CN111638616A - 显示基板及其制作方法、显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板及其制作方法和显示面板及其制作方法。该显示基板包括：衬底基板、连接电极、导电封框胶和位于不同层中的多个过孔。连接电极设置于所述衬底基板上；导电封框胶位于所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧，且通过位于不同层中的多个过孔与所述连接电极电连接；在垂直于所述衬底基板方向上，所述多个过孔彼此至少部分不重叠。该显示基板将导电封框胶通过分别位于不同层中的多个深度较小的过孔与连接电极电连接，能够改善或避免上述由于过孔的深度太大而造成的在显示面板中形成气泡问题，提高显示效果。

Description

显示基板及其制作方法、显示面板及其制作方法
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种显示基板及其制作方法和显示面板及其制作方法。
背景技术
显示面板的轻薄化、窄边框化日益成为趋势。显示面板的框胶通常设置于显示区外侧的非显示区内，非显示区内通常包括布线区域，在布线区域设置有走线，例如测试走线、为显示电极提供电压信号的走线等。框胶与布线区域重叠设置有利于减小非显示区占用的面积，从而减小边框。例如，该显示面板为TN型液晶显示面板，通常，下基板设置有供电电路，布线区的走线也位于下基板以便与供电电路连接，位于液晶显示面板的上基板的显示电极需要通过布线区域的走线与供电电路连接，框胶位于上基板和下基板之间以起到粘结作用。然而，在框胶与布线区域重叠的情况下，上基板上的显示电极需要通过框胶与下基板上的电线电连接。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括衬底基板、连接电极和导电封框胶。连接电极设置于所述衬底基板上；导电封框胶位于所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧，且通过位于不同层中的多个过孔与所述连接电极电连接；在垂直于所述衬底基板方向上，所述多个过孔彼此至少部分不重叠。
例如，本公开一实施例提供的显示基板中，所述多个过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔在垂直于所述衬底基板方向上彼此至少部分不重叠；所述显示基板还包括：第一绝缘层、跨接电极和第二绝缘层。第一绝缘层位于所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧，所述第一过孔位于所述第一绝缘层中且暴露至少部分所述连接电极；跨接电极通过所述第一过孔与所述连接电极电连接；第二绝缘层位于所述跨接电极的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第二过孔位于所述第二绝缘层中且暴露至少部分所述跨接电极；所述导电封框胶通过所述第二过孔与所述跨接电极电连接。
例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括辅助电极，辅助电极的至少部分位于所述第二过孔中且连接所述导电封框胶与所述跨接电极。
例如，本公开一实施例提供的显示基板中，所述辅助电极包括位于所述第二过孔外的第一部分和位于所述第二过孔中的第二部分，所述辅助电极的第一部分与所述导电封框胶接触；所述辅助电极的第二部分位于所述导电封框胶与所述跨接电极之间且将所述跨接电极与所述导电封框胶间隔开，或者，所述辅助电极的第二部分暴露部分所述跨接电极且与所述跨接电极接触，所述导电封框胶通过所述第二过孔与所述跨接电极接触。
例如，本公开一实施例提供的显示基板中，所述连接电极包括多条相互交叉的连接电极线，所述连接电极的平面形状为网格状；所述显示基板包括多个所述第一过孔、多个所述第二过孔和多个所述跨接电极，所述多个跨接电极彼此间隔排布。
例如，本公开一实施例提供的显示基板中，所述跨接电极包括多条相互交叉的跨接电极线，所述跨接电极的平面形状为网格状；所述连接电极的个数和所述第一过孔的个数均为至少一个，所述第二过孔的个数为多个。
例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括：薄膜晶体管，包括源极和漏极。所述跨接电极与所述源极和所述漏极由相同材料形成且同层设置。
例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括：薄膜晶体管，包括栅极。所述连接电极与所述栅极由相同材料形成且同层设置。
例如，本公开一实施例提供的显示基板包括电路板，所述连接电极与所述电路板电连接。
例如，本公开一实施例提供的显示基板中，所述导电封框胶的材料包括导电粒子。
例如，本公开一实施例提供的显示基板包括显示区和位于显示区周围的非显示区；所述连接电极、所述导电封框胶、所述跨接电极和所述辅助电极位于所述非显示区内。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，包括本公开实施例提供的任意一种显示基板以及与所述显示基板彼此相对的对置基板；所述对置基板上设置有显示电极，所述显示电极与所述导电封框胶电连接。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述显示电极为公共电极，所述连接电极配置为给所述公共电极提供公共电压信号。
