CN112701236A - 有机发光二极管显示面板 - Google Patents

Abstract

一种有机发光二极管显示面板包括控制基板、平坦层、像素定义层、第一围墙、第二围墙与模封层。控制基板具有显示区与第一非显示区。第一非显示区围绕显示区。平坦层设置于控制基板上，并分布于显示区与第一非显示区。像素定义层设置于平坦层上。第一围墙与第二围墙皆设置于第一非显示区内的平坦层上，并围绕显示区。第一围墙与第二围墙之间形成位于平坦层上方的第一沟槽。第一围墙与第二围墙两者相对于平坦层的高度皆高于显示区内的像素定义层相对于平坦层的高度。模封层全面性地覆盖平坦层、像素定义层、第一围墙与第二围墙。

Description

有机发光二极管显示面板

技术领域

本发明涉及一种显示器，且特别涉及一种有机发光二极管显示面板(OLEDdisplay panel)。

背景技术

现今很多电子装置，例如智能手机、平板电脑与电视机，已采用有机发光二极管显示面板作为显示屏幕。不过，有机发光二极管显示面板内部的发光元件容易被氧气及水气破坏而无法发光。因此，目前的有机发光二极管显示面板需要具备密封性良好的封装结构，以阻挡(blocking)外界氧气与水气渗入，保护内部的发光元件。

发明内容

本发明至少一实施例提出一种有机发光二极管显示面板，其包括至少两道围墙来阻碍(impeding)氧气与水气的渗入。

本发明所包括的有机发光二极管显示面板包括控制基板、平坦层、像素定义层、第一围墙、第二围墙与模封层。控制基板具有显示区与位于显示区外的第一非显示区，其中第一非显示区沿着控制基板的边缘而分布，并围绕显示区。平坦层设置于控制基板上，并分布于显示区与第一非显示区。像素定义层设置于平坦层上。第一围墙与第二围墙皆设置于第一非显示区内的平坦层上，并沿着显示区的边缘而围绕显示区。第二围墙围绕第一围墙，其中第一围墙与第二围墙之间形成第一沟槽。第一沟槽形成于平坦层的上方，并围绕显示区。第一围墙与第二围墙两者相对于平坦层的高度皆高于显示区内的像素定义层相对于平坦层的高度。模封层设置于控制基板上，并全面性地覆盖平坦层、像素定义层、第一围墙与第二围墙。

在本发明至少一实施例中，上述第一沟槽的宽度介于3微米至100微米之间。

在本发明至少一实施例中，上述平坦层具有外围凹槽。外围凹槽位于第一非显示区内，并沿着显示区的边缘而延伸，其中第一围墙围绕外围凹槽。

在本发明至少一实施例中，上述平坦层从显示区沿着控制基板的上表面而延伸至第一非显示区。

在本发明至少一实施例中，上述第一围墙包括第一壁体与第一顶部。第一壁体设置于平坦层上，而第一顶部设置于第一壁体上方，并沿着第一壁体延伸。第二围墙包括第二壁体与第二顶部。第二壁体设置于平坦层上，而第二顶部设置于第二壁体上方，并沿着第二壁体延伸。

在本发明至少一实施例中，上述有机发光二极管显示面板还包括垫层。垫层设置于第一非显示区内，并位于平坦层上，其中第一围墙与第二围墙设置于垫层上，而第一沟槽形成于垫层的上方。

在本发明至少一实施例中，上述控制基板还具有开口以及第二非显示区。第二非显示区位于显示区外，并沿着开口的边缘而延伸，而平坦层更分布于第二非显示区。有机发光二极管显示面板还包括第三围墙与第四围墙。第三围墙设置于第二非显示区内的平坦层上，而第四围墙设置于第二非显示区内的平坦层上，其中第三围墙与第四围墙皆围绕开口，而第三围墙围绕第四围墙。相邻的第三围墙与第四围墙之间形成第二沟槽，而第二沟槽形成于平坦层的上方，并围绕开口。

在本发明至少一实施例中，上述第二沟槽的宽度介于3微米至100微米之间。

在本发明至少一实施例中，上述平坦层具有内围凹槽。内围凹槽位于第二非显示区内，并沿着开口的边缘而延伸，其中内围凹槽围绕第三围墙。

在本发明至少一实施例中，上述平坦层从显示区沿着控制基板的上表面而延伸至第二非显示区。

在本发明至少一实施例中，上述第三围墙包括第三壁体与第三顶部，而第四围墙包括第四壁体与第四顶部。第三壁体设置于平坦层上，而第三顶部设置于第三壁体上方，并沿着第三壁体延伸。第四壁体设置于平坦层上，而第四顶部设置于第四壁体上方，并沿着第四壁体延伸。

在本发明至少一实施例中，上述有机发光二极管显示面板还包括垫层。垫层设置于第二非显示区内，并位于平坦层上，其中第三围墙与第三围墙设置于垫层上，而第二沟槽形成于垫层的上方。

在本发明至少一实施例中，上述第一围墙具有邻近显示区的第一壁面，而第二围墙具有远离显示区的第二壁面。第一壁面与第二壁面皆位在第一沟槽外，其中第一沟槽围绕第一壁面，而第二壁面围绕第一沟槽与第一壁面。第一壁面与第二壁面之间的距离介于3微米至1000微米之间。第三围墙具有邻近显示区的第三壁面，而第四围墙具有远离显示区的第四壁面。第三壁面与第四壁面皆位在第二沟槽外，其中第二沟槽围绕第四壁面，而第三壁面围绕第二沟槽与第四壁面。第三壁面与第四壁面之间的距离介于3微米至1000微米之间。

