CN112740310A - 显示面板、显示面板的制造方法以及基板 - Google Patents

显示面板、显示面板的制造方法以及基板 Download PDF

Info

Publication number
CN112740310A
CN112740310A CN201980062616.2A CN201980062616A CN112740310A CN 112740310 A CN112740310 A CN 112740310A CN 201980062616 A CN201980062616 A CN 201980062616A CN 112740310 A CN112740310 A CN 112740310A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
pixel
light emitting
emitting element
color
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980062616.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112740310B (zh
Inventor
金谷康弘
池田雅延
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Publication of CN112740310A publication Critical patent/CN112740310A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112740310B publication Critical patent/CN112740310B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80516Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

提供一种能够容易地进行修复的显示面板、显示面板的制造方法以及基板。显示面板具备基板、第1绝缘层以及分别包括多个颜色的子像素的多个像素。各子像素具有:驱动晶体管;被从上述驱动晶体管提供电流值已被控制的信号的像素电极;以及安装于上述像素电极之上的发光元件。各像素具有位于与上述像素电极隔开间隔的位置的安装电极。在多个像素中的第1像素中,上述安装电极处于电浮动状态。

Description

显示面板、显示面板的制造方法以及基板
技术领域
本发明的实施方式涉及显示面板、显示面板的制造方法以及基板。
背景技术
作为显示面板,公知有使用了作为自发光元件的发光二极管(LED:LightEmitting Diode)的LED显示面板。近年来,作为更高精细的显示面板,开发了将称为MicroLED的微小发光二极管安装于阵列基板的显示面板(以下称为Micro LED显示面板)。
Micro LED显示器与以往的液晶显示器、有机EL显示器不同,是在显示区域安装芯片状的许多Micro LED而形成的,因此,容易兼顾高精细化和大型化,作为下一代的显示面板备受注目。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-10309号公报
专利文献2:日本特开2009-151098号公报
专利文献3:日本特开2018-41752号公报
发明内容
本实施方式提供一种能够容易地进行修复(repair)的显示面板、显示面板的制造方法以及基板。
一实施方式的显示面板具备:基板;第1绝缘层,其设置于所述基板之上;以及多个像素,其设置于所述基板之上,位于显示区域,分别包括多个颜色的子像素,各所述子像素具有:驱动晶体管,其由第1绝缘层覆盖;像素电极,其配置于所述第1绝缘层之上,与所述驱动晶体管电连接,从所述驱动晶体管向该像素电极提供电流值已被控制的信号;以及发光元件,其安装于所述像素电极之上,包括与所述像素电极电连接的第1电极,各所述像素具有安装电极,该安装电极配置于所述第1绝缘层之上,位于与所述像素电极隔开间隔的位置,在所述多个像素中的第1像素中,所述安装电极处于电浮动状态。
另外,一实施方式的显示面板的制造方法中,准备面板,该面板具备:基板;第1绝缘层,其设置于所述基板之上;以及多个像素,其设置于所述基板之上,位于显示区域,且分别包括多个颜色的子像素,各所述子像素具有:驱动晶体管,其由第1绝缘层覆盖;像素电极,其配置于所述第1绝缘层之上,与所述驱动晶体管电连接,从所述驱动晶体管向该像素电极提供电流值已被控制的信号;以及发光元件,其安装于所述像素电极之上,包括与所述像素电极电连接的第1电极,各所述像素具有安装电极,该安装电极配置于所述第1绝缘层之上,位于与所述像素电极隔开间隔的位置,且处于电浮动状态;在准备了所述面板之后,检查是否在所述多个发光元件产生了发光不良;在所述多个像素中的第1像素的所述多个发光元件未产生发光不良的情况下,将所述第1像素的所述安装电极维持在电浮动状态;在所述多个像素中的第2像素的第1颜色的所述子像素的所述第1颜色的所述发光元件产生了发光不良的情况下,向所述第2像素的所述第1颜色的发光元件照射激光,将所述第1颜色的追加发光元件安装在所述第2像素的所述安装电极之上,将所述追加发光元件的第1电极与所述安装电极电连接,并且在所述第2像素中,将所述安装电极与所述第1颜色的子像素的所述驱动晶体管电连接。
另外,一实施方式的基板在1个像素内具备第1颜色微发光二极管、第2颜色微发光二极管、第3颜色微发光二极管、供所述第1颜色微发光二极管安装的第1电极、供所述第2颜色微发光二极管安装的第2电极、供所述第3颜色微发光二极管安装的第3电极、以及第4电极,所述第1颜色微发光二极管、所述第2颜色微发光二极管、所述第3颜色微发光二极管是分别不同的颜色,所述第4电极处于电浮动状态。
附图说明
图1是表示一实施方式的显示装置的结构的立体图。
图2是表示上述显示装置的电路图。
图3是表示上述实施方式的子像素的等效电路图。
图4是表示图1所示的显示面板的局部剖视图。
图5是表示图1所示的像素的布局的俯视图,是表示各种布线、像素电极以及安装电极的图。
图6是表示上述实施方式的第1像素和第2像素的俯视图,且是表示像素电极、安装电极、发光元件以及布线层的图。
图7是表示显示面板的沿着图6的线VII-VII的剖视图,是表示第1像素的图。
图8是表示显示面板的沿着图6的线VIII-VIII的剖视图,是表示第2像素的图。
图9是用于说明上述实施方式的显示装置的制造方法的图,是表示向发光元件照射激光的状态的图。
图10是接着图9用于说明上述制造方法的图,是表示将追加发光元件安装于安装电极之上、形成有将像素电极和安装电极连接的布线层的状态的图。
图11是表示上述实施方式的变形例1的显示装置的一部分的剖视图。
