CN112713094A - 一种共阳极to封装的工艺加工方法 - Google Patents

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朱方杰
李赟
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Abstract

本发明涉及共阳极TO封装的工艺加工方法技术领域，提供了一种共阳极TO封装的工艺加工方法，包括如下步骤：步骤一，将导电金属冲压成框架；步骤二，通过绝缘材料将多个金属底片相互隔开，形成绝缘金属底座；步骤三，将绝缘金属底座连接到框架相应的位置；步骤四，将二极管芯片连接到金属底片上；步骤五，从阳极中分出两个引线并分别连接在两个二极管芯片上；步骤六，将两个阴极的引线分别连接在两个金属底片上，从而形成封闭电路。本发明克服了现有技术的不足，设计合理，结构紧凑，解决了现有的共阳极TO封装，加工难度大的问题，本发明通过简单的结构组合，提高了加工的效率，同时使得整体更加稳定，提高使用寿命。

Description

一种共阳极TO封装的工艺加工方法
技术领域
本发明涉及共阳极TO封装的工艺加工方法技术领域，具体涉及一种共阳极TO封装的工艺加工方法。
背景技术
TO封装是一种针对二极管的封装，目前的TO封装大多都是共阴极的，但是在实际使用的过程中，为了提高空间利用率和减少成本，会采用共阳极的封装装置，如中国专利CN202022856029.3公开了一种并联式共阳极TO封装，该装置采用了共阳极的TO封装，在实际使用过程中提高了二极管的质量，但是加工工艺特别复杂，为了简化加工工艺。
我们提出一种共阳极TO封装的工艺加工方法。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种共阳极TO封装的工艺加工方法，克服了现有技术的不足，设计合理，结构紧凑，解决了现有的共阳极TO封装，加工难度大的问题，本发明通过简单的结构组合，提高了加工的效率，同时使得整体更加稳定，提高使用寿命。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：
一种共阳极TO封装的工艺加工方法，包括如下步骤：
步骤一，将导电金属冲压成框架；
步骤二，通过绝缘材料将多个金属底片相互隔开，形成绝缘金属底座；
步骤三，将绝缘金属底座连接到框架相应的位置；
步骤四，将二极管芯片连接到金属底片上；
步骤五，从阳极中分出两个引线并分别连接在两个二极管芯片上；
步骤六，将两个阴极的引线分别连接在两个金属底片上，从而形成封闭电路。
进一步的，在所述框架的固定孔位置冲压加固件。
进一步的，所述步骤二中，将多个金属底片相互隔开的冲压到陶瓷片中，形成绝缘金属底座。
进一步的，所述步骤二中，采用电镀的方式将金属底片电镀到陶瓷片上，形成绝缘金属底座。
进一步的，所述步骤二和所述步骤三中，将绝缘胶水均匀的涂抹在框架相应的位置上，然后通过绝缘胶水将金属底片固定在框架上。
进一步的，所述步骤五中，阳极引线连接在二极管芯片的中央，方便电流从中间向四周移动。
进一步的，所述步骤八中的绝缘材料为环氧树脂。
进一步的，所述步骤一和步骤三的顺序可以替换。
进一步的，还包括步骤七，采用绝缘材料对框架、二极管芯片等结构进行密封塑性。
(三)有益效果
本发明实施例提供了一种共阳极TO封装的工艺加工方法。具备以下有益效果：
1、加工步骤少，提高加工效率，采用几个步骤即可完成整个加工过程。
2、加工过程方便实现，方便量产，提高加工效率，整个加工步骤，都采用了常规的技术手段，方便实现，方便量产。
3、加工过程对框架进行固定，提高了TO封装的稳定性，提高了使用寿命。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
图中：框架1，固定孔1.1，阳极2，阴极3，绝缘金属底座4，陶瓷片4.1，金属底片4.2，加固件5，二极管芯片6。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
参照附图1，一种共阳极TO封装的工艺加工方法，包括如下步骤：
步骤一，将导电金属冲压成框架1；在框架1的固定孔1.1位置冲压加固件5，从而提高固定孔1.1的厚度，方便后续对框架1进行固定，防止框架1松动。
步骤二，将多个金属底片4.2相互隔开的冲压到陶瓷片4.1中，形成绝缘金属底座4，采用冲压的方式能够快速的将金属底片4.2与陶瓷片4.1进行连接，同时通过陶瓷片4.1能够将金属底片4.2进行分隔，防止相互干扰，采用陶瓷片4.1能够提高散热效果；
步骤三，将绝缘金属底座4通过锡焊的方式焊接到框架1相应的位置，将绝缘金属底座4与框架1进行连接，对绝缘金属底座4进行固定；
步骤四，将二极管芯片6焊接到金属底片上，将二极管芯片6安装到绝缘金属底座4上；
步骤五，从阳极2中分出两个引线并分别连接在两个二极管芯片6中央，方便电流从中间向四周移动；
步骤六，将两个阴极3的引线分别连接在两个金属底片4.2上，从而形成封闭电路；
步骤七，采用环氧树脂对框架1、二极管芯片6等结构进行塑封绝缘，提高使用寿命，防止老化。
本实施例中，步骤一和步骤二的顺序可以替换。
实施例2
与实施例1不同的在于，步骤三中采用电镀的方式将金属底片4.2电镀到陶瓷片4.1上，形成绝缘金属底座4，减少加工工艺，方便加工。
实施例3
与实施例1不同的在于，步骤三中将绝缘胶水均匀的涂抹在框架1相应的位置上，然后通过绝缘胶水将金属底片4.2固定在框架1上，从而实现对金属底片4.2的快速连接，同时造价低廉，加工快捷。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，将导电金属冲压成框架；
步骤二，通过绝缘材料将多个金属底片相互隔开，形成绝缘金属底座；
步骤三，将绝缘金属底座连接到框架相应的位置；
步骤四，将二极管芯片连接到金属底片上；
步骤五，从阳极中分出两个引线并分别连接在两个二极管芯片上；
步骤六，将两个阴极的引线分别连接在两个金属底片上，从而形成封闭电路。
2.如权利要求1所述的一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于：在所述框架的固定孔位置冲压加固件。
3.如权利要求1所述的一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于：所述步骤二中，将多个金属底片相互隔开的冲压到陶瓷片中，形成绝缘金属底座。
4.如权利要求1所述的一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于：所述步骤二中，采用电镀的方式将金属底片电镀到陶瓷片上，形成绝缘金属底座。
5.如权利要求1所述的一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于：所述步骤二和所述步骤三中，将绝缘胶水均匀的涂抹在框架相应的位置上，然后通过绝缘胶水将金属底片固定在框架上。
6.如权利要求1所述的一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于：所述步骤五中，阳极引线连接在二极管芯片的中央，方便电流从中间向四周移动。
7.如权利要求1所述的一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于：所述步骤八中的绝缘材料为环氧树脂。
8.如权利要求1所述的一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于：所述步骤一和步骤三的顺序可以替换。
9.如权利要求1所述的一种共阳极TO封装的工艺加工方法，其特征在于：还包括步骤七，采用绝缘材料对框架、二极管芯片等结构进行密封塑性。
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