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成连接电极；在所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧形成导电封框胶，其中，所述导电封框胶通过位于不同层中的多个过孔与所述连接电极电连接；在垂直于所述衬底基板方向上，所述多个过孔彼此至少部分不重叠。
例如，本公开一实施例提供的显示基板的制作方法包括：在所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层中形成第一过孔，其中，所述第一过孔暴露至少部分所述连接电极；形成跨接电极，其中，所述跨接电极通过所述第一过孔与所述连接电极电连接；在所述跨接电极的远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层中形成第二过孔，其中，所述第二过孔暴露至少部分所述跨接电极，所述导电封框胶通过所述第二过孔与所述跨接电极电连接；所述第一过孔和所述第二过孔在垂直于所述衬底基板的方向上彼此至少部分不重叠。
例如，本公开一实施例提供的显示基板的制作方法还包括：形成薄膜晶体管，包括形成源极和漏极；通过对同一膜层进行一次构图工艺形成所述跨接电极、所述源极和所述漏极。
例如，本公开一实施例提供的显示基板的制作方法还包括：形成薄膜晶体管，包括形成栅极；通过对同一膜层进行一次构图工艺形成所述连接电极和所述栅极。
例如，本公开一实施例提供的显示基板的制作方法还包括：形成辅助电极，其中，所述辅助电极的至少部分位于所述第二过孔中且连接所述导电封框胶与所述跨接电极。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括利用本公开实施例提供的任意一种显示基板的制作方法得到所述显示基板以及形成与所述显示基板彼此相对设置的对置基板；其中，所述对置基板上设置有显示电极，所述显示电极与所述导电封框胶电连接。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种显示基板的布线区的剖面示意图；
图2为本公开一实施例提供的一种显示基板的平面示意图；
图3为图2所示的显示基板的布线区的一种局部平面示意图；
图4A为沿图3中的A-A’线的一种剖面示意图；
图4B为沿图3中的A-A’线的另一种剖面示意图；
图4C为沿图3中的A-A’线的又一种剖面示意图；
图4D为图2所示的显示基板的布线区的另一种局部平面示意图；
图4E为沿图4D中的H-H’线的一种剖面示意图；
图5为图2所示的显示基板的布线区的又一种局部平面示意图；
图6为沿图5中的B-B’线的一种剖面示意图；
图7为本公开一实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图8A-图8G为本公开一实施例提供的一种显示基板的制作方法示意图；
图9A-图9B为本公开一实施例提供的另一种显示基板的制作方法示意图；
图10A-图10B为本公开一实施例提供的又一种显示基板的制作方法示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开中的附图并不是严格按实际比例绘制，显示基板中第一过孔、第二过孔、连接电极或跨接电极的个数也不是限定为图中所示的数量，各个结构的具体地尺寸和数量可根据实际需要进行确定。本公开中所描述的附图仅是结构示意图。
需要说明的是，本公开实施例中，过孔的深度是指过孔的在垂直于衬底基板方向上的深度。本公开实施例中，A结构和B结构“同层设置”是指：A结构和B结构的材料相同且通过对同一膜层进行同一构图工艺形成，A结构到衬底基板的距离与B结构距离衬底基板的距离可以相同，也可以不同。例如，A结构为连接电极，B结构为薄膜晶体管的栅极；例如，A结构为跨接电极，B结构为薄膜晶体管的源极和漏极；例如，A结构为辅助电极，B结构为像素电极。
图1为一种显示基板的布线区的剖面示意图。如图1所示，该显示基板包括衬底基板100，衬底基板100的布线区内设置有连接导线200，位于连接导线200上的第一绝缘层400和位于第一绝缘层400上的第二绝缘层600。该显示基板包括位于第一绝缘层400和第二绝缘层600中的过孔700，过孔700暴露部分连接导线200。在该布线区内，还设置有框胶300。框胶300通过过孔700与连接导线200连接。框胶300是导电的，从而框胶300与连接导线200电连接。如果框胶300上方设置有与其电连接显示用的电极，则能够通过框胶300将连接导线200与该显示用的电极电连接，从而将电压信号经由连接导线200传输给该显示用的电极，实现显示功能。但是，如果第一绝缘层400和第二绝缘层600的厚度太大，则过孔700的深度会比较大。此时，过孔700形成的段差容易使得在涂覆和固化框胶300之后，框胶300不能有效地黏附于过孔700的内壁。这种情况一方面会使框胶300的整体黏附性变差，同时也会使框胶300位于过孔700内的部分的下方出现一定的空隙，该空隙中有气体残留。