CN112710941B - 一种基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统及测试方法 - Google Patents

一种基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统及测试方法 Download PDF

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    • G01R31/52Testing for short-circuits, leakage current or ground faults

Abstract

本发明提供一种基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统,包括:电压表(3),电流表(7),可变电阻集以及接收光器件,其中电流表与电压表一端均接地,电流表的另一端与可变电阻集连接,可变电阻集另一端与接收光器件连接,接收光器件包括串联连接的VCC电容(2)、跨阻放大器(1)及RSSI电容(10)和探测器(4),RSSI电容一端与可变电阻集连接,VCC电容一端接地,另一端分别连接跨阻放大器以及电压表连接,探测器一端与跨阻放大器连接;可变电阻集为电阻形成的串联或并联电路,可变电阻集的电阻可调,针对不同产品对匹配电阻要求不同,通过调节电压值以及电流值的变化判断接收光器件内是否发生电容失效。还公开了对应的测试方法。

Description

一种基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统及测试 方法
技术领域
本发明涉及半导体测试领域,特别是涉及一种基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统及测试方法。
背景技术
随着互联网、大数据、人工智能、高清电视的高速发展,对光纤网络传输速率需求越来越高,人类使用各种方法来提高芯片传输速率,随着芯片速率的提高,光器件芯片性能和工艺的要求越来越高,产品生产过程中对工艺要求比较严苛,尤其是在ESD和EOS防护方面,相关措施未做好很容易在生产过程中造成芯片或组件损伤。如图1所示,现有测试电容的采用直接测试方式实施电容测量,给电容进行充电、放电后直接进行性能测试,因此只能测试单个独立状态下的电容,当电容与其他元件组装在一起时,基于目前现有的测试方法和设备,在器件端是无法将被ESD或EOS损伤的电容组件测试出来,导致电容组件已经失效的器件流出,最终在客户端发生产品特性不良及相关质量投诉问题,增加技术人员坏品分析的时间和精力以及质量人员质量异常的整改时间和报告撰写,这是现在行业里面普遍面临的难题。总之,现有技术的缺陷包括:
1、现有测试电容的方案是单个独立电容的测试方案,通过给电容进行充电、放电直接性能测试、只能测试单个独立状态下的电容,是直接方式测试电容,当电容与其他元件组装在一起时,现有的方案无法测试;
2、光器件是已经将电容等芯片一起封装的成品组件,目前没有方法可以将坏品电容在光器件端测试出来,导致不良品流出到客户端,造成客诉问题,增加技术人员坏品分析时间和精力,严重影响未来的订单。
在这种背景下,急需一种能够将封装测试生产过程中损伤或失效的电容组件在器件端筛选出来的测试系统及测试方法。
发明内容
为了克服现有技术的缺陷,本发明提供一种低成本、高效率、可调电阻、可调电压并能够将不良的电容组件在器件端筛选出来的测试系统和测试方法,通过间接测试原理能够将光器件里面失效的电容在器件端直接筛选出来,防止不良品留至客户。
本发明的目的在于提供一种基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统,包括:
电压表(3),电流表(7),可变电阻集以及接收光器件,其中所述电流表(7)与所述电压表(3)的一端均接地,所述电流表(7)的另一端与可变电阻集连接,所述可变电阻集另一端与接收光器件连接,所述接收光器件包括串联连接的VCC电容(2)、跨阻放大器(1)以及RSSI电容(10)和探测器(4),所述RSSI电容(10)一端与所述可变电阻集连接,所述VCC电容(2)一端接地,另一端分别连接所述跨阻放大器以及所述电压表(3)连接,所述探测器(4)一端与所述跨阻放大器(1)连接;所述可变电阻集为电阻形成的串联电路和并联电路,所述可变电阻集的电阻可调,从而使用测试不同产品时对匹配电阻的不同要求,通过调节电压值,获得所述可变电阻集电路的电流值,通过电流值的变化判断所述接收光器件内是否发生电容失效。
优选的,所述可变电阻集为单一电阻。
优选的,所述可变电阻集为多个电阻串联形成的串联电路。
优选的,所述可变电阻集为多个电阻并联形成的并联电路。
优选的,所述电压表(3)为2400系列数字源电压表。
本发明的目的还在于提供一种基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试方法,包括步骤:
步骤1,通过提供电压,获得所述电流表(7)的电流读数测试RSSI电容(10)是否是合格品;
步骤2,通过提供电压,获得所述电流表(7)的电流读数测试所述VCC电容(2)是否是合格品。
优选的,所述步骤1包括:
步骤11,根据产品种类不同对匹配电阻的不同要求,调节所述可变电阻集的电阻值;
步骤12,根据通过所述可变电阻集的电流数值判断所述RSSI电容(10)是否是合格品。
优选的,所述步骤12包括:
