CN115395260B - 连接结构及功率模块 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种连接结构及功率模块，连接结构包括：连接主体，第一连接座与第二连接座，第一连接座设有第一延长部，第二连接座设有第二延长部，第一连接座到连接主体的最短距离D1与第二连接座到连接主体的最短距离D2相等，连接主体通过第一连接座及第二连接座用于与芯片电性连接。上述连接结构，各个芯片汇集到连接主体上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且每个芯片到连接主体的路径相同，连接主体到陶瓷覆铜板的路径相同，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。

Description

连接结构及功率模块
技术领域
本发明涉及功率模块技术领域，特别是涉及一种连接结构及功率模块。
背景技术
随着交通运输、航空航天等领域的发展，对现有的电源功率模块及电源系统提出了新的要求，功率模块主要包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块、二极管模块，MOSFET模块，智能功率(IPM)模块等。在功率模块的结构中，存在金属连接结构，将芯片和陶瓷覆铜板实现电气连接。此结构会显著影响产品的性能，包括开关速度、电压尖峰、温度分布，特别在多芯片并联的模块中，还会影响并联均流和振荡的问题，影响的因素主要此结构的寄生参数大小、结构尺寸和材料。
传统技术中，金属连接结构常用铝线对芯片和陶瓷覆铜板进行连接，但是这种连接方式，存在杂散电感较大，芯片的均流较差，容易出现震荡、载流能力差的情况。
发明内容
基于此，有必要提供一种连接结构及功率模块，能够有效提高均流效果，降低杂散电感，提高载流能力。
其技术方案如下：一种连接结构，所述连接结构包括：连接主体，沿所述连接主体的宽度方向，所述连接主体的相对两端分别为第一端面与第二端面，所述第一端面上设有第一安装部，所述连接主体通过所述第一安装部用于与陶瓷覆铜板电性连接；第一连接座与第二连接座，所述第一连接座设有第一延长部，所述第一连接座通过所述第一延长部与所述连接主体连接，所述第二连接座设有第二延长部，所述第二连接座通过所述第二延长部与所述连接主体连接，且所述第一连接座到所述连接主体的最短距离D1与第二连接座到所述连接主体的最短距离D2相等，所述连接主体通过所述第一连接座及所述第二连接座用于与芯片电性连接。
上述连接结构，在装配过程中，将不同的芯片分别电性连接于第一连接座上和第二连接座上，再将第一安装部连与陶瓷覆铜板电性连接，从而实现芯片与陶瓷覆铜板的电性连通。由于第二连接座及第一连接座相对设置，而第一安装部与第一连接座分别位于连接主体的相对两端，因此，各个芯片汇集到连接主体上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且第一连接座与第二连接座到连接主体的最短距离相等，使得每个芯片到连接主体的路径相同，连接主体到陶瓷覆铜板的路径相同，从而各个芯片到陶瓷覆铜板回路的杂散电感、杂散电阻等寄生参数基本相等，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。
在其中一个实施例中，所述第一连接座为两个以上，两个以上所述第一连接座间隔设置于所述连接主体上，所述第二连接座为两个以上，两个以上所述第二连接座间隔设置于所述连接主体上。
在其中一个实施例中，所述第一安装部为至少两个，至少两个所述第一安装部沿所述连接主体的长度方向间隔设置于所述第一端面上。
在其中一个实施例中，所述第一连接座与第一延长部呈夹角连接，且所述第一延长部远离所述第一连接座的一端与所述第二端面连接，所述第二连接座与第二延长部呈夹角连接，且所述第二延长部远离所述第二连接座的一端连接于所述连接主体的一侧面上，所述第一连接座与所述第二连接座均对应开设有冲压穿孔。
在其中一个实施例中，所述第二延长部连接于所述连接主体沿宽度方向的中间位置，且两个以上所述第二延长部沿所述连接主体的中线Z1间隔设置。
在其中一个实施例中，所述第一连接座背向所述连接主体的一侧设有配合部，所述配合部用于与芯片表面抵触配合。
在其中一个实施例中，所述第二连接座背向所述连接主体的一侧设有配合部，所述配合部用于与芯片表面抵触配合。
在其中一个实施例中，所述第二端面上设有第二安装部，所述第一延长部与所述第二延长部间隔连接于所述连接主体的同一侧面上，所述第一连接座与所述第一延长部连接，所述第二连接座与所述第二延长部连接。
在其中一个实施例中，所述第一安装部设有第三延长部，所述第一安装部与所述第三延长部呈夹角连接，所述第三延长部与所述第一端面成夹角连接。
在其中一个实施例中，所述第二安装部设有第四延长部，所述第二安装部与所述第四延长部呈夹角连接，所述第四延长部与所述第二端面成夹角连接。
在其中一个实施例中，所述第一安装部上还设有第一限位勾，所述第一限位勾位于所述第一安装部远离所述连接主体的一端，所述第一限位勾用于与陶瓷覆铜板限位配合。
在其中一个实施例中，所述第二安装部上还设有第二限位勾，所述第二限位勾位于所述第二安装部远离所述连接主体的一端，所述第二限位勾用于与陶瓷覆铜板限位配合。
在其中一个实施例中，所述连接主体还设有排气孔，所述排气孔贯穿所述连接主体的相对两侧，且所述排气孔与所述冲压穿孔间隔设置。
在其中一个实施例中，所述连接主体与所述第二连接座为一体成型结构，所述连接主体上设有冲压穿孔，所述冲压穿孔与所述第二连接座为一一对应设置。
一种功率模块，所述功率模块包括芯片、陶瓷覆铜板及上述中任意一项所述的连接结构，所述芯片为两个以上，所述第一连接座与第二连接座分别电性连接于不同的所述芯片，所述第一安装部连接于所述陶瓷覆铜板。
上述功率模块，在装配过程中，将不同的芯片分别电性连接于第一连接座上和第二连接座上，再将第一安装部连与陶瓷覆铜板电性连接，从而实现芯片与陶瓷覆铜板的电性连通。由于第二连接座与第一连接座相对设置，而第一安装部与第一连接座分别位于连接主体的相对两端，因此，各个芯片汇集到连接主体上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且第一连接座与第二连接座到连接主体的最短距离相等，使得每个芯片到连接主体的路径相同，连接主体到陶瓷覆铜板的路径相同，从而各个芯片到陶瓷覆铜板回路的杂散电感、杂散电阻等寄生参数基本相等，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中所述的连接结构的整体结构示意图一；
图2为图1中所述的连接结构的平面结构示意图；
图3为图1中所述的连接结构的另一角度结构示意图；
图4为一实施例中所述的连接结构的整体结构示意图二；
图5为图4中所述的连接结构的平面结构示意图；
图6为图4中所述的连接结构的另一角度结构示意图。
附图标记说明：
100、连接结构；110、第一连接座；111、第一延长部；120、第二连接座；121、第二延长部；130、连接主体；131、第一端面；132、第二端面；133、冲压穿孔；134、排气孔；135、第一安装部；136、第一限位勾；137、第三延长部；138、第二安装部；139、第二限位勾；140、配合部；141、第四延长部。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
请参阅图1、图2及图3，图1示出了本发明一实施例中所述的连接结构100的整体结构示意图一；图2示出了图1中所述的连接结构100的平面结构示意图；图3示出了图1中所述的连接结构100的另一角度结构示意图，本发明一实施例提供了的一种连接结构100，连接结构100包括：连接主体130、第一连接座110及第二连接座120。沿连接主体130的宽度方向，连接主体130的相对两端分别为第一端面131与第二端面132，第一端面131上设有第一安装部135，连接主体130通过第一安装部135用于与陶瓷覆铜板电性连接。第一连接座110设有第一延长部111，第一连接座110通过第一延长部111与连接主体130连接。第二连接座120设有第二延长部121，第二连接座120通过第二延长部121与连接主体130连接，且第一连接座110到连接主体130的最短距离D1与第二连接座120到连接主体130的最短距离D2相等。连接主体130通过第一连接座110及第二连接座120用于与芯片电性连接。
上述连接结构100，在装配过程中，将不同的芯片分别电性连接于第一连接座110上和第二连接座120上，再将第一安装部135连与陶瓷覆铜板电性连接，从而实现芯片与陶瓷覆铜板的电性连通。由于第二连接座120与第一连接座110相对设置，而第一安装部135与第一连接座110分别位于连接主体130的相对两端，因此，各个芯片汇集到连接主体130上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且第一连接座110与第二连接座120到连接主体130的最短距离相等，使得每个芯片到连接主体130的路径相同，连接主体130到陶瓷覆铜板的路径相同，从而各个芯片到陶瓷覆铜板回路的杂散电感、杂散电阻等寄生参数基本相等，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。
需要说明的是，第一连接座110到连接主体130的最短距离D1与第二连接座120到连接主体130的最短距离D2相等应理解为，第一连接座110通过第一延长部111与连接主体130间隔设置，第一连接座110到连接主体130的最短距离D1可为第一延长部111连接第一连接座110和连接主体130相对两端之间的路径长度，同样地，第二连接座120通过第二延长部121与连接主体130间隔设置，第二连接座120到连接主体130的最短距离D2可为第二延长部121连接第二连接座120和连接主体130相对两端之间的路径长度。
为了进一步理解与说明连接主体130的宽度方向，以图2为例，连接主体130的宽度方向为图2中直线S1上任意一箭头所指的方向。
其中，连接主体130为金属结构，第一连接座110及第二连接座120均为金属结构。如此能够保证良好的导电效果。
可选地，连接主体130的材质可为铜、铝、银或其它材质。
具体地，连接主体130为铝合金材质。第一连接座110、第二连接座120均为铝合金材质。如此，电阻率低，热导率高，发热少，散热能力强，有利于提高载流能力。本实施例仅提供一种连接主体130、第一连接座110、第二连接座120的具体材质选择，但并不以此为限。
可选地，连接主体130的形状可为圆形、三角形、矩形、正方形、正多边形或其它不规则形状。
具体地，请参阅图1与图2，连接主体130为矩形。连接主体130为矩形金属片。因此，结构均匀，能够覆盖多个芯片，横截面积大，且各个芯片之间到陶瓷覆铜板回路之间的路径短，有利于实现低杂散电感的效果，从而提高电流均匀性。本实施例仅提供一种连接主体130的具体形状选择，但并不以此为限。
进一步地，请参阅图1与图2，第一连接座110为两个以上，两个以上第一连接座110间隔设置于连接主体130上，第二连接座120为两个以上，两个以上第二连接座120间隔设置于连接主体130上。具体地，如图1所示，第一连接座110与第二连接座120均为四个。如此，能够同时满足八个芯片与陶瓷覆铜板的电性连接，并且每个第一连接座110到连接主体130的距离相等，有利于进一步降低各个第一连接座110上的芯片到陶瓷覆铜板回路的杂散电感、杂散电阻等寄生参数，从而保证封装后的结构对电流均匀性的影响比较小。同样地，每个第二连接座120到连接主体130的距离相等，有利于进一步地降低各个第二连接座120上的芯片到陶瓷覆铜板回路上的杂散电感、杂散电阻等寄生参数，从而降低封装结构对电流均匀性的影响。
在一个实施例中，请参阅图1与图2，第一安装部135为至少两个，至少两个第一安装部135沿连接主体130的长度方向间隔设置于第一端面131上。进一步地，两个第一连接座110与同一个第一安装部135的距离相等，两个第二连接座120与同一个第一安装部135的距离相等。具体在本实施例中，如图1和图2所示，第一安装部135为两个，两个第一安装部135分别间隔设置于第一端面131上。并且两个第一连接座110对称设置于一个第一安装部135的相对两侧。两个第二连接座120对称设置于一个第一安装部135的相对两侧。因此，一方面，至少两个第一安装部135与陶瓷覆铜板连接有利于提高连接稳定性，从而保证电性连接的稳性。另外，对称设置的两个第一连接座110能够保证其各自与一个第一安装部135之间的距离，从而进一步降低杂散电感、杂散电阻等机身参数，提高芯片的电流均匀性。
为了进一步理解与说明连接主体130的长度方向，以图2为例，连接主体130的长度方向为图2中直线S2上任意一箭头所指的方向。
在一个实施例中，请参阅图2与图3，第一连接座110与第一延长部111呈夹角连接，第一延长部111远离第一连接座110的一端与第二端面132连接。第二连接座120与第二延长部121呈夹角连接，且第二延长部121远离第二连接座120的一端连接于连接主体130的一侧面上。具体地，第一连接座110与连接主体130平行，第一延长部111的两端垂直连接于连接主体130与第一连接座110。如此，能够使得连接主体130与芯片和陶瓷覆铜板间隔设置，从而避免间距过小，封装后造成接触和短路情况发生，并且能够提高散热效果，提高封装结构的可靠性。在其他实施例中，第一延长部111与第一连接座110、连接主体130之间的角度还可为其它角度，如夹角范围为80°~160°。同样地，第二延长部121与第二连接座120、连接主体130之间的角度还可为其它角度，如夹角范围为80°~160°。
可选地，第一连接座110与第二连接座120在安装主体上的排布方式可为线性分布、矩阵分布、杂乱分布或其它不规律和规律地分布形式。
具体地，请参阅图2，第二延长部121连接于连接主体130沿宽度方向的中间位置，且两个以上第二延长部121沿连接主体130的中线Z1间隔设置。第一延长部111的长度与第二延长部121的长度相等，第一连接座110、第二连接座120及连接主体130均平行设置，第一连接座110与第二连接座120处于同一平面。第一连接座110相对与第二端面132向外延伸设置，第二连接座120朝向第一安装部135延伸设置，且第一连接座110与第二连接座120的长度相等。如此，有利于提高散热效率，并且方便加工，提高芯片的连接便利性。
可选地，第一连接座110、第二连接座120在连接主体130上的连接方式可为导电胶粘接、焊接、卡扣连接、螺纹连接或其它连接方式，又或者是，第一连接座110、第二连接座120及连接主体130为一体成型结构。
在一个实施例中，请参阅图1与图2，连接主体130与第二连接座120为一体成型结构，连接主体130上设有冲压穿孔133，冲压穿孔133与第二连接座120为一一对应设置。如此，一体成型结构的连接结构100方便加工，且结构稳定，可靠性强。通过冲压方式能够同时加工出冲压穿孔133和第二连接座120，有利于节省生产成本。冲压穿孔133还能够起到排气作用，在后续注胶封装时有利于顺利排气，避免产生气泡。
在一个实施例中，请参阅图3，第一连接座110背向连接主体130的一侧设有配合部140，配合部140用于与芯片表面抵触配合。如此，有利于与芯片表面结构配合，从而提高第一连接座110与芯片表面的接触面积，保证第一连接座110与芯片电性连接的稳定性。例如，配合部140为配合槽。
同样地，请参阅图3第二连接座120背向连接主体130的一侧设有配合部140，配合部140用于与芯片表面抵触配合。如此，有利于与芯片表面结构配合，从而提高第二连接座120与芯片表面的接触面积，保证第一连接座110与芯片电性连接的稳定性。
请参阅图4、图5及图6，图4示出了本发明一实施例中所述的连接结构100的整体结构示意图二；图5示出了图4中所述的连接结构100的平面结构示意图；图6示出了图4中所述的连接结构100的另一角度结构示意图，在一个实施例中，第二端面132上设有第二安装部138，第一延长部111与第二延长部121间隔连接于连接主体130的同一侧面上，第一连接座110与第一延长部111连接，第二连接座120与第二延长部121连接。第一连接座110与第二连接座120均对应开设有冲压穿孔133。如此，能够根据安装空间适应不同的安装位置，提高连接结构100的使用便利性。
在一个实施例中，请参阅图3与图6，第一安装部135设有第三延长部137，第一安装部135与第三延长部137呈夹角连接，第三延长部137与第一端面131成夹角连接。具体地，第一安装部135与连接主体130平行，第三延长部137的两端垂直连接于连接主体130与第一安装部135。如此，有利于使得第一安装部135与第一连接座110、第二连接座120保持平行，从而使得连接主体130与陶瓷覆铜板保证平行，提高结构稳定性。在其他实施例中，第三延长部137与第一安装部135、连接主体130之间的角度还可为其它角度，如夹角范围为80°~160°。
进一步地，请参阅图4与图6，第二安装部138设有第四延长部141，第二安装部138与第四延长部141呈夹角连接，第四延长部141与第二端面132成夹角连接。具体地，第二安装部138与连接主体130平行，第四延长部141的两端垂直连接于连接主体130与第一安装部135。如此，如此，有利于使得第二安装部138与第一连接座110、第二连接座120保持平行，从而使得连接主体130与陶瓷覆铜板保证平行，提高结构稳定性。在其他实施例中，第三延长部137与第一安装部135、连接主体130之间的角度还可为其它角度，如夹角范围为80°~160°。
在一个实施例中，请参阅图1与图2，连接主体130还设有排气孔134，排气孔134贯穿连接主体130的相对两侧，且排气孔134与冲压穿孔133间隔设置。如此，在后续的灌胶脱泡工艺中，排气孔134能够将难以排除的气泡排出，从而避免气泡残留在连接主体130下方，提高连接结构100的使用可靠性。
在一个实施例中，请参阅图1、图2与图3，请参阅图第一安装部135上还设有第一限位勾136，第一限位勾136位于第一安装部135远离连接主体130的一端，第一限位勾136用于与陶瓷覆铜板限位配合。如此，有利于提高第一安装部135与陶瓷覆铜板的连接稳定性，进而提高功率模块的整体结构稳定性和使用可靠性。
进一步地，请参阅图4与图5，第二安装部138上还设有第二限位勾139，第二限位勾139位于第二安装部138远离连接主体130的一端，第二限位勾139用于与陶瓷覆铜板限位配合。如此，有利于提高第一安装部135与陶瓷覆铜板的连接稳定性，进而提高功率模块的整体结构稳定性和使用可靠性。