在本发明至少一实施例中，上述控制基板的边缘围绕成圆形、矩形或三角形。

由此可知，上述多道围墙(例如第一围墙与第二围墙)以及模封层能阻碍及阻挡外界氧气与水气渗入，以保护显示区内的多个有机发光二极管免于遭受氧气及/或水气破坏。

附图说明

图1A是本发明至少一实施例的有机发光二极管显示面板的俯视示意图。

图1B是图1A中沿线1B-1B剖面而示出的剖面示意图。

图1C是本发明至少一实施例的有机发光二极管显示面板的剖面示意图。

图1D是本发明至少一实施例的有机发光二极管显示面板的剖面示意图。

图2是本发明另一实施例的有机发光二极管显示面板的俯视示意图。

图3A是本发明另一实施例的有机发光二极管显示面板的俯视示意图。

图3B是图3A中沿线3B-3B剖面而示出的剖面示意图。

图3C是本发明至少一实施例的有机发光二极管显示面板的剖面示意图。

附图标记说明：

100、100C、100D、200、300A、300B：有机发光二极管显示面板

110、210、310：控制基板

110e、210e、250e、310e、350e、310w：边缘

110u、310u：上表面

111、311：元件阵列基板

112、312：绝缘层

120b、120c、320b、320c：平坦层

121c、321b：外围凹槽

130、330：像素定义层

130h：像素开口

140a、149a、240a、340a、349a：第一围墙

140b、149b、240b、340b、349b：第二围墙

140w、149w、341w、342w、343w、344w：距离

141a、341a：第一壁体

141b、341b：第二壁体

142a、342a：第一顶部

142b、342b：第二顶部

150、250、350：模封层

151、351：有机密封层

152、352：无机密封层

160：有机发光二极管

170、370a、370b：垫层

310h：开口

322b：内围凹槽

340c、349c：第三围墙

340d、349d：第四围墙

341c：第三壁体

341d：第四壁体

342c：第三顶部

342d：第四顶部

A10、A20、A30：显示区

H13、H14：高度

N11、N31：第一非显示区

N32：第二非显示区

S11b、S11d、S31b、S31c：第一壁面

S12b、S12d、S32b、S32c：第二壁面

S33b、S33c：第三壁面

S34b、S34c：第四壁面

T11、T12、T31、T41：第一沟槽

T32、T42：第二沟槽

W11、W12、W31、W32：宽度

具体实施方式

在以下的内文中，为了清楚呈现本公开的技术特征，附图中的元件(例如层、膜、基板以及区域等)的尺寸(例如长度、宽度、厚度与深度)会以不等比例的方式放大。因此，下文实施例的说明与解释不受限于附图中的元件所呈现的尺寸与形状，而应涵盖如实际工艺及/或公差所导致的尺寸、形状以及两者的偏差。例如，附图所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非线性的特征，而附图所示的锐角可以是圆的。所以，本公开附图所呈示的元件主要是用于示意，并非旨在精准地描绘出元件的实际形状，也非用于限制本公开的权利要求。

其次，本公开内容中所出现的“约”、“近似”或“实质上”等这类用字不仅涵盖明确记载的数值与数值范围，而且也涵盖发明所属技术领域中技术人员所能理解的可允许偏差范围，其中此偏差范围可由测量时所产生的误差来决定，而此误差例如是起因于测量系统或工艺条件两者的限制。此外，“约”可表示在上述数值的一个或多个标准偏差内，例如±30％、±20％、±10％或±5％内。本公开文中所出现的“约”、“近似”或“实质上”等这类用字可依光学性质、蚀刻性质、机械性质或其他性质来选择可以接受的偏差范围或标准偏差，并非单以一个标准偏差来套用以上光学性质、蚀刻性质、机械性质以及其他性质等所有性质。

图1A是本发明至少一实施例的有机发光二极管显示面板的俯视示意图，而图1B是图1A中沿线1B-1B剖面而示出的剖面示意图。请参阅图1A与图1B，有机发光二极管显示面板100包括控制基板110，其中控制基板110具有边缘110e，而边缘110e可以是控制基板110的外边缘，如图1A所示。在图1A所示的实施例中，控制基板110的边缘110e可以围绕成矩形，而有机发光二极管显示面板100的形状实质上可以是矩形。

控制基板110具有显示区A10与位于显示区A10外的第一非显示区N11(标示于图1B)，其中第一非显示区N11沿着控制基板110的边缘110e而分布，并围绕显示区A10。显示区A10为有机发光二极管显示面板100产生影像的地方，但影像不在第一非显示区N11产生。

在图1B所示的实施例中，控制基板110包括元件阵列基板111与绝缘层112，其中绝缘层112形成在元件阵列基板111上，并覆盖元件阵列基板111的上表面。元件阵列基板111可以具有多个开关元件(未示出)以及多个导电层(未示出)，其中导电层位于元件阵列基板111的上表面，并且被绝缘层112覆盖，而这些开关元件电性连接这些导电层。

开关元件可以是晶体管，例如薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，而绝缘层112可以是无机阻隔钝化层(Inorganic Barrier Passivation Layer，IOBP Layer)，其中绝缘层112的构成材料可以是氮化硅或氧化硅，且绝缘层112可用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)来形成。

有机发光二极管显示面板100还包括平坦层120b以及像素定义层130。平坦层120b设置于控制基板110上，并分布于显示区A10与第一非显示区N11。以图1B为例，平坦层120b可以从显示区A10沿着控制基板110的上表面110u而延伸至第一非显示区N11。像素定义层130设置于平坦层120b上，并且分布于显示区A10。另外，控制基板110的绝缘层112可以设置在元件阵列基板111以及平坦层120b之间。