图12是表示上述实施方式的变形例2的显示装置的第1像素和第2像素的俯视图,是表示像素电极、安装电极、发光元件以及布线层的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的各实施方式进行说明。此外,公开始终只不过是一个例子,对于本领域技术人员能够容易地想到以保持发明的主旨的方式进行适当改变的方案,当然包含于本发明的范围。另外,为了使说明更明确,与实际的形态相比,附图存在示意地表示各部分的宽度、厚度、形状等的情况,但始终是一个例子,并不限定本发明的解释。另外,在本说明书和各图中,有时对与关于已出现的附图进行了说明的要素同样的要素标注同一附图标记并适当省略详细的说明。
(一实施方式)
首先,对一实施方式的显示装置进行说明。图1是表示一实施方式的显示装置1的结构的立体图。图1是表示本实施方式的显示装置1的结构的立体图。图1表示由第1方向X、与第1方向X垂直的第2方向Y以及与第1方向X和第2方向Y垂直的第3方向Z规定的三维空间。此外,第1方向X和第2方向Y彼此正交,但也可以以90°以外的角度交叉。另外,在本实施方式中,将第3方向Z定义为上,将与第3方向Z相反的一侧的方向定义为下。在设为“第1部件之上的第2部件”和“第1部件之下的第2部件”的情况下,第2部件既可以与第1部件接触,也可以位于与第1部件分开的位置。
以下,在本实施方式中,主要说明显示装置1是使用了作为自发光元件的微发光二极管(以下称为Micro LED(Light Emitting Diode))的Micro LED显示装置的情况。
如图1所示,显示装置1具备显示面板2、第1电路基板3以及第2电路基板4等。此外,也存在将显示面板2称为基板的情况。
显示面板2在一个例子中具有矩形的形状。在图示的例子中,显示面板2的短边EX与第1方向X平行,显示面板2的长边EY与第2方向Y平行。第3方向Z相当于显示面板2的厚度方向。显示面板2的主面与由第1方向X和第2方向Y规定的X-Y平面平行。显示面板2具有显示区域DA和显示区域DA以外的非显示区域NDA。非显示区域NDA具有端子区域MT。在图示的例子中,非显示区域NDA包围显示区域DA。
显示区域DA是显示图像的区域,具备配置成例如矩阵状的多个像素PX。
端子区域MT包括端子,该端子沿着显示面板2的短边EX设置,用于使显示面板2与外部装置等电连接。
第1电路基板3安装于端子区域MT之上,与显示面板2电连接。第1电路基板3是例如挠性印刷电路基板。第1电路基板3具备驱动显示面板2的驱动IC芯片(以下表述为面板驱动器)5等。此外,在图示的例子中,面板驱动器5安装于第1电路基板3之上,但也可以安装于第1电路基板3之下。或者,面板驱动器5也可以安装于第1电路基板3以外的部件,例如,也可以安装于第2电路基板4。第2电路基板4是例如挠性印刷电路基板。第2电路基板4在第1电路基板3的例如下方与第1电路基板3连接。
上述的面板驱动器5借助例如第2电路基板4与控制基板(未图示)连接。面板驱动器5基于从例如控制基板输出的影像信号驱动多个像素PX,从而执行在显示面板2上显示图像的控制。
此外,显示面板2也可以具有标注斜线来表示的弯折区域BA。弯折区域BA是在显示装置1被收容于电子设备等的壳体之际被弯折的区域。弯折区域BA在非显示区域NDA中位于端子区域MT侧。在弯折区域BA被弯折了的状态下,第1电路基板3和第2电路基板4以与显示面板2相对的方式配置于显示面板2的下方。
图2是表示显示装置1的电路图。图3是表示本实施方式的子像素SP的等效电路图。此外,在图2中,各种布线的全部均未图示。
如图2和图3所示,显示面板2具备:树脂基板、玻璃基板等具有透光性的绝缘性的绝缘基板20、在显示区域DA中呈矩阵状排列在绝缘基板20之上的多个像素PX、以及各种布线、扫描线驱动电路YDR1、YDR2及信号线驱动电路XDR。
各种布线具有多根第1扫描线Sga、多根第2扫描线Sgb、多根第3扫描线Sgc、多根第4扫描线Sgd、多根影像信号线VL、多根高电位电源线SLa、多根重置布线Sgr以及多根初始化布线Sgi。
在本实施方式中,第1扫描线Sga、第3扫描线Sgc以及第4扫描线Sgd与扫描线驱动电路YDR1连接,并在第1方向X上延伸设置。第2扫描线Sgb与扫描线驱动电路YDR连接,并在第1方向X上延伸设置。影像信号线VL与信号线驱动电路XDR连接,并在第2方向Y上延伸设置。高电位电源线SLa、重置布线Sgr以及初始化布线Sgi在第2方向Y上延伸设置。显示面板2不仅具有固定于高电位Pvdd的高电位电源线Sla,还具有固定于低电位Pvss的低电位电源线SLb。高电位电源线Sla与高电位电源连接,低电位电源线SLb与低电位电源连接。
扫描线驱动电路YDR1以驱动第1扫描线Sga、第3扫描线Sgc和第4扫描线Sgd的方式构成。扫描线驱动电路YDR2以驱动第2扫描线Sgb的方式构成。信号线驱动电路XDR以驱动影像信号线VL的方式构成。扫描线驱动电路YDR1、YDR2以及信号线驱动电路XDR在非显示区域NDA中形成于绝缘基板20之上,与面板驱动器5一起构成了驱动部7。
各像素PX具有多个子像素SP。各子像素SP包括发光元件10和对发光元件10提供驱动电流的像素电路。发光元件10是例如自发光元件,在本实施方式中是微发光二极管(以下称为Micro LED(Light Emitting Diode))。本实施方式的显示装置1是Micro LED显示装置。
各子像素SP的像素电路是根据由电压信号构成的影像信号Vsig控制发光元件10的发光的电压信号方式的像素电路,具有重置开关RST、像素开关SST、初始化开关IST、输出开关BCT、驱动晶体管DRT、保持电容Cs以及辅助电容Cad。保持电容Cs和辅助电容Cad是电容器。辅助电容Cad是为了调整发光电流量而设置的元件,根据情况的不同,也存在不需要的情况。
重置开关RST、像素开关SST、初始化开关IST、输出开关BCT以及驱动晶体管DRT由TFT(薄膜晶体管)构成。在本实施方式中,重置开关RST、像素开关SST、初始化开关IST、输出开关BCT以及驱动晶体管DRT由同一导电型、例如N沟道型的TFT构成。此外,重置开关RST、像素开关SST、初始化开关IST、输出开关BCT以及驱动晶体管DRT中的一个以上也可以由P沟道型的TFT构成。在该情况下,也可以同时形成N沟道型的TFT和P沟道型的TFT。重置开关RST、像素开关SST、初始化开关IST以及输出开关BCT作为开关发挥功能即可,也可以不由TFT构成。
在本实施方式的显示装置1中,分别构成驱动晶体管DRT和各开关的TFT全部以同一工序、同一层构造形成,是对半导体层使用了多晶硅的顶栅构造的薄膜晶体管。此外,半导体层也可以利用非晶硅、氧化物半导体等多晶硅以外的半导体。
重置开关RST、像素开关SST、初始化开关IST、输出开关BCT以及驱动晶体管DRT分别具有第1端子、第2端子以及控制端子。在本实施方式中,将第1端子设为源极,将第2端子设为漏极,将控制端子设为栅极。
