CN112748615A - 阵列基板及阵列基板的修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种阵列基板及阵列基板的修复方法。本发明提供的阵列基板包括数据线、扫描线和遮光线，数据线和扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个像素区域内均设有像素电极，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线，遮光线与扫描线的延伸方向一致，且遮光线同时与扫描线和像素电极在阵列基板的厚度方向部分重叠；每个遮光线包括至少两个遮光段，至少两个遮光段沿遮光线的延伸方向间隔设置，以减小对阵列基板进行断线修补时切除的像素电极的面积，从而有效控制了漏光区域的面积，保证了显示面板的品质。

Description

阵列基板及阵列基板的修复方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的修复方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器等平面显示装置因具有体积薄、重量轻、画面质量优异、功耗低、寿命长、数字化和无辐射等优点在各种大、中、小的产品上得到广泛应用几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品。液晶显示面板的结构是由彩色滤光片基板、薄膜晶体管阵列基板以及配置于两基板间的液晶层所构成。目前在阵列基板的制作过程当中，由于生产工序复杂，受生产工艺及厂房环境因素的影响，阵列基板的中的配线，例如数据线、扫描线等经常会发生断线缺陷，导致在显示画面中产生黑线，严重影响画面显示质量，此时需要对阵列基板中发生断线的配线进行修复。

现有技术中，当数据线产生断线缺陷时，修复方法主要是在断线处的两侧形成金属修补线将断线的配线连接起来，通过在修补线外围形成一个修补区域，将金属修补线和像素电极断开，而由于修补线会与数据线连接，因此需要扩大修补区域的范围，同时由于像素区域的边缘设置有遮光线，在形成修补区域时修补设备需要形成的修补区域的边缘需要沿遮光线的边缘延伸。

然而，现有技术的修复方式会延长修复设备的行程距离降低修补效率，同时会导致像素区域的漏光面积增大，降低显示面板的品质。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及阵列基板的修复方法，在进行断线修复时，可以提高修复设备的修补效率，降低像素区域的漏光面积，保证显示面板的品质。

第一方面，本发明提供了一种阵列基板，该阵列基板包括数据线、扫描线和遮光线，数据线和扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个像素区域内均设有像素电极，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线，遮光线与扫描线的延伸方向一致，且遮光线与扫描线在阵列基板的厚度方向部分重叠，遮光线与像素电极在阵列基板的厚度方向部分重叠；

每个遮光线包括至少两个遮光段，至少两个遮光段沿遮光线的延伸方向间隔设置，以减小对阵列基板进行断线修补时切除的像素电极的面积。

作为一种可选的实施方式，每个像素区域内设置两个遮光线，两个遮光线位于像素区域的相对两侧，并沿扫描线的长度方向延伸。

作为一种可选的实施方式，遮光线包括第一遮光段和第二遮光段，第一遮光段的长度大于第二遮光段的长度。

作为一种可选的实施方式，遮光线和扫描线位于阵列基板的不同层。

第二方面，本申请提供另一种阵列基板，对上述的阵列基板进行了断线修补，该阵列基板包括数据线、扫描线和遮光线，数据线和扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个像素区域内均设有像素电极，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线，遮光线与扫描线的延伸方向一致，且遮光线与扫描线在阵列基板的厚度方向部分重叠，遮光线与像素电极在阵列基板的厚度方向部分重叠；

其中，数据线设置有修补线，修补线的两端连接在数据线上的断裂区域的两侧，以使断裂区域两侧的数据线通过修补线连接；像素电极包括切割形成的保留区域和修补区域，修补线位于修补区域，保留区域和修补区域分别与不同的遮光段部分重叠。

作为一种可选的实施方式，保留区域与第一遮光段部分重叠，修补区域与第二遮光段部分重叠。

作为一种可选的实施方式，修补线跨越相邻两个像素区域，修补线的两端与数据线连接，保留区域和修补区域的分割线的一端与第一遮光段和第二遮光段之间的间隙相对。

作为一种可选的实施方式，分割线的宽度小于第一遮光段和第二遮光段之间的间隙的宽度。

作为一种可选的实施方式，保留区域和修补区域的分割线边缘轮廓与修补线的形状相互匹配。

第三方面，本申请提供一种阵列基板的修复方法，包括：

在阵列基板中数据线的断线区域的两侧连接修补线，以使数据线的断线区域连通，其中，修补线经过像素电极，像素区域内设置有遮光线，遮光线同时与扫描线和像素电极在阵列基板的厚度方向部分重叠，且遮光线包括多个间隔设置的遮光段；

以遮光段之间的间隙为分割线边缘的一个端点，切割像素电极，以使像素电极的保留区域和修补线之间互不重叠。

在本申请中，通过修补线对断裂的数据线进行修复时，修补线会从像素电极的表面经过，同时修补线会与数据线连接，通过将像素电极切割成保留区域和修补区域，将保留区域与修补线分割开，从而保证像素电极的功能可以实现，由于本申请中将遮光线分成了至少两段，修补区域只需与其中一段相对设置即可以避免修补后显示面板产生辉点，不需要将沿遮光线长度方向的整个像素电极的边缘都剥离，因此一方面减少了在修补时修补设备的剥离像素电极的移动距离，从而提高了生产效率，另一方面，减小修补区域的面积，从而有效控制了漏光区域的面积，保证了显示面板的品质

除了上面所描述的本申请实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本申请提供的阵列基板及阵列基板的修复方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的阵列基板的配线断线修复后的结构示意图；

图2为图1中A-A方向的剖视图；

图3为图1中D位置的放大视图；

图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图6为图5中B-B方向的剖视图；

图7为图5中C-C方向的剖视图；

图8为本发明实施例提供的阵列基板的修复方法的流程图。

附图标记说明：

1-玻璃基板；2、12-数据线；121-断裂区域；3、13-扫描线；4、14-遮光线；141-第一遮光段；142-第二遮光段；5、15-像素电极；151-保留区域；152-修补区域；6a、16a-第一绝缘层；6b、16b-第二绝缘层；7、17-薄膜晶体管；8、18-修补线；9、19-分割线；10、20-存储电容线。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

首先，本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非旨在限制本发明的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其作出调整，以便适应具体的应用场合。

其次，需要说明的是，在本发明的描述中，术语“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示装置或构件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个构件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

随着显示技术的发展，液晶显示器等平面显示装置因具有体积薄、重量轻、画面质量优异、功耗低、寿命长、数字化和无辐射等优点在各种大、中、小的产品上得到广泛应用几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品。液晶显示面板的结构是由彩色滤光片基板、薄膜晶体管7阵列基板以及配置于两基板间的液晶层所构成。目前在阵列基板的制作过程当中，由于生产工序复杂，受生产工艺及厂房环境因素的影响，阵列基板的配线，例如数据线2、扫描线3等经常会发生断线缺陷，导致在显示画面中产生黑线，严重影响画面显示质量，此时需要对阵列基板中发生断线的配线进行修复。现有技术中，当数据线2产生断线缺陷时，修复方法主要是在断线处的两侧形成金属修补线8将断线的配线连接起来，通过在修补线8外围形成一个修补区域，将金属修补线8和像素电极5断开，而由于修补线8会与数据线2连接，因此需要扩大修补区域的范围，同时由于像素区域的边缘设置有遮光线4，在形成修补区域时修补设备需要形成的修补区域的边缘需要沿遮光线4的边缘延伸。

图1为现有技术中的阵列基板的配线断线修复后的结构示意图，图2为图1中A-A方向的剖视图，图3为图1中D位置的放大视图，如图1至图3所示，需要修复的配线为数据线2，而数据线2、扫描线3、遮光线4、存储电容线10以及薄膜晶体管7可以分别位于阵列基板的不同层，且层叠设置在玻璃基板1上，在扫描线3与遮光线4，以及遮光线4与像素电极5之间分别设置有第一绝缘层6a和第二绝缘层6b。在修复数据线2时，首先在存在缺陷的位置的两侧上方使用激光打出修复通孔，使得待修复的数据线2暴露在阵列基板的表面，然后用激光化学沉积的方法进行修复，形成金属修补线8，金属修补线8的两端分别通过修复通孔与数据线2电连接，从而使缺陷两侧的数据线2导通，其后，再通过激光在金属修补线8的外围剥除像素电极5，形成分割线9，使金属修补线8和分割线9另一侧的像素电极5断开，避免被修复的数据线2与像素电极5电连接。

由于遮光线4与像素电极5在阵列基板的厚度方向上存在部分重叠，因此遮光线4位置在阵列基板表面会存在台阶结构，而像素电极5的边缘会覆盖该台阶结构，为了使分割线9可以将修补线8所在像素区域与保留的像素电极5完全分隔开，需要避免像素电极5的边缘存在残余的电极材料存留，因此需要将像素电极5沿遮光线4长度方向的边缘电极材料全部剥离。

因此，现有技术的修复方式会延长修复设备的行程距离降低修补效率，同时会导致像素区域的漏光面积增大，降低显示面板的品质。

为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、修补后阵列基板、数据线断线的修复方法，在进行断线修复时，可以提高修复设备的修补效率，降低像素区域的漏光面积，保证显示面板的品质。

图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图，如图4所示，本实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括数据线12、扫描线13和遮光线14，数据线12和扫描线13纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个像素区域内均设有像素电极15，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线14，遮光线14与扫描线13的延伸方向一致，且遮光线14与扫描线13在阵列基板的厚度方向部分重叠，遮光线14与像素电极15在阵列基板的厚度方向部分重叠，从而避免像素区域的边缘漏光。

其中，每个遮光线14包括至少两个遮光段，至少两个遮光段沿遮光线14的延伸方向间隔设置，以减小对阵列基板进行断线修补时切除的像素电极15的面积，从而保证显示面板的显示品质。

可选的，遮光段可以包括第一遮光段141和第二遮光段142，第一遮光段141与第二遮光段142沿同一方向延伸，即都是沿扫描线13的长度方向延伸。

需要说明的是，当数据线12出现断线时，需要通过金属修补线18将数据线12的断裂区域两边连接起来，下面将对阵列基板修复和的结构以及修补过程中间隔设置的遮光段所起到的具体作用进行详细说明。

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，图6为图5中B-B方向的剖视图，图7为图5中C-C方向的剖视图，如图5至图7所示，本实施例还提供一种阵列基板，该阵列基板与上述的阵列基板具有相同的基础结构，在此不再赘述。

具体的，当像素区域一侧的数据线12发生断裂时，即图5中的断裂区域121，需要对数据线12设置进行修补线18进行修补，修补线18的两端连接在数据线12上的断裂区域121的两侧，以使断裂区域121两侧的数据线12通过修补线18连接，而像素电极15包括切割形成的保留区域151和修补区域152，修补线18位于修补区域152，以使修补线18与保留区域151分隔开，避免数据线12与像素电极15的保留区域151电连接，每个遮光线14包括至少两个遮光段，保留区域151和修补区域152分别与不同的遮光段部分重叠。

需要说明的是，本申请提供的阵列基板在通过修补线18对断裂的数据线12进行修复时，修补线18会从像素电极15的表面经过，同时修补线18会与数据线12连接，通过将像素电极15切割成保留区域151和修补区域152，将保留区域151与修补线18分割开，从而可以保证像素电极15的功能能够实现，具体的，是通过将保留区域151和修补区域152之间的像素电极15的材料剥离而形成一道分割线19。

此外，由于本申请中将遮光线14分成了至少两段，在分成的两端遮光线14之间不会存在台阶结构，因此在通过激光对电极材料进行剥离时，不会存在电极材料的残留，因此修补区域152只需与其中一段相对设置即可以避免修补后显示面板产生辉点，不需要将沿遮光线14长度方向的整个像素电极15的边缘都剥离，从而一方面减少了在修补时修补设备的剥离像素电极15的移动距离，提高了生产效率，另一方面，减小修补区域152的面积，从而有效控制了漏光区域的面积，保证了显示面板的品质。

作为一种可选的实施方式，本实施例提供的阵列基板中，遮光段可以包括第一遮光段141和第二遮光段142，保留区域151可以与第一遮光段141部分重叠，修补区域152可以与第二遮光段142部分重叠，而第一遮光段141与第二遮光段142沿扫描线13的延伸方向间隔设置，从而可以保证保留区域151和修补区域152在分割剥离时，可以完全分隔开，避免出现辉点现象。

具体的，第一遮光段141与第二遮光段142沿同一方向延伸，即都是沿扫描线13的长度方向延伸，而由于第一遮光段141和第二遮光段142之间的间隙位置不存在配线，因此在阵列基板的厚度方向上，在第一遮光段141和第二遮光段142之间不会形成凸起的台阶结构，从而在将保留区域151和修补区域152之间的电极材料剥离时，在第一遮光段141和第二遮光段142之间不会存在电极材料的残留，从而与第一遮光段141对应的保留区域151和与第二遮光段142对应的修补区域152之间可以实现完全隔离，避免修补线18与保留区域151存在电连接。

作为一种可选的实施方式，在本申请提供的阵列基板上方还可以设置遮光件，该遮光件与第一遮光段141和第二遮光段142之间的间隙相对设置，从而在阵列基板的厚度方向上，遮光件可以挡住第一遮光段141和第二遮光段142之间的间隙，从而避免产生漏光现象。

具体的，遮光件的宽度可以大于第一遮光段141和第二遮光段142之间的间隙，且遮光件在阵列基板的厚度方向上位于该间隙的上方，从而避免在非发光区域产生漏光。

可选的，遮光件可以设置在与阵列基板相对的彩膜基板上，本实施例对遮光件具体的面积大小、材质及安装方式不做具体限定。

作为一种可选的实施方式，本申请提供的阵列基板中，第一遮光段141的长度大于第二遮光段142的长度，由于第二遮光段142与修补区域152相对，在剥离修补区域152和保留区域151之间的电极材料时，可以有效降低修补时修补区域152的面积，从而有效控制漏光区域的面积。

具体的，修补设备在进行电极材料剥离时，只需将像素电极15分割成两个区域，剥离的区域达到像素电极15的边缘即可，不需要沿遮光线14的长度方向将像素电极15与遮光线14的重叠部分全部剥离，从而在本实施例中，修补设备在进行修补时具有较高的工作效率。

可选的，保留区域151和修补区域152的分割线19边缘轮廓与修补线18的形状相互匹配，即在进行剥离修补区域152与保留区域151之间的电极材料时，剥离的分割线19的延伸方向与修补线18的延伸方向一致，从而可以最大限度的减小修补区域152的面积，保证显示面板的品质。

作为一种可选的实施方式，本申请提供的阵列基板中，修补线18可以跨越相邻两个像素区域，修补线18的两端与数据线12连接，保留区域151和修补区域152的分割线19的一端与第一遮光段141和第二遮光段142之间的间隙相对，且分割线19的宽度可以小于第一遮光段141和第二遮光段142之间的间隙的宽度，从而可以使得保留区域151和修补区域152之间的像素电极15材料完全剥离，避免残留影响显示性能。

具体的，第一遮光段141与第二遮光段142之间的间隙没有遮光线14存在，因此在阵列基板的表面与两者之间的间隙相对的位置为平面，从而可以保证修补设备在剥离相应的电极材料，移动至第一遮光段141与第二遮光段142之间时，可以将第一遮光段141与第二遮光段142之间的电极材料完全剥离，即图4中所示的剥离电极材料，而相应的保留区域151与修补区域152之间不会存在电连接。

可选的，遮光线14和扫描线13可以位于阵列基板的不同层，从而便于阵列基板的制程工艺通过逐层沉积形成相应的层结构。此外，遮光线14可以和数据线12设置在阵列基板的同一层，且在形成数据线12的同时形成遮光线14，因此遮光线14与数据线12同样为金属线，而数据线12和扫描线13的形成工艺均为现有技术，在此不做赘述。

示例性的，扫描线13位于玻璃基板1的上方，扫描线13的上方沉积有第一绝缘层16a，遮光线14设置在第一绝缘层16a上方，而在遮光线14上方还沉积有第二绝缘层16b，像素电极15沉积在第二绝缘层16b的上方。

需要说明的是，阵列基板还包括薄膜晶体管17，且薄膜晶体管17以及不同配线层之间均可以设置有绝缘层，像素电极15位于阵列基板的表面，遮光线14可以位于扫描线13所在配线层的上层结构中，阵列基板的具体层结构以及形成工艺均为现有技术，在此不做赘述，本实施例对遮光线14的具体设置的层位置不做限定。

作为一种可选的实施方式，本申请提供的阵列基板还可以包括存储电容线20，储存电容线与像素电极15在阵列基板的厚度方向具有重叠部分。

具体的，存储电容线20包括第一延伸段和两个第二延伸段，两个第二延伸段位于像素电极15的两侧，并沿数据线12的长度方向延伸，第一延伸段的两端分别与两个第一延伸段连接，从而形成存储电容。

此外，本实施例还提供一种阵列基板的修复方法，图8为本发明实施例提供的阵列基板的修复方法的流程图，如图8所示，该阵列基板的修复方法包括：

S101、当阵列基板中数据线发生断线时，在数据线的断线区域的两侧连接修补线，以使数据线的断线区域连通，其中，修补线经过像素电极，像素区域内设置有遮光线，遮光线同时与扫描线和像素电极在阵列基板的厚度方向部分重叠，且遮光线包括多个间隔设置的遮光段。

具体的，在数据线的断线区域的两侧的上方位置，通过激光形成两个连通孔，使得断线区域两侧的数据线露出，在数据线的断线区域的两侧利用激光化学气相沉积形成可导电的金属线。

所形成的金属线穿过连通孔与断线区域两侧的数据线分别连接，从而将断线区域两侧的配线重新连通，金属线位于阵列基板的表面，即在形成金属线的过程中，金属线会经过像素电极所在的区域。

S102、以遮光段之间的间隙为分割线边缘的一个端点，切割像素电极，以使像素电极的保留区域和修补线之间互不重叠。

本实施例提供一种阵列基板及阵列基板的修复方法，阵列基板包括数据线、扫描线和遮光线，数据线和扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个像素区域内均设有像素电极，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线，遮光线与扫描线的延伸方向一致，且遮光线同时与扫描线和像素电极在阵列基板的厚度方向部分重叠；每个遮光线包括至少两个遮光段，至少两个遮光段沿遮光线的延伸方向间隔设置，以减小对阵列基板进行断线修补时切除的像素电极的面积，在通过修补线对断裂的数据线进行修复时，修补线会从像素电极的表面经过，同时修补线会与数据线连接，通过将像素电极切割成保留区域和修补区域，将保留区域与修补线分割开，从而保证像素电极的功能可以实现，由于本申请中将遮光线分成了至少两段，修补区域只需与其中一段相对设置即可以避免修补后显示面板产生辉点，不需要将沿遮光线长度方向的整个像素电极的边缘都剥离，因此一方面减少了在修补时修补设备的剥离像素电极的移动距离，从而提高了生产效率，另一方面，减小修补区域的面积，从而有效控制了漏光区域的面积，保证了显示面板的品质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括数据线、扫描线和遮光线，所述数据线和所述扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个所述像素区域内均设有像素电极，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线，所述遮光线与所述扫描线的延伸方向一致，且所述遮光线与所述扫描线在所述阵列基板的厚度方向部分重叠，所述遮光线与所述像素电极在所述阵列基板的厚度方向部分重叠；

每个所述遮光线包括至少两个遮光段，所述至少两个遮光段沿所述遮光线的延伸方向间隔设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素区域内设置两个所述遮光线，两个所述遮光线位于所述像素区域的相对两侧，并沿所述扫描线的长度方向延伸。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光线包括第一遮光段和第二遮光段，所述第一遮光段的长度大于所述第二遮光段的长度，所述第二遮光段位于修补时的修补区域。

4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光线和所述扫描线位于所述阵列基板的不同层。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括数据线、扫描线和遮光线，所述数据线和所述扫描线纵横交错排布并限定出多个像素区域，每个所述像素区域内均设有像素电极，且每个像素区域内均设置有至少一个遮光线，所述遮光线与所述扫描线的延伸方向一致，且所述遮光线与所述扫描线在所述阵列基板的厚度方向部分重叠，所述遮光线与所述像素电极在所述阵列基板的厚度方向部分重叠；每个所述遮光线包括至少两个遮光段，所述至少两个遮光段沿所述遮光线的延伸方向间隔设置；

其中，所述数据线设置有修补线，所述修补线的两端连接在所述数据线上的断裂区域的两侧，以使所述断裂区域两侧的所述数据线通过所述修补线连接；所述像素电极包括切割形成的保留区域和修补区域，所述修补线位于所述修补区域，所述保留区域和所述修补区域分别与不同的遮光段部分重叠。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光线包括第一遮光段和第二遮光段，所述保留区域与所述第一遮光段部分重叠，所述修补区域与所述第二遮光段部分重叠。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述修补线跨越相邻两个所述像素区域，所述修补线的两端与所述数据线连接，所述保留区域和所述修补区域的分割线的一端与所述第一遮光段和所述第二遮光段之间的间隙相对。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述分割线的宽度小于所述第一遮光段和所述第二遮光段之间的间隙的宽度。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述保留区域和所述修补区域的分割线边缘轮廓与所述修补线的形状相互匹配。

10.一种阵列基板的修复方法，其特征在于，包括：

在所述阵列基板中数据线的断线区域的两侧连接修补线，以使所述断线区域连通，其中，所述修补线经过像素电极，像素区域内设置有遮光线，所述遮光线与扫描线在所述阵列基板的厚度方向部分重叠，所述遮光线与所述像素电极在所述阵列基板的厚度方向部分重叠，且所述遮光线包括多个间隔设置的遮光段；

切割所述像素电极，以使所述像素电极的保留区域和所述修补线之间互不重叠，其中，所述像素电极的切割线经过所述遮光段之间的间隙。

Images