步骤121,若所述产品的种类对电阻需求正常,所述可变电阻集为单一的第一串联电阻(9)的情况下, RSSI电容(10)输出的电流会经过第一串联电阻(9),再经过电流表(7)显示出来的电流数据;经过RSSI电容(10)的电流会流经第一串联电阻(9),当RSSI电容(10)损伤失效时, RSSI电容(10)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻(9)的阻值相对失效坏品的RSSI电容(10)很大时,跨阻放大器(1)输出的电流会被失效坏品RSSI电容(10)分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻(9)的电流较小,此时电流表(7)显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容(10)是损伤失效;当RSSI电容(10)是合格品时候, RSSI电容(10)与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻(9)的阻值相对合格品RSSI电容(10)很小时,跨阻放大器(1)输出的电流主要经过第一串联电阻(9)所在回路,流经第一串联电阻(9)的电流会比较大,此时电流表(7)显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容(10)是合格品;
步骤122,若所述产品的种类对电阻需求偏大时, 所述RSSI电容(10)输出电流所经过的第一串联电阻(9)所在的回路上面串联第二串联电阻(6)以增加回路总电阻值,从而匹配电路的需求;RSSI电容(10)输出的电流会经过第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6),再经过电流表(7)显示出来的电流数据;经过RSSI电容(10)的电流会流经第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6),当RSSI电容(10)损伤失效时, RSSI电容(10)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容(10)很大时,跨阻放大器(1)输出的电流会被失效坏品RSSI电容(10)分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的电流较小,此时电流表(7)显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容(10)是损伤失效;当RSSI电容(10)是合格品时候, RSSI电容(10)与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的阻值总和相对合格品RSSI电容(10)很小时,跨阻放大器(1)输出的电流主要经过第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)所在回路,流经第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的电流会比较大,此时电流表(7)显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容(10)是合格品;
步骤123,若所述产品的种类对电阻需求偏小时,在第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的电路上并联一个第二电阻(8),使整个电阻偏小来满足需求,所述RSSI电容(10)输出的电流会经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路,当RSSI电容(10)损伤失效时, RSSI电容(10)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容(10)很大时,跨阻放大器(1)输出的电流会被失效坏品RSSI电容(10)分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路的电流较小,此时电流表(7)显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容(10)是损伤失效;当RSSI电容(10)是合格品时候, RSSI电容(10)与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路的阻值总和相对合格品RSSI电容(10)很小时,跨阻放大器(1)输出的电流主要经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路,流经第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路的电流会比较大,此时电流表(7)显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容(10)是合格品;
步骤124,若所述产品的种类对电阻需求更小,继续在所述步骤123形成的回路上并联一个第三电阻(5),调节整体电阻来满足需求,使整个电阻更小来满足需求,所述RSSI电容(10)输出的电流会经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路,当RSSI电容(10)损伤失效时, RSSI电容(10)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容(10)很大时,跨阻放大器(1)输出的电流会被失效坏品RSSI电容(10)分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路的电流较小,此时电流表(7)显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容(10)是损伤失效;当RSSI电容(10)是合格品时候, RSSI电容(10)与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路的阻值总和相对合格品RSSI电容(10)很小时,跨阻放大器(1)输出的电流主要经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路,流经第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路的电流会比较大,此时电流表(7)显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容(10)是合格品;