在图1B所示的实施例中，像素定义层130主要分布于显示区A10，其中像素定义层130的一部分可以分布于第一非显示区N11内，但像素定义层130没有分布于整个第一非显示区N11。另外，在其他实施例中，像素定义层130也可以仅分布于显示区A10，不分布于第一非显示区N11。所以，图1B仅供举例说明，并不限制像素定义层130的分布区域。

像素定义层130具有多个像素开口130h，而有机发光二极管显示面板100还包括多个有机发光二极管160。这些像素开口130h皆位于显示区A10内，而这些有机发光二极管160分别设置于这些像素开口130h内。以图1B为例，这些有机发光二极管160可以一对一地设置于这些像素开口130h内。

绝缘层112与平坦层120b内可以存有多个接触窗(未示出)，其为贯孔(throughhole)，而各个接触窗的侧壁可被金属层覆盖，以形成内连线结构(intersectionstructure)。内连线结构连接有机发光二极管160的电极(例如阳极)与元件阵列基板111的导电层。因此，元件阵列基板111的开关元件能经由导电层与内连线结构而电性连接有机发光二极管160，以控制有机发光二极管160发光。当开关元件为薄膜晶体管时，开关元件具有栅极、漏极与源极，而开关元件的漏极经由导电层与内连线结构而电性连接有机发光二极管160，以使开关元件能控制有机发光二极管160发光。

在本实施例中，这些有机发光二极管160可发出不同颜色的光。例如，这些有机发光二极管160可以是多个红光发光二极管、多个绿光发光二极管以及多个蓝光发光二极管，并能发出红光、绿光与蓝光。如此，这些位于像素开口130h内的有机发光二极管160每一者可视为有机发光二极管显示面板100的子像素(sub-pixel)，而这些有机发光二极管160所发出的红光、蓝光与绿光能形成影像，让有机发光二极管显示面板100能显示影像。

须说明的是，在其他未示出的实施例中，这些有机发光二极管160可发出实质上相同颜色的光线。例如，这些有机发光二极管160皆可发出白光，而有机发光二极管显示面板100可以还包括彩色滤光基板(未示出)，其中彩色滤光基板设置于控制基板110的对面，并能过滤从有机发光二极管160而来的白光，以产生红光、绿光与蓝光。如此，利用彩色滤光基板，这些发出白光的有机发光二极管160也能让有机发光二极管显示面板100显示影像。

有机发光二极管显示面板100还包括多道围墙，其中这些围墙围绕显示区A10。以图1A与图1B为例，有机发光二极管显示面板100可以包括两道围墙：第一围墙140a与第二围墙140b，其中第一围墙140a与第二围墙140b皆设置于第一非显示区N11内的平坦层120b上，并且围绕显示区A10。第二围墙140b围绕第一围墙140a，所以第一围墙140a会较靠近像素定义层130，而第二围墙140b会较远离像素定义层130。

由于第一围墙140a与第二围墙140b两者皆设置于平坦层120b上，因此第一围墙140a与第二围墙140b两者相对于平坦层120b的高度H14皆高于显示区A10内的像素定义层130相对于平坦层120b的高度H13，以使第一围墙140a与第二围墙140b具有较高的高度H14，其可以介于0.1微米至100微米之间。

在图1B所示的实施例中，第一围墙140a与第二围墙140b两者相对于平坦层120b的高度H14实质上相等，但在其他实施例中，第一围墙140a与第二围墙140b两者的高度H14可以不相等。不过，即使第一围墙140a与第二围墙140b两者的高度H14不同，第一围墙140a与第二围墙140b任一者的高度H14会大于像素定义层130的高度H13。

在本实施例中，第一围墙140a可包括第一壁体141a与第一顶部142a，其中第一壁体141a设置于平坦层120b上，而第一顶部142a设置于第一壁体141a上方，并沿第一壁体141a延伸。所以，第一壁体141a会位在第一顶部142a与平坦层120b之间。与第一围墙140a相同，第二围墙140b可包括第二壁体141b与第二顶部142b，其中第二壁体141b设置于平坦层120b上，而第二顶部142b设置于第二壁体141b上方，并沿着第二壁体141b延伸。因此，第二壁体141b也位在第二顶部142b与平坦层120b之间。

第一围墙140a与第二围墙140b之间会形成第一沟槽T11。由于第一围墙140a与第二围墙140b皆设置在平坦层120b上，所以第一沟槽T11会形成于平坦层120b的上方，并围绕显示区A10与第一围墙140a。此外，第一沟槽T11的宽度W11可以介于3微米至100微米之间，但此宽度W11的范围不用于限制本发明。

第一围墙140a与第二围墙140b可以采用高分子材料制成。例如，第一壁体141a、第二壁体141b、第一顶部142a以及第二顶部142b皆可采用光刻胶来制成，其中第一壁体141a与第二壁体141b两者可采用一层光刻胶来制成，而第一顶部142a与第二顶部142b两者可采用另一层光刻胶来制成。

形成第一壁体141a、第二壁体141b、第一顶部142a与第二顶部142b的方法可以包括曝光与显影，其中第一壁体141a、第二壁体141b以及像素定义层130可以由同一层光刻胶经曝光与显影之后而形成。因此，第一壁体141a与第二壁体141b两者厚度实质上彼此相同，并且可以实质上相同于高度H13。

有机发光二极管显示面板100还包括模封层150，而模封层150设置于控制基板110上，并且全面性地覆盖平坦层120b、像素定义层130、第一围墙140a以及第二围墙140b，其中模封层150能阻挡外界氧气与水气渗入，而第一围墙140a与第二围墙140b能阻碍氧气与水气的渗入。因此，第一围墙140a、第二围墙140b与模封层150能保护显示区A10内的有机发光二极管160，防止有机发光二极管160遭受氧气及/或水气破坏。