如此，例如利用该显示基板制作得到液晶显示面板后，在液晶显示面板进行高压加速老化寿命试验(Pressure Cooker Test，简称PCT)测试过程中，液晶显示面板外部的气体容易通过框胶300与液晶显示面板的上基板和下基板之间的缝隙进入液晶盒内，在高温条件下，产生气泡，造成显示不良。过孔700内残留的气体也会通过框胶300的材料的孔隙或经过缝隙进入液晶盒内，从而形成气泡，进一步加重显示不良。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板、连接电极、导电封框胶和位于不同层中的多个过孔。连接电极设置于所述衬底基板上；导电封框胶位于所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧，且通过位于不同层中的多个过孔与所述连接电极电连接；在垂直于所述衬底基板方向上，所述多个过孔彼此至少部分不重叠。
示例性地，图2为本公开一实施例提供的一种显示基板的平面示意图。如图2所示，显示基板10包括显示区101和位于显示区周围的非显示区102。非显示区102包括布线区，在布线区设置有导线等信号传导部件，例如用于显示基板测试的走线、为显示电极提供电压信号的走线等。本公开实施例中的连接电极、导电封框胶、所述跨接电极和所述辅助电极位于所述非显示区内，例如位于布线区内。布线区为非显示区102中的至少一部分区域。
图3为图2所示的显示基板的布线区的一种局部平面示意图，图4A为沿图3中的A-A’线的一种剖面示意图。如图3和图4A所示，显示基板10包括：衬底基板1、连接电极2和导电封框胶3。连接电极2设置于衬底基板1上。例如，上述多个过孔包括第一过孔71和第二过孔72，第一过孔71和第二过孔72分别位于不同层中。导电封框胶3位于连接电极2的远离衬底基板1的一侧，且通过第一过孔71和第二过孔72与连接电极2电连接。从而，如果导电封框胶3上方设置有与其电连接显示用的电极，则能够通过导电封框胶3将连接电极2与该显示用的电极电连接，从而将用于显示的电压信号经由连接电极2传输给该显示用的电极，实现显示功能。在垂直于衬底基板1的方向上，第一过孔71和第二过孔72彼此不重叠，以使得第一过孔71和第二过孔72的深度在垂直于衬底基板1的方向上不会叠加。如此，与将导电封框胶3通过穿过多个层的一个较深的过孔与连接电极2连接的情况相比，分别位于不同层中的多个过孔中的每个的深度较小，从而能够改善或避免上述由于过孔的深度太大而造成的气泡问题，提高显示效果。同时，有利于提高导电封框胶粘合的牢固性，提高显示基板的稳定性。
如图4A所示，例如，显示基板10还包括第一绝缘层4、跨接电极5和第二绝缘层6。第一绝缘层4位于连接电极2的远离衬底基板1的一侧。第一过孔71位于第一绝缘层4中且暴露部分连接电极2。跨接电极5通过第一过孔71与连接电极5电连接。第二绝缘层6位于跨接电极5的远离衬底基板1的一侧，第二过孔72位于第二绝缘层6中且暴露至少部分跨接电极5。导电封框胶3通过第二过孔72与跨接电极5电连接，从而实现导电封框胶3与连接电极2电连接。第一过孔71和第二过孔72分别位于第一绝缘层4和第二绝缘层6中，即使第一绝缘层4和第二绝缘层6的厚度较大时，第一过孔71和第二过孔72分别只贯穿一个层，所以其深度在预定范围内，深度不会过大，从而能够改善或避免上述气泡问题。
例如，连接电极2的材料为金属材料，例如铜、铝、铜合金、铝合金等。例如，显示基板10还包括薄膜晶体管(图未示出)，薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极。例如，薄膜晶体管为像素晶体管或驱动晶体管，至少部分薄膜晶体管设置于显示区。例如，连接电极2与薄膜晶体管的栅极由相同材料形成且同层设置，以使得在显示基板10的制作过程中，可以对同一层进行一次构图而形成薄膜晶体管的栅极和连接电极2，从而简化显示基板的制作工艺。
例如，跨接电极5与薄膜晶体管的源极和漏极由相同材料形成且同层设置，以使得在显示基板10的制作过程中，可以对同一层进行一次构图而形成薄膜晶体管的源极、漏极和跨接电极5，从而进一步简化显示基板的制作工艺。
例如，如图3所示，连接电极2包括多条相互交叉的连接电极线，连接电极2的平面形状为网格状。多条相互交叉的连接电极线的平面形状包括沿第一方向延伸的多个第一条形21和沿第二方向延伸的多个第一条形21，例如第一方向垂直于第二方向。多个第一条形21与多个第一条形21交叉形成网格状。当导电封框胶3包括紫外光(UV)固化材料时，由于在垂直于衬底基板1的方向上，导电封框胶3与布线区重叠，因此，在固化导电封框胶3的过程中，往往需要使紫外光透过布线区而照射到导电封框胶3。网格状的连接电极2有利于保证布线区具有一定的透光率，有利于提高导电封框胶3的固化效率。
如图3所示，例如，显示基板包括多个第一过孔71、多个第二过孔72和多个跨接电极5。该多个跨接电极5彼此间隔排布。从而，连接电极2在多个位置与导电封框胶3连接，将导电封框胶3划分为多个在平行于衬底基板方向上排列的部分，当在导电封框胶3上方设置显示电极并将导电封框胶3与该显示电极电连接而形成回路后，来自供电电路的电压信号经由连接电极2、跨接电极5和导电封框胶3传导至该显示电极，相当于导电封框胶3的所述多个部分形成多个彼此并联的电阻，有利于减小信号从导电封框胶3的靠近衬底基板1的一端传输至导电封框胶3的远离衬底基板1的一端的电路的电阻，从而减小信号延迟，实现更好的显示效果和更高的电能利用效率。图3中所示的第一过孔71、第二过孔72和跨接电极5的个数和位置只是示意性的，只要能够实现上述功能即可，本公开实施例对此不作限定。