在一个实施例中，一种功率模块（图中未示出），功率模块包括芯片、陶瓷覆铜板及上述中任意一项的连接结构100，芯片为两个以上，第一连接座110与第二连接座120分别电性连接于不同的芯片，第一安装部135连接于陶瓷覆铜板。
上述功率模块，在装配过程中，将不同的芯片分别电性连接于第一连接座110上和第二连接座120上，再将第一安装部135连与陶瓷覆铜板电性连接，从而实现芯片与陶瓷覆铜板的电性连通。由于第二连接座120与第一连接座110相对设置，而第一安装部135与第一连接座110分别位于连接主体130的相对两端，因此，各个芯片汇集到连接主体130上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且第一连接座110与第二连接座120到连接主体130的最短距离相等，使得每个芯片到连接主体130的路径相同，连接主体130到陶瓷覆铜板的路径相同，从而各个芯片到陶瓷覆铜板回路的杂散电感、杂散电阻等寄生参数基本相等，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种连接结构，其特征在于，所述连接结构包括：
连接主体，沿所述连接主体的宽度方向，所述连接主体的相对两端分别为第一端面与第二端面，所述第一端面上设有第一安装部，所述连接主体通过所述第一安装部用于与陶瓷覆铜板电性连接；
第一连接座与第二连接座，所述第一连接座设有第一延长部，所述第一连接座通过所述第一延长部与所述连接主体连接，所述第二连接座设有第二延长部，所述第二连接座通过所述第二延长部与所述连接主体连接，且所述第一连接座到所述连接主体的最短距离D1与第二连接座到所述连接主体的最短距离D2相等，所述第一连接座背向所述连接主体的一侧设有配合部，所述配合部用于与芯片表面抵触配合，所述连接主体通过所述第一连接座及所述第二连接座用于与芯片电性连接，所述第一连接座与所述第二连接座均对应开设有冲压穿孔。
2.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述第一连接座为两个以上，两个以上所述第一连接座间隔设置于所述连接主体上，所述第二连接座为两个以上，两个以上所述第二连接座间隔设置于所述连接主体上。
3.根据权利要求2所述的连接结构，其特征在于，所述第一安装部为至少两个，至少两个所述第一安装部沿所述连接主体的长度方向间隔设置于所述第一端面上。
4.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述第一连接座与第一延长部呈夹角连接，且所述第一延长部远离所述第一连接座的一端与所述第二端面连接，所述第二连接座与第二延长部呈夹角连接，且所述第二延长部远离所述第二连接座的一端连接于所述连接主体的一侧面上。
5.根据权利要求4所述的连接结构，其特征在于，所述第二延长部连接于所述连接主体沿宽度方向的中间位置，且两个以上所述第二延长部沿所述连接主体的中线Z1间隔设置；和/或，
所述第二连接座背向所述连接主体的一侧设有配合部，所述配合部用于与芯片表面抵触配合。
6.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述第二端面上设有第二安装部，所述第一延长部与所述第二延长部间隔连接于所述连接主体的同一侧面上，所述第一连接座与所述第一延长部连接，所述第二连接座与所述第二延长部连接。
7.根据权利要求6所述的连接结构，其特征在于，所述第一安装部设有第三延长部，所述第一安装部与所述第三延长部呈夹角连接，所述第三延长部与所述第一端面成夹角连接；和/或，
所述第二安装部设有第四延长部，所述第二安装部与所述第四延长部呈夹角连接，所述第四延长部与所述第二端面成夹角连接。
8.根据权利要求6所述的连接结构，其特征在于，所述第一安装部上还设有第一限位勾，所述第一限位勾位于所述第一安装部远离所述连接主体的一端，所述第一限位勾用于与陶瓷覆铜板限位配合；和/或，
所述第二安装部上还设有第二限位勾，所述第二限位勾位于所述第二安装部远离所述连接主体的一端，所述第二限位勾用于与陶瓷覆铜板限位配合。
9.根据权利要求4所述的连接结构，其特征在于，所述连接主体还设有排气孔，所述排气孔贯穿所述连接主体的相对两侧，且所述排气孔与所述冲压穿孔间隔设置；和/或，
所述连接主体与所述第二连接座为一体成型结构，所述连接主体上设有冲压穿孔，所述冲压穿孔与所述第二连接座为一一对应设置。
10.一种功率模块，其特征在于，所述功率模块包括芯片、陶瓷覆铜板及权利要求1-9中任意一项所述的连接结构，所述芯片为两个以上，所述第一连接座与第二连接座分别电性连接于不同的所述芯片，所述第一安装部连接于所述陶瓷覆铜板。
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