定部的直径，所述固定部固定在所述连接座上，所述插针与所述脚部在所述通孔处通过锡膏焊接，所述伸入部与所述固定部的连接处设有用于容纳部分所述锡膏的容锡槽，所述脚部的底面抵触所述固定部靠近所述伸入部一端的端面。
本发明的有益效果在于：本发明涉及的超小型化微波旋磁环行器结构中，通过引入高介电常数的铁氧体，由于导体尺寸反比于铁氧体介电常数开根号，因此在减小微波旋磁环行器尺寸后，依旧能够保证环行器带宽不随之降低；而且，插针上容锡槽的存在不仅增大了锡膏与插针的接触面积，而且还形成了一卡位结构，大大降低锡膏沿插针轴向脱出的风险，利于确保通孔周围的脚部区域紧贴固定部，从而提高超小型化微波旋磁环行器的结构稳定性，而且中心导体与插针焊锡导通，也能够确保超小型化微波旋磁环行器的工作稳定性。
附图说明
图1为本发明具体实施方式的一种超小型微波旋磁环行器的结构爆炸图；
图2为本发明实施例一的超小型微波旋磁环行器中的介质插芯的剖视图；
图3为本发明实施例一的一种超小型微波旋磁环行器在2496-2690MHZ频段的参数及波形图；
图4为本发明实施例一的一种超小型微波旋磁环行器在3400-3600MHZ频段的参数及波形图；
图5为本发明实施例二的超小型微波旋磁环行器中的介质插芯的剖视图；
图6为本发明实施例三的一种超小型微波旋磁环行器中的介质插芯的剖视图；
图7为本发明实施例三的另一种超小型微波旋磁环行器中的介质插芯的剖视图；
图8为本发明实施例四的超小型微波旋磁环行器中的介质插芯的剖视图；
图9为本发明实施例四的一种超小型微波旋磁环行器中的插针的俯视图；
图10为本发明实施例四的另一种超小型微波旋磁环行器中的插针的俯视图。
1、壳体；11、上盖；111、凹槽；12、底座；121、底板；122、侧板；123、凸块；
2、补偿片；
3、第一磁铁；
4、第一铁片；
5、第一陶瓷环铁氧体；51、第一陶瓷环；52、第一铁氧体；
6、中心导体；61、脚部；611、穿孔；
7、第二陶瓷环铁氧体；71、第二陶瓷环；72、第二铁氧体；
8、第二铁片；
9、第二磁铁；
10、介质插芯；
11、连接座；
12、插针；121、伸入部；122、固定部；123、容锡槽；124、排气槽；125、台阶部；126、收容槽。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1至图10，本发明涉及一种超小型化微波旋磁环行器，包括壳体1和安装在壳体1内部的从上至下依次设置的补偿片2、第一磁铁3、第一铁片4、第一陶瓷环铁氧体5、中心导体6、第二陶瓷环铁氧体7、第二铁片8、第二磁铁9和介质插芯10；所述介质插芯10包括连接座11和设于所述连接座11上的三个插针12，所述中心导体6呈Y字形，所述中心导体6的三个脚部61分别设有与所述插针12相配合的通孔；所述第一陶瓷环铁氧体5包括第一陶瓷环51和套设于所述第一陶瓷环51内的第一铁氧体52，所述第二陶瓷环铁氧体7包括第二陶瓷环71和套设于所述第二陶瓷环71内的第二铁氧体72，所述第一陶瓷环铁氧体5的介电常数与所述第二陶瓷环铁氧体7的介电常数分别大于或等于30；所述第一铁氧体52和第二铁氧体72分别为BiCaVIG铁氧体；所述插针12包括相连的伸入部121和固定部122，所述伸入部121的直径小于所述固定部122的直径，所述固定部122固定在所述连接座11上，所述插针12与所述脚部61在所述通孔处通过锡膏焊接，所述伸入部121与所述固定部122的连接处设有用于容纳部分所述锡膏的容锡槽123，所述脚部61的底面抵触所述固定部122靠近所述伸入部121一端的端面。
上述超小型化微波旋磁环行器结构中，通过引入高介电常数的铁氧体，由于导体尺寸反比于铁氧体介电常数开根号，因此在减小微波旋磁环行器尺寸后，依旧能够保证环行器带宽不随之降低。
而且，插针12上容锡槽123的存在不仅增大了锡膏与插针12的接触面积，而且还形成了一卡位结构，大大降低锡膏沿插针12轴向脱出的风险，利于确保通孔周围的脚部61区域紧贴固定部122，从而提高超小型化微波旋磁环行器的结构稳定性，而且中心导体6与插针12焊锡导通，也能够确保超小型化微波旋磁环行器的工作稳定性。
进一步的，所述壳体1包括底座12和上盖11，所述底座12由底板121和垂直连接于底板121上部的三块侧板122组成，所述侧板122的上部设有凸块123，所述上盖11设有与每个侧板122的所述凸块123一一过盈配合的凹槽111。
由上述描述可知，壳体1采用底座12和上盖11铆压的封腔方式，避免小型化带来的人工装配上盖11难的问题，并且避免螺纹拧盖板时产生的金属丝造成产品短路等不良问题。
进一步的，所述伸入部121上还设有连通所述容锡槽123的排气槽124，所述容锡槽123和所述排气槽124分别环绕所述插针12设置，所述排气槽124位于所述容锡槽123远离所述固定部122的一侧。
由上述描述可知，在焊锡膏时，排气槽124能够让锡液顺利地将容锡槽123内的气体逼出，使得锡液能够更好地装填容锡槽123，从而避免锡膏凝固后容锡槽123内有气泡残存，利于提高锡膏与插针12的结合力，进而提高超小型化微波旋磁环行器的结构稳定性。
进一步的，所述容锡槽123的截面呈半圆状。
由上述描述可知，半圆状的容锡槽123能够让锡液更顺畅地将容锡槽123内的气体逼出，从而提高超小型化微波旋磁环行器的结构稳定性。
进一步的，所述容锡槽123的截面的开口朝向与所述插针12的中心轴垂直。
进一步的，所述固定部122靠近所述伸入部121一端的端面和所述容锡槽123相切。
由上述描述可知，容锡槽123加工难度低。
进一步的，所述排气槽124的壁面与所述容锡槽123的壁面相切。
由上述描述可知，容锡槽123内的空气能够顺畅地从排气槽124排出，从而防止凝固的锡膏内出现气泡，而影响超小型化微波旋磁环行器的结构稳定性。
进一步的，所述固定部122靠近所述伸入部121的一端的端面设有台阶部125，所述脚部61至少部分的收容于所述台阶部125内，位于所述台阶部125内的所述脚部61区域的顶面与所述容锡槽123相切。
由上述描述可知，台阶部125可以起到定位的作用，方便插针12与脚部61的组装；同时，台阶部125的顶面与所述容锡槽123相切能够让锡膏顺利地覆盖脚部61的顶面的部分区域，从而进一步提高超小型化微波旋磁环行器的结构稳定性。
进一步的，所述脚部61上设有连通所述脚部61的顶面与底面的多个穿孔611，数量为多个的所述穿孔611环绕所述插针12均布。
由上述描述可知，锡液能够从脚部61的顶面流入穿孔611并与插针12的固定部122接触，有利于提高插针12、锡膏及中心导体6三者焊接的稳定性。
进一步的，所述固定部122靠近所述伸入部121的一端的端面上设有收容槽126，所述穿孔611连通所述收容槽126。
由上述描述可知，收容槽126能够收容经穿孔611流出的锡液，并使该部分锡液与脚部61的底面连接，也就是说，锡膏不仅覆盖脚部61的顶面的部分区域还覆盖脚部61的底面的部分区域，进一步提高了插针12、锡膏及中心导体6三者焊接的稳定性。
中心导体6采用一个Y形、直径4mm的QBe2结构，因
Figure BDA0002868688490000061
在保证频率不变情况下，为获得小尺寸的产品，我们需增大ε来减小产品尺寸，所以我们将微波旋磁铁氧体的介电常数从14.5增加到30及以上，因此我们得出3.5GHZ和2.6GHZ两个频段的导体核心尺寸。
Eg.1 ω0＝2.6GHZ时，我们目前常用ε＝14.5的铁氧体，2R＝3.25mm；采用ε＝30的铁氧体后，2R＝2.26mm。
Eg.2 ω0＝2.6GHZ时，我们目前常用ε＝14.5的铁氧体，2R＝3.25mm；采用ε＝50的铁氧体后，2R＝1.75mm。
Eg.3 ω0＝3.5GHZ时，我们目前使用的ε＝14.5的铁氧体，2R＝3mm；采用ε＝30的铁氧体后，2R＝2.08mm。
Eg.4 ω0＝3.5GHZ时，我们目前使用的ε＝14.5的铁氧体，2R＝3mm；采用ε＝50的铁氧体后，2R＝1.62mm。
我们以此为依据进行中心导体6的仿真设计，得出5mm环行器的导体结构，实现产品小型化的目标。
实施例一
请参照图1至图4，一种超小型化微波旋磁环行器，如图1所示，包括壳体1和安装在壳体1内部的从上至下依次设置的补偿片2、第一磁铁3、第一铁片4、第一陶瓷环铁氧体5、中心导体6、第二陶瓷环铁氧体7、第二铁片8、第二磁铁9和介质插芯10；所述介质插芯10包括连接座11和设于所述连接座11上的三个插针12，所述连接座11采用绝缘材料制成，所述中心导体6呈Y字形，所述中心导体6的三个脚部61分别设有与所述插针12相配合的通孔；所述第一陶瓷环铁氧体5包括第一陶瓷环51和套设于所述第一陶瓷环51内的第一铁氧体52，所述第二陶瓷环铁氧体7包括第二陶瓷环71和套设于所述第二陶瓷环71内的第二铁氧体72，所述第一陶瓷环铁氧体5的介电常数与所述第二陶瓷环铁氧体7的介电常数分别大于或等于30；所述第一铁氧体52和第二铁氧体72分别为BiCaVIG铁氧体(BiCaVIG铁氧体即为不含钇的铋钙钒石榴石铁氧体)。
具体的，所述壳体1包括底座12和上盖11，所述底座12由底板121和垂直连接于底板121上部的三块侧板122组成，所述侧板122的上部设有凸块123，所述上盖11设有与每个侧板122的所述凸块123一一过盈配合的凹槽111。
如图2所示，所述插针12包括相连的伸入部121和固定部122，所述伸入部121的直径小于所述固定部122的直径，所述固定部122固定在所述连接座11上，所述插针12与所述脚部61在所述通孔处通过锡膏焊接，所述伸入部121与所述固定部122的连接处设有用于容纳部分所述锡膏的容锡槽123，所述脚部61的底面抵触所述固定部122靠近所述伸入部121一端的端面。
为进一步增大锡膏与插针12的接触面积，避免锡膏内部出现气泡，所述伸入部121上还设有连通所述容锡槽123的排气槽124，所述容锡槽123和所述排气槽124分别环绕所述插针12设置，所述排气槽124位于所述容锡槽123远离所述固定部122的一侧。优选的，所述排气槽124的壁面与所述容锡槽123的壁面相切。
可选的，所述壳体1的直径为5mm，所述中心导体6的直径为4mm。
测试
所述第一陶瓷环铁氧体5和第二陶瓷环铁氧体7的介电常数均为30的情况下，在2.6G频段上对导体进行仿真，并配以其他结构、物料，所得结果如图3所示，S11、S22回损、隔离≧18dB；S12插损≦0.5dB；阻抗mark1实部6.9±3Ω，虚部3～9Ω；阻抗mark2实部48±3Ω，虚部-3～3Ω；阻抗mark3实部41±3Ω，虚部-3～3Ω。
所述第一陶瓷环铁氧体5和第二陶瓷环铁氧体7的介电常数均为30的情况下，在3.5G频段上对导体进行仿真，并配以其他结构、物料，所的结果如图4所示，S11、S22回损、隔离≧21dB；S12插损≦0.5dB；阻抗mark1实部55±3Ω，虚部-7～0Ω；阻抗mark2实部45±3Ω，虚部-1～4Ω；阻抗mark3实部48±3Ω，虚部-4～1Ω。
实施例二
请参照图1和图5，一种超小型化微波旋磁环行器，如图1所示，包括壳体1和安装在壳体1内部的从上至下依次设置的补偿片2、第一磁铁3、第一铁片4、第一陶瓷环铁氧体5、中心导体6、第二陶瓷环铁氧体7、第二铁片8、第二磁铁9和介质插芯10；所述介质插芯10包括连接座11和设于所述连接座11上的三个插针12，所述连接座11采用绝缘材料制成，所述中心导体6呈Y字形，所述中心导体6的三个脚部61分别设有与所述插针12相配合的通孔；所述第一陶瓷环铁氧体5包括第一陶瓷环51和套设于所述第一陶瓷环51内的第一铁氧体52，所述第二陶瓷环铁氧体7包括第二陶瓷环71和套设于所述第二陶瓷环71内的第二铁氧体72，所述第一陶瓷环铁氧体5的介电常数与所述第二陶瓷环铁氧体7的介电常数分别大于或等于30；所述第一铁氧体52和第二铁氧体72分别为BiCaVIG铁氧体(BiCaVIG铁氧体即为不含钇的铋钙钒石榴石铁氧体)。
具体的，所述壳体1包括底座12和上盖11，所述底座12由底板121和垂直连接于底板121上部的三块侧板122组成，所述侧板122的上部设有凸块123，所述上盖11设有与每个侧板122的所述凸块123一一过盈配合的凹槽111。
如图5所示，所述插针12包括相连的伸入部121和固定部122，所述伸入部121的直径小于所述固定部122的直径，所述固定部122固定在所述连接座11上，所述插针12与所述脚部61在所述通孔处通过锡膏焊接，所述伸入部121与所述固定部122的连接处设有用于容纳部分所述锡膏的容锡槽123，所述脚部61的底面抵触所述固定部122靠近所述伸入部121一端的端面。
为进一步增大锡膏与插针12的接触面积，避免锡膏内部出现气泡，所述伸入部121上还设有连通所述容锡槽123的排气槽124，所述容锡槽123和所述排气槽124分别环绕所述插针12设置，所述排气槽124位于所述容锡槽123远离所述固定部122的一侧。
为让容锡槽123内的气体能够更顺畅地排出，优选所述容锡槽123的截面呈半圆状；所述容锡槽123的截面的开口朝向与所述插针12的中心轴垂直；所述固定部122靠近所述伸入部121一端的端面和所述容锡槽123相切；所述排气槽124的壁面与所述容锡槽123的壁面相切。
实施例三
请参照图1、图6和图7，一种超小型化微波旋磁环行器，如图1所示，包括壳体1和安装在壳体1内部的从上至下依次设置的补偿片2、第一磁铁3、第一铁片4、第一陶瓷环铁氧体5、中心导体6、第二陶瓷环铁氧体7、第二铁片8、第二磁铁9和介质插芯10；所述介质插芯10包括连接座11和设于所述连接座11上的三个插针12，所述连接座11采用绝缘材料制成，所述中心导体6呈Y字形，所述中心导体6的三个脚部61分别设有与所述插针12相配合的通孔；所述第一陶瓷环铁氧体5包括第一陶瓷环51和套设于所述第一陶瓷环51内的第一铁氧体52，所述第二陶瓷环铁氧体7包括第二陶瓷环71和套设于所述第二陶瓷环71内的第二铁氧体72，所述第一陶瓷环铁氧体5的介电常数与所述第二陶瓷环铁氧体7的介电常数分别大于或等于30；所述第一铁氧体52和第二铁氧体72分别为BiCaVIG铁氧体(BiCaVIG铁氧体即为不含钇的铋钙钒石榴石铁氧体)。
具体的，所述壳体1包括底座12和上盖11，所述底座12由底板121和垂直连接于底板121上部的三块侧板122组成，所述侧板122的上部设有凸块123，所述上盖11设有与每个侧板122的所述凸块123一一过盈配合的凹槽111。
如图6所示，所述插针12包括相连的伸入部121和固定部122，所述伸入部121的直径小于所述固定部122的直径，所述固定部122固定在所述连接座11上，所述插针12与所述脚部61在所述通孔处通过锡膏焊接，所述伸入部121与所述固定部122的连接处设有用于容纳部分所述锡膏的容锡槽123，所述脚部61的底面抵触所述固定部122靠近所述伸入部121一端的端面。
为进一步增大锡膏与插针12的接触面积，避免锡膏内部出现气泡，所述伸入部121上还设有连通所述容锡槽123的排气槽124，所述容锡槽123和所述排气槽124分别环绕所述插针12设置，所述排气槽124位于所述容锡槽123远离所述固定部122的一侧。
为让容锡槽123内的气体能够更顺畅地排出，优选，所述容锡槽123的截面呈半圆状；所述容锡槽123的截面的开口朝向与所述插针12的中心轴垂直；所述排气槽124的壁面与所述容锡槽123的壁面相切。
进一步的，所述固定部122靠近所述伸入部121的一端的端面设有台阶部125，所述脚部61至少部分的收容于所述台阶部125内，所述台阶部125的设置能够方便脚部61的定位组装。优选的，位于所述台阶部125内的所述脚部61区域的顶面与所述容锡槽123相切，如此可让锡液顺利地流动到脚部61的顶面上，从而进一步提高锡膏、插针12及中心导体6三者连接的稳定性。
如图7所示，作为进一步改进，所述脚部61上设有连通所述脚部61的顶面与底面的多个穿孔611，数量为多个的所述穿孔611环绕所述插针12均布。所述穿孔611对应于所述台阶部125的底面，锡液可经由脚部61的顶面流动到穿孔611内，从而增大了锡膏与中心导体6的接触面积，进而提高了锡膏与中心导体6的结合力；同时，当锡液能够完全填充穿孔611时，位于穿孔611内的锡膏部分还能够与台阶部125的底面形成结合面，从而提高锡膏与插针12的结合力，也就是说，穿孔611的设置能够提高锡膏、中心导体6及插针12三者中至少两者之间的结合力，从而提高超小型化微波旋磁环行器的结构稳定性。
实施例四
请参照图1、图8、图9和图10，一种超小型化微波旋磁环行器，如图1所示，包括壳体1和安装在壳体1内部的从上至下依次设置的补偿片2、第一磁铁3、第一铁片4、第一陶瓷环铁氧体5、中心导体6、第二陶瓷环铁氧体7、第二铁片8、第二磁铁9和介质插芯10；所述介质插芯10包括连接座11和设于所述连接座11上的三个插针12，所述连接座11采用绝缘材料制成，所述中心导体6呈Y字形，所述中心导体6的三个脚部61分别设有与所述插针12相配合的通孔；所述第一陶瓷环铁氧体5包括第一陶瓷环51和套设于所述第一陶瓷环51内的第一铁氧体52，所述第二陶瓷环铁氧体7包括第二陶瓷环71和套设于所述第二陶瓷环71内的第二铁氧体72，所述第一陶瓷环铁氧体5的介电常数与所述第二陶瓷环铁氧体7的介电常数分别大于或等于30；所述第一铁氧体52和第二铁氧体72分别为BiCaVIG铁氧体(BiCaVIG铁氧体即为不含钇的铋钙钒石榴石铁氧体)。
具体的，所述壳体1包括底座12和上盖11，所述底座12由底板121和垂直连接于底板121上部的三块侧板122组成，所述侧板122的上部设有凸块123，所述上盖11设有与每个侧板122的所述凸块123一一过盈配合的凹槽111。
如图8所示，所述插针12包括相连的伸入部121和固定部122，所述伸入部121的直径小于所述固定部122的直径，所述固定部122固定在所述连接座11上，所述插针12与所述脚部61在所述通孔处通过锡膏焊接，所述伸入部121与所述固定部122的连接处设有用于容纳部分所述锡膏的容锡槽123，所述脚部61的底面抵触所述固定部122靠近所述伸入部121一端的端面。
为进一步增大锡膏与插针12的接触面积，避免锡膏内部出现气泡，所述伸入部121上还设有连通所述容锡槽123的排气槽124，所述容锡槽123和所述排气槽124分别环绕所述插针12设置，所述排气槽124位于所述容锡槽123远离所述固定部122的一侧。
为让容锡槽123内的气体能够更顺畅地排出，优选，所述容锡槽123的截面呈半圆状；所述容锡槽123的截面的开口朝向与所述插针12的中心轴垂直；所述排气槽124的壁面与所述容锡槽123的壁面相切。
如图8所示，作为进一步改进，所述脚部61上设有连通所述脚部61的顶面与底面的多个穿孔611，数量为多个的所述穿孔611环绕所述插针12均布。所述固定部122靠近所述伸入部121的一端的端面上设有收容槽126，所述穿孔611连通所述收容槽126。
优选的，所述收容槽126靠近所述插针12的中心轴的壁面呈弧面，如此，可让锡液顺利的经由穿孔611流入收容槽126中。为让锡液能够更顺畅地在所述收容槽126内流动，优选所述收容槽126连通所述固定部122的外壁。
具体的，如图9所示，所述收容槽126可以是呈环状的。或者，如图10所示，所述收容槽126的数量为多个，且数量为多个的所述收容槽126与所述穿孔611一一对应设置，这时，位于所述脚部61的下方的所述锡膏部分呈放射线状，极大的提高了锡膏、插针12及中心导体6三者的结合力，确保插针12的悬空端既不会沿轴向与锡膏发生分离，也不会沿周向与中心导体6发生相对转动。