例如，跨接电极5的材料可以为金属材料。相对于透明导电材料，金属材料的电阻率较低，由于减小信号延迟。例如，多个跨接电极5中的每个跨接电极5的平面形状为块状或点状，且多个跨接电极5间隔设置，有利于提高布线区的透光率。例如，跨接电极5的材料也可以为透明导电材料。例如该透明的金属氧化物为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。当然，跨接电极5的材料不限于上述列举的种类。透明的跨接电极5有利于提高布线区的透光率，尤其在布线区的导线密度较大的情况下。
例如，显示基板10还包括电路板(图未示出)，电路板包括供电电路，连接电极2与电路板中的供电电路电连接，从而来自供电电路的电压信号能够经由连接电极2、跨接电极5和导电封框胶3传导。当电封框胶3上方设置有与其电连接的显示用的电极时，则能够通过导电封框胶3将来自自供电电路的电压信号传输给该显示用的电极，实现显示功能。例如，电路板位于连接电极2的靠近衬底基板1的一侧，以便于连接电极2与电路板电连接。或者，电路板位于衬底基板1的背离连接电极2的一侧，位于有利于实现窄边框。电路板可以位于显示区，也可以位于非显示区。本公开实施例对电路板的设置方式不作限定，本领域技术人员可根据常规技术进行设计。
例如，导电封框胶3的材料包括导电粒子。该导电粒子例如为金属导电颗粒。导电粒子的尺寸例如为微米级(例如小于100um)。例如将导电粒子均匀分散于有机材料中而形成导电材料，利用该导电材料制作导电封框胶3。当然，本公开实施例对导电封框胶3的材料不作限定。
图4B为沿图3中的A-A’线的另一种剖面示意图，图4C为沿图3中的A-A’线的又一种剖面示意图。图4B所示的显示基板10还包括辅助电极8，辅助电极8的至少部分位于第二过孔72中且连接导电封框胶3与跨接电极5。例如，辅助电极8是透明的，以提高布线区的透光率。例如，透明的辅助电极8的材料例如为(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。当然，本公开实施例对辅助电极的材料不作限定。防止由于工艺误差导致导电封框胶3在固化后可能会出现收缩而导致在导电封框胶3与跨接电极5之间形成微小的缝隙，从而导电封框胶3与其下方的跨接电极5接触不良。该辅助电极8能够防止这种接触不良，保证导电封框胶3与跨接电极良好地电连接。但是，即使导电封框胶3出现一定程度的收缩，在导电封框胶3与跨接电极5之间形成空隙，由于第二过孔72的深度相比于图1中的过孔700的深度小得多，所以在本公开实施例提供的显示基板中，该缝隙相比于图1中的框胶300与连接导线200之间的空隙小的多。因此，即使在导电封框胶3出现了一定程度的收缩之后，本公开的实施例提供的显示基板也能够改善上述气泡问题。
例如，显示基板10还包括像素电极(图未示出)，例如辅助电极8与像素电极由相同材料形成且同层设置。以使得在显示基板10的制作过程中，可以对同一层进行一次构图而形成像素电极和辅助电极8，从而进一步简化显示基板的制作工艺。
例如，如图4B所示，辅助电极8包括位于第二过孔72外的第一部分81和位于第二过孔72中的第二部分82，辅助电极的第一部分81与导电封框胶3接触。辅助电极的第二部分82位于导电封框胶3与跨接电极5之间且将跨接电极5与导电封框胶3间隔开。或者，如图4C所示，辅助电极的第二部分82暴露部分跨接电极5且与跨接电极5接触，以实现辅助电极8与跨接电极5电连接。导电封框胶3通过第二过孔72与跨接电极5接触，以在保证导电封框胶3与跨接电极良好地电连接的同时，减小跨接电极与导电封框胶3之间的电阻。
图4B和图4C所示的显示基板10的其他特征及技术效果与图4A中所示的相同，请参考之前的描述，在此不再赘述。
图4D为图2所示的显示基板的布线区的另一种局部平面示意图，图4E为沿图4D中的H-H’线的再一种剖面示意图。图4D和图4E所示的显示基板10与图4A中的区别在于，在图4D和图4E中，在垂直于衬底基板1的方向上，第一过孔71和第二过孔72彼此部分不重叠，以使得部分第一过孔71和部分第二过孔72的深度在垂直于衬底基板1的方向上不会叠加。如此，与将导电封框胶3通过穿过多个层的一个较深的过孔与连接电极2连接的情况相比，第二过孔72的没有与第一过孔重叠的部分的深度不与第一过孔71的深度叠加，从而第二过孔72的没有与第一过孔重叠的部分的深度较小，在第二过孔72的没有与第一过孔重叠的部分内，从而也能够起到与图4A所示的实施例相同或相似的即使效果。
图4D和图4E所示的显示基板10的其他特征及技术效果与图4A中所示的相同，请参考之前的描述，在此不再赘述。
图5为图2所示的显示基板的布线区的另一种局部平面示意图，图6为沿图5中的B-B’线的一种剖面示意图。图5和图6所示的显示基板10与图3和图4A所示的显示基板具有以下区别。
如图5和图6所示，例如，显示基板10包括：衬底基板11、连接电极20和导电封框胶30。连接电极20设置于衬底基板11上。显示基板10还包括第一绝缘层40、跨接电极50和第二绝缘层60。第一绝缘层40位于连接电极20的远离衬底基板11的一侧。第一过孔710位于第一绝缘层40中且暴露部分连接电极20。跨接电极50通过第一过孔710与连接电极50电连接。第二绝缘层60位于跨接电极50的远离衬底基板11的一侧，第二过孔720位于第二绝缘层60中且暴露至少部分跨接电极50。导电封框胶30通过第二过孔720与跨接电极50电连接，从而实现导电封框胶30与连接电极20电连接。
例如，跨接电极50包括多条相互交叉的跨接电极线，跨接电极50的平面形状为网格状。多条相互交叉的跨接电极线的平面形状包括沿第一方向延伸的多个第一条形501和沿第二方向延伸的多个第一条形502，例如第一方向垂直于第二方向。多个第一条形501与多个第一条形501交叉形成网格状。例如，跨接电极50为一体成型结构，即多个第一条形501与多个第一条形501可通过对同一膜层经一次构图工艺形成，彼此之间没有接缝。当然，跨接电极50也可以不是一体成型结构，例如多个第一条形501与多个第一条形501彼此独立，相互交叉而形成跨接电极50。
如图5所示，连接电极20的个数和第一过孔710的个数均为至少一个，第二过孔720的个数为多个。即，由于跨接电极50为一体结构，在多个第二过孔720所在的位置处，导电封框胶30通过第二过孔720与跨接电极50电连接，从而将导电封框胶30划分成在电路中彼此并联的多个部分(如之前的实施例中所述)；而在至少一个第一过孔710所在的位置处，跨接电极50通过该至少一个第一过孔710与至少一个连接电极20电连接，并且连接电极20与供电电路连接，则可以实现将导电封框胶30与连接电极20电连接。例如，在图5所示的实施中，连接电极20的个数和第一过孔710的个数均为一个。连接电极20的平面形状为条形，该条形延伸至供电电路。
图5和图6所示的实施例的其他特征与之前的实施例中的相同，请参考之前的描述。并且，本公开中不同的实施例中的特征可以进行组合得到其他的实施例。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括本公开实施例提供的任意一种显示基板以及与所述显示基板彼此相对的对置基板；所述对置基板上设置有显示电极，所述显示电极与所述导电封框胶电连接。
示例性地，图7为本公开一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图7所示，该显示面板包括本公开图4B所示的显示基板和对置基板9。对置基板9上设置有显示电极12。例如，显示电极12为公共电极，连接电极2配置为给该公共电极提供公共电压信号。例如，该显示面板为液晶显示面板，例如TN型液晶显示面板。例如，显示基板为设置有像素电极的阵列基板，对置基板为设置有公共电极的彩膜基板。显示面板的其他结构，本领域技术人员可参考本领域常规技术。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的任意一种显示面板。例如，该显示装置可以实现为如下的产品：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。关于显示装置的其他结构，本领域技术人员可参考常规技术。
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成连接电极；在所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧形成导电封框胶，其中，所述导电封框胶通过位于不同层中的多个过孔与所述连接电极电连接；其中，在垂直于所述衬底基板方向上，所述多个过孔彼此至少部分不重叠。
示例性地，图8A-图8G为本公开一实施例提供的一种显示基板的制作方法示意图。显示基板包括显示区和位于显示区周围的非显示区。非显示区包括布线区，本公开实施例中的连接电极、导电封框胶、所述跨接电极和所述辅助电极位于所述非显示区内，例如位于布线区内。因此，图8A-图8G没有示出显示区的结构，本领域技术人员可根据常规技术进行设计。
如图8A所示，提供衬底基板1，在衬底基板1上形成连接电极2。例如，显示基板的制作方法还包括：形成薄膜晶体管(未示出)，包括形成栅极、源极和漏极。例如，在衬底基板1上形成第一导电层后，对第一导电层通过一次构图工艺形成连接电极2和薄膜晶体管的栅极，从而简化了制作工艺，提高了生产效率，节约成本。例如，该构图工艺为光刻工艺。例如，通过沉积或溅射的方法形成第一导电层。连接电极2的材料如之前的实施例中的描述。连接电极2的平面形状的特征如图3所示，请参考之前的描述。
如图8B所示，在连接电极2的远离衬底基板1的一侧形成第一绝缘层4，第一绝缘层4覆盖连接电极2。例如，第一绝缘层4为栅绝缘层，以简化显示基板的结构且简化制作工艺。例如，采用涂覆等方法形成第一绝缘层4。
如图8C所示，在第一绝缘层4中形成第一过孔71，第一过孔71暴露部分连接电极2。例如，配合第一掩模通过光刻工艺形成第一过孔71。
如图8D所示，形成跨接电极5，跨接电极5通过第一过孔71与连接电极电2连接。例如，在第一绝缘层4上形成第二导电层后，对第二导电层通过一次构图工艺形成跨接电极5和薄膜晶体管的源极和漏极，从而进一步简化制作工艺，提高生产效率，节约成本。例如，该构图工艺为光刻工艺。例如，通过沉积或溅射的方法形成第二导电层。跨接电极5的材料如之前的实施例中的描述。跨接电极5的平面形状的特征如图3所示，请参考之前的描述。
如图8E所示，在跨接电极5的远离衬底基板1的一侧形成第二绝缘层6。第二绝缘层6覆盖跨接电极5。例如，采用涂覆等方法形成第二绝缘层6。
如图8F所示，在第二绝缘层6中形成第二过孔72。第二过孔72暴露部分跨接电极5。第一过孔71和第二过孔72在垂直于衬底基板1的方向上彼此不重叠。第一过孔71和第二过孔72的平面图案请参考图3和之前的描述。
如图8G所示，在连接电极2的远离衬底基板的一侧形成导电封框胶3，导电封框胶3通过第二过孔72与跨接电极5电连接。从而导电封框胶3通过第一过孔71和第二过孔72与连接电极2电连接，得到图4A所示的显示基板。
利用本公开实施例提供的显示基板制作方法所形成的显示基板的即使效果请参考之前的描述。
图9A-图9B为本公开一实施例提供的另一种显示基板的制作方法示意图，图10A-图10B为本公开一实施例提供的又一种显示基板的制作方法示意图。如图9A所示，在执行完图8A-8F所示的步骤之后，显示基板的制作方法还包括形成辅助电极8，辅助电极8的至少部分位于第二过孔72中且连接导电封框胶3与跨接电极5。辅助电极8包括不位于第二过孔72中的第一部分81和位于第二过孔72中的第二部分82，辅助电极的第一部分81与导电封框胶3接触。在图9A中，例如辅助电极的第二部分82位于导电封框胶3与跨接电极5之间。
例如，在第二绝缘层6上形成第三导电层，第三导电层的材料可以是透明导电材料，例如ITO、IZO等。对第三导电层进行一次构图而形成像素电极和辅助电极8，从而进一步简化显示基板的制作工艺。
如图9B所示，在连接电极2的远离衬底基板的一侧形成导电封框胶3，导电封框胶3通过第二过孔72与跨接电极5电连接。从而导电封框胶3通过第一过孔71和第二过孔72与连接电极2电连接，得到图4B所示的显示基板。
或者，如图10A所示，在执行完图8A-8F所示的步骤之后，显示基板的制作方法还包括形成辅助电极8。在图10A中，辅助电极的第二部分82暴露部分跨接电极5且与跨接电极5电连接，导电封框胶3通过第二过孔72与跨接电极5接触，以在保证导电封框胶3与跨接电极良好地电连接的同时，减小跨接电极与导电封框胶3之间的电阻。
如图10B所示，在连接电极2的远离衬底基板的一侧形成导电封框胶3导电封框胶3通过第二过孔72与跨接电极5电连接。从而导电封框胶3通过第一过孔71和第二过孔72与连接电极2电连接，得到图4C所示的显示基板。
对于图4D所示的显示基板，其制作方法与图8A-8G的区别在于，对第二绝缘层进行构图得到的第二过孔的平面图案与图8A-8G所示的方法中的不同。对于图5和图6所示的显示基板，其制作方法与图8A-8G的区别在于，对第一导电层进行构图得到的连接电极的平面图案、对第而导电层进行构图得到的跨接电极的平面图案、对第一绝缘层进行构图得到的第一过孔的平面图案以及对第二绝缘层进行构图得到的第二过孔的平面图案与图8A-8G所示的方法中的不同。上述结构的平面图案请参考之前的实施例中的描述。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：采用本公开实施例提供的任意一种显示基板的方法得到所述显示基板以及形成与所述显示基板彼此相对设置的对置基板；所述对置基板上设置有显示电极，所述显示电极与所述导电封框胶电连接。
例如，提供对置基板，在对置基板上形成显示电极以其他用于显示的部件。例如，显示电极12为公共电极，连接电极2配置为给该公共电极提供公共电压信号。例如，该显示面板为液晶显示面板，例如TN型液晶显示面板。例如，显示基板为设置有像素电极的阵列基板，对置基板为设置有公共电极的彩膜基板。例如，其他用于显示的部件可以包括彩膜、黑矩阵等。例如，在形成导电封框胶之后，显示面板的制作方法还包括在显示基板上形成液晶层，然后，将对置基板与显示基板通过导电封框胶粘合，从而得到显示面板。其他具体的工艺步骤，本领域技术人员可根据常规技术实现，本公开实施例不作限定。
以上所述仅是本发明的示例性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (14)

1.一种显示基板，包括：
衬底基板；
连接电极，设置于所述衬底基板上；
导电封框胶，位于所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧，且通过位于不同层中的多个过孔与所述连接电极电连接；
其中，在垂直于所述衬底基板方向上，所述多个过孔彼此至少部分不重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔在垂直于所述衬底基板方向上彼此至少部分不重叠；
所述显示基板还包括：
第一绝缘层，位于所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一过孔位于所述第一绝缘层中且暴露至少部分所述连接电极；
跨接电极，通过所述第一过孔与所述连接电极电连接；以及
第二绝缘层，位于所述跨接电极的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第二过孔位于所述第二绝缘层中且暴露至少部分所述跨接电极；所述导电封框胶通过所述第二过孔与所述跨接电极电连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，还包括：
辅助电极，至少部分位于所述第二过孔中且连接所述导电封框胶与所述跨接电极。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述辅助电极包括位于所述第二过孔外的第一部分和位于所述第二过孔中的第二部分，所述辅助电极的第一部分与所述导电封框胶接触；
所述辅助电极的第二部分位于所述导电封框胶与所述跨接电极之间且将所述跨接电极与所述导电封框胶间隔开，或者，
所述辅助电极的第二部分暴露部分所述跨接电极且与所述跨接电极接触，所述导电封框胶通过所述第二过孔与所述跨接电极接触。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其中，
所述连接电极包括多条相互交叉的连接电极线，所述连接电极的平面形状为网格状；
所述显示基板包括多个所述第一过孔、多个所述第二过孔和多个所述跨接电极，所述多个跨接电极彼此间隔排布。
6.根据权利要求2所述的显示基板，所述跨接电极包括多条相互交叉的跨接电极线，所述跨接电极的平面形状为网格状；
所述连接电极的个数和所述第一过孔的个数均为至少一个，所述第二过孔的个数为多个。
7.根据权利要求2所述的显示基板，还包括：
薄膜晶体管，包括源极和漏极；其中，
所述跨接电极与所述源极和所述漏极由相同材料形成且同层设置。
8.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：
薄膜晶体管，包括栅极；其中，
所述连接电极与所述栅极由相同材料形成且同层设置。
9.根据权利要求1所述的显示基板，还包括电路板，其中，所述连接电极与所述电路板电连接。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述导电封框胶的材料包括导电粒子。
11.根据权利要求2-10任一所述的显示基板，包括显示区和位于显示区周围的非显示区，其中，所述连接电极、所述导电封框胶、所述跨接电极和所述辅助电极位于所述非显示区内。
12.一种显示面板，包括权利要求1-11任一所述的显示基板以及与所述显示基板彼此相对的对置基板；其中，所述对置基板上设置有显示电极，所述显示电极与所述导电封框胶电连接。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，
所述显示电极为公共电极，所述连接电极配置为给所述公共电极提供公共电压信号。
14.一种显示基板的制作方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成连接电极；
在所述连接电极的远离所述衬底基板的一侧形成导电封框胶，其中，所述导电封框胶通过位于不同层中的多个过孔与所述连接电极电连接；
其中，在垂直于所述衬底基板方向上，所述多个过孔彼此至少部分不重叠。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115308943A (zh) * 2022-09-14 2022-11-08 惠科股份有限公司 阵列基板及显示面板

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112270891B (zh) * 2020-11-03 2022-09-30 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR20230078904A (ko) * 2021-11-26 2023-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953094A (en) * 1997-04-04 1999-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20050029019A (ko) * 2003-09-19 2005-03-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
CN101211045A (zh) * 2006-12-29 2008-07-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN102354069A (zh) * 2011-06-24 2012-02-15 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
CN104319274A (zh) * 2014-11-14 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN104332473A (zh) * 2014-08-29 2015-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板和显示装置
CN106098710A (zh) * 2016-08-29 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101269319B1 (ko) 2006-05-30 2013-05-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
TWI374544B (en) * 2006-11-13 2012-10-11 Au Optronics Corp Thin film transistor array substrates and fbricating method thereof
JP2010139953A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
CN102314027A (zh) 2010-06-30 2012-01-11 上海天马微电子有限公司 液晶显示面板
WO2013080734A1 (ja) 2011-11-29 2013-06-06 京セラ株式会社 液晶表示装置
CN202794782U (zh) 2012-08-07 2013-03-13 北京京东方光电科技有限公司 一种交替布线的接触端子对
CN102830564B (zh) 2012-09-07 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示装置
CN103232820B (zh) * 2013-05-02 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 导电封框胶、显示面板及其制作方法、显示装置
CN103728804B (zh) * 2013-12-27 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 一种母板、阵列基板及制备方法、显示装置
CN104503131B (zh) 2015-01-08 2017-06-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 彩膜基板及显示器件
CN105573549B (zh) * 2015-12-08 2018-12-25 上海天马微电子有限公司 阵列基板、触控屏和触控显示装置及其制作方法
CN106128950B (zh) * 2016-05-27 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制作方法、显示基板和显示装置
US10685988B2 (en) * 2017-12-28 2020-06-16 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel having connection line connected to end portions of scan lines and manufacturing method thereof, and display device
CN208721944U (zh) * 2018-09-30 2019-04-09 重庆惠科金渝光电科技有限公司 显示面板及显示终端

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953094A (en) * 1997-04-04 1999-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20050029019A (ko) * 2003-09-19 2005-03-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
CN101211045A (zh) * 2006-12-29 2008-07-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN102354069A (zh) * 2011-06-24 2012-02-15 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
CN104332473A (zh) * 2014-08-29 2015-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板和显示装置
CN104319274A (zh) * 2014-11-14 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN106098710A (zh) * 2016-08-29 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115308943A (zh) * 2022-09-14 2022-11-08 惠科股份有限公司 阵列基板及显示面板
CN115308943B (zh) * 2022-09-14 2024-05-17 惠科股份有限公司 阵列基板及显示面板

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