在像素PX的像素电路中,驱动晶体管DRT和输出开关BCT在高电位电源线Sla与低电位电源线SLb之间与发光元件10串联连接。高电位电源线SLa(高电位Pvdd)设定在例如10V的电位,低电位电源线SLb(低电位Pvss)设定在例如1.5V的电位。
在输出开关BCT中,漏极与高电位电源线SLa连接,源极与驱动晶体管DRT的漏极连接,栅极与第2扫描线Sgb连接。由此,输出开关BCT由向第2扫描线Sgb提供的控制信号BG进行ON(导通状态)、OFF(非导通状态)控制。输出开关BCT响应于控制信号BG而控制发光元件10的发光时间。
在驱动晶体管DRT中,漏极与输出开关BCT的源极连接,源极与发光元件10的一个电极(在此是阳极)连接。发光元件10的另一个电极(在此是阴极)与低电位电源线SLb连接。驱动晶体管DRT向发光元件10输出与影像信号Vsig相应的电流量的驱动电流。
在像素开关SST中,源极与影像信号线VL连接,漏极与驱动晶体管DRT的栅极连接,栅极与作为信号写入控制用栅极布线发挥功能的第3扫描线Sgc连接。像素开关SST由从第3扫描线Sgc供给的控制信号SG进行ON、OFF控制。并且,像素开关SST响应于控制信号SG而控制像素电路与影像信号线VL之间的连接、非连接,从影像信号线VL向像素电路引进影像信号Vsig。
在初始化开关IST中,源极与初始化布线Sgi连接,漏极与驱动晶体管DRT的栅极连接,栅极与第1扫描线Sga连接。初始化开关IST由从第1扫描线Sga供给的控制信号IG进行ON、OFF控制。并且,初始化开关IST响应于控制信号IG而控制像素电路与初始化布线Sgi之间的连接、非连接。通过利用初始化开关IST连接像素电路和初始化布线Sgi,能够从初始化布线Sgi向像素电路引进初始化电位(初始化电压)Vini。
重置开关RST连接于驱动晶体管DRT的源极与重置布线Sgr之间。重置开关RST的栅极与作为重置控制用栅极布线发挥功能的第4扫描线Sgd连接。如上述这样,重置布线Sgr与重置电源连接,固定于作为定电位的重置电位Vrst。重置开关RST根据经由第4扫描线Sgd提供的控制信号RG而切换成导通状态(ON)或非导通状态(OFF)。通过重置开关RST切换成ON状态,能够将驱动晶体管DRT的源极的电位重置成重置电位Vrst。
保持电容Cs连接于驱动晶体管DRT的栅极与源极之间。辅助电容Cad连接于驱动晶体管DRT的源极与作为定电位的布线的高电位电源线SLa之间。
另一方面,图2所示的面板驱动器5控制扫描线驱动电路YDR1、YDR2和信号线驱动电路XDR。面板驱动器5接收从外部供给的数字影像信号和同步信号,基于同步信号产生控制垂直扫描定时的垂直扫描控制信号和控制水平扫描定时的水平扫描控制信号。
而且,面板驱动器5分别向扫描线驱动电路YDR1、YDR2和信号线驱动电路XDR供给这些垂直扫描控制信号和水平扫描控制信号,并且,与水平扫描定时和垂直扫描定时同步地向信号线驱动电路XDR供给数字影像信号和初始化信号。
信号线驱动电路XDR通过水平扫描控制信号的控制将在各水平扫描期间中依次获得的影像信号转换成模拟形式,并将与灰度相应的影像信号Vsig向多根影像信号线VL供给。面板驱动器5使高电位电源线SLa固定在高电位Pvdd,使重置布线Sgr固定在重置电位Vrst,使初始化布线Sgi固定在初始化电位Vini。此外,高电位电源线SLa的电位、重置布线Sgr的电位以及初始化布线Sgi的电位也可以经由信号线驱动电路XDR设定。
从面板驱动器5向扫描线驱动电路YDR1、YDR2提供触发脉冲信号STV、时钟信号CKV等。
扫描线驱动电路YDR1、YDR2包括未图示的移位寄存器、输出缓冲器等,将触发脉冲信号STV依次向下一级移位寄存器转送,经由输出缓冲器向各行的子像素SP供给4种控制信号、即控制信号IG、BG、SG、RG。由此,第1扫描线Sga、第2扫描线Sgb、第3扫描线Sgc以及第4扫描线Sgd分别由控制信号IG、BG、SG、RG驱动。
接着,参照图4对驱动晶体管DRT、重置开关RST、像素电极PE、安装电极SE、发光元件10、低电位电源线SLb、公共电极CE等进行说明。图4是表示图1所示的显示面板2的局部剖视图。此外,在图4中,以使显示面、即光出射面朝向上方、使背面朝向下方的方式描绘显示面板2。
如图4所示,显示面板2具备绝缘基板(基板)20、设置于绝缘基板20之上的绝缘层21、22、23、24、25、26、以及多个像素PX。多个像素PX设置于绝缘基板20之上,位于显示区域DA,包括多个颜色的子像素SP。
作为绝缘基板20,主要能够使用石英、无碱玻璃等玻璃基板或聚酰亚胺等树脂基板。绝缘基板20的材质是经得住制造TFT之际的处理温度的材质即可。在绝缘基板20是具有挠性的树脂基板的情况下,能够将显示装置1构成为片显示器(sheet display)。作为树脂基板,并不限于聚酰亚胺,也可以使用其他树脂材料。此外,在将聚酰亚胺等用于绝缘基板20的情况下,可能存在将绝缘基板20称为有机绝缘层或树脂层更合适的情况。
绝缘层21设置于绝缘基板20上。在绝缘层21之上形成有各种TFT。在显示区域DA中,在绝缘层21之上形成有驱动晶体管DRT、重置开关RST等,在非显示区域NDA中,在绝缘层21之上形成有构成扫描线驱动电路YDR的TFT等。驱动晶体管DRT等TFT具备半导体层SC、栅极GE、第1电极E1以及第2电极E2。
半导体层SC配置于绝缘层21之上。绝缘层22设置于绝缘层21和半导体层SC之上。栅极GE配置于绝缘层22之上,与半导体层SC的沟道区域相对。绝缘层23设置于绝缘层22和栅极GE之上。第1电极E1和第2电极E2配置于绝缘层23之上。第1电极E1和第2电极E2分别通过在绝缘层22和绝缘层23形成的接触孔,与相对应的半导体层SC电连接。
在本实施方式中,在绝缘层22之上形成有导电层CL。驱动晶体管DRT的第1电极E1不仅与相对应的半导体层SC电连接,还与导电层CL电连接。重置开关RST的第2电极E2不仅与相对应的半导体层SC电连接,还与导电层CL电连接。因此,驱动晶体管DRT和重置开关RST经由导电层CL而电连接。
在非显示区域NDA中,低电位电源线SLb配置于绝缘层23之上。绝缘层24设置于绝缘层23、第1电极E1、第2电极E2以及低电位电源线SLb之上。
第1导电层CL1和第2导电层CL2配置于绝缘层24之上。第1导电层CL1通过在绝缘层24形成的接触孔,与第1电极E1电连接。第2导电层CL2通过在绝缘层24形成的接触孔,与第2电极E2电连接。
绝缘层25设置于绝缘层24、第1导电层CL1以及第2导电层CL2之上。绝缘层25作为第1绝缘层发挥功能。像素电极PE和安装电极SE配置于绝缘层25之上。像素电极PE通过在绝缘层25形成的接触孔CH,与第1导电层CL1电连接。安装电极SE处于电浮动状态。
在此,绝缘层21、22、23、24、25、26由无机绝缘材料或有机绝缘材料形成。在本实施方式中,绝缘层21、22、23、25、26由作为无机绝缘材料的例如硅氧化物(SiO2)或氮化硅物(SiN)形成。绝缘层24由作为有机绝缘材料的例如感光性丙烯酸树脂形成。