优选的,通过设置第一电开关(11)、第二电开关(12)和第三电开关(13)实现所述步骤121,122,123和124,所述当第一串联电阻(9)阻值偏小时,会通过断开第一电开关(11),使得第二串联电阻(6)接入串联回路中,从而使整个回路的电阻增大来满足该产品的需求;当第一串联电阻(9)阻值偏大时,则闭合第二电开关(12),使第二电阻(8)接入电路中与第一串联电阻(9)形成并联关系,从而减少整个电路中的电阻;若此时电阻还是偏大超过产品需求时,则再闭合第三电开关(13),使第三电阻(5)接入电路中与第一串联电阻(9)形成并联关系,再次减少整个电路中的电阻,从而达到不同产品的需求。
优选的,所述步骤2包括:
给所述跨阻放大器(1)供电工作时,输入的电压会经过所述VCC电容(2)进行滤波,然后才到达所述跨阻放大器(1),当所述VCC电容(2)被静电损伤或者来料本身就失效时,所述VCC电容(2)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻很小,为所述VCC电容(2)两端提供一个较小的电压值,从而形成回路,通过所述电压表(3)读取所述可变电阻集的电流,此时会显示一个较大的电流,使用电流数据来判断所述VCC电容(2)损伤失效;当所述VCC电容(2)是合格品时,所述VCC电容(2)与地之间的电阻非常大,为所述VCC电容(2)两端提供一个小电压,从而形成回路,通过所述电压表(3)读取所述可变电阻集的电流,此时会显示一个较小的电流,使用电流数据来判断所述VCC电容(2)是合格品。
本发明的有益效果:
1、本发明方案能够将坏品电容在器件端直接筛选出来,防止不良品留至客户;
2、本发明方案实现功能的成本低,便于量产,从而增加利润;
3、本发明方案效率高,在测试的过程中只需要的极短时间就能够将坏品电容在器件端直接筛选出来;
4、本发明方案电阻可调,在测试不同产品时,对匹配电阻要求是不一样的,本设计通过并联、串联电路来调节电阻值的大小、从而满足量产不同产品的需求;
5、本发明方案电压可调,不同产品时,使用的电容容值是不一样,测试过程中需要根据不同的电容容值来选择电压,从而实现量产中快速转线难题;
6、本测试方案是间接测试光器件电容,通过其他电路上面指标的变化来判断光器件组件里面电容是否失效,与现有直接测试方式逻辑不同,直接测试方式无法测量光器件里面电容情况。
根据下文结合附图对本发明具体实施例的详细描述,本领域技术人员将会更加明了本发明的上述以及其他目的、优点和特征。
附图说明
后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本发明的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解,这些附图未必是按比例绘制的。本发明的目标及特征考虑到如下结合附图的描述将更加明显,附图中:
附图1为根据本发明实施例的基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统原理结构图;
附图2为根据本发明第一实施例的可变电阻集为单一电阻的系统原理结构图以及测试原理图;
附图3为根据本发明第二实施例的可变电阻集形成串联电路的系统原理结构图以及测试原理图;
附图4为根据本发明第三实施例的可变电阻集形成第一并联电路的系统原理结构图以及测试原理图;
附图5为根据本发明第四实施例的可变电阻集形成第二并联电路的系统原理结构图以及测试原理图;
附图6为通过电开关实施根据本发明第一到第四实施例的可变电阻集形成第二并联电路的系统原理结构图以及测试原理图。
具体实施方式
参见图1所示,本实施例的基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统,包括:电压表3,电流表7,可变电阻集以及接收光器件,其中电流表7与电压表3的一端均接地,电流表7的另一端与可变电阻集连接,可变电阻集另一端与接收光器件连接,接收光器件包括串联连接的VCC电容2、跨阻放大器1以及RSSI电容10和探测器4,RSSI电容10一端与可变电阻集连接,VCC电容2一端接地,另一端分别连接跨阻放大器以及电压表3连接,探测器4一端与跨阻放大器1连接;可变电阻集为电阻形成的串联电路和并联电路,可变电阻集的电阻可调,从而使用测试不同产品时对匹配电阻的不同要求,通过调节电压值,获得可变电阻集电路的电流值,通过电流值的变化判断接收光器件内是否发生电容失效。
参见图2-5,可变电阻集为单一电阻、多个电阻串联形成的串联电路或多个电阻并联形成的并联电路。
其中,本实施例中,电压表3选择使用2400系列数字源电压表,当然本领域技术人员也可以选择其他类型的电压表。
本实施例对应的基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试方法,包括步骤:
步骤1,通过提供电压,获得电流表7的电流读数测试RSSI电容10是否是合格品;
步骤2,通过提供电压,获得电流表7的电流读数测试VCC电容2是否是合格品。
优选的,步骤1包括:
步骤11,根据产品种类不同对匹配电阻的不同要求,调节可变电阻集的电阻值;
步骤12,根据通过可变电阻集的电流数值判断RSSI电容10是否是合格品。
优选的,步骤12包括:
如图2所示,步骤121,若产品的种类对电阻需求正常,可变电阻集为单一的第一串联电阻9的情况下, RSSI电容10输出的电流会经过第一串联电阻9,再经过电流表7显示出来的电流数据;经过RSSI电容10的电流会流经第一串联电阻9,当RSSI电容10损伤失效时,RSSI电容10已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻9的阻值相对失效坏品的RSSI电容10很大时,跨阻放大器1输出的电流会被失效坏品RSSI电容10分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻9的电流较小,此时电流表7显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容10是损伤失效;当RSSI电容10是合格品时候,RSSI电容10与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻9的阻值相对合格品RSSI电容10很小时,跨阻放大器1输出的电流主要经过第一串联电阻9所在回路,流经第一串联电阻9的电流会比较大,此时电流表7显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容10是合格品;
如图3所示,步骤122,若产品的种类对电阻需求偏大时, RSSI电容10输出电流所经过的第一串联电阻9所在的回路上面串联第二串联电阻6以增加回路总电阻值,从而匹配电路的需求;RSSI电容10输出的电流会经过第一串联电阻9和第二串联电阻6,再经过电流表7显示出来的电流数据;经过RSSI电容10的电流会流经第一串联电阻9和第二串联电阻6,当RSSI电容10损伤失效时, RSSI电容10已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻9和第二串联电阻6的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容10很大时,跨阻放大器1输出的电流会被失效坏品RSSI电容10分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻9和第二串联电阻6的电流较小,此时电流表7显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容10是损伤失效;当RSSI电容10是合格品时候, RSSI电容10与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻9和第二串联电阻6的阻值总和相对合格品RSSI电容10很小时,跨阻放大器1输出的电流主要经过第一串联电阻9和第二串联电阻6所在回路,流经第一串联电阻9和第二串联电阻6的电流会比较大,此时电流表7显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容10是合格品;
如图4所示,步骤123,若产品的种类对电阻需求偏小时,在第一串联电阻9和第二串联电阻6的电路上并联一个第二电阻8,使整个电阻偏小来满足需求,RSSI电容10输出的电流会经过第一串联电阻9、第二串联电阻6和第二电阻8构成的并联电路,当RSSI电容10损伤失效时, RSSI电容10已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻9、第二串联电阻6和第二电阻8构成的并联电路的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容10很大时,跨阻放大器1输出的电流会被失效坏品RSSI电容10分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻9、第二串联电阻6和第二电阻8构成的并联电路的电流较小,此时电流表7显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容10是损伤失效;当RSSI电容10是合格品时候, RSSI电容10与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻9、第二串联电阻6和第二电阻8构成的并联电路的阻值总和相对合格品RSSI电容10很小时,跨阻放大器1输出的电流主要经过第一串联电阻9、第二串联电阻6和第二电阻8构成的并联电路,流经第一串联电阻9、第二串联电阻6和第二电阻8构成的并联电路的电流会比较大,此时电流表7显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容10是合格品;
如图5所示,步骤124,若产品的种类对电阻需求更小,继续在步骤123形成的回路上并联一个第三电阻5,调节整体电阻来满足需求,使整个电阻更小来满足需求,RSSI电容10输出的电流会经过第一串联电阻9、第二串联电阻6、第二电阻8和第三电阻5构成的并联电路,当RSSI电容10损伤失效时, RSSI电容10已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻9、第二串联电阻6、第二电阻8和第三电阻5构成的并联电路的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容10很大时,跨阻放大器1输出的电流会被失效坏品RSSI电容10分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻9、第二串联电阻6、第二电阻8和第三电阻5构成的并联电路的电流较小,此时电流表7显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容10是损伤失效;当RSSI电容10是合格品时候, RSSI电容10与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻9、第二串联电阻6、第二电阻8和第三电阻5构成的并联电路的阻值总和相对合格品RSSI电容10很小时,跨阻放大器1输出的电流主要经过第一串联电阻9、第二串联电阻6、第二电阻8和第三电阻5构成的并联电路,流经第一串联电阻9、第二串联电阻6、第二电阻8和第三电阻5构成的并联电路的电流会比较大,此时电流表7显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容10是合格品;
如图6所示,通过设置第一电开关11、第二电开关12和第三电开关13实现步骤121,122,123和124,当第一串联电阻9阻值偏小时,会通过断开第一电开关11,使得第二串联电阻6接入串联回路中,从而使整个回路的电阻增大来满足该产品的需求;当第一串联电阻9阻值偏大时,则闭合第二电开关12,使第二电阻8接入电路中与第一串联电阻9形成并联关系,从而减少整个电路中的电阻;若此时电阻还是偏大超过产品需求时,则再闭合第三电开关13,使第三电阻5接入电路中与第一串联电阻9形成并联关系,再次减少整个电路中的电阻,从而达到不同产品的需求。
如图2所示,步骤2包括:
给跨阻放大器1供电工作时,输入的电压会经过VCC电容2进行滤波,然后才到达跨阻放大器1,当VCC电容2被静电损伤或者来料本身就失效时,VCC电容2已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻很小,为VCC电容2两端提供一个较小的电压值,从而形成回路,通过电压表3读取可变电阻集的电流,此时会显示一个较大的电流,使用电流数据来判断VCC电容2损伤失效;当VCC电容2是合格品时,VCC电容2与地之间的电阻非常大,为VCC电容2两端提供一个小电压,从而形成回路,通过电压表3读取可变电阻集的电流,此时会显示一个较小的电流,使用电流数据来判断VCC电容2是合格品。
本实施例的方案能够将坏品电容在器件端直接筛选出来,防止不良品留至客户,实现功能的成本低,便于量产,从而增加利润,并且测试效率高,在测试的过程中只需要的极短时间就能够将坏品电容在器件端直接筛选出来。本实施例方案电阻可调,在测试不同产品时,对匹配电阻要求是不一样的,本设计通过并联、串联电路来调节电阻值的大小、从而满足量产不同产品的需求,电压可调,不同产品时,使用的电容容值是不一样,测试过程中需要根据不同的电容容值来选择电压,从而实现量产中快速转线难题。本测试方案是间接测试光器件电容,通过其他电路上面指标的变化来判断光器件组件里面电容是否失效,与现有直接测试方式逻辑不同,直接测试方式无法测量光器件里面电容情况。
虽然本发明已经参考特定的说明性实施例进行了描述,但是不会受到这些实施例的限定而仅仅受到附加权利要求的限定。本领域技术人员应当理解可以在不偏离本发明的保护范围和精神的情况下对本发明的实施例能够进行改动和修改。

Claims (4)

1.一种基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统的测试方法,其特征在于:
所述基于器件端的不良光器件电容元件漏电测试系统包括:电压表(3),电流表(7),可变电阻集以及接收光器件,其中所述电流表(7)与所述电压表(3)的一端均接地,所述电流表(7)的另一端与可变电阻集连接,所述可变电阻集另一端与接收光器件连接,所述接收光器件包括串联连接的VCC电容(2)、跨阻放大器(1)以及RSSI电容(10)和探测器(4),所述RSSI电容(10)一端与所述可变电阻集连接,所述VCC电容(2)一端接地,另一端分别连接所述跨阻放大器以及所述电压表(3)连接,所述探测器(4)一端与所述跨阻放大器(1)连接;所述可变电阻集为电阻形成的串联电路和并联电路,所述可变电阻集的电阻可调,从而使用测试不同产品时对匹配电阻的不同要求,通过调节电压值,获得所述可变电阻集电路的电流值,通过电流值的变化判断所述接收光器件内是否发生电容失效;
所述测试方法包括步骤:
步骤1,通过提供电压,获得所述电流表(7)的电流读数测试RSSI电容(10)是否是合格品;
步骤2,通过提供电压,获得所述电流表(7)的电流读数测试所述VCC电容(2)是否是合格品;其中:
所述步骤1包括:
步骤11,根据产品种类不同对匹配电阻的不同要求,调节所述可变电阻集的电阻值;
步骤12,根据通过所述可变电阻集的电流数值判断所述RSSI电容(10)是否是合格品;
所述步骤12包括:
步骤121,若所述产品的种类对电阻需求正常,所述可变电阻集为单一的第一串联电阻(9)的情况下, RSSI电容(10)输出的电流会经过第一串联电阻(9),再经过电流表(7)显示出来的电流数据;经过RSSI电容(10)的电流会流经第一串联电阻(9),当RSSI电容(10)损伤失效时, RSSI电容(10)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻(9)的阻值相对失效坏品的RSSI电容(10)很大时,跨阻放大器(1)输出的电流会被失效坏品RSSI电容(10)分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻(9)的电流较小,此时电流表(7)显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容(10)是损伤失效;当RSSI电容(10)是合格品时候, RSSI电容(10)与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻(9)的阻值相对合格品RSSI电容(10)很小时,跨阻放大器(1)输出的电流主要经过第一串联电阻(9)所在回路,流经第一串联电阻(9)的电流会比较大,此时电流表(7)显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容(10)是合格品;
步骤122,若所述产品的种类对电阻需求偏大时, 所述RSSI电容(10)输出电流所经过的第一串联电阻(9)所在的回路上面串联第二串联电阻(6)以增加回路总电阻值,从而匹配电路的需求;RSSI电容(10)输出的电流会经过第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6),再经过电流表(7)显示出来的电流数据;经过RSSI电容(10)的电流会流经第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6),当RSSI电容(10)损伤失效时, RSSI电容(10)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容(10)很大时,跨阻放大器(1)输出的电流会被失效坏品RSSI电容(10)分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的电流较小,此时电流表(7)显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容(10)是损伤失效;当RSSI电容(10)是合格品时候, RSSI电容(10)与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的阻值总和相对合格品RSSI电容(10)很小时,跨阻放大器(1)输出的电流主要经过第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)所在回路,流经第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的电流会比较大,此时电流表(7)显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容(10)是合格品;
步骤123,若所述产品的种类对电阻需求偏小时,在第一串联电阻(9)和第二串联电阻(6)的电路上并联一个第二电阻(8),使整个电阻偏小来满足需求,所述RSSI电容(10)输出的电流会经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路,当RSSI电容(10)损伤失效时, RSSI电容(10)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容(10)很大时,跨阻放大器(1)输出的电流会被失效坏品RSSI电容(10)分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路的电流较小,此时电流表(7)显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容(10)是损伤失效;当RSSI电容(10)是合格品时候, RSSI电容(10)与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路的阻值总和相对合格品RSSI电容(10)很小时,跨阻放大器(1)输出的电流主要经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路,流经第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)和第二电阻(8)构成的并联电路的电流会比较大,此时电流表(7)显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容(10)是合格品;
步骤124,若所述产品的种类对电阻需求更小,继续在所述步骤123形成的回路上并联一个第三电阻(5),调节整体电阻来满足需求,使整个电阻更小来满足需求,所述RSSI电容(10)输出的电流会经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路,当RSSI电容(10)损伤失效时, RSSI电容(10)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻的阻值很小,第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路的阻值总和相对失效坏品的RSSI电容(10)很大时,跨阻放大器(1)输出的电流会被失效坏品RSSI电容(10)分流到地上面,从而导致经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路的电流较小,此时电流表(7)显示出来的电流数据很小,通过数据显示的数量间接来判断RSSI电容(10)是损伤失效;当RSSI电容(10)是合格品时候, RSSI电容(10)与地之间的电阻阻值非常大,此时第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路的阻值总和相对合格品RSSI电容(10)很小时,跨阻放大器(1)输出的电流主要经过第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路,流经第一串联电阻(9)、第二串联电阻(6)、第二电阻(8)和第三电阻(5)构成的并联电路的电流会比较大,此时电流表(7)显示出来的电流数据很大,通过电流表数据显示间接来判断RSSI电容(10)是合格品。
2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于通过设置第一电开关(11)、第二电开关(12)和第三电开关(13)实现所述步骤121,122,123和124,当所述第一串联电阻(9)的阻值偏小时,会通过断开第一电开关(11),使得第二串联电阻(6)接入串联回路中,从而使整个回路的电阻增大来满足该产品的需求;当第一串联电阻(9)阻值偏大时,则闭合第二电开关(12),使第二电阻(8)接入电路中与第一串联电阻(9)形成并联关系,从而减少整个电路中的电阻;若此时电阻还是偏大超过产品需求时,则再闭合第三电开关(13),使第三电阻(5)接入电路中与第一串联电阻(9)形成并联关系,再次减少整个电路中的电阻,从而达到不同产品的需求。
3.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于所述步骤2包括:
给所述跨阻放大器(1)供电工作时,输入的电压会经过所述VCC电容(2)进行滤波,然后才到达所述跨阻放大器(1),当所述VCC电容(2)被静电损伤或者来料本身就失效时,所述VCC电容(2)已经被击穿成为一条连接地的导线,电阻很小,为所述VCC电容(2)两端提供一个较小的电压值,从而形成回路,通过所述电压表(3)读取所述可变电阻集的电流,此时会显示一个较大的电流,使用电流数据来判断所述VCC电容(2)损伤失效;当所述VCC电容(2)是合格品时,所述VCC电容(2)与地之间的电阻非常大,为所述VCC电容(2)两端提供一个小电压,从而形成回路,通过所述电压表(3)读取所述可变电阻集的电流,此时会显示一个较小的电流,使用电流数据来判断所述VCC电容(2)是合格品。
4.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于:所述电压表(3)为2400系列数字源电压表。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117054796B (zh) * 2023-10-11 2023-12-26 成都光创联科技有限公司 一种光器件测试电路与方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006145293A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Daihatsu Motor Co Ltd 漏電検出装置
JP2007068249A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Hitachi Vehicle Energy Ltd 電気自動車用リーク検出装置
CN101295006A (zh) * 2007-04-26 2008-10-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于电容结构的测试装置及其保护装置
CN103207320A (zh) * 2012-01-17 2013-07-17 海洋王(东莞)照明科技有限公司 电容检测电路
CN108169577A (zh) * 2018-01-26 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种电容检测方法
CN111090060A (zh) * 2020-01-19 2020-05-01 珠海格力新元电子有限公司 一种铝电解电容器极壳检测电路及检测装置
CN111487556A (zh) * 2019-01-28 2020-08-04 日本电产理德股份有限公司 电容器检查装置及电容器检查方法
CN111579910A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 广州鹄志信息咨询有限公司 一种元器件故障电学检测方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101122624B (zh) * 2006-08-09 2010-06-16 日月光半导体制造股份有限公司 检测治具及其检测电容的方法
CN204945287U (zh) * 2015-10-09 2016-01-06 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 一种电容器测试仪
CN111337741A (zh) * 2020-04-17 2020-06-26 常州华威电子有限公司 电解电容漏电流自动测试记录仪
CN111766447A (zh) * 2020-06-19 2020-10-13 珠海市运泰利自动化设备有限公司 一种采用跨导分流结构实现直流阻抗测量的电路及方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006145293A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Daihatsu Motor Co Ltd 漏電検出装置
JP2007068249A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Hitachi Vehicle Energy Ltd 電気自動車用リーク検出装置
CN101295006A (zh) * 2007-04-26 2008-10-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于电容结构的测试装置及其保护装置
CN103207320A (zh) * 2012-01-17 2013-07-17 海洋王(东莞)照明科技有限公司 电容检测电路
CN108169577A (zh) * 2018-01-26 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种电容检测方法
CN111487556A (zh) * 2019-01-28 2020-08-04 日本电产理德股份有限公司 电容器检查装置及电容器检查方法
CN111090060A (zh) * 2020-01-19 2020-05-01 珠海格力新元电子有限公司 一种铝电解电容器极壳检测电路及检测装置
CN111579910A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 广州鹄志信息咨询有限公司 一种元器件故障电学检测方法

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