模封层150可包括有机密封层151，而有机密封层151设置于平坦层120b上，并分布于显示区A10。在图1B所示的实施例中，有机密封层151分布于显示区A10，而且一部分有机密封层151可分布于部分第一非显示区N11，但有机密封层151没有分布于整个第一非显示区N11。

第一围墙140a围绕有机密封层151。具体而言，有机密封层151可利用印刷或喷涂的方式形成，而有机密封层151可由有机的液态材料经固化或干燥之后而形成。第一围墙140a会早于有机密封层151形成。在第一围墙140a形成之后，第一围墙140a会围绕出一个容置空间(未标示)，而显示区A10位于此容置空间内(如图1A所示)。接着，将用于形成有机密封层151的液态材料填入于容置空间中。之后，固化或干燥此液态材料，形成被第一围墙140a围绕的有机密封层151。

在本实施例中，用于形成有机密封层151的液态材料会被完全局限在第一围墙140a所围绕的容置空间内。然而，在其他实施例中，当填入上述液态材料于容置空间时，一些液态材料可能会进入第一沟槽T11内。例如，容置空间内的液态材料太多，以至于一部分液态材料从第一围墙140a溢流到第一沟槽T11。或者，当利用喷嘴将液态材料填入于容置空间时，喷嘴不慎将少部分液态材料滴入或喷入至第一沟槽T11内，因此用于形成有机密封层151的液态材料也可以部分分布在第一沟槽T11内。

模封层150还可包括无机密封层152。无机密封层152设置于控制基板110上，并且覆盖有机密封层151、第一围墙140a以及第二围墙140b，其中无机密封层152还可以填满第一沟槽T11，如图1B所示。此外，无机密封层152可以采用化学气相沉积(CVD)来形成。

在本实施例中，第一围墙140a具有邻近显示区A10的第一壁面S11b，而第二围墙140b具有远离显示区A10的第二壁面S12b，其中第一壁面S11b与第二壁面S12b皆位在第一沟槽T11外。换句话说，第一壁面S11b与第二壁面S12b都不是第一沟槽T11的侧壁。此外，第一沟槽T11围绕第一壁面S11b，而第二壁面S12b围绕第一沟槽T11与第一壁面S11b。

由于第一围墙140a与第二围墙140b具有较高的高度H14，因此由第一围墙140a围绕而成的容置空间能容纳较多用于形成有机密封层151的液态材料，以增加有机密封层151的体积。即使缩小第一壁面S11b与第二壁面S12b之间的距离140w，例如让距离140w介于3微米至1000微米之间，有机密封层151的体积依然可以增加。

另外，第一围墙140a、第一沟槽T11以及第二围墙140b三者会在第一非显示区N11内占据一块环形区域，而距离140w代表此环形区域的粗细。由于距离140w可介于3至1000微米之间，因此上述环形区域可以具有较细的宽度。换句话说，第一围墙140a、第一沟槽T11与第二围墙140b三者在第一非显示区N11内会占据较小的面积，以使有机发光二极管显示面板100有利于制作成窄边框型显示器，满足现今窄边框化的发展趋势。

图1C是本发明至少一实施例的有机发光二极管显示面板的剖面示意图。请参阅图1C，有机发光二极管显示面板100C与前述有机发光二极管显示面板100相似，而有机发光二极管显示面板100C唯一不同于有机发光二极管显示面板100的特征在于：有机发光二极管显示面板100C的平坦层120c具有外围凹槽121c。

外围凹槽121c位于第一非显示区N11内，并且围绕显示区A10，而第一围墙140a围绕外围凹槽121c。在本实施例中，外围凹槽121c的深度等于平坦层120c的厚度，所以外围凹槽121c延伸至平坦层120c的相对两表面。例如，在图1C中，外围凹槽121c是从平坦层120c的上表面延伸至平坦层120c的下表面。换句话说，外围凹槽121c是贯穿平坦层120c而形成。

由于第一围墙140a围绕外围凹槽121c，因此有机密封层151能填满外围凹槽121c，以使有机发光二极管显示面板100C能通过外围凹槽121c而容纳较多的有机密封层151，以提升模封层150阻挡外界氧气与水气渗入的能力，保护有机发光二极管160免于遭受氧气及/或水气破坏。

图1D是本发明至少一实施例的有机发光二极管显示面板的剖面示意图。请参阅图1D，图1D所示的有机发光二极管显示面板100D与图1B所示的有机发光二极管显示面板100相似，其中有机发光二极管显示面板100D的俯视外观实质上相同于有机发光二极管显示面板100，如图1A所示。因此，这里省略绘制有机发光二极管显示面板100D的俯视示意图。

而有机发光二极管显示面板100D唯一不同于有机发光二极管显示面板100的特征在于：有机发光二极管显示面板100D所包括的第一围墙149a与第二围墙149b在结构上不同于前述实施例中的第一围墙140a与第二围墙140b，而且有机发光二极管显示面板100D还包括前述实施例所没有的垫层170。

垫层170设置于第一非显示区N11内，并且位于平坦层120b上，而第一围墙149a与第二围墙149b设置于垫层170上，以使位于第一围墙149a与第二围墙149b之间的第一沟槽T12形成于垫层170的上方。第一沟槽T12的宽度W12可以介于3微米至100微米之间，所以第一沟槽T12的宽度W12可以等于图1B中的宽度W11。不过，宽度W12并不限制在3微米至100微米之间，即宽度W12的数值可以落在上述范围以外。

垫层170可以采用高分子材料制成，例如光刻胶。垫层170与像素定义层130可以由同一层光刻胶经曝光与显影之后而形成，所以垫层170与像素定义层130两者厚度可以实质上彼此相同，并可实质上相同于高度H13。第一围墙149a与第二围墙149b两者的构成材料与形成方法皆可相同于图1B中的第一顶部142a与第二顶部142b两者的构成材料与形成方法，而第一围墙149a与第二围墙149b两者可由同一层光刻胶经曝光与显影之后而形成。