半导体层SC由作为多晶硅的低温多晶硅形成。但是,半导体层SC也可以由非晶硅、氧化物半导体等多晶硅以外的半导体形成。栅极GE和导电层CL位于同层,由作为同一导电材料的金属形成。例如,栅极GE和导电层CL由MoW(钼·钨)形成。
第1电极E1、第2电极E2以及低电位电源线SLb位于同层,由作为同一导电材料的金属形成。例如,第1电极E1、第2电极E2以及低电位电源线SLb分别采用三层层叠构造(Ti系/Al系/Ti系),具有:下层,其由Ti(钛)、含有Ti的合金等以Ti为主成分的金属材料构成;中间层,其由Al(铝)、含有Al的合金等以Al为主成分的金属材料构成;以及上层,其由Ti、含有Ti的合金等以Ti为主成分的金属材料构成。在此以顶栅型的TFT为例进行了说明,但TFT也可以是底栅型的TFT。
驱动晶体管DRT等开关由绝缘层25覆盖。
第1导电层CL1和第2导电层CL2位于同层,由作为同一导电材料的金属或透明导电材料形成。像素电极PE和安装电极SE位于同层,由作为同一导电材料的金属形成。例如,像素电极PE和安装电极SE分别具有单一导电层、三层层叠构造或两层层叠构造。
在三层层叠构造中,像素电极PE和安装电极SE并不限于Ti系/Al系/Ti系,也可以是Mo系/Al系/Mo系。在Mo系/Al系/Mo系中,像素电极PE和安装电极SE具有:下层,其由Mo(钼)、含有Mo的合金等以Mo为主成分的金属材料构成;中间层,其由Al、含有Al的合金等以Al为主成分的金属材料构成;以及上层,其由Mo、含有Mo的合金等以Mo为主成分的金属材料构成。
在两层层叠构造中,像素电极PE和安装电极SE具有:下层,其由以Al为主成分的金属材料构成;和上层,其由以Ti为主成分的金属材料构成。或者,像素电极PE和安装电极SE分别具有:下层,其由以Mo为主成分的金属材料构成;和上层,其由以Al为主成分的金属材料构成。此外,像素电极PE和安装电极SE也可以由透明导电材料形成。
各像素PX具有安装电极SE。安装电极SE配置于绝缘层25之上,位于与像素电极PE隔开间隔的位置。像素电极PE与驱动晶体管DRT电连接,从驱动晶体管DRT向该像素电极PE提供电流值已被控制的信号。
绝缘层26设置于绝缘层25、像素电极PE以及安装电极SE之上。绝缘层26作为第2绝缘层发挥功能。虽未图示,但绝缘层26位于多个像素电极PE和多个安装电极SE之上,覆盖多个像素电极PE和多个安装电极SE,使多个发光元件10露出。绝缘层26具有用于在像素电极PE的表面的一部分安装发光元件10的开口和使安装电极SE的表面的一部分露出的开口。绝缘层26的上述开口的大小是考虑发光元件10的安装工序中的安装偏移量等而比发光元件10大一圈的尺寸。例如,在发光元件10实质上是10μm×10μm的安装面积的情况下,优选上述开口实质上确保20μm×20μm。
在显示区域DA中,在像素电极PE之上安装有发光元件10。发光元件10具有作为第1电极的阳极AN、作为第2电极的阴极CA、以及发出光的发光层LI。发光元件10分别准备了具有第1颜色、第2颜色以及第3颜色的发光色的发光元件,阳极AN与相对应的像素电极PE电连接,并被固定。在本实施方式中,第1颜色是红色(R),第2颜色是绿色(G),第3颜色是蓝色(B)。
发光元件10的阳极AN与像素电极PE之间的接合只要是能够在两者之间确保良好的导通、并且不会使从绝缘基板20到绝缘层26的层叠构造破损的接合即可,没有特别限定,能够采用如下方法:在借助使用了例如低温溶融的焊锡材料的回流焊工序或导电膏使发光元件10载置到像素电极PE上之后进行烧制结合等方法;或者,对像素电极PE的表面和发光元件10的阳极AN使用同系材料、并进行超声波接合等固相接合的方法。发光元件10在与像素电极PE电连接的阳极AN的相反侧具有阴极CA。
在安装了发光元件10之后,在绝缘层25、像素电极PE、安装电极SE以及绝缘层26之上设置元件绝缘层31。元件绝缘层31填充于发光元件10之间的空隙部,由树脂材料形成。元件绝缘层31使发光元件10中的阴极CA的表面露出。
公共电极CE至少位于显示区域DA,配置于绝缘层26和多个发光元件10之上,覆盖多个像素的发光元件10。公共电极CE配置于多个阴极CA的公共电极CE侧的表面和元件绝缘层31之上,与多个阴极CA接触,并与多个阴极CA电连接。公共电极CE由多个子像素SP共用。
公共电极CE延伸到非显示区域NDA,在非显示区域NDA中与低电位电源线SLb电连接。公共电极CE通过在元件绝缘层31、绝缘层26、绝缘层25以及绝缘层24形成的接触孔,与低电位电源线SLb接触。因此,公共电极CE保持在与低电位电源线SLb的电位相同的定电位,使低电位电源线SLb和全部的发光元件10的阴极CA电连接。
公共电极CE需要形成为透明电极,以便取出来自发光元件10的出射光,使用作为透明导电材料的例如ITO形成。另一方面,在发光元件10的侧壁部分通过保护膜等而被绝缘的情况下,未必需要利用树脂材料等填充间隙,树脂材料只要能够使阳极AN、从阳极AN露出的像素电极PE的表面、以及安装电极SE的表面至少绝缘即可。在该情况下,以未达到发光元件10的阴极CA这样的膜厚形成元件绝缘层31,接着形成上述公共电极CE。在形成公共电极CE的表面残存有伴随发光元件10的安装而产生的凹凸的一部分,但形成公共电极CE的材料只要能够没有间断地连续覆盖即可。
如上述这样,显示面板2具有从绝缘基板20到公共电极CE的构造。将本实施方式的发光元件10用作显示元件的显示装置1例如如以上这样构成。此外,也可以根据需要在公共电极CE之上设置保护玻璃等罩部件、触摸面板基板等。
接着,对像素PX的布局进行说明。图5是表示图1所示的像素PX的布局的俯视图,是表示各种布线、像素电极PE以及安装电极SE的图。
如图5所示,各像素PX具有多个子像素SP。在本实施方式中,各像素PX具有第1颜色的子像素SPa、第2颜色的子像素SPb以及第3颜色的子像素SPc这3种颜色的子像素SP。子像素Spa具有像素电极PEa,子像素SPb具有像素电极PEb,子像素SPc具有像素电极PEc。
像素电极PEa在第2方向Y上与安装电极SE相邻。像素电极PEb在第1方向X上与安装电极SE相邻。像素电极PEc在第1方向X上与像素电极PEa相邻,在第2方向Y上与像素电极PEb相邻。在俯视时,像素电极PEa的尺寸比像素电极PEb和像素电极PEc各自的尺寸大。安装电极SE的尺寸与像素电极PEa的尺寸实质上相同,比像素电极PEb和像素电极PEc各自的尺寸大。
像素电极PE具有:用于安装发光元件10的第1区域R1;用于在随后论述的修复之际将像素电极PE和安装电极SE连接的第2区域R2;以及用于与第1导电层CL1电连接的第3区域R3。安装电极SE具有上述第1区域R1和上述第2区域R2。在像素电极PEa和像素电极PEb中,第2区域R2与第3区域R3相邻或局部重叠。在像素电极PEc中,第2区域R2和第3区域R3位于隔开距离的位置。在各像素PX中,多个第2区域R2位于彼此接近的位置。
接着,对显示面板2的多个像素PX中的、第1像素PX1和第2像素PX2进行说明。图6是表示本实施方式的第1像素PX1和第2像素PX2的俯视图,是表示像素电极PE、安装电极SE、发光元件10以及布线层WL的图。图7是表示显示面板2的沿着图6的线VII-VII的剖视图,是表示第1像素PX1的图。图8是表示显示面板2的沿着图6的线VIII-VIII的剖视图,是表示第2像素PX2的图。
如图6所示,显示面板2的多个像素PX包括第1像素PX1、第2像素PX2等。
如图6和图7所示,在第1像素PX1中,在像素电极PEa之上安装有第1颜色的发光元件10a,在像素电极PEb之上安装有第2颜色的发光元件10b,在像素电极PEc之上安装有第3颜色的发光元件10c。第1像素PX1的发光元件10全部是正常的发光元件。因此,在第1像素PX1中,安装电极SE处于电浮动状态。在安装电极SE之上未安装追加发光元件。
绝缘层26在第1像素PX1内具有使像素电极PEa露出的第1开口部OP1和使安装电极SE露出的第4开口部OP4。发光元件10a经由第1开口部OP1与像素电极PEa连接。
虽未图示,但绝缘层26在第1像素PX1内还具有使像素电极PEb露出的第2开口部和使像素电极PEc露出的第3开口部。发光元件10b经由上述第2开口部与像素电极PEb连接。发光元件10c经由上述第3开口部与像素电极PEc连接。
如图6和图8所示,另一方面,在第2像素PX2中,在像素电极PEa之上安装有第1颜色的发光元件10a,在像素电极PEb之上安装有第2颜色的发光元件10b,在像素电极PEc之上安装有第3颜色的发光元件10c。在第2像素PX2中,发光元件10b、10c是正常的发光元件,但第1颜色的发光元件10a并非正常的发光元件。在第2像素PX2中,电流不在像素电极PEa与公共电极CE之间经由发光元件10a流动。此外,也可能存在给第2像素PX2的发光元件10a造成损伤、在发光元件10a中不存在阴极CA的情况。
因此,第2像素PX2还具有第1颜色的追加发光元件11a作为与不点亮的发光元件10a为相同颜色的发光元件。通过在第2像素PX2中设置追加发光元件11a,能够避免在第2像素PX2中作为发光颜色的第1颜色不足的事态。
追加发光元件11a是Micro LED。追加发光元件11a具有作为第1电极的阳极AN、作为第2电极的阴极CA以及发出光的发光层LI。追加发光元件11a安装于第2像素PX2的安装电极SE之上,追加发光元件11a的阳极AN与安装电极SE电连接。在第2像素PX2中,安装电极SE与第1颜色的子像素SPa的驱动晶体管DRT电连接,从驱动晶体管DRT向该安装电极SE提供电流值已被控制的信号。在第2像素PX2中,在从第1颜色的子像素SPa的驱动晶体管DRT向第1颜色的子像素SPa的像素电极PEa和安装电极SE提供了电流值已被控制的信号之际,发光元件10a不发光,追加发光元件11a发光。
在本实施方式中,为了使安装电极SE与子像素SPa的驱动晶体管DRT电连接,第2像素PX2还具有布线层WL。布线层WL位于绝缘层25之上,连接第2像素PX2的像素电极PEa和安装电极SE。布线层WL与安装电极SE的第2区域R2和像素电极PEa的第2区域R2相接。作为一个例子,布线层WL利用钨(W),由金属化层形成。
若如上述这样考虑第2像素PX2的追加发光元件11a和布线层WL,则绝缘层26位于多个像素电极PE、多个安装电极SE以及布线层WL之上,覆盖多个像素电极PE、多个安装电极SE以及布线层WL,使多个发光元件10和追加发光元件11a露出。公共电极CE配置于绝缘层26、多个发光元件10以及追加发光元件11a之上。追加发光元件11a的阴极CA分别与公共电极CE电连接。
此外,于在多个像素PX中除了存在第2像素PX2以外还存在具有不点亮的发光元件10的像素PX的情况下,与第2像素PX2同样地构成即可。换言之,在具有不点亮的发光元件10的像素PX中附加第1颜色、第2颜色或第3颜色的追加发光元件11和布线层WL、由布线层WL将安装电极SE与安装有不点亮的发光元件10的像素电极PE连接即可。
本实施方式的显示装置1如上述这样构成。
在发光元件10是微发光二极管的情况下,存在将发光元件10a称为第1颜色微发光二极管、将发光元件10b称为第2颜色微发光二极管、将发光元件10c称为第3颜色微发光二极管的情况。另外,存在将像素电极PEa称为第1电极、将像素电极PEb称为第2电极、将像素电极PEc称为第3电极、将安装电极SE称为第4电极的情况。
接着,对上述显示装置1的制造方法进行说明。在此,对显示装置1的制造方法中的、显示面板2的制造方法进行说明。图9是用于说明本实施方式的显示装置1的制造方法的图,是表示向发光元件10a照射激光的状态的图。图10是接着图9用于说明上述制造方法的图,且表示在安装电极SE之上安装追加发光元件11a、形成有将像素电极PEa和安装电极SE连接的布线层WL的状态的图。
如图9所示,当显示面板2的制造方法时,首先准备具有从绝缘基板20到绝缘层26的层叠构造的面板PNL。面板PNL是成为显示面板2的基体的构造体。面板PNL具备绝缘基板20、绝缘层25、包括多个颜色的子像素SP的多个像素PX、以及绝缘层26等。各子像素SP具有驱动晶体管DRT、像素电极PE以及发光元件10。此时,全部的像素PX的安装电极SE处于电浮动状态。面板PNL不具有追加发光元件11、元件绝缘层31以及公共电极CE。
在如上述这样准备了面板PNL之后,检查是否在多个发光元件10产生了发光不良。在检查之际,使探针与各发光元件10的阴极CA相抵等,对发光元件10进行电气检查。是否在发光元件10产生了发光不良的判断例如能够通过目视进行,也能够利用传感器而以机械方式进行判断。此外,发光元件10的发光不良不仅包括发光元件10完全不点亮的情况,也包括从发光元件10发出的光的亮度水平低于阈值的情况。以下,关注多个像素PX中的第1像素PX1和第2像素PX2。
在判断为未在多个像素PX中的第1像素PX1的多个发光元件10产生发光不良的情况下,将第1像素PX1的安装电极SE维持在电浮动状态(图6)。
另一方面,在多个像素PX中的第2像素PX2的发光元件10a产生了发光不良的情况下,向第2像素PX2的发光元件10a照射激光,给发光元件10a造成损伤,使发光元件10a破损。此时,可能存在在发光元件10a不存在阴极CA的情况。期望的是电流不会经由发光不良的发光元件10a在像素电极PEa与公共电极CE之间流动。由此,能够抑制在追加发光元件11a中流动的电流量的降低。
如图10所示,接下来,在第2像素PX2的安装电极SE之上安装第1颜色的追加发光元件11a,使追加发光元件11a的阳极AN与安装电极SE电连接。由此,在第2像素PX2中,能够使安装电极SE与子像素SPa的驱动晶体管DRT电连接。
接着,在第2像素PX2中,使安装电极SE与子像素SPa的驱动晶体管DRT电连接。此时,在绝缘层25之上形成使像素电极PEa和安装电极SE连接的布线层WL。在形成布线层WL之际,利用在钨的气体的气氛中向面板PNL照射激光的激光CVD(化学气相沉积:ChemicalVapor Deposition)法使钨局部堆积,形成金属化层。