综上所述，本发明提供的超小型化微波旋磁环行器结构，在带宽不降低的情况下缩小了微波旋磁环行器的体积尺寸，符合微波旋磁环行器微型化的发展趋势；中心导体与插针焊接并在插针上设置容锡槽，有效地提高了微波旋磁环行器的结构稳定性和导通稳定性。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种超小型化微波旋磁环行器，包括壳体和安装在壳体内部的从上至下依次设置的补偿片、第一磁铁、第一铁片、第一陶瓷环铁氧体、中心导体、第二陶瓷环铁氧体、第二铁片、第二磁铁和介质插芯；所述介质插芯包括连接座和设于所述连接座上的三个插针，所述中心导体呈Y字形，所述中心导体的三个脚部分别设有与所述插针相配合的通孔；所述第一陶瓷环铁氧体包括第一陶瓷环和套设于所述第一陶瓷环内的第一铁氧体，所述第二陶瓷环铁氧体包括第二陶瓷环和套设于所述第二陶瓷环内的第二铁氧体，其特征在于，所述第一陶瓷环铁氧体的介电常数与所述第二陶瓷环铁氧体的介电常数分别大于或等于30；所述第一铁氧体和第二铁氧体分别为BiCaVIG铁氧体；所述插针包括相连的伸入部和固定部，所述伸入部的直径小于所述固定部的直径，所述固定部固定在所述连接座上，所述插针与所述脚部在所述通孔处通过锡膏焊接，所述伸入部与所述固定部的连接处设有用于容纳部分所述锡膏的容锡槽，所述脚部的底面抵触所述固定部靠近所述伸入部一端的端面。
2.根据权利要求1所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述壳体包括底座和上盖，所述底座由底板和垂直连接于底板上部的三块侧板组成，所述侧板的上部设有凸块，所述上盖设有与每个侧板的所述凸块一一过盈配合的凹槽。
3.根据权利要求1所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述伸入部上还设有连通所述容锡槽的排气槽，所述容锡槽和所述排气槽分别环绕所述插针设置，所述排气槽位于所述容锡槽远离所述固定部的一侧。
4.根据权利要求3所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述容锡槽的截面呈半圆状。
5.根据权利要求4所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述容锡槽的截面的开口朝向与所述插针的中心轴垂直。
6.根据权利要求5所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述固定部靠近所述伸入部一端的端面和所述容锡槽相切。
7.根据权利要求4所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述排气槽的壁面与所述容锡槽的壁面相切。
8.根据权利要求4所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述固定部靠近所述伸入部的一端的端面设有台阶部，所述脚部至少部分的收容于所述台阶部内，位于所述台阶部内的所述脚部区域的顶面与所述容锡槽相切。
9.根据权利要求1所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述脚部上设有连通所述脚部的顶面与底面的多个穿孔，数量为多个的所述穿孔环绕所述插针均布。
10.根据权利要求9所述的超小型化微波旋磁环行器，其特征在于，所述固定部靠近所述伸入部的一端的端面上设有收容槽，所述穿孔连通所述收容槽。
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