第一围墙149a具有邻近显示区A10的第一壁面S11d，而第二围墙149b具有远离显示区A10的第二壁面S12d，其中第一壁面S11d与第二壁面S12d皆位在第一沟槽T12外。与前述实施例相似，第一沟槽T12围绕第一壁面S11d，而第二壁面S12d围绕第一沟槽T12与第一壁面S11d。

第一壁面S11d与第二壁面S12d之间的距离149w可以介于3微米至1000微米之间，所以距离149w可以实质上等于图1B中的距离140w。此外，在图1D所示的实施例中，距离149w可以实质上等于垫层170的宽度，而且第一围墙149a、第一沟槽T12与第二围墙149b三者在第一非显示区N11内所占据的区域可以相同于垫层170在第一非显示区N11内所占据的区域。

由于第一壁面S11d与第二壁面S12d之间的距离149w可介于3微米至1000微米之间，因此第一围墙149a、第一沟槽T12与第二围墙149b三者在第一非显示区N11内占据较小的面积，以使有机发光二极管显示面板100D有利于制作成窄边框型显示器，满足现今窄边框化的发展趋势。此外，在图1D所示的实施例中，有机发光二极管显示面板100D的平坦层120b可替换成图1C中的平坦层120c，即图1D中的平坦层120b可具有外围凹槽121c。

图2是本发明另一实施例的有机发光二极管显示面板的俯视示意图。请参阅图2，有别于前述实施例，图2中的有机发光二极管显示面板200的形状实质上可以是三角形。具体而言，有机发光二极管显示面板200包括控制基板210，其边缘210e围绕成三角形，其中控制基板210的显示区A20的形状实质上也是三角形，如图2所示。

由于有机发光二极管显示面板200的形状实质上为三角形，因此有机发光二极管显示面板200所包括的第一围墙240a与第二围墙240b也沿着边缘210e而围绕成三角形。此外，覆盖第一围墙240a、第二围墙240b与控制基板210的模封层250，其外边缘250e也是沿着边缘210e而围绕成三角形，如图2所示。

须说明的是，虽然图2中的有机发光二极管显示面板200的形状明显不同于前述实施例中的有机发光二极管显示面板100、100C与100D的形状，但有机发光二极管显示面板200的剖面结构却实质上相同于有机发光二极管显示面板100、100C或100D的剖面结构。也就是说，有机发光二极管显示面板200实质上可具有如图1B至图1D所示的任一种剖面结构，故在此省略绘制有机发光二极管显示面板200的剖面示意图。

此外，第一围墙240a、第二围墙240b以及模封层250的剖面结构、构成材料以及形成方法皆相同于前述实施例中的第一围墙140a(或149a)、第二围墙140b(或149b)以及模封层150的剖面结构、构成材料以及形成方法，故这里不再重复赘述。

在本发明多个实施例中，有机发光二极管显示面板的形状实质上不仅可以是矩形(如图1A所示的有机发光二极管显示面板100)或三角形(如图2所示的有机发光二极管显示面板200)，而且有机发光二极管显示面板的形状实质上可以是圆形，如图3A所示。

图3A是本发明另一实施例的有机发光二极管显示面板的俯视示意图。请参阅图3A，不同于前述矩形的有机发光二极管显示面板100以及三角形的有机发光二极管显示面板200，图3A所示的有机发光二极管显示面板100的形状实质上为矩形，而有机发光二极管显示面板300A所包括的控制基板310的边缘310e可围绕成圆形。

有机发光二极管显示面板300A所包括的第一围墙340a与第二围墙340b会沿着边缘310e而围绕成圆形，其中第二围墙340b围绕第一围墙340a。此外，有机发光二极管显示面板300A还包括覆盖第一围墙340a、第二围墙340b与控制基板310的模封层350，其中模封层350具有外边缘350e，而外边缘350e也沿着边缘310e而围绕成圆形，如图3A所示。

图3B是图3A中沿线3B-3B剖面而示出的剖面示意图。请参阅图3A与图3B，与图1B所示的实施例相似，控制基板310包括元件阵列基板311与绝缘层312。元件阵列基板311的内部结构与前述元件阵列基板111的内部结构实质上相同，即元件阵列基板311也可具有多个开关元件(未示出)与多个导电层(未示出)，其中元件阵列基板311与111两者的开关元件与导电层皆可相同。

元件阵列基板311与111之间的主要差异在于形状不同，其中元件阵列基板111的形状为矩形，而元件阵列基板311的形状为圆形。同样地，绝缘层312的构成材料可以相同于前述绝缘层112的构成材料，但绝缘层312与112两者形状也不相同。绝缘层112的形状为矩形，而绝缘层312的形状为圆形。

控制基板310还具有开口310h，其延伸至控制基板310的相对两表面。例如，开口310h是从控制基板310的上表面延伸至控制基板310的下表面，如图3B所示。换句话说，开口310h为贯穿控制基板310而形成的贯孔。另外，开口310h的形状可为圆形，如图3A所示。

控制基板310还具有显示区A30、第一非显示区N31与第二非显示区N32，其中第一非显示区N31与第二非显示区N32皆位于显示区A30外，未与显示区A30重叠。第一非显示区N31围绕显示区A30与第二非显示区N32，而第二非显示区N32围绕开口310h，并沿着开口310h的边缘310w而延伸。

由于开口310h的形状为圆形，且控制基板310边缘310e(外边缘)围绕成圆形，因此显示区A30形状实质上可以是甜甜圈形，如图3A所示。开口310h的边缘310w为控制基板310的内边缘，因此第二非显示区N32邻近控制基板310的内边缘(边缘310w)，而第一非显示区N31邻近控制基板310的外边缘(边缘310e)。

与前述实施例相似，有机发光二极管显示面板300A也包括平坦层320b、像素定义层330与多个有机发光二极管160，其中像素定义层330相似于前述实施例中的像素定义层130，而像素定义层130与330之间主要差异在于形状。具体而言，由于显示区A30形状实质上为甜甜圈形，所以像素定义层330的形状实质上也是甜甜圈形，以配合显示区A30的形状。

平坦层320b相似于图1C中的平坦层120c。例如，平坦层320b也分布于显示区A30与第一非显示区N31，并且也具有围绕显示区A30的外围凹槽321b。不过，与平坦层120c不同的是，平坦层320b更分布于第二非显示区N32，而且还具有围绕开口310h的内围凹槽322b，其中内围凹槽322b位于第二非显示区N32内，并沿着开口310h的边缘310w而延伸。

须说明的是，在图3B所示的实施例中，平坦层320b具有外围凹槽321b与内围凹槽322b，但在其他实施例中，平坦层320b也可以具有外围凹槽321b与内围凹槽322b其中一个。例如，平坦层320b可具有外围凹槽321b，但不具有内围凹槽322b，以使平坦层320b从显示区A30延伸至第二非显示区N32。或者，平坦层320b可具有内围凹槽322b，但不具有外围凹槽321b，以使平坦层320b从显示区A30延伸至第一非显示区N31。因此，图3B所示的内围凹槽322b与外围凹槽321b仅供举例说明，并非限制平坦层320b的结构特征。

不同于前述实施例的有机发光二极管显示面板100、100C、100D与200，有机发光二极管显示面板300A不仅包括第一围墙340a与第二围墙340b，而且还包括第三围墙340c与第四围墙340d。第三围墙340c与第四围墙340d皆设置于第二非显示区N32内的平坦层320b上，其中第三围墙340c与第四围墙340d皆围绕开口310h，而第三围墙340c围绕第四围墙340d。此外，内围凹槽322b围绕第三围墙340c与第四围墙340d。

第三围墙340c与第四围墙340d会沿着开口310h的边缘310w而围绕成圆形，而围绕成圆形的第一围墙340a与第二围墙340b也围绕第三围墙340c与第四围墙340d，以使第一围墙340a、第二围墙340b、第三围墙340c以及第四围墙340d可以呈同心圆排列，如图3A所示。相邻的第一围墙340a与第二围墙340b之间会形成第一沟槽T31，而相邻的第三围墙340c与第四围墙340d之间会形成第二沟槽T32，其中第一沟槽T31与第二沟槽T32皆形成于平坦层320b的上方。此外，第一沟槽T31围绕第一围墙340a与显示区A30，而第二沟槽T32围绕第四围墙340d与开口310h。

第一沟槽T31的宽度W31可以等于第一沟槽T11的宽度W11(请参考图1B)，所以宽度W31可以介于3微米至100微米之间，但不受此范围的限制。第二沟槽T32的宽度W32可以相同于第一沟槽T31的宽度W31，所以宽度W32也可介于3微米至100微米之间，但不受此范围的限制。

第一围墙340a具有邻近显示区A30的第一壁面S31b，而第二围墙340b具有远离显示区A30的第二壁面S32b。第一壁面S31b与第二壁面S32b皆位在第一沟槽T31外，其中第一沟槽T31围绕第一壁面S31b，而第二壁面S32b围绕第一沟槽T31与第一壁面S31b。此外，第一壁面S31b与第二壁面S32b之间的距离341w可以相等于图1B中的距离140w，所以距离341w可以介于3微米至1000微米之间。

相似地，第三围墙340c具有邻近显示区A30的第三壁面S33b，而第四围墙340d具有远离显示区A30的第四壁面S34b。第三壁面S33b与第四壁面S34b皆位在第二沟槽T32外，其中第二沟槽T32围绕第四壁面S34b，而第三壁面S33b围绕第二沟槽T32与第四壁面S34b。第三壁面S33b与第四壁面S34b之间的距离342w可以相等于距离341w，所以距离342w可以介于3微米至1000微米之间。

由于距离341w与342w每一者可以介于3微米至1000微米之间，因此第一围墙340a、第一沟槽T31与第二围墙340b三者在第一非显示区N31内占据较小的面积，而第三围墙340c、第二沟槽T32与第四围墙340d三者在第二非显示区N32内也占据较小的面积。如此，有机发光二极管显示面板300A有利于制作成窄边框型显示器，以满足现今窄边框化的发展趋势。

第一围墙340a、第二围墙340b、第三围墙340c以及第四围墙340d四者的剖面结构可以实质上彼此相同，并且与图1B所示的第一围墙140a与第二围墙140b两者的剖面结构相似。以图3B为例，第一围墙340a包括第一壁体341a与第一顶部342a，第二围墙340b包括第二壁体341b与第二顶部342b，第三围墙340c包括第三壁体341c与第三顶部342c，而第四围墙340d包括第四壁体341d与第四顶部342d。

第一壁体341a、第二壁体341b、第三壁体341c以及第四壁体341d皆设置于平坦层320b上。第一顶部342a设置于第一壁体341a上方，并沿着第一壁体341a延伸。第二顶部342b设置于第二壁体341b上方，并沿着第二壁体341b延伸。第三顶部342c设置于第三壁体341c上方，并沿着第三壁体341c延伸。第四顶部342d设置于第四壁体341d上方，并沿着第四壁体341d延伸。

第一壁体341a、第二壁体341b、第三壁体341c以及第四壁体341d四者的构成材料与形成方法可以彼此相同。例如，第一壁体341a、第二壁体341b、第三壁体341c、第四壁体341d以及像素定义层330可以由同一层光刻胶经曝光与显影之后而形成。同理，第一顶部342a、第二顶部342b、第三顶部342c与第四顶部342d也可由同一层光刻胶经曝光与显影之后而形成，所以第一顶部342a、第二顶部342b、第三顶部342c与第四顶部342d四者的构成材料与形成方法可以彼此相同。

图3B中的模封层350与图1B中的模封层150相似，而模封层350也包括有机密封层351与无机密封层352，其中有机密封层351的构成材料与形成方法皆相同于有机密封层151的构成材料与形成方法，而无机密封层352的构成材料与形成方法皆相同于无机密封层152的构成材料与形成方法，故在此不再重复赘述。

有机密封层351设置于平坦层320b上，并分布于显示区A30，其中有机密封层351填满外围凹槽321b与内围凹槽322b。无机密封层352设置于控制基板310上，并且覆盖有机密封层351、第一围墙340a、第二围墙340b、第三围墙340c与第四围墙340d，其中无机密封层352还可以填满第一沟槽T31与第二沟槽T32。

有机发光二极管显示面板300A可以应用于穿戴装置或设备的仪表板。例如，有机发光二极管显示面板300A可应用于手表，其中开口310h可位于有机发光二极管显示面板300A的中央，而用于转动指针的转轴可设置在开口310h内。或者，有机发光二极管显示面板300A可应用于车辆的仪表板，其中开口310h可位于有机发光二极管显示面板300A的中央或中央偏下的位置，而用于转动仪表板指针的转轴可设置在开口310h内。

特别一提的是，虽然图3A仅示出一个开口310h、一个第三围墙340c以及一个第四围墙340d，但在其他实施例中，控制基板310可以具有至少两个开口310h与至少两个第二非显示区N32，而各个开口310h周围设置两道围墙：第三围墙340c与第四围墙340d。因此，控制基板310可以具有多个开口310h，而有机发光二极管显示面板300A可包括多个第三围墙340c以及多个第四围墙340d，以分别围绕这些开口310h。

其次，虽然图3A所示的开口310h的形状为圆形，但在其他实施例中，开口310h可以是圆形以外的其他形状，例如矩形、三角形、五边形、六边形、星形或心形，因此图3A所示的开口310h的形状仅供举例说明，并非限制只能是圆形。

图3C是本发明至少一实施例的有机发光二极管显示面板的剖面示意图。请参阅图3C，本实施例的有机发光二极管显示面板300B与前述实施例的有机发光二极管显示面板300A相似，其中有机发光二极管显示面板300B与300A两者的俯视外观实质上可以彼此相同，如图3A所示。因此，这里省略绘制有机发光二极管显示面板300B的俯视示意图，而有机发光二极管显示面板300B与300A两者相同特征原则上不再重复赘述。

有别于前述有机发光二极管显示面板300A，有机发光二极管显示面板300B所包括的平坦层320c不同于平坦层320b。具体而言，平坦层320c不仅从显示区A30沿着控制基板310的上表面310u而延伸至第一非显示区N31，而且还从显示区A30沿着上表面310u而延伸至第二非显示区N32。因此，平坦层320c并不具有外围凹槽321b与内围凹槽322b。

其次，有机发光二极管显示面板300B还包括两个垫层370a与370b、第一围墙349a、第二围墙349b、第三围墙349c与第四围墙349d。垫层370a与370b皆位于平坦层320c上，其中垫层370a设置于第一非显示区N31内，而垫层370b设置于第二非显示区N32内。第一围墙349a以及第二围墙349b皆设置于垫层370a上，而位于第一围墙349a与第二围墙349b之间的第一沟槽T41形成于垫层370a的上方。第三围墙349c以及第四围墙349d设置于垫层370b上，而位于第三围墙349c与第四围墙349d之间的第二沟槽T42形成于垫层370b的上方。

垫层370a、370b与像素定义层330可以由同一层光刻胶经曝光与显影之后而形成，所以垫层370a、370b与像素定义层330三者厚度实质上彼此相同。第一围墙349a、第二围墙349b、第三围墙349c与第四围墙349d的构成材料与形成方法皆可相同于图3B中的第一顶部342a、第二顶部342b、第三顶部342c与第四顶部342d的构成材料与形成方法，因此第一围墙349a、第二围墙349b、第三围墙349c与第四围墙349d可以由同一层光刻胶经曝光与显影之后而形成。

第一围墙349a具有邻近显示区A30的第一壁面S31c，而第二围墙349b具有远离显示区A30的第二壁面S32c。第一壁面S31c与第二壁面S32c皆位在第一沟槽T41外，其中第一沟槽T41围绕第一壁面S31c，而第二壁面S32c围绕第一沟槽T41与第一壁面S31c。此外，第一壁面S31c与第二壁面S32c之间的距离343w可以相等于图3B中的距离341w，所以距离343w可以介于3微米至1000微米之间。

相似地，第三围墙349c具有邻近显示区A30的第三壁面S33c，而第四围墙349d具有远离显示区A30的第四壁面S34c。第三壁面S33c与第四壁面S34c皆位在第二沟槽T42外，其中第二沟槽T42围绕第四壁面S34c，而第三壁面S33c围绕第二沟槽T42与第四壁面S34c。第三壁面S33c与第四壁面S34c之间的距离344w可相等于距离343w，所以距离344w可介于3微米至1000微米之间。如此，有机发光二极管显示面板300B有利于制作成窄边框型显示器，以满足现今窄边框化的发展趋势。

特别一提的是，在图3C所示的实施例中，有机发光二极管显示面板300B的平坦层320c可替换成图3B中的平坦层320b，所以图3C中的平坦层320c可具有外围凹槽321b与内围凹槽322b。此外，图3C中的平坦层320c可具有外围凹槽321b与内围凹槽322b其中一者。也就是说，平坦层320c可具有外围凹槽321b，但不具有内围凹槽322b。或是，平坦层320c可具有内围凹槽322b，但不具有外围凹槽321b。

另外，图3C中的第一围墙349a、第二围墙349b、第三围墙349c、第四围墙349d、垫层370a与370b可替换成图3B中的第一围墙340a、第二围墙340b、第三围墙340c与第四围墙340d。所以，图3B中的第一围墙340a、第二围墙340b、第三围墙340c与第四围墙340d也可设置在图3C中的平坦层320c上。

综上所述，上述多道围墙(例如第一围墙与第二围墙)以及模封层能阻碍及阻挡外界氧气与水气渗入，以保护显示区内的多个有机发光二极管免于遭受氧气及/或水气破坏，进而提升有机发光二极管显示面板的使用寿命。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，本发明所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明构思和范围内，当可作些许变动与润饰，因此本发明保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (15)

1.一种有机发光二极管显示面板，包括：

一控制基板，具有一显示区与位于该显示区外的一第一非显示区，其中该第一非显示区沿着该控制基板的边缘而分布，并围绕该显示区；

一平坦层，设置于该控制基板上，并分布于该显示区与该第一非显示区；

一像素定义层，设置于该平坦层上；

一第一围墙，设置于该第一非显示区内的该平坦层上，并围绕该显示区；

一第二围墙，设置于该第一非显示区内的该平坦层上，并围绕该第一围墙，其中该第一围墙与该第二围墙之间形成一第一沟槽，该第一沟槽形成于该平坦层的上方，并围绕该显示区，该第一围墙与该第二围墙两者相对于该平坦层的高度皆高于该显示区内的该像素定义层相对于该平坦层的高度；以及

一模封层，设置于该控制基板上，并全面性地覆盖该平坦层、该像素定义层、该第一围墙与该第二围墙。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其中该第一沟槽的宽度介于3微米至100微米之间。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其中该平坦层具有一外围凹槽，该外围凹槽位于该第一非显示区内，而该第一围墙围绕该外围凹槽。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其中该平坦层从该显示区沿着该控制基板的上表面而延伸至该第一非显示区。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其中该第一围墙包括：

一第一壁体，设置于该平坦层上；以及

一第一顶部，设置于该第一壁体上方，并沿着该第一壁体延伸；

该第二围墙包括：

一第二壁体，设置于该平坦层上；以及

一第二顶部，设置于该第二壁体上方，并沿着该第二壁体延伸。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，还包括：

一垫层，设置于该第一非显示区内，并位于该平坦层上，其中该第一围墙与该第二围墙设置于该垫层上，而该第一沟槽形成于该垫层的上方。

7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其中该控制基板还具有一开口以及一第二非显示区，该第二非显示区位于该显示区外，并沿着该开口的边缘而延伸，该平坦层更分布于该第二非显示区，该有机发光二极管显示面板还包括：

一第三围墙，设置于该第二非显示区内的该平坦层上；

一第四围墙，设置于该第二非显示区内的该平坦层上，其中该第三围墙与该第四围墙皆围绕该开口，而该第三围墙围绕该第四围墙，相邻的该第三围墙与该第四围墙之间形成一第二沟槽，该第二沟槽形成于该平坦层的上方，并围绕该开口。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板，其中该第二沟槽的宽度介于3微米至100微米之间。

9.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板，其中该平坦层具有一内围凹槽，该内围凹槽位于该第二非显示区内，并沿着该开口的边缘而延伸，且该内围凹槽围绕该第三围墙。

10.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板，其中该平坦层从该显示区沿着该控制基板的上表面而延伸至该第二非显示区。

11.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板，其中该第一围墙包括：

一第一壁体，设置于该平坦层上；

一第一顶部，设置于该第一壁体上方，并沿着该第一壁体延伸；

该第二围墙包括：

一第二壁体，设置于该平坦层上；

一第二顶部，设置于该第二壁体上方，并沿着该第二壁体延伸；

该第三围墙包括：

一第三壁体，设置于该平坦层上；

一第三顶部，设置于该第三壁体上方，并沿着该第三壁体延伸；

该第四围墙包括：

一第四壁体，设置于该平坦层上；以及

一第四顶部，设置于该第四壁体上方，并沿着该第四壁体延伸。

12.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板，还包括：

一垫层，设置于该第二非显示区内，并位于该平坦层上，其中该第三围墙与该第四围墙设置于该垫层上，而该第二沟槽形成于该垫层的上方。

13.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板，其中该第一围墙具有一邻近该显示区的一第一壁面，而该第二围墙具有一远离该显示区的一第二壁面，该第一壁面与该第二壁面皆位在该第一沟槽外，其中该第一沟槽围绕该第一壁面，而该第二壁面围绕该第一沟槽与该第一壁面，该第一壁面与该第二壁面之间的距离介于3微米至1000微米之间；

该第三围墙具有一邻近该显示区的一第三壁面，而该第四围墙具有一远离该显示区的一第四壁面，该第三壁面与该第四壁面皆位在该第二沟槽外，其中该第二沟槽围绕该第四壁面，而该第三壁面围绕该第二沟槽与该第四壁面，该第三壁面与该第四壁面之间的距离介于3微米至1000微米之间。

14.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其中该第一围墙具有一邻近该显示区的一第一壁面，而该第二围墙具有一远离该显示区的一第二壁面，该第一壁面与该第二壁面皆位在该第一沟槽外，其中该第一沟槽围绕该第一壁面，而该第二壁面围绕该第一沟槽与该第一壁面，该第一壁面与该第二壁面之间的距离介于3微米至1000微米之间。

15.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其中该控制基板的边缘围绕成圆形、矩形或三角形。

Images