此外,也可以与本实施方式的制造工序的顺序不同地,在形成了布线层WL之后安装追加发光元件11a。
在安装追加发光元件11a、并且形成了布线层WL之后,进一步形成绝缘层26。绝缘层26位于多个像素电极PE、多个安装电极SE以及布线层WL之上,能够覆盖多个像素电极PE、多个安装电极SE以及布线层WL。绝缘层26使多个发光元件10和追加发光元件11a露出。
如图8所示,接下来,在绝缘层26和布线层WL之上形成元件绝缘层31。接着,在绝缘层26、布线层WL、多个发光元件10以及追加发光元件11之上形成公共电极CE。由此,公共电极CE与多个发光元件10和追加发光元件11a各自的阴极CA电连接,由多个像素PX的多个子像素SP共用。由此,显示面板2的制造方法结束。
根据如上述这样构成的一实施方式的显示装置1和显示装置1的制造方法,像素PX具备单个的安装电极SE。因此,与各子像素SP具备单个的安装电极SE的情况相比较,能够有助于像素PX的高精细化。发光不良的发光元件10可以从显示面板2拆卸,也可以保持载置到像素电极PE之上的状态。由此,能够节省从显示面板2拆卸发光不良的发光元件10的劳力和时间。
根据上述内容,能够获得可容易地进行修复的显示装置1和显示装置1的制造方法。
(一实施方式的变形例1)
接着,对上述实施方式的变形例1进行说明。图11是表示上述实施方式的变形例1的显示装置1的一部分的剖视图。
如图11所示,布线层WL也可以位于第2像素PX2的安装电极SE与追加发光元件11a之间。追加发光元件11a安装于布线层WL之上。
相较于布线层WL未位于第2像素PX2的安装电极SE与追加发光元件11a之间的情况,能够增高安装追加发光元件11a那一侧的面的位置。从绝缘基板20到布线层WL的上表面的距离比从绝缘基板20到像素电极PEa的上表面的距离长。
在本变形例1的显示装置1的制造方法中,于在安装追加发光元件11之前形成布线层WL这点与上述实施方式的制造方法不同。在形成布线层WL之际,在第2像素PX2的安装电极SE之上也形成布线层WL。由此,能够更加易于安装追加发光元件11a。在形成了布线层WL之后,将追加发光元件11a安装于布线层WL之上。布线层WL位于第2像素PX2的安装电极SE与追加发光元件11a之间。
在如上述这样构成的变形例1的显示装置1和显示装置1的制造方法中,也能够获得与上述实施方式同样的效果。
(一实施方式的变形例2)
接着,对上述实施方式的变形例2进行说明。图12是表示上述实施方式的变形例2的显示装置1的第1像素PX1和第2像素PX2的俯视图,是表示像素电极PE、安装电极SE、发光元件10、追加发光元件11a以及布线层WL的图。
如图12所示,也可以是,各像素PX的像素电极PEa、PEb、PEc(发光元件10a、10b、10c)在第1方向X上排列,在第2方向Y上延伸,配置成条状(纵条状)。在各像素PX中,安装电极SE在第2方向Y上与像素电极PEa、PEb、PEc的群组相邻,并在第1方向X上延伸。安装电极SE在第2方向Y上与像素电极PEa、PEb、PEc中的至少一个电极相对。
此外,像素电极PEa、PEb、PEc和安装电极SE的位置关系并不限定于本变形例2的位置关系,能够进行各种变形。只要能够利用布线层WL将像素电极PEa、PEb、PEc中的任一个像素电极PE和安装电极SE连接,上述位置关系就没有特别限定。
在如上述这样构成的变形例2的显示装置1和显示装置1的制造方法中,也能够获得与上述实施方式同样的效果。
对本发明的实施方式进行了说明,但上述的实施方式是作为例子提供的,并不意图限定发明的范围。上述的新的实施方式能够以其他各种方式实施,能够在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、置换、改变。上述的实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨,并且,包含于权利要求书所记载的发明及其同等范围。

Claims (19)

1.一种显示面板,其具备:
基板;
第1绝缘层,其设置于所述基板之上;以及
多个像素,其设置于所述基板之上,位于显示区域,分别包括多个颜色的子像素,
各所述子像素具有:
驱动晶体管,其由第1绝缘层覆盖;
像素电极,其配置于所述第1绝缘层之上,与所述驱动晶体管电连接,从所述驱动晶体管向该像素电极提供电流值已被控制的信号;以及
发光元件,其安装于所述像素电极之上,包括与所述像素电极电连接的第1电极,
各所述像素具有安装电极,该安装电极配置于所述第1绝缘层之上,位于与所述像素电极隔开间隔的位置,
在所述多个像素中的第1像素中,所述安装电极处于电浮动状态。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,
所述多个像素中的第2像素还具有第1颜色的追加发光元件,该第1颜色的追加发光元件安装于所述安装电极之上,包括与所述安装电极电连接的第1电极,
在所述第2像素中,所述安装电极与所述第1颜色的所述子像素的所述驱动晶体管电连接,从所述驱动晶体管向所述安装电极提供所述电流值已被控制的信号,
在所述第2像素中,在从所述第1颜色的子像素的所述驱动晶体管向所述第1颜色的子像素的所述像素电极和所述安装电极提供了所述电流值已被控制的信号之际,所述第1颜色的子像素的所述第1颜色的所述发光元件不发光,所述第1颜色的追加发光元件发光。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,
所述第2像素还具有布线层,该布线层位于所述第1绝缘层之上,将所述第1颜色的子像素的所述像素电极与所述安装电极连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,
所述布线层是金属化层。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板,其中,
所述布线层位于所述第2像素的所述安装电极与所述追加发光元件之间,
所述追加发光元件安装于所述布线层之上。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其中,
该显示面板还具备第2绝缘层,该第2绝缘层位于所述多个像素电极、所述多个安装电极以及所述布线层之上,覆盖所述多个像素电极、所述多个安装电极以及所述布线层,使所述多个发光元件和所述追加发光元件露出。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,
该显示面板还具备公共电极,该公共电极配置于所述第2绝缘层、所述多个发光元件以及所述追加发光元件之上,由所述多个子像素共用,
所述多个发光元件和所述追加发光元件分别包括与所述公共电极电连接的第2电极。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其中,
