CN211046787U - 一种小型三相整流桥结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型针对现有技术中小型三相整流桥上的二极管芯片的A极和铜板焊接会产生缝隙的弊端，提供一种小型三相整流桥结构，属于电源技术领域。包括外壳，所述外壳内设置有DBC板，所述DBC板中心设有通孔，所述DBC板包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的下端面固定连接有铜基板，所述陶瓷基板的上端面固定连接有五片围绕通孔设置的铜片桥架，二极管芯片和对应的铜片桥架的连接面均为二极管芯片的K极；二极管芯片的A极和对应的铜片桥架通过跳线连接。该小型三相整流桥结构通过改变铜片桥架、二极管芯片以及跳线的分布，使该小型三相整流桥结构中所有二极管芯片的K极与铜片桥架连接，使二极管芯片与铜片桥架之间的连接处不易出现缝隙。

Description

一种小型三相整流桥结构

技术领域

本实用新型属于电源技术领域，具体涉及一种小型三相整流桥结构。

背景技术

现有的三相整流桥结构大多数为在铝基覆铜板上，按三相整流桥电路把六个二极管芯片、五个引出电极焊接在铜片上构成，用环氧树脂封装在外壳中。如专利公开号为CN206658163U，专利名称为一种三相整流桥结构的实用新型专利，它包括外壳和二极管芯片，外壳内设有片状铜板和俯视成Z形的交流电极，铜板焊接有侧视成L形直流电极，交流电极焊接有跳线，跳线通过二极管芯片与铜板焊接。该实用新型的二极管芯片和片状铜板焊接连接部位有二极管芯片的K极，也有二极管芯片的A极，二极管芯片的A极一周有凹槽，导致二极管芯片的A极和铜板焊接的连接处会产生缝隙，该缝隙的存在会影响二极管芯片的散热性能，从而会影响二极管芯片的使用寿命，最终影响三相整流桥的使用寿命，尤其是在小型三相整流桥中，因体积大小的限制，这一问题尤为突出，受到三相整流桥的线路结构限制，在现有的小型三相整流桥内部铜片桥架、二极管芯片以及跳线布局不变的前提下，无法实现将所有二极管芯片的K极与片状铜板焊接。

发明内容

本实用新型针对现有技术中小型三相整流桥上的二极管芯片的A极和铜板焊接会产生缝隙的弊端，提供一种小型三相整流桥结构，该小型三相整流桥结构通过改变铜片桥架、二极管芯片以及跳线的分布，使该小型三相整流桥结构中所有二极管芯片的K极与铜片桥架连接，使二极管芯片与铜片桥架之间的连接处不易出现缝隙。

本实用新型的发明目的是通过以下技术方案实现的：一种小型三相整流桥结构，包括外壳，所述外壳内设置有DBC板，所述DBC板中心设有通孔，所述DBC板包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的下端面固定连接有铜基板，所述陶瓷基板的上端面固定连接有五片围绕通孔设置的铜片桥架，每一片铜片桥架上都固定连接有一个引出电极，所述铜片桥架分别为第一铜片桥架、第二铜片桥架、第三铜片桥架、第四铜片桥架、第五铜片桥架；所述第二铜片桥架、第四铜片桥架、第五铜片桥架上分别固定连接有一个二极管芯片，所述第三铜片桥架上固定连接有三个二极管芯片，所述二极管芯片和对应的铜片桥架的连接面均为二极管芯片的K极；所述第二铜片桥架、第四铜片桥架、第五铜片桥架上的二极管芯片的A极分别和第一铜片桥架之间通过跳线连接，所述第三铜片桥架上的其中一个二极管芯片的A极和所述第二铜片桥架之间通过跳线连接，所述第三铜片桥架上的第二个二极管芯片的A极和第四铜片桥架之间通过跳线连接，所述第三铜片桥架上的第三个二极管芯片的A极和所述第五铜片桥架之间通过跳线连接。

上述方案中，DBC板为覆铜陶瓷基板，具有优良的导热特性，高绝缘性，大电流承载能力，优异的耐焊锡性及高附着强度并可像PCB一样能刻蚀出各种线路图形。覆铜陶瓷基板应用于电力电子、大功率模块、航天航空等领域。六个二极管芯片分别设置在四片铜片桥架上，分散了电流流过二极管芯片和铜片桥架时产生的热量，使三相整流桥的体积在不影响其性能的情况下可以做的更加小型。每个二极管芯片和对应的铜片桥架的连接面均为二极管芯片的K极，保证了二极管芯片和铜片桥架之间的焊接质量，不容易出现缝隙，能够提升二极管芯片的散热性能，从而提高了该小型三相整流桥的使用寿命。

作为优选，所述第四铜片桥架包括用于安装二极管芯片的桥架主体，桥架主体侧面固定连接有围绕通孔设置的触手部，所述第三铜片桥架上第二个二极管芯片上的跳线与触手部固定连接。触手部的设置，能够缩短第四铜片桥架与第三铜片桥架之间的距离，缩短所需的跳线的长度，也便于跳线的安装。

作为优选，所述陶瓷基板的通孔直径大于所述铜基板的通孔直径，所述铜基板的通孔内固定连接有中心柱，所述中心柱穿过陶瓷基板上的通孔，所述中心柱为圆环形。陶瓷基板脆性较大，中心柱与铜基板的通孔固定连接，避免了陶瓷基板后期加工的易碎性，降低了产品加工过程中的不良率。

作为优选，相邻所述铜片桥架之间间距相等。这样可以使铜片桥架之间的散热更加均匀。

作为优选，所述跳线为铜片弯折形成的拱形结构。

作为优选，所述跳线和二极管芯片连接的端部为圆盘状。使二极管芯片和跳线的接触面积更大，有利于电流导电和更好的散热。

作为优选，所述跳线和对应的铜片桥架连接的端部为方形结构。

作为优选，所述铜片桥架上开设有腰形孔。腰型孔的设置，能够减少二极管焊接时的漂移。

作为优选，所述第一铜片桥架上的引出电极为整流后的直流输出负极，所述第三铜片桥架上的引出电极为整流后的直流输出正极。

作为优选，所述铜基板的面积大于所述陶瓷基板的面积，且所述铜基板四周外侧面相对于陶瓷基板四周外侧面向外凸出。方便外壳与铜基板的固定连接。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型为小型三相整流桥，能够使所有二极管芯片的K极与铜片桥架连接，使二极管芯片与铜片桥架之间焊接时不易产生缝隙，能够提升二极管芯片的散热性能，从而延长二极管芯片的使用寿命，最终提升该小型三相整流桥的使用寿命。

附图说明

图1为三相整流桥结构的结构图；

图2为三相整流桥结构外壳内的结构图；

图3为三相整流桥结构的俯视图；

图4为二极管芯片的结构图；

图5为三相整流桥的原理图。

图中标记： 1、外壳；2、陶瓷基板；21、铜基板；3、二极管芯片；31、A极；32、凹槽；4、跳线；51、第一铜片桥架；52、第二铜片桥架；53、第三铜片桥架；54、第四铜片桥架；541、桥架主体；542、触手部；55、第五铜片桥架；56、腰形孔；6、引出电极；7、中心柱。

具体实施方式

下面结合附图所表示的实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例1

如图1、图2、图3、图4、图5所示，一种小型三相整流桥结构，包括外壳1，所述外壳1内设置有DBC板，所述DBC板中心设有通孔，通孔内固定安装有圆环形结构的中心柱7。所述DBC板包括陶瓷基板2，所述陶瓷基板2的下端面固定连接有铜基板21，所述铜基板21的面积大于所述陶瓷基板2的面积，且所述铜基板21四周外侧面相对于陶瓷基板2四周外侧面向外凸出，方便外壳1与铜基板21的固定连接。所述陶瓷基板2的通孔直径大于所述铜基板21的通孔直径，所述铜基板21的通孔内固定连接有中心柱7，所述中心柱7穿过陶瓷基板2上的通孔，所述中心柱7为圆环形。陶瓷基板2脆性较大，中心柱7与铜基板21的通孔固定连接，避免了陶瓷基板2后期加工的易碎性，降低了产品加工过程中的不良率。所述陶瓷基板2的上端面固定连接有五片围绕通孔设置的铜片桥架，铜片桥架上开设有腰形孔56，且相邻所述铜片桥架之间间距相等。每一片铜片桥架上都焊接连接有一个引出电极6，所述铜片桥架分别为第一铜片桥架51、第二铜片桥架52、第三铜片桥架53、第四铜片桥架54、第五铜片桥架55；所述第二铜片桥架52、第四铜片桥架54、第五铜片桥架55上分别焊接连接有一个二极管芯片3，所述第三铜片桥架53上焊接连接有三个二极管芯片3。所述二极管芯片3和对应的铜片桥架的连接面均为二极管芯片3的K极，保证了二极管芯片3和铜片桥架之间的焊接质量，不容易出现缝隙，提高了三相整流桥的使用寿命。所述第二铜片桥架52、第四铜片桥架54、第五铜片桥架55上的二极管芯片3的A极31分别和第一铜片桥架51之间通过跳线4连接，所述第三铜片桥架53上的其中一个二极管芯片3的A极31和所述第二铜片桥架52之间通过跳线4连接，所述第三铜片桥架53上的第二个二极管芯片3的A极31和第四铜片桥架54之间通过跳线4连接，所述第三铜片桥架53上的第三个二极管芯片3的A极31和所述第五铜片桥架55之间通过跳线4连接。第四铜片桥架54包括用于安装二极管芯片3的桥架主体541，桥架主体541侧面固定连接有围绕通孔设置的触手部542，所述第三铜片桥架53上第二个二极管芯片3上的跳线4与触手部542固定连接。触手部542的设置，能够缩短第四铜片桥架54与第三铜片桥架53之间的距离，缩短所需的跳线4的长度，也便于跳线4的安装。六个二极管芯片3分别设置在四片铜片桥架上，分散了电流流过二极管芯片3和铜片桥架时产生的热量，使三相整流桥的体积在不影响其性能的情况下可以做的更加小型。该跳线4为铜片弯折形成的拱形结构，跳线4和二极管芯片3连接的端部为圆盘状，跳线4和对应的铜片桥架连接的端部为方形结构。

文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (10)

1.一种小型三相整流桥结构，包括外壳（1），其特征在于，所述外壳（1）内设置有DBC板，所述DBC板中心设有通孔，所述DBC板包括陶瓷基板（2），所述陶瓷基板（2）的下端面固定连接有铜基板（21），所述陶瓷基板（2）的上端面固定连接有五片围绕通孔设置的铜片桥架，每一片铜片桥架上都固定连接有一个引出电极（6），所述铜片桥架分别为第一铜片桥架（51）、第二铜片桥架(52)、第三铜片桥架(53)、第四铜片桥架(54)、第五铜片桥架(55)；所述第二铜片桥架（52）、第四铜片桥架（54）、第五铜片桥架（55）上分别固定连接有一个二极管芯片（3），所述第三铜片桥架（53）上固定连接有三个二极管芯片（3），所述二极管芯片（3）和对应的铜片桥架的连接面均为二极管芯片（3）的K极；所述第二铜片桥架（52）、第四铜片桥架（54）、第五铜片桥架（55）上的二极管芯片（3）的A极（31）分别和第一铜片桥架（51）之间通过跳线（4）连接，所述第三铜片桥架（53）上的其中一个二极管芯片（3）的A极（31）和所述第二铜片桥架（52）之间通过跳线（4）连接，所述第三铜片桥架（53）上的第二个二极管芯片（3）的A极（31）和第四铜片桥架（54）之间通过跳线（4）连接，所述第三铜片桥架（53）上的第三个二极管芯片（3）的A极（31）和所述第五铜片桥架（55）之间通过跳线（4）连接。

2.根据权利要求1所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，所述第四铜片桥架(54)包括用于安装二极管芯片（3）的桥架主体（541），桥架主体（541）侧面固定连接有围绕通孔设置的触手部（542），所述第三铜片桥架(53)上第二个二极管芯片（3）上的跳线（4）与触手部（542）固定连接。

3.根据权利要求1所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，所述陶瓷基板（2）的通孔直径大于所述铜基板（21）的通孔直径，所述铜基板（21）的通孔内固定连接有中心柱（7），所述中心柱（7）穿过陶瓷基板（2）上的通孔，所述中心柱(7)为圆环形。

4.根据权利要求1所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，相邻所述铜片桥架之间间距相等。

5.根据权利要求1所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，所述跳线（4）为铜片弯折形成的拱形结构。

6.根据权利要求5所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，所述跳线（4）和二极管芯片（3）连接的端部为圆盘状。

7.根据权利要求5或6所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，所述跳线（4）和对应的铜片桥架连接的端部为方形结构。

8.根据权利要求1所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，所述铜片桥架（5）上开设有腰形孔（56）。

9.根据权利要求1所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，所述第一铜片桥架（51）上的引出电极（6）为整流后的直流输出负极，所述第三铜片桥架（53）上的引出电极（6）为整流后的直流输出正极。

10.根据权利要求1所述的小型三相整流桥结构，其特征在于，所述铜基板（21）的面积大于所述陶瓷基板（2）的面积，且所述铜基板（21）四周外侧面相对于陶瓷基板（2）四周外侧面向外凸出。

Images