CN112786674A - Oled阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。在一具体实施方式中，该OLED阵列基板包括衬底及驱动电路层、平坦化层和阳极，平坦化层包括平坦部及形成在像素单元边缘位置的向衬底方向凹陷的倾斜部，阳极包括在形成在倾斜部表面的第一阳极部及形成在平坦部的第二阳极部，第一阳极部与倾斜部的底部及顶部分别具有间隙，第二阳极部距倾斜部的顶部具有间隙。该实施方式可在增大视角的同时，避免出现膜层不均的情况，延长OLED阵列基板的使用寿命。

Description

OLED阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

与传统液晶显示面板相比，有机电致发光显示(Organic Electro-LuminanceDisplay，简称为：OLED)装置以其自发光的特征不需要单独的光源，可以被制得更轻更纤薄。另外，OLED显示装置由于其优异的颜色实现、响应速度、视角、对比度(ComputedRadiography，简称为：CR)，以及因低电压操作带来的低功耗优点，已被广泛应用显示技术领域。

目前，OLED显示装置因微腔效应，存在大视角下亮度和色度漂移的问题。现有技术中通常采用斜坡结构并在斜坡结构上沉积相应的膜层结构(如各种有机层及无机层)以增大视角，如图1所示，然而，在斜坡结构的坡底和坡顶的位置(即如图1中的圆圈位置)处所沉积的膜层结构膜质较差，进而严重影响OLED显示装置的使用寿命，不利于大规模量产。

发明内容

本申请的目的在于提供一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

为达到上述目的，本申请采用下述技术方案：

本申请第一方面提供一种OLED阵列基板，包括衬底及在所述衬底上层叠设置的驱动电路层、平坦化层和阳极，对应于OLED阵列基板的像素单元，平坦化层包括平坦部及形成在像素单元边缘位置的向所述衬底方向凹陷的倾斜部，所述阳极包括在形成在所述倾斜部表面的第一阳极部及形成在所述平坦部的第二阳极部，所述第一阳极部与所述倾斜部的底部及顶部分别具有间隙，所述第二阳极部距所述倾斜部的顶部具有间隙。

本申请第一方面提供的OLED阵列基板通过形成倾斜部、第一阳极部和第二阳极部，既使得像素单元所出射的光线朝向多个方向进行照射，增大装载有该OLED阵列基板的显示装置的视角，实现显示装置的广视角，进而使得不同角度观察到的光的强度和颜色更加均匀，改善显示效果；同时，该OLED阵列基板仅在第一阳极部和第二阳极部处进行载流子注入和传输并致发光，从而避开倾斜部不平坦的位置，避免位于倾斜部不平坦位置处的膜层膜质较差，容易导致黑点进而影响阵列基板的使用寿命的情况，保证OLED阵列基板的可靠性，延长其使用寿命；另外，倾斜部的结构简单，无需新增工艺，对现有的OLED阵列基板的制备工艺没有任何的影响，不会增加工艺的复杂度，更不会增加工艺改造所带来的改造成本，适于大规模量产，可实现高使用寿命、广视角的OLED显示装置的制备。

在一种可能的实现方式中，所述第一阳极部与所述第二阳极部通过形成在所述倾斜部的端部位置的第三阳极部连接。

在一种可能的实现方式中，所述OLED阵列基板还包括依次形成在所述阳极上的发光层和阴极，对应于OLED阵列基板的像素单元，所述发光层和/或阴极形成在所述第一阳极部及所述第二阳极部上。

该实现方式通过将发光层和/或阴极形成在第一阳极部和第二阳极部上，即发光层和/或阴极的制备避让倾斜部的端部位置，确保倾斜部的端部位置不存在发光层和/或阴极，即避免倾斜部的端部位置处膜层膜质较差，容易导致黑点进而影响阵列基板的使用寿命的情况，进一步保证OLED阵列基板的可靠性，延长其使用寿命，

在一种可能的实现方式中，所述第一阳极部与所述倾斜部的底部之间的间隙和第一阳极部与所述倾斜部的顶部之间的间隙长度相等。

在一种可能的实现方式中，所述倾斜部包括至少一个形成在像素单元第一边的边缘位置且沿像素单元的第一边方向延伸的第一倾斜部和至少一个形成在像素单元第二边的边缘位置且沿像素单元的第二边方向延伸的第二倾斜部，所述第一边与所述第二边相邻，所述第一倾斜部与所述第二倾斜部分别包括朝向像素单元内侧、外侧的两个相对的倾斜表面，所述第一阳极部形成在倾斜表面上。

该实现方式通过设置分别包括有两个相对倾斜表面的第一倾斜部和第二倾斜部，使得像素单元所出射的光线朝向四个方向进行照射，即对四个方位的斜视角度的出光直接进行补偿，从而增加显示装置的视角；另外，通过将第一倾斜部和第二倾斜部分开设置，可有效避免第一倾斜部和第二倾斜部的交接位置处可能存在的膜层平坦度较低的问题，进而保证第一倾斜部和第二倾斜部上的膜层的平坦度和膜质较高，不影响OLED阵列基板的使用寿命。

在一种可能的实现方式中，所述倾斜部包括第一倾斜部和与其连通的第二倾斜部。

在一种可能的实现方式中，所述倾斜部还包括至少一个形成在像素单元第三边的边缘位置且沿像素单元的第三边方向延伸的第三倾斜部，所述第三边与所述第二边相邻，所述第三倾斜部与所述第二倾斜部连通，所述第三倾斜部包括朝向像素单元内侧、外侧的两个相对的倾斜表面，所述第一阳极部形成在倾斜表面上。

该实现方式通过设置第三倾斜部，从而进一步增强OLED阵列基板的左右两侧的视角补偿，从而增加装载该OLED阵列基板的显示装置的左右侧视角补偿，适用于对左右侧视角有着更高要求的显示装置，扩大OLED阵列基板的应用范围。

在一种可能的实现方式中，所述倾斜部包括至少一个形成在像素单元第一边的边缘位置且沿像素单元的第一边方向由第一边一端延伸至第一边中心的第四倾斜部、至少一个形成在像素单元第一边的边缘位置且沿像素单元的第一边方向由第一边另一端延伸至第一边中心的第五倾斜部、至少一个沿像素单元的第二边方向由第一边中心延伸至第三边中心的第六倾斜部和至少一个沿像素单元的第二边方向由第一边中心延伸至第三边中心的第七倾斜部，所述第二边分别与所述第一边和所述第三边相邻，所述第四倾斜部与所述第六倾斜部连通，所述第五倾斜部与所述第七倾斜部连通，所述第四倾斜部、第五倾斜部、第六倾斜部和第七倾斜部分别包括朝向像素单元内侧、外侧的两个相对的倾斜表面，所述第一阳极部形成在倾斜表面上。

该实现方式通过设置第四倾斜部、第五倾斜部、第六倾斜部和第七倾斜部，同时对四个方位的斜视角度的出光直接进行补偿，使得对四周的视角补偿达到平衡，从而实现四周的视角扩大化。

在一种可能的实现方式中，所述倾斜部包括至少一个形成在像素单元边缘位置的环形的第八倾斜部，所述第八倾斜部包括朝向像素单元外侧的倾斜表面，所述第一阳极部形成在倾斜表面上。

该实现方式通过设置环形的第八倾斜部，从而对四周的视角都进行有效补偿，从而实现装载该OLED阵列基板的显示装置的四周的广视角。

本申请第二方面提供一种OLED显示面板，包括如本申请第一方面所提供的OLED阵列基板。

本申请第三方面提供一种OLED显示装置，包括如本申请第二方面所提供的OLED显示面板。

本申请第四方面提供一种如本申请第一方面所提供的OLED阵列基板的制备方法，包括：

在衬底上形成驱动电路层；

在驱动电路层上形成平坦化层，其中，对应于OLED阵列基板的像素单元，平坦化层包括平坦部及形成在像素单元边缘位置的倾斜部；

在平坦化层上形成阳极，其中，对应于OLED阵列基板的像素单元，所述阳极包括在形成在所述倾斜部上的第一阳极部及形成在所述平坦部上的第二阳极部，所述第一阳极部与所述倾斜部的底部及顶部分别具有间隙，所述第二阳极部距所述倾斜部的顶部具有间隙。

本申请的有益效果如下：

针对目前现有技术中存在的技术问题，本申请提供一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，该OLED阵列基板可使得像素单元所出射的光线朝向多个方向进行照射，增大装载有该OLED阵列基板的显示装置的视角，进而使得不同角度观察到的光的强度和颜色更加均匀，改善显示效果；在增大视角的同时，该OLED阵列基板仅在第一阳极部和第二阳极部处进行载流子注入和传输并致发光，从而避让倾斜部内不平坦的位置，避免位于倾斜部不平坦位置处的膜层膜质较差(如膜质不均匀)，容易导致黑点进而影响阵列基板的使用寿命的情况，保证OLED阵列基板的可靠性，延长其使用寿命；另外，倾斜部的结构简单，无需新增工艺，对现有的OLED阵列基板的制备工艺没有任何的影响，不会增加工艺的复杂度，更不会增加工艺改造所带来的改造成本，适于大规模量产，可实现高使用寿命、广视角的OLED显示装置的制备。

附图说明

下面结合附图对本申请的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出现有技术中的斜坡结构和膜层结构的结构截面图。

图2示出本申请的一个实施例中的平坦化层和阳极的结构截面图。

图3示出本申请的一个实施例中的倾斜部的结构俯视图。

图4示出装载有如图3所示的倾斜部的OLED阵列基板的像素单元的结构俯视图。

图5示出本申请的一个实施例中的倾斜部的结构俯视图。

图6示出装载有如图5所示的倾斜部的OLED阵列基板的像素单元的结构俯视图。

图7示出本申请的一个实施例中的倾斜部的结构俯视图。

图8示出装载有如图7所示的倾斜部的OLED阵列基板的像素单元的结构俯视图。

图9示出本申请的一个实施例中的倾斜部的结构俯视图。

图10示出装载有如图9所示的倾斜部的OLED阵列基板的像素单元的结构俯视图。

图11示出本申请的一个实施例中的倾斜部的结构俯视图。

图12示出装载有如图11所示的倾斜部的OLED阵列基板的像素单元的结构俯视图。

图13示出本申请的一个实施例中的OLED阵列基板的制备方法的流程图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本申请，下面结合实施例和附图对本申请做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本申请的保护范围。

本申请中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本申请的教导。

在本申请中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。

在本申请中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

需要说明的是，不管是顶发射式OLED显示器还是底发射式OLED显示器，都有不同程度的微腔效应，微腔效应主要是指不同能态的光子密度被重新分配，使得只有特定波长的光在符合共振腔模式后，得以在特定的角度射出。具体地，微腔效应是从电致发光层(Electro-Luminescence，简称为：EL)发射的光在特定层之间被反复选择性地反射，并以增加的光学强度透过第一电极层(如阴极)，由此提高最终输出光的亮度和色纯度。

在一个顶发射式OLED显示器的示例中，包括有靠近衬底基板的阳极以及远离衬底基板的阴极，其中，阳极采用全反射的金属材质，反射率很高，阴极通常采用半透光的金属材质，增加光的反射，从而在两电极之间形成多光子束的干涉，使得微腔效应更为明显，从而对发出的光线起到窄化和加强亮度的作用。但是微腔效应也会影响OLED显示装置的视角特性，主要是由于其电致发光层(EL)发射光的亮度会随着视角的增加而降低，使得OLED显示装置的视角较窄，光的主峰值波长也会变化从而导致色偏，即在大视角下的亮度及色度均会发生漂移。

为解决上述问题，现有技术中会在平坦化层101上形成斜坡结构102并在斜坡结构102上沉积相应的膜层结构(如各种有机层及无机层)以增大视角，如图1所示。其中，斜坡结构102的坡底和坡顶(即如图1中的圆圈位置)分别形成有一定角度，从而使得沉积在上面的阳极103由于平坦度较低，导致膜质较差，容易出现膜层裂纹而产生黑点。

可理解的是，OLED显示装置的使用寿命是现阶段的OLED显示技术的重要瓶颈之一，而OLED的膜层结构在膜质较差的位置处容易出现黑点(Growing dark spot，GDS)，黑点的根本原因是出现膜层裂纹(Crack)，在长期使用中或者高温信赖性试验中，会使裂纹发生恶化，即黑点会持续扩大，直至在后期导致膜层材料完全失效，引起显示装置报废的风险。由此可见，OLED显示装置对膜层结构的平坦度有着很高的要求。而如图1所示的斜坡结构102的坡顶和坡底的膜层膜质较差，容易出现黑点，从而极大地缩短OLED显示装置的使用寿命，不利于大规模量产。

为解决现有技术中存在的技术问题，本申请的实施例提供一种OLED阵列基板，如图2-12所示，包括衬底(图中未显示)及在衬底上层叠设置的驱动电路层(图中未显示)、平坦化层200和阳极。对应于OLED阵列基板的像素单元300，平坦化层200包括平坦部201及形成在像素单元300边缘位置的向衬底方向凹陷的倾斜部202，阳极包括在形成在倾斜部202表面的第一阳极部401及形成在平坦部201的第二阳极部402。在一个具体示例中，第一阳极部401呈条状结构，且第一阳极部401沿倾斜部202的延伸方向延伸。

在该实施例中，第一阳极部401与倾斜部202的底部及顶部分别具有间隙，第二阳极部402距倾斜部202的顶部具有间隙，也就是说，第一阳极部401的边沿未延伸至倾斜部202的底部和倾斜部的顶部，第二阳极部402的边沿没有延伸至倾斜部202的顶部，即第一阳极部401靠近倾斜部202的顶部的一侧与第二阳极部402靠近倾斜部202的顶部的一侧并未相连，倾斜部202的顶部和底部等形成有一定角度的位置处未覆盖第一阳极部401。

在如同2所示的示例中，平坦化层200的倾斜部202包括有朝向像素单元300内侧、外侧的两个相对的倾斜表面203，即如图2所示，一个倾斜表面203自左上向右下倾斜，另一个倾斜表面203自右上向左下倾斜，两个倾斜表面203呈“V”型设置，第一阳极部401形成在两个倾斜表面203上，两个第一阳极部401与倾斜部202的底部分别具有间隙，即两个第一阳极部401靠近倾斜部202的底部的一侧不相连，两个第一阳极部401均为平面，具有较高的平坦度。

在一个示例中，OLED显示面板可以是顶发射、底发射或双面发射型的显示面板。在另一个具体示例中，驱动电路层可包括有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层和源漏金属层以及与源漏金属层同层设置的信号线。在又一个具体的实施例中，阳极为全反射的金属材质，例如ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。

另外，本申请对倾斜部202的形状不作具体限定，只要能够保证形成在倾斜部202表面上的第一阳极部401为平面即可，作为本申请的一个具体实施方式，如图2所示，倾斜部202包括两个相对的倾斜表面203，第一阳极部401形成在倾斜表面203上；在另一个具体实施方式中，倾斜部也可包括相对的倾斜侧面和位于两个倾斜侧面的底面；在又一个具体实施方式中，倾斜部可包括单个倾斜表面，该倾斜表面朝向像素单元内侧倾斜或朝向像素单元的外侧倾斜，第一阳极部形成在单个倾斜表面上。

需要说明的是，OLED阵列基板作为电流型器件，其发光原理为：半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED阵列基板在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光，也就是说，OLED阵列基板的发光区域为阴极和阳极的重叠区域，而非重叠区域处载流子难以注入传输，因此，在非重叠区域处并没有电流通过，也就不会发光。这就意味着，如图2所示的结构中，倾斜部202的倾斜表面203上的第一阳极部401和位于平坦部201上的第二阳极部402处为与发光材料层和阴极层重叠的重叠区域，在该位置处有载流子注入和传输，从而有电流通过；而倾斜部202中未覆盖有第一阳极部的顶部和底部位置处(如图2中的圆圈处)为非重叠区域，倾斜部202顶部和底部位置处不会有电流通过，自然也就不会产生因膜层的膜质较差所容易导致的黑点，从而不会影响OLED阵列基板的使用寿命。

该实施例的OLED阵列基板通过形成倾斜部202、第一阳极部401和第二阳极部402，从而使得自像素单元300所出射的光线朝向多个方向进行照射，增大装载有该OLED阵列基板的显示装置的视角，实现显示装置的广视角，进而使得不同角度观察到的光的强度和颜色更加均匀，改善显示效果；同时该OLED阵列基板仅在第一阳极部401和第二阳极部402处进行载流子注入和传输并致发光，从而避开倾斜部202不平坦或形成角度的位置，避免位于倾斜部202不平坦位置处的膜层膜质较差，容易导致黑点进而影响阵列基板的使用寿命的情况，保证OLED阵列基板的可靠性，延长其使用寿命；另外，倾斜部202的结构简单，无需新增工艺，对现有的OLED阵列基板的制备工艺没有任何的影响，不会增加工艺的复杂度，更不会增加工艺改造所带来的改造成本，适于大规模量产，可实现高使用寿命、广视角的OLED显示装置的制备。

在一个具体示例中，倾斜部202的厚度为2.5μm，倾斜部202的倾斜角度为30°，则倾斜部202的倾斜表面203的长度为5μm，第一阳极部401的长度为3μm，从而可增大发光面积，同时还可防止每个倾斜表面203所出射的光线受到与其相对的倾斜表面203的阻挡，第一阳极部401的厚度以及宽度可根据工艺和实际需求进行调整，本申请对此不作进一步限制。

在一个具体的实施方式中，第一阳极部401与倾斜部202的底部之间的间隙和第一阳极部401与倾斜部202的顶部之间的间隙长度相等。在一个示例中，倾斜部202的厚度为2.5μm，倾斜部202的倾斜角度为30°，则倾斜部202的倾斜表面203的长度为5μm，第一阳极部401的长度为3μm，则第一阳极部401与倾斜部202的底部的间隙为1μm，第一阳极部401与倾斜部202的顶部的间隙为1μm。

在一个具体的实施方式中，第一阳极部401与第二阳极部402通过形成在倾斜部202的端部位置的第三阳极部403连接。如图4、6、8、10、12所示，第三阳极部403位于图中虚线框(虚线框内为后续制备各功能层如发光材料层、阴极、封装层等的区域)之外的阳极部分，第三阳极部403为连接有源开关的位置。在一个示例中，驱动电路层包括薄膜晶体管(TFT)，薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管或顶栅型薄膜晶体管，对此不作限定。第三阳极部403可通过过孔的方式与薄膜晶体管的源极或者漏极相连以实现连通，通过第三阳极部403，从而实现将第一阳极部401和第二阳极部402与薄膜晶体管连通。

在一个具体的实施方式中，OLED阵列基板还包括依次形成在阳极上的发光层和阴极，对应于OLED阵列基板的像素单元，发光层和/或阴极形成在第一阳极部401及第二阳极部402上，即第一阳极部401和第二阳极部402上与发光材料层和阴极层重叠，在该位置处有载流子注入和传输，从而有电流通过实现发光，而倾斜部202与平坦部201的连接处或倾斜部202的入口及出口位置处不平整，或形成角度，或存在落差，使得倾斜部202的端部位置处的平坦化较低，因此在第三阳极部403上去除(例如通过构图工艺刻蚀)发光层和/或阴极，即发光层和/或阴极的制备避让倾斜部202的端部位置，确保倾斜部202的端部位置(如倾斜部202与平坦部201的连接处、倾斜部202的入口及出口位置处)没有发光层和/或阴极，从而确保倾斜部202的端部位置(如倾斜部202与平坦部201的连接处、倾斜部202的入口及出口位置处)载流子难以注入传输，也就没有电流通过，进而避免倾斜部202的端部位置处的膜层膜质较差，容易导致黑点进而影响阵列基板的使用寿命的情况，进一步保证OLED阵列基板的可靠性，延长其使用寿命。

在一种具体的实施方式中，倾斜部202包括至少一个形成在像素单元300第一边的边缘位置且沿像素单元300的第一边方向延伸的第一倾斜部2021和至少一个形成在像素单元300第二边的边缘位置且沿像素单元300的第二边方向延伸的第二倾斜部2022，第一边与第二边相邻，第一倾斜部2021与第二倾斜部2022分别包括朝向像素单元300内侧、外侧的两个相对的倾斜表面203，第一阳极部401形成在倾斜表面203上。

在一个具体示例中，如图3-4所示，第一倾斜部2021形成在像素单元300的左侧边的边缘位置且沿像素单元300的左侧边的延伸方向(如竖直方向)延伸，第二倾斜部2022形成在像素单元300的上侧边的边缘位置且沿上侧边的延伸方向(如水平方向)延伸。其中，像素单元300的上侧边与左侧边垂直相交。第一倾斜部2021与第二倾斜部2022的结构均与图2所示的结构截面图相同，均包括朝向像素单元300内侧、外侧的两个相对的倾斜表面203。另外，为满足广视角的需求，在另一个具体示例中，该OLED阵列基板包括有形成在像素单元300的左侧边边缘位置的呈平行设置的两个第一倾斜部2021以及形成在像素单元300的上侧边边缘位置的第二倾斜部2022，也就是说，根据实际工作中对显示装置的视角的需求程度，可适当增加第一倾斜部2021和/或及第二倾斜部2022的数量。

该实施方式通过设置分别包括有两个相对倾斜表面203的第一倾斜部2021和第二倾斜部2022，使得自像素单元300所出射的光线朝向四个方向进行照射，即对四个方位的斜视角度的出光直接进行补偿，从而增加显示装置的视角。

在如图3-4所示的示例中，第一倾斜部2021和第二倾斜部2022分开设置，第一阳极部401和第二阳极部402通过位于如图4所示的像素单元300的左上端的第三阳极部403，即位于虚线框(虚线框内为后续制备各功能层如发光材料层、阴极、封装层等的区域)之外的部分连接，该示例可有效避免第一倾斜部2021和第二倾斜部2022的交接位置处可能存在的膜层平坦度较低的问题，进而保证第一倾斜部2021和第二倾斜部2022上的膜层的平坦度和膜质较高，不影响OLED阵列基板的使用寿命。

在又一个具体的实施方式中，如图5-6所示，倾斜部202包括第一倾斜部2021和与其连通的第二倾斜部2022，第一倾斜部2021和第二倾斜部2022整体呈倒“L”型，第一阳极部401和第二阳极部402通过位于如图6所示的像素单元300的下端的第三阳极部403，即位于虚线框(虚线框内为后续制备各功能层如发光材料层、阴极、封装层等的区域)之外的部分连接。该实施方式的第一倾斜部2021和第二倾斜部2022可通过同一构图工艺一次成型，简化制备工艺。

在一种具体的实施方式中，倾斜部202还包括至少一个形成在像素单元300第三边的边缘位置且沿像素单元300的第三边方向延伸的第三倾斜部2023，第三边与第二边相邻，第三倾斜部2023与第二倾斜部2022连通，第三倾斜部2023包括朝向像素单元300内侧、外侧的两个相对的倾斜表面203，第一阳极部401形成在倾斜表面203上。

在如图7-8所示的示例中，第三边为像素单元300的右侧边，第三倾斜部2023与第二倾斜部2022远离第一倾斜部2021的一端连通，第一倾斜部2021、第二倾斜部2022和第三倾斜部2023整体呈“冂”型，第三倾斜部2023的结构与图2所示的结构截面图相同，均包括朝向像素单元300内侧、外侧的两个相对的倾斜表面203。该实现方式通过对称设置的第一倾斜部2021和第三倾斜部2023，从而进一步增强OLED阵列基板的左右两侧的视角补偿，从而增加装载该OLED阵列基板的显示装置的左右侧视角补偿，适用于对左右侧视角有着更高要求的显示装置如电视显示器等，扩大OLED阵列基板的应用范围。

在一种具体的实施方式中，如图9-10所示，倾斜部202包括至少一个形成在像素单元300第一边(如右侧边)的边缘位置且沿像素单元300的第一边(如右侧边)方向由第一边一端(如右侧边的顶端)延伸至第一边中心(右侧边中心)的第四倾斜部2024、至少一个形成在像素单元300第一边(如右侧边)的边缘位置且沿像素单元300的第一边方向由第一边另一端(如右侧边的底端)延伸至第一边中心(右侧边中心)的第五倾斜部2025、至少一个沿像素单元300的第二边方向(如上侧边或下侧边的延伸方向)由第一边中心(如右侧边中心)延伸至第三边中心(如左侧边中心)的第六倾斜部2026和至少一个沿像素单元300的第二边方向(如上侧边或下侧边的延伸方向)由第一边中心(如右侧边中心)延伸至第三边中心(如左侧边中心)的第七倾斜部2027，第二边(如上侧边或下侧边)分别与第一边(如右侧边)和第三边(如左侧边)相邻，第四倾斜部2024与第六倾斜部2026连通，第五倾斜部2025与第七倾斜部2027连通，第四倾斜部2024与第六倾斜部2026整体呈“L”型，第五倾斜部2025与第七倾斜部2027整体呈倒“L”型，第四倾斜部2024与第五倾斜部2025以及第六倾斜部2026与第七倾斜部2027关于像素单元300右侧边的中心线对称。

在该实施方式中，第四倾斜部2024、第五倾斜部2025、第六倾斜部2026和第七倾斜部2027分别包括朝向像素单元300内侧、外侧的两个相对的倾斜表面203，即第四倾斜部204、第五倾斜部205、第六倾斜部2026和第七倾斜部2027的结构与图2所示的结构截面图相同，第一阳极部401分别形成在第四倾斜部2024、第五倾斜部2025、第六倾斜部2026和第七倾斜部2027的倾斜表面203上。其中，位于第四倾斜部2024、第五倾斜部2025、第六倾斜部2026和第七倾斜部2027上的第一阳极部401和位于平坦部201上的第二阳极部402通过位于如图10所述的像素单元300的左侧的第三阳极部403，即位于虚线框(虚线框内为后续制备各功能层如发光材料层、阴极、封装层等的区域)之外的部分连接。

该实施方式通过设置第四倾斜部2024、第五倾斜部2025、第六倾斜部2026和第七倾斜部2027，同时对四个方位的斜视角度的出光直接进行补偿，使得对四周的视角补偿达到平衡，从而实现四周的视角扩大化。

在一种具体的实施方式中，如11-12所示，倾斜部202包括至少一个形成在像素单元300边缘位置的环形的第八倾斜部2028，第八倾斜部2028环绕平坦部201设置，第八倾斜部2028包括朝向像素单元300外侧的倾斜表面203，即该倾斜表面203自靠近平坦部201的一侧向远离平坦部201的一侧向下倾斜，第一阳极部401形成在倾斜表面203上，第一阳极部401沿第八倾斜部2028的延伸方向环绕像素单元300的边缘，从而对四周的视角都进行有效补偿，从而实现装载该OLED阵列基板的显示装置的四周的广视角。其中，位于第八倾斜部2028上的第一阳极部401与位于平坦部201上的第二阳极部402通过位于如图12所示的像素单元300的左侧的第三阳极部403与薄膜晶体管的源漏极连通。可理解的是，第三阳极部403也可设置于如图12所示的像素单元300的下方或者为其他侧角落，该实施方式对此不作限定。

本申请的另一个实施方式提供一种如上述实施例所提供的OLED阵列基板的制备方法，如图13所示，该制备方法包括：

S101、在衬底上形成驱动电路层；

在OLED阵列基板为柔性阵列基板时，所提供的衬底可以为聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、热塑性聚酯(PET)等；当OLED阵列基板为刚性阵列基板时，衬底可以为玻璃、石英等刚性材料。

在一个具体示例中，形成驱动电路层包括如下步骤：

采用构图工艺在衬底上形成有源层，在有源层上通过沉积等方式形成栅绝缘层；在栅绝缘层上采用构图工艺形成栅极；在栅极上通过沉积等方式形成层间介电层；然后，刻蚀层间介电层以形成暴露有源层的过孔。

在层间介电层中的过孔形成后，形成源极和漏极以及与源极或漏极之一电连接的信号线。

其中，有源层可以采用多晶硅和金属氧化物等材料，栅绝缘层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，层间介电层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。栅极材料包括铝、钛、钴等金属或者合金材料。在制备时，首先采用溅射或者蒸镀等方式形成一层栅极材料层，然后对栅极材料层进行构图工艺，以形成图案化的栅极。本申请的实施例对各功能层的材料不做限定，各功能层的材料并不局限于上述示例。

S102、在驱动电路层上形成平坦化层200，其中，对应于OLED阵列基板的像素单元300，平坦化层200包括平坦部201及形成在像素单元300边缘位置的倾斜部202；

在一个具体示例中，步骤S102包括以下步骤：

沉积一层平坦化层材料，例如有机材料，厚度为1～3μm左右，以覆盖上述各膜层。在一个具体示例中，可通过气相热沉积的方法形成聚酰亚胺胶(PI)的平坦化层200。

在平坦化层200对应于OLED阵列基板的像素单元300的边缘位置形成倾斜部202。如上文中所述，本申请对倾斜部202的形状不作具体限定，只要能够保证形成在倾斜部202表面上的第一阳极部401为平面即可。在一个具体示例中，可通过掩膜板对平坦化层202进行曝光并显影以形成倾斜部202。在另一个具体示例中，可采用光刻刻蚀技术在平坦化层200上形成倾斜部202。

随后，利用构图工艺，对其进行图案化，在平坦化层200对应上述源极和漏极中的一个的位置形成用以与第三阳极部403连通的过孔。

S103、在平坦化层200上形成阳极，其中，对应于OLED阵列基板的像素单元300，阳极包括在形成在倾斜部202上的第一阳极部401及形成在平坦部201上的第二阳极部402，第一阳极部401与倾斜部202的底部及顶部分别具有间隙，第二阳极部402距倾斜部202的顶部具有间隙。

具体地，在平坦化层200上沉积OLED的阳极金属并图案化，刻蚀掉位于倾斜部202的底部和顶部的阳极金属，以形成在倾斜部202上的第一阳极部401、形成在平坦部201上的第二阳极部402以及形成在倾斜部202的端部位置的第三阳极部403，第一阳极部401和第二阳极部402通过第三阳极部403连通，第三阳极部403通过过孔与驱动电路层中的源极或漏极相连，以形成如图2所示的结构。在又一个具体的实施例中，阳极为全反射的金属材质，例如ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。

随后通过喷墨打印或者蒸镀等方式在第一阳极部401、第二阳极部402和第三阳极部403上形成发光层，其中发光层的材料为有机材料；

形成阴极，阴极例如在OLED阵列基板上整面形成，并将位于第三阳极部403上的发光层和/或阴极去除(例如通过构图工艺刻蚀)，确保倾斜部202的端部位置(如倾斜部202与平坦部201的连接处、倾斜部202的入口及出口位置处)没有发光层和/或阴极。

在一个具体示例中，阴极为半反射材料，可包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金，或者IZO、ZTO等金属氧化物，又或者PEDOT/PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。

随后在上述膜层上形成封装层。在形成无机封装层的示例中，可通过采用沉积等方式形成；在形成有机封装层的示例中，可采用喷墨打印的方式形成。

在一个示例中，无机封装层可采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成，有机封装层可以采用聚酰亚胺(PI)、环氧树脂等有机材料形成。

本申请的另一个实施例提供了一种OLED显示面板，包括如上述实施例中所提供的OLED阵列基板。

本申请的另一个实施例提供了一种OLED显示装置，包括如上述实施例中所提供的OLED显示面板。其中，显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

还需要说明的是，在本申请的描述中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

显然，本申请的上述实施例仅仅是为清楚地说明本申请所作的举例，而并非是对本申请的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本申请的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请的保护范围之列。

Claims (12)

1.一种OLED阵列基板，包括衬底及在所述衬底上层叠设置的驱动电路层、平坦化层和阳极，其特征在于，对应于OLED阵列基板的像素单元，平坦化层包括平坦部及形成在像素单元边缘位置的向所述衬底方向凹陷的倾斜部，所述阳极包括在形成在所述倾斜部表面的第一阳极部及形成在所述平坦部的第二阳极部，所述第一阳极部与所述倾斜部的底部及顶部分别具有间隙，所述第二阳极部距所述倾斜部的顶部具有间隙。

2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一阳极部与所述第二阳极部通过形成在所述倾斜部的端部位置的第三阳极部连接。

3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述OLED阵列基板还包括依次形成在所述阳极上的发光层和阴极，对应于OLED阵列基板的像素单元，所述发光层和/或阴极形成在所述第一阳极部及所述第二阳极部上。

4.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一阳极部与所述倾斜部的底部之间的间隙和第一阳极部与所述倾斜部的顶部之间的间隙长度相等。

5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述倾斜部包括至少一个形成在像素单元第一边的边缘位置且沿像素单元的第一边方向延伸的第一倾斜部和至少一个形成在像素单元第二边的边缘位置且沿像素单元的第二边方向延伸的第二倾斜部，所述第一边与所述第二边相邻，所述第一倾斜部与所述第二倾斜部分别包括朝向像素单元内侧、外侧的两个相对的倾斜表面，所述第一阳极部形成在倾斜表面上。

6.根据权利要求5所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述倾斜部包括第一倾斜部和与其连通的第二倾斜部。

7.根据权利要求6所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述倾斜部还包括至少一个形成在像素单元第三边的边缘位置且沿像素单元的第三边方向延伸的第三倾斜部，所述第三边与所述第二边相邻，所述第三倾斜部与所述第二倾斜部连通，所述第三倾斜部包括朝向像素单元内侧、外侧的两个相对的倾斜表面，所述第一阳极部形成在倾斜表面上。

8.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述倾斜部包括至少一个形成在像素单元第一边的边缘位置且沿像素单元的第一边方向由第一边一端延伸至第一边中心的第四倾斜部、至少一个形成在像素单元第一边的边缘位置且沿像素单元的第一边方向由第一边另一端延伸至第一边中心的第五倾斜部、至少一个沿像素单元的第二边方向由第一边中心延伸至第三边中心的第六倾斜部和至少一个沿像素单元的第二边方向由第一边中心延伸至第三边中心的第七倾斜部，所述第二边分别与所述第一边和所述第三边相邻，所述第四倾斜部与所述第六倾斜部连通，所述第五倾斜部与所述第七倾斜部连通，所述第四倾斜部、第五倾斜部、第六倾斜部和第七倾斜部分别包括朝向像素单元内侧、外侧的两个相对的倾斜表面，所述第一阳极部形成在倾斜表面上。

9.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述倾斜部包括至少一个形成在像素单元边缘位置的环形的第八倾斜部，所述第八倾斜部包括朝向像素单元外侧的倾斜表面，所述第一阳极部形成在倾斜表面上。

10.一种OLED显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的OLED阵列基板。

11.一种OLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的OLED显示面板。

12.一种如权利要求1-9中任一项所述的OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成驱动电路层；

在驱动电路层上形成平坦化层，其中，对应于OLED阵列基板的像素单元，平坦化层包括平坦部及形成在像素单元边缘位置的倾斜部；

在平坦化层上形成阳极，其中，对应于OLED阵列基板的像素单元，所述阳极包括在形成在所述倾斜部上的第一阳极部及形成在所述平坦部上的第二阳极部，所述第一阳极部与所述倾斜部的底部及顶部分别具有间隙，所述第二阳极部距所述倾斜部的顶部具有间隙。

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