在所述第2像素中,电流不在所述第1颜色的子像素的所述像素电极与所述公共电极之间经由所述第1颜色的所述发光元件流动。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其中,
所述发光元件和所述追加发光元件分别是微发光二极管。
10.一种显示面板的制造方法,在该显示面板的制造方法中,
准备面板,该面板具备:基板;第1绝缘层,其设置于所述基板之上;以及多个像素,其设置于所述基板之上,位于显示区域,且分别包括多个颜色的子像素,各所述子像素具有:驱动晶体管,其由第1绝缘层覆盖;像素电极,其配置于所述第1绝缘层之上,与所述驱动晶体管电连接,从所述驱动晶体管向该像素电极提供电流值已被控制的信号;以及发光元件,其安装于所述像素电极之上,包括与所述像素电极电连接的第1电极,各所述像素具有安装电极,该安装电极配置于所述第1绝缘层之上,位于与所述像素电极隔开间隔的位置,且处于电浮动状态;
在准备了所述面板之后,检查是否在所述多个发光元件产生了发光不良;
在所述多个像素中的第1像素的所述多个发光元件未产生发光不良的情况下,将所述第1像素的所述安装电极维持在电浮动状态;
在所述多个像素中的第2像素的第1颜色的所述子像素的所述第1颜色的所述发光元件产生了发光不良的情况下,
向所述第2像素的所述第1颜色的发光元件照射激光,
将所述第1颜色的追加发光元件安装在所述第2像素的所述安装电极之上,将所述追加发光元件的第1电极与所述安装电极电连接,并且
在所述第2像素中,将所述安装电极与所述第1颜色的子像素的所述驱动晶体管电连接。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制造方法,其中,
在将所述安装电极与所述第1颜色的子像素的所述驱动晶体管电连接之际,在所述第2像素中,在所述第1绝缘层之上形成将所述第1颜色的子像素的所述像素电极与所述安装电极连接的布线层。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制造方法,其中,
在形成所述布线层之际,形成基于激光CVD法的金属化层。
13.根据权利要求11或12所述的显示面板的制造方法,其中,
在形成所述布线层之际,在所述第2像素的所述安装电极之上形成所述布线层,
在形成了所述布线层之后,将所述追加发光元件安装于所述布线层之上,
所述布线层位于所述第2像素的所述安装电极与所述追加发光元件之间。
14.根据权利要求11所述的显示面板的制造方法,其中,
在安装所述追加发光元件、且形成了所述布线层之后,还形成第2绝缘层,该第2绝缘层位于所述多个像素电极、所述多个安装电极以及所述布线层之上,覆盖所述多个像素电极、所述多个安装电极以及所述布线层,使所述多个发光元件和所述追加发光元件露出。
15.根据权利要求14所述的显示面板的制造方法,其中,
在所述第2绝缘层、所述多个发光元件以及所述追加发光元件之上形成由所述多个子像素共用的公共电极,
使所述公共电极与所述多个发光元件和所述追加发光元件各自的第2电极电连接。
16.一种基板,其在1个像素内具备第1颜色微发光二极管、第2颜色微发光二极管、第3颜色微发光二极管、供所述第1颜色微发光二极管安装的第1电极、供所述第2颜色微发光二极管安装的第2电极、供所述第3颜色微发光二极管安装的第3电极、以及第4电极,
所述第1颜色微发光二极管、所述第2颜色微发光二极管、所述第3颜色微发光二极管是分别不同的颜色,
所述第4电极处于电浮动状态。
17.根据权利要求16所述的基板,其中,
所述第4电极在第1方向上与所述第2电极相邻,在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1电极相邻,
所述第3电极在所述第1方向上与所述第1电极相邻,在所述第2方向上与所述第2电极相邻。
18.根据权利要求16所述的基板,其中,
所述第1电极、所述第2电极、所述第3电极在第1方向上以隔开间隔的方式排列,
所述第4电极在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1电极、所述第2电极、所述第3电极中的至少一个电极相对。
19.根据权利要求16所述的基板,其中,
该基板还具备覆盖所述第1电极、所述第2电极、所述第3电极和所述第4电极的无机绝缘膜,
所述无机绝缘膜在所述像素内具有第1开口部、第2开口部、第3开口部、第4开口部,
所述第1颜色微发光二极管经由所述第1开口部与所述第1电极连接,
所述第2颜色微发光二极管经由所述第2开口部与所述第2电极连接,
所述第3颜色微发光二极管经由所述第3开口部与所述第3电极连接,
所述第4开口部使所述第4电极露出,
所述第1颜色微发光二极管、所述第2颜色微发光二极管和所述第3颜色微发光二极管中的任一个均未与所述第4电极连接。
CN201980062616.2A 2018-11-27 2019-11-12 显示面板、显示面板的制造方法以及基板 Active CN112740310B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-221074 2018-11-27
JP2018221074A JP7106435B2 (ja) 2018-11-27 2018-11-27 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板
PCT/JP2019/044440 WO2020110714A1 (ja) 2018-11-27 2019-11-12 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112740310A true CN112740310A (zh) 2021-04-30
CN112740310B CN112740310B (zh) 2023-02-17

Family

ID=70853192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980062616.2A Active CN112740310B (zh) 2018-11-27 2019-11-12 显示面板、显示面板的制造方法以及基板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210280655A1 (zh)
JP (1) JP7106435B2 (zh)
CN (1) CN112740310B (zh)
WO (1) WO2020110714A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4040496A4 (en) * 2019-09-30 2023-02-15 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE
CN111834389B (zh) * 2020-06-12 2024-04-02 福州大学 一种μLED显示器件检测及修复方法
CN113050831B (zh) * 2021-03-17 2023-07-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 触控装置
CN113793864A (zh) * 2021-09-16 2021-12-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
WO2023096149A1 (ko) * 2021-11-26 2023-06-01 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030011377A1 (en) * 2001-06-12 2003-01-16 Toyoharu Oohata Device mounting substrate and method of repairing defective device
JP2009151098A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置、アレイ基板及びその製造方法
US20140267683A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
JP2015173180A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
CN107750377A (zh) * 2015-06-10 2018-03-02 苹果公司 显示面板冗余方案
US20180159088A1 (en) * 2016-12-02 2018-06-07 PlayNitride Inc. Display and repair method thereof
US20180174932A1 (en) * 2016-12-19 2018-06-21 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
CN108682366A (zh) * 2013-12-27 2018-10-19 株式会社日本显示器 显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4882273B2 (ja) * 2005-05-09 2012-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板、不良素子の修復方法及び画像表示装置
WO2014149864A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme and method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
GB201418772D0 (en) * 2014-10-22 2014-12-03 Infiniled Ltd Display

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030011377A1 (en) * 2001-06-12 2003-01-16 Toyoharu Oohata Device mounting substrate and method of repairing defective device
JP2009151098A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置、アレイ基板及びその製造方法
US20140267683A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
CN108682366A (zh) * 2013-12-27 2018-10-19 株式会社日本显示器 显示装置
JP2015173180A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
CN107750377A (zh) * 2015-06-10 2018-03-02 苹果公司 显示面板冗余方案
US20180211582A1 (en) * 2015-06-10 2018-07-26 Apple Inc. Display panel redundancy schemes
US20180159088A1 (en) * 2016-12-02 2018-06-07 PlayNitride Inc. Display and repair method thereof
US20180174932A1 (en) * 2016-12-19 2018-06-21 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair

Also Published As

Publication number Publication date
JP7106435B2 (ja) 2022-07-26
US20210280655A1 (en) 2021-09-09
CN112740310B (zh) 2023-02-17
WO2020110714A1 (ja) 2020-06-04
JP2020086153A (ja) 2020-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112740310B (zh) 显示面板、显示面板的制造方法以及基板
US11908393B2 (en) Display device
US11410595B2 (en) Display device and driving method for display device
US20210313496A1 (en) Display device
CN112673412B (zh) 显示装置
JP2020154117A (ja) 表示装置
US20210296293A1 (en) Display panel, method of manufacturing the display panel, and substrate
US11508292B2 (en) Display device
JP2024014879A (ja) 表示装置
WO2021199614A1 (ja) 表示装置
US11631366B2 (en) Display device
JP7451328B2 (ja) 表示装置
JP7490504B2 (ja) 表示装置
US20230157075A1 (en) Display device
CN113823655A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant