CN216902929U - 一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构 - Google Patents

一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构 Download PDF

Info

Publication number
CN216902929U
CN216902929U CN202220656279.9U CN202220656279U CN216902929U CN 216902929 U CN216902929 U CN 216902929U CN 202220656279 U CN202220656279 U CN 202220656279U CN 216902929 U CN216902929 U CN 216902929U
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
chip carrier
plate
carrier plate
heat dissipation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202220656279.9U
Other languages
English (en)
Inventor
周威
马青
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangzhou Kenda Electronic Co ltd
Original Assignee
Yangzhou Kenda Electronic Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yangzhou Kenda Electronic Co ltd filed Critical Yangzhou Kenda Electronic Co ltd
Priority to CN202220656279.9U priority Critical patent/CN216902929U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN216902929U publication Critical patent/CN216902929U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本案涉及整流桥技术领域,具体涉及一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,包括封装底板以及芯片载板,所述芯片载板包括第一芯片载板,第二芯片载板以及第三芯片载板;所述芯片载板卡设在封装底板的固定槽内;所述芯片载板上设置有芯片安装位;所述芯片载板上设置有引线板;所述第一芯片载板设置在第二、第三芯片载板的一侧,且第一载板芯片,第二芯片载板以及第三芯片载板构成长方形布置;所述第二芯片载板上设置有第二引线板,所述第二引线板设置在第一芯片载板的上部;第一引线板,第二引线板,第三引线板以及第四引线板设置在三个芯片载板的上下侧。本实用新型装置可以有效的避免内部的温升差异以及具有较好的散热效果。

Description

一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构
技术领域
本实用新型涉及整流桥技术领域,具体涉及一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构。
背景技术
传统封装的功能主要在于芯片保护、尺度放大、电气连接三项功能,而实际生产过程中,产品内部框架的不同结构往往会对芯片的散热带来不同的影响,尤其是整流桥这种多芯片产品。整流桥工作时,是两两芯片间隔发热,但由于频率与电网频率同步为50Hz,切换速度较快。
整流桥产品有4个极,分别为正极、负极和两个交流极,目前市场产品设计规则为:正极负极在一边,两个交流极在一边,导致产品内部框架结构需要进行延伸来满足产品外部极性要求;这就导致了芯片存在排布散热不均,的问题,这直接影响了芯片的性能以及参数。
实用新型内容
针对现有技术中的不足之处,本实用新型提出了一种新型的抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,能够有效的解决背景技术中的技术问题。
本实用新型的技术方案如下:
一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,包括封装底板以及芯片载板,所述芯片载板包括第一芯片载板,第二芯片载板以及第三芯片载板;
所述芯片载板卡设在封装底板的固定槽内;
所述芯片载板上设置有芯片安装位;
所述芯片载板上设置有引线板;
所述第一芯片载板设置在第二、第三芯片载板的一侧,且第一载板芯片,第二芯片载板以及第三芯片载板构成长方形布置;
所述第二芯片载板上设置有第二引线板,所述第二引线板设置在第一芯片载板的上部;
第一引线板,第二引线板,第三引线板以及第四引线板设置在三个芯片载板的上下侧。
本实用新型装置优选实施方式在于,所述芯片载板上设置有散热孔;
所述引线板上设置有散热孔;
所述第一芯片载板的中部设置有方形孔。
本实用新型装置优选实施方式在于,所述芯片载板上还设置有散热部件,该散热部件为设置在芯片载板侧部的散热鳍片;
封装底板上设置有散热槽,散热鳍片卡设在散热槽内;
散热槽上部的封装底板上开设有散热通孔。
本实用新型装置优选实施方式在于,所述散热孔呈长条形布置一条。
本实用新型装置优选实施方式在于,所述第一芯片载板上设置有芯片安装区位一,芯片安装区位二;
第二芯片载板上设置有芯片安装区位三;
第三芯片载板上设置有芯片安装区位四;
四个芯片本体分别在四个芯片安装区位上安装;
还包括金属连接板,第一金属连接板用于芯片安装区位一上的芯片与第三芯片载板的连接;
第二金属连接板用于芯片安装区位二上的芯片与第二芯片载板的连接;
第三金属连接板用于芯片安装区位二以及芯片安装区位三上的芯片的连接,且第三金属连接板与第四引线板连接。
本实用新型装置优选实施方式在于,所述金属连接板包括长方形的铜板以及长条的金属连接线;
所述铜板与芯片本体之间设置有键合点;
所述键合点呈梯形布置;
所述键合点通过焊接方式与铜板固定。
本实用新型装置优选实施方式在于,所述键合点为银或者铜材质制备而成;
所述键合点通过挂锡工艺焊接。
本实用新型的有益效果是:本实用新型装置对现有的芯片框架结构进行改进,在封装底板上设置了数个固定槽,且固定槽用于芯片载板的放置,将原先的整合的芯片载板进行分割,制备成数个相互分离的芯片载板,此种方式可以避免了热量的堆积,同时,数个芯片载板在整体上又呈现出规整的长方形,满足了规整布置的需求以及引脚布置的需要。同时,还设置了用于散热的散热部件,有效的进行散热处理。本实用新型装置可以有效的避免内部的温升差异以及具有较好的散热效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本案实用新型装置整体结构示意图。
图2为本案实用新型装置中键合点结构示意图。
图3为本案实用新型装置中金属连接板与芯片连接示意图。
图中1、封装底板;2、第一芯片载板;21、芯片安装区位一;22、芯片安装区位二;23、方形孔;24、第一引线板;3、散热孔;4、散热鳍片;5、芯片本体;6、压板;61、固定孔;7、第一金属连接板;71、第二金属连接板;72、第三金属连接板;73、第四金属连接板;8、第二芯片载板;81、第二引线板;9、第三芯片载板;91、第三引线板;10、键合点;101、焊接区域;11、散热槽;111、散热通孔;12、第四引线板。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“竖”、“横”“内”、“外”、“正面”、“背面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
此外,下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
参见图1-3,本实施例提供了一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,包括封装底板1以及芯片载板,所述芯片载板包括第一芯片载板2,第二芯片载板8以及第三芯片载板9;
所述芯片载板卡设在封装底板1的固定槽内;
所述芯片载板上设置有芯片安装位;
所述芯片载板上设置有引线板;
所述第一芯片载板2设置在第二、第三芯片载板9的一侧,且第一载板芯片,第二芯片载板8以及第三芯片载板9构成长方形布置;
所述第二芯片载板8上设置有第二引线板81,所述第二引线板81设置在第一芯片载板2的上部;
第一引线板24,第二引线板81,第三引线板91以及第四引线板12设置在三个芯片载板的上下侧。
本实用新型装置的实施原理是:本实用新型装置对现有的芯片框架结构进行改进,在封装底板1上设置了数个固定槽,且固定槽用于芯片载板的放置,将原先的整合的芯片载板进行分割,制备成数个相互分离的芯片载板,此种方式可以避免了热量的堆积,同时,数个芯片载板在整体上又呈现出规整的长方形,满足了规整布置的需求以及引脚布置的需要。
进一步的,所述芯片载板上设置有散热孔3;
所述引线板上设置有散热孔3;
所述第一芯片载板2的中部设置有方形孔23。
更进一步的,所述芯片载板上还设置有散热部件,该散热部件为设置在芯片载板侧部的散热鳍片4;
封装底板1上设置有散热槽11,散热鳍片4卡设在散热槽11内;
散热槽11上部的封装底板1上开设有散热通孔111。
更进一步的所述散热孔3呈长条形布置一条。
本实施方式中,为了增加整体装置的散热效果,增加热量散去的速度,设置了多个散热孔3,同时还在芯片载板上设置了散热部件,该散热部件通过散热鳍齿进行散热。
进一步的优化,所述第一芯片载板2上设置有芯片安装区位一21,芯片安装区位二22;
第二芯片载板8上设置有芯片安装区位三;
第三芯片载板9上设置有芯片安装区位四;
四个芯片本体5分别在四个芯片安装区位上安装;
还包括金属连接板,第一金属连接板7用于芯片安装区位一21上的芯片与第三芯片载板9的连接;
第二金属连接板71用于芯片安装区位二22上的芯片与第二芯片载板8的连接;
第三金属连接板72用于芯片安装区位二22以及芯片安装区位三上的芯片的连接,且第三金属连接板72与第四引线板12连接。
在本实施方式中,采取连接板方式进行芯片件的连接。
更进一步的优化,所述金属连接板包括长方形的铜板以及长条的金属连接线;
所述铜板与芯片本体5之间设置有键合点10;
所述键合点10呈梯形布置;
所述键合点10通过焊接方式与铜板固定。
更进一步的优化,所述键合点10为银或者铜材质制备而成;
所述键合点10通过挂锡工艺焊接。
在本实施方式中,设置的梯形的键合点10可以使得铜片与芯片之间存在间隙,进一步的便于散热效果。
尽管本实用新型的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用,它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域,对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。

Claims (7)

1.一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,包括封装底板以及芯片载板,其特征在于:所述芯片载板包括第一芯片载板,第二芯片载板以及第三芯片载板;
所述芯片载板卡设在封装底板的固定槽内;
所述芯片载板上设置有芯片安装位;
所述芯片载板上设置有引线板;
所述第一芯片载板设置在第二、第三芯片载板的一侧,且第一载板芯片,第二芯片载板以及第三芯片载板构成长方形布置;
所述第二芯片载板上设置有第二引线板,所述第二引线板设置在第一芯片载板的上部;
第一引线板,第二引线板,第三引线板以及第四引线板设置在三个芯片载板的上下侧。
2.根据权利要求1所述的一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,其特征在于:所述芯片载板上设置有散热孔;
所述引线板上设置有散热孔;
所述第一芯片载板的中部设置有方形孔。
3.根据权利要求1所述的一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,其特征在于:所述芯片载板上还设置有散热部件,该散热部件为设置在芯片载板侧部的散热鳍片;
封装底板上设置有散热槽,散热鳍片卡设在散热槽内;
散热槽上部的封装底板上开设有散热通孔。
4.根据权利要求2所述的一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,其特征在于:所述散热孔呈长条形布置一条。
5.根据权利要求1所述的一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,其特征在于:所述第一芯片载板上设置有芯片安装区位一,芯片安装区位二;
第二芯片载板上设置有芯片安装区位三;
第三芯片载板上设置有芯片安装区位四;
四个芯片本体分别在四个芯片安装区位上安装;
还包括金属连接板,第一金属连接板用于芯片安装区位一上的芯片与第三芯片载板的连接;
第二金属连接板用于芯片安装区位二上的芯片与第二芯片载板的连接;
第三金属连接板用于芯片安装区位二以及芯片安装区位三上的芯片的连接,且第三金属连接板与第四引线板连接。
6.根据权利要求5所述的一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,其特征在于:所述金属连接板包括长方形的铜板以及长条的金属连接线;
所述铜板与芯片本体之间设置有键合点;
所述键合点呈梯形布置;
所述键合点通过焊接方式与铜板固定。
7.根据权利要求6所述的一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构,其特征在于:所述键合点为银或者铜材质制备而成;
所述键合点通过挂锡工艺焊接。
CN202220656279.9U 2022-03-25 2022-03-25 一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构 Active CN216902929U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202220656279.9U CN216902929U (zh) 2022-03-25 2022-03-25 一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202220656279.9U CN216902929U (zh) 2022-03-25 2022-03-25 一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN216902929U true CN216902929U (zh) 2022-07-05

Family

ID=82193824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202220656279.9U Active CN216902929U (zh) 2022-03-25 2022-03-25 一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN216902929U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9240371B2 (en) Semiconductor module, semiconductor device having semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module
KR101926854B1 (ko) 반도체 장치
JP2008259267A5 (zh)
JP3941728B2 (ja) 電力用半導体装置
US11088053B2 (en) Encapsulation structure with high density, multiple sided and exposed leads and method for manufacturing the same
KR20160038771A (ko) 반도체 장치
US20210407875A1 (en) Semiconductor device
CN113823625A (zh) 功率模块及电机控制器
TWI446462B (zh) 功率模組
JP6651828B2 (ja) 冷却器及びパワー半導体モジュール
CN216902929U (zh) 一种抑制整流桥内部温升差异的芯片框架结构
EP3982404A1 (en) Semiconductor module
TW201409642A (zh) 引線框架上的焊錫流阻礙特徵件
CN110634817B (zh) 一种由igbt和mosfet构成的混合功率模块的封装结构
CN216213450U (zh) 一种低回路电感的碳化硅功率模块
CN105247675A (zh) 半导体装置
CN110911395A (zh) 双面散热igbt模块
CN112382622A (zh) 一种新型的to封装
JPH0322925Y2 (zh)
JP5582070B2 (ja) 電力用半導体装置と電力用半導体装置の製造方法
CN213071112U (zh) 一种整流半导体器件
CN216015347U (zh) 一种器件封装结构及组件
CN219696441U (zh) 大电流低电感功率半导体模块
CN220985918U (zh) 一种dbc板结构及大功率开关模块
CN216958019U (zh) 一种具有金属连接框架的功率模块

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant