CN112688662A - 滤波器装置以及多工器 - Google Patents
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Abstract
提供能够抑制由附加电路引起的通过特性的劣化的滤波器装置以及多工器。滤波器装置(100)具备：滤波器(10)，设置于输入输出端子(31)与输入输出端子(32)之间；和附加电路(11)，与滤波器(10)并联连接，滤波器(10)具备：至少2个弹性波谐振器，形成滤波器(10)的通带，附加电路(11)具备：纵向耦合型谐振器(M1)；和电容器(C1)，连接于纵向耦合型谐振器(M1)与输入输出端子(31)之间，形成电容器(C1)的梳齿电容电极的电容小于形成至少2个弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的IDT电极的电容，形成电容器(C1)的梳齿电容电极的面积小于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的面积。
Description
技术领域
本发明涉及具备附加电路的滤波器装置以及多工器。
背景技术
以往，已知通过将生成与流经滤波器的无用信号相位相反并且振幅相同的信号的消除电路与滤波器并联地连接，从而改善滤波器的衰减特性或隔离特性。例如，在专利文献1中，公开了具有消除电路的双工器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-204743号公报
消除电路(在本申请中称为附加电路)与滤波器并联地连接，因而流经滤波器的与滤波器的通带对应的信号向附加电路泄漏，滤波器的通过特性劣化。
发明内容
发明要解决的课题
因此，本发明的目的在于，提供能够抑制由附加电路引起的通过特性的劣化的滤波器装置等。
用于解决课题的手段
本发明的一个实施方式涉及的滤波器装置具备：弹性波滤波器，设置于第1输入输出端子与第2输入输出端子之间；和附加电路，在所述第1输入输出端子与所述第2输入输出端子之间与所述弹性波滤波器并联连接，所述弹性波滤波器具备：至少2个弹性波谐振器，形成所述弹性波滤波器的通带，所述附加电路具备：移相电路；和第1电容器，连接于所述移相电路与所述第1输入输出端子之间，所述至少2个弹性波谐振器分别由压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成，所述第1电容器由所述压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的梳齿电容电极形成，形成所述第1电容器的所述梳齿电容电极的电容小于形成所述至少2个弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的电容，在俯视所述压电体中的形成了所述IDT电极以及所述梳齿电容电极的面时，形成所述第1电容器的所述梳齿电容电极的面积小于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的面积。
本发明的一个实施方式涉及的多工器具备包括上述滤波器装置的多个滤波器，所述多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子连接。
本发明的一个实施方式涉及的多工器具备：发送滤波器，设置于第1输入端子与第1输出端子之间；接收滤波器，设置于第2输入端子与第2输出端子之间；和附加电路，设置于所述第1输入端子与所述第2输出端子之间，所述第1输出端子以及所述第2输入端子与公共端子连接，所述发送滤波器具备：至少2个发送侧弹性波谐振器，形成所述发送滤波器的通带，所述接收滤波器具备：至少2个接收侧弹性波谐振器，形成所述接收滤波器的通带，所述附加电路具备：移相电路；和第3电容器，设置于所述移相电路与所述第1输入端子之间以及所述移相电路与所述第2输出端子之间的一者，所述至少2个发送侧弹性波谐振器分别由压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成，所述至少2个接收侧弹性波谐振器分别由所述压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成，所述第3电容器由所述压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的梳齿电容电极形成，形成所述第3电容器的所述梳齿电容电极的电容小于形成所述至少2个发送侧弹性波谐振器以及所述至少2个接收侧弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的电容，在俯视所述压电体中的形成了所述IDT电极以及所述梳齿电容电极的面时，形成所述第3电容器的所述梳齿电容电极的面积小于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的面积。
发明效果
根据本发明，能够实现能够抑制由附加电路引起的通过特性的劣化的滤波器装置等。
附图说明
图1是示出实施方式1涉及的滤波器装置的一个例子的结构图。
图2是示意性地示出在同一压电体上形成的弹性波滤波器以及附加电路的图。
图3是示意性地表示弹性波谐振器的一个例子的俯视图以及剖视图。
图4示意性地表示弹性波谐振器的另一个例子的俯视图。
图5是用于说明实施方式1涉及的滤波器装置中的信号的大小的图。
图6是示出实施方式1涉及的多工器的一个例子的结构图。
图7是示出实施方式2涉及的多工器的一个例子的结构图。
附图标记说明
1、1a：多工器
10：滤波器
11、11a：附加电路
30：公共端子
31、32、33、34：输入输出端子
100、200：滤波器装置
100a：发送滤波器
200a：接收滤波器
101：IDT电极
101a、101b：梳齿电极
102：压电体
101g：密接层
101h：主电极层
103：保护层
110a、110b：电极指
111a、111b：汇流条电极
112a、112b：虚设电极
C1、C2、C3、C4：电容器
M1、M2：纵向耦合型谐振器
P11、P12、P13、P11a、P12a、P13a、P21a、P22a、P23a：并联臂谐振器
S11、S12、S13、S14、S11a、S12a、S13a、S14a、S21a、S22a、S23a、S24a：串联臂谐振器。
具体实施方式
以下，使用附图详细地对本发明的实施方式进行说明。另外，以下说明的实施方式均是示出总括性的或具体的例子的实施方式。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，主旨不是限定本发明。关于以下的实施方式中的结构要素之中未记载于独立权利要求的结构要素，作为任意的结构要素而说明。此外，附图所示的结构要素的大小或大小的比未必严谨。此外，在各图中，对于实质上相同的结构标注了相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。此外，在以下的实施方式中，所谓“连接”，不仅包括直接连接的情况，还包括经由其他的元件等而电连接的情况。
(实施方式1)
使用图1至图6对实施方式1进行说明。
图1是示出实施方式1涉及的滤波器装置100的一个例子的结构图。
滤波器装置100具有第1输入输出端子即输入输出端子31以及第2输入输出端子即输入输出端子32。例如，输入输出端子32与天线元件连接，输入输出端子31经由开关IC或放大电路等而与RF信号处理电路(RFIC)连接。滤波器装置100在天线元件与RF信号处理电路之间传递高频信号。
滤波器装置100可以是从RF信号处理电路向天线元件传递高频发送信号的发送滤波器，也可以是从天线元件向RF信号处理电路传递高频接收信号的接收滤波器。
在滤波器装置100是发送滤波器的情况下，输入输出端子31成为输入端子，输入输出端子32成为输出端子，在滤波器装置100是接收滤波器的情况下，输入输出端子31成为输出端子，输入输出端子32成为输入端子。
另外，也可以是，RF信号处理电路与输入输出端子32连接，天线元件与输入输出端子31连接。在该情况下，在滤波器装置100是发送滤波器的情况下，输入输出端子31成为输出端子，输入输出端子32成为输入端子，在滤波器装置100是接收滤波器的情况下，输入输出端子31成为输入端子，输入输出端子32成为输出端子。
滤波器装置100具备滤波器10以及附加电路11。
滤波器10是设置于输入输出端子31与输入输出端子32之间的弹性波滤波器。弹性波滤波器是使用弹性波谐振器的滤波器。滤波器10具备形成滤波器10的通带的至少2个弹性波谐振器。至少2个弹性波谐振器分别由压电体和设置在压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成。在此，滤波器10作为至少2个弹性波谐振器而具备串联臂谐振器S11、S12、S13以及S14和并联臂谐振器P11、P12以及P13。串联臂谐振器S11、S12、S13以及S14配置在将输入输出端子31和输入输出端子32连结的路径上，并互相串联连接。并联臂谐振器P11连接于串联臂谐振器S11与串联臂谐振器S12之间的连接节点和接地之间。并联臂谐振器P12连接于串联臂谐振器S12与串联臂谐振器S13之间的连接节点和接地之间。并联臂谐振器P13连接于串联臂谐振器S13与串联臂谐振器S14之间的连接节点和接地之间。
另外，滤波器10中的串联臂谐振器的数量以及并联臂谐振器的数量也可以不是图1所示的数量，滤波器10只要具备至少2个串联臂谐振器、或至少2个并联臂谐振器、或至少1个串联臂谐振器以及至少1个并联臂谐振器即可。
附加电路11是在输入输出端子31与输入输出端子32之间与滤波器10并联连接的电路，生成作为与流过滤波器10的无用信号相位相反的信号并用于抵消该无用信号分量的抵消信号。在此，所谓信号与信号相位相反，是指在-180°以上且180°以下的范围内两者的相位差的绝对值大于90°。这等同于两者具有互相反向的相位分量。另外，抵消信号优选为与无用信号尽可能相同的振幅，但是振幅也可以不同。根据抵消信号与无用信号的相位差，在两者的相加结果的振幅变得比原本的无用信号的振幅小的情况下，能够使滤波器10的衰减特性提高。通过这样的附加电路11与滤波器10并联连接，从而在滤波器10与附加电路11的连接点，流过滤波器10的无用信号被通过附加电路11而生成的抵消信号抵消。由此，滤波器10的衰减特性或隔离特性被改善。
另外，所谓附加电路11与滤波器10并联连接，也包括附加电路11与构成滤波器10的至少2个弹性波谐振器之中的一部分的弹性波谐振器并联连接的情况。例如，附加电路11的电容器C1也可以不与输入输出端子31和串联臂谐振器S11之间的节点连接，也可以与串联臂谐振器S11和串联臂谐振器S12之间的节点、串联臂谐振器S12和串联臂谐振器S13之间的节点、或串联臂谐振器S13和串联臂谐振器S14之间的节点连接。此外，附加电路11的电容器C2也可以不与输入输出端子32和串联臂谐振器S14之间的节点连接，也可以与串联臂谐振器S14和串联臂谐振器S13之间的节点、串联臂谐振器S13和串联臂谐振器S12之间的节点、或串联臂谐振器S12和串联臂谐振器S11之间的节点连接。
附加电路11具备：作为移相电路的纵向耦合型谐振器M1；和连接于输入输出端子31与纵向耦合型谐振器M1之间的作为第1电容器的电容器C1。此外，附加电路11还具备连接于纵向耦合型谐振器M1与输入输出端子32之间的作为第2电容器的电容器C2。纵向耦合型谐振器M1和电容器C1以及C2是用于生成抵消信号的结构。
电容器C1以及C2是为了生成与流向滤波器10的无用信号振幅相同的抵消信号而对输入的信号的振幅进行调整(具体地使其变小)的元件。电容器C1以及C2由压电体和设置在压电体上的包括多个电极指的梳齿电容电极形成。
纵向耦合型谐振器M1是为了生成与无用信号相位相反并且振幅相同的抵消信号而对输入的信号的振幅以及相位进行调整的移相电路。另外，附加电路11也可以取代纵向耦合型谐振器M1，作为移相电路而具备利用弹性波的传播而传递信号的横向型滤波器，也可以具备使相位延迟的弹性波延迟线路。即，移相电路只要是能够对相位进行调整的电路即可，不特别地限定。
形成电容器C1以及C2的梳齿电容电极和形成滤波器10中的至少2个弹性波谐振器的IDT电极互相被设置于相同的压电体上。另外，对于纵向耦合型谐振器M1，也可以设置于上述压电体上。
图2是示意性地示出形成在同一压电体102上的弹性波滤波器(滤波器10)以及附加电路11的图。另外，在图2中，作为附加电路11而示意性地示出了附加电路11的结构要素即电容器C1以及C2和纵向耦合型谐振器M1。此外，在图2中，省略了构成滤波器10的至少2个弹性波谐振器的图示。
如图2所示，可得知滤波器10和附加电路11(具体为电容器C1以及C2和纵向耦合型谐振器M1)设置于1个压电体102上。此外，可得知在压电体102上，附加电路11的结构要素所占据的面积的比例与滤波器10的结构要素所占据的面积的比例相比相当小。由于至少2个弹性波谐振器和电容器C1以及C2设置于1个压电体102上，因而能够由同一工艺流程制造至少2个弹性波谐振器和电容器C1以及C2。
在此，使用图3对至少2个弹性波谐振器的构造进行说明。
图3是示意性地表示弹性波谐振器的一个例子的俯视图以及剖视图，(a)是俯视图，(b)是(a)的剖视图。另外，图3所示的弹性波谐振器是用于对构成滤波器装置100的各弹性波谐振器的典型的构造进行说明的弹性波谐振器。因此，构成滤波器装置100的各弹性波谐振器的IDT电极的电极指的根数、长度等，不限定于该图所示的IDT电极的电极指的根数、长度。另外，在该图中，对于构成弹性波谐振器的反射器，省略了图示。
如该图的(a)以及(b)所示，弹性波谐振器具备：IDT电极101、形成了该IDT电极101的压电体102和覆盖该IDT电极101的保护层103。以下，详细地对这些结构要素进行说明。
如图3的(a)所示，在压电体102上，形成有构成IDT电极101的互相对置的一对梳齿电极101a以及101b。梳齿电极101a包括互相平行的多个电极指110a和连接多个电极指110a的汇流条电极111a。此外，梳齿电极101b包括互相平行的多个电极指110b和连接多个电极指110b的汇流条电极111b。
另外，也有梳齿电极101a以及101b分别以单体被称为IDT电极的情况。不过，在以下，为方便起见，作为由一对梳齿电极101a以及101b构成1个IDT电极101来进行说明。
此外，如图3的(b)所示，包括多个电极指110a以及110b和汇流条电极111a以及111b的IDT电极101成为密接层101g和主电极层101h的层叠构造。
密接层101g是用于使压电体102和主电极层101h的密接性提高的层，作为材料，例如可以使用Ti。
主电极层101h例如可以使用含有1％的Cu的Al作为材料。
保护层103形成为覆盖梳齿电极101a以及101b。保护层103是以保护主电极层101h不受外部环境的影响、频率温度特性的调整、以及耐湿性的提高等为目的的层，例如是将二氧化硅作为主成分的膜。
另外，构成密接层101g、主电极层101h以及保护层103的材料不限定于上述材料。进而，IDT电极101也可以不是上述层叠构造。IDT电极101也可以包含例如Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等金属或合金，此外，也可以包括含有上述金属或合金的多个层叠体。此外，也可以不形成密接层101g以及保护层103。
压电体102也可以是例如包含LiTaO3压电单晶、LiNbO3压电单晶、KNbO3压电单晶、石英、或压电陶瓷的压电基板。
此外，压电体102也可以是例如具有高声速支承基板、低声速膜、压电膜依次被层叠的层叠构造的压电性基板。压电膜例如包含42°Y切割X传播LiTaO3压电单晶或压电陶瓷。高声速支承基板是对低声速膜、压电膜以及IDT电极进行支承的基板。高声速支承基板进一步是与在压电膜中传播的表面波、边界波的弹性波相比，高声速支承基板中的体波的声速更高速的基板，并发挥作用使得将声表面波封闭在压电膜以及低声速膜被层叠的部分，不向比高声速支承基板更靠下方泄漏。高声速支承基板例如是硅基板。低声速膜是与在压电膜中传播的体波相比，低声速膜中的体波的声速更低速的膜，配置在压电膜与高声速支承基板之间。通过该构造和弹性波的能量本质上集中于低声速的介质这样的性质，可抑制声表面波能量向IDT电极外的泄漏。低声速膜例如是将二氧化硅作为主成分的膜。另外，在低声速膜之间可以包括含有Ti、Ni等的接合层。低声速膜也可以是包括多个低声速材料的多层构造。根据该层叠构造，与以单层来使用压电体102的构造相比，能够大幅地提高谐振频率以及反谐振频率下的Q值。即，由于能够构成Q值高的声表面波谐振器，因而能够使用该声表面波谐振器，构成插入损耗小的滤波器。
另外，高声速支承基板也可以具有支承基板和高声速膜被层叠的构造，该高声速膜层与在压电膜中传播的表面波、边界波的弹性波相比，所传播的体波的声速更高速。在该情况下，支承基板可以使用：钽酸锂、铌酸锂、石英等的压电体；矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等的各种陶瓷；玻璃、蓝宝石等的电介质或硅、氮化镓等的半导体；以及树脂基板等。此外，高声速膜可以使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、将上述材料作为主成分的介质、将上述材料的混合物作为主成分的介质等各种高声速材料。
在如以上那样构成的弹性波谐振器中，所激振的弹性波的波长以及IDT电极101的电容等由IDT电极101的设计参数等规定。以下，对IDT电极101的设计参数、即梳齿电极101a以及梳齿电极101b的设计参数进行说明。
弹性波的波长由构成图3所示的梳齿电极101a以及101b的多个电极指110a或110b的重复周期λ规定。此外，所谓电极间距(电极周期)，是该重复周期λ的1/2，在将构成梳齿电极101a以及101b的电极指110a以及110b的线宽设为W，并将相邻的电极指110a与电极指110b之间的间隔设为S的情况下，由W+S定义。此外，所谓IDT电极101的交叉宽度L，是在从图3的左右方向观察梳齿电极101a的电极指110a和梳齿电极101b的电极指110b的情况下的重复的电极指长度。此外，电极占空(占空比)是多个电极指110a以及110b的线宽占有率，并且是多个电极指110a以及110b的线宽相对于该线宽和多个电极指110a以及110b间的间隔的相加值的比例，由W/(W+S)定义。此外，所谓对数，是梳齿电极101a以及101b之中，成对的电极指110a以及电极指110b的数量，是电极指110a以及电极指110b的总数的大约半数。此外，将IDT电极101的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔设为T1。此外，所谓IDT电极101的膜厚，是多个电极指110a以及110b的厚度h。IDT电极101的电容由间隔S或间隔T1规定。即，间隔S越大、或间隔T1越大，则IDT电极的电容变得越小。另外，由于存在线宽W越小则间隔S变得越大的关系，因而IDT电极101的电容也能够由线宽W规定，线宽W越小则IDT电极的电容变得越小。此外，由于存在交叉宽度L越小则间隔T1变得越大的关系，因而IDT电极101的电容也能够由交叉宽度L规定，交叉宽度L越小则IDT电极的电容变得越小。
另外，在汇流条电极的电极指侧也可以设置有虚设电极。对此，使用图4进行说明。
图4是示意性地表示弹性波谐振器的另一个例子的俯视图。在图4所示的弹性波谐振器中，虚设电极112a设置为从汇流条电极111a向电极指110b侧延伸，虚设电极112b设置为从汇流条电极111b向电极指110a侧延伸。其他方面与图3所示的弹性波谐振器相同，因而省略说明。
将IDT电极101的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔设为T2。在该情况下，IDT电极101的电容也能够由间隔T2规定，间隔T2越大则IDT电极的电容变得越小。
另外，在本方式中，电容器C1以及C2的基本的构造与弹性波谐振器类似，因而电容器C1以及C2的构造的图示省略，在图3以及图4的说明中，能够将采用弹性波谐振器的部位置换为电容器C1以及C2，能够将采用IDT电极的部位置换为梳齿电容电极。不过，由于形成电容器C1以及C2的梳齿电容电极不以弹性波的激振为目的，因而在形成电容器C1以及C2的梳齿电容电极中也可以不激振弹性波。
附加电路11由于能够抵消流过滤波器10的无用信号，因而能够改善滤波器10的衰减特性或隔离特性。另一方面，由于附加电路11与滤波器10并联地连接，从而存在流过滤波器10的与滤波器10的通带对应的信号向附加电路11泄漏，使滤波器10的通过特性劣化的情况。
因此，在本方式中，形成电容器C1的梳齿电容电极的电容小于形成滤波器10具备的至少2个弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的IDT电极的电容。为了减小梳齿电容电极的电容，在俯视压电体102中的形成了IDT电极以及梳齿电容电极的面时，形成电容器C1的梳齿电容电极的面积小于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的面积。另外，梳齿电容电极的面积以及IDT电极的面积由图3以及图4所示的交叉宽度L与电极指的对数的乘积决定。
针对电容器C1的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个弹性波谐振器之中的与电容器C1最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S11。即，形成电容器C1的梳齿电容电极的电容小于形成串联臂谐振器S11的IDT电极的电容，形成电容器C1的梳齿电容电极的面积小于形成串联臂谐振器S11的IDT电极的面积。
这样，通过形成电容器C1的梳齿电容电极的电容小于形成串联臂谐振器S11的IDT电极的电容，从而滤波器装置100中的信号的大小成为如图5所示那样。
图5是用于说明实施方式1涉及的滤波器装置100中的信号的大小的图。在图5中，将信号的大小用箭头的粗细表现。
如图5所示，输入到输入输出端子31的与滤波器10的通带对应的信号流过滤波器10，并且还朝向与滤波器10并联连接的附加电路11流动。此时，由于形成电容器C1的梳齿电容电极的电容变小，因而信号变得难以流向附加电路11中的电容器C1的纵向耦合型谐振器M1侧。这是由于，因为形成电容器C1的梳齿电容电极的电容小，所以电容器C1的阻抗大。
这样，由于形成电容器C1的梳齿电容电极的电容小，因而流过滤波器10的与滤波器10的通带对应的信号变得难以向附加电路11泄漏，能够抑制由附加电路11引起的通过特性的劣化。
此外，在本方式中，形成电容器C2的梳齿电容电极的电容小于形成滤波器10具备的至少2个弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的IDT电极的电容。为了减小梳齿电容电极的电容，在俯视压电体102中的形成了IDT电极以及梳齿电容电极的面时，形成电容器C2的梳齿电容电极的面积小于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的面积。
针对电容器C2的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个弹性波谐振器之中的与电容器C2最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S14。即，形成电容器C2的梳齿电容电极的电容小于形成串联臂谐振器S14的IDT电极的电容，形成电容器C2的梳齿电容电极的面积小于形成串联臂谐振器S14的IDT电极的面积。
这样，由于形成电容器C2的梳齿电容电极的电容小于形成串联臂谐振器S14的IDT电极的电容，因而输入到输入输出端子31的与滤波器10的通带对应的信号由于电容小的2个电容器C1以及C2而变得更加难以流向附加电路11中的电容器C1的纵向耦合型谐振器M1侧。因此，流过滤波器10的与滤波器10的通带对应的信号变得更加难以向附加电路11泄漏，因而能够进一步抑制由附加电路11引起的通过特性的劣化。
在本方式中，如上述那样，形成电容器C1以及C2的梳齿电容电极以及形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极形成于同一压电体，并由同一工艺流程制造。即，针对形成电容器C1以及C2的梳齿电容电极、以及形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的制造偏差相同。例如，在针对形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的制造偏差为±0.1μm的情况下，针对形成电容器C1以及C2的梳齿电容电极的制造偏差也成为±0.1μm。如上述那样，由于形成电容器C1以及C2的梳齿电容电极的面积小于形成构成滤波器10的至少1个弹性波谐振器的IDT电极的面积，因而制造偏差对面积小的梳齿电容电极的影响大于制造偏差对面积大的IDT电极的影响。因此，由于制造偏差的影响，存在形成电容器C1以及C2的梳齿电容电极的电容产生较大偏差的情况，通过附加电路11而生成的抵消信号未成为与设计一致的信号，存在由附加电路11引起的衰减特性或隔离特性的改善功能劣化的情况。
因此，例如，形成电容器C1的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的相邻的电极指间的间隔。梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔以及IDT电极的相邻的电极指间的间隔对应于图3中的S。另外，增大该间隔的方法不特别地限定，例如，可以通过增大图3所示的重复周期λ而增大该间隔，也可以通过减小图3所示的线宽W而增大该间隔。
针对电容器C1的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个弹性波谐振器之中的与电容器C1最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S11。即，形成电容器C1的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也可以大于形成串联臂谐振器S11的IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
由于形成电容器C1的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。例如，在间隔为1μm的情况下，±0.1μm的制造偏差的影响相对于间隔成为10％，即电容可能偏离10％，但是在间隔为2μm的情况下，±0.1μm的制造偏差的影响变小到相对于间隔成为5％。
这样，由于形成电容器C1的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔大，因而形成电容器C1的梳齿电容电极的电容变得不易偏离设计值，换言之，变得容易生成与设计值一致的抵消信号，能够抑制由附加电路11引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C1的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔，也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔。梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔、以及IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔对应于图3中的T1。另外，增大该间隔的方法不特别地限定，例如，可以通过减小图3所示的交叉宽度L而增大该间隔，也可以通过使图3所示的汇流条电极111a以及111b从电极指的顶端部分远离而增大该间隔。
针对电容器C1的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个弹性波谐振器之中的与电容器C1最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S11。即，形成电容器C1的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔，也可以大于形成串联臂谐振器S11的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔。
由于形成电容器C1的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于形成电容器C1的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔大，因而形成电容器C1的梳齿电容电极的电容变得不易偏离设计值，换言之，变得容易生成与设计值一致的抵消信号，能够抑制由附加电路11引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C1的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔，也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔。梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔、以及IDT电极的多个电极指的顶端和对置的虚设电极之间的间隔对应于图4中的T2。另外，增大该间隔的方法不特别地限定，例如，可以通过减小图4所示的交叉宽度L而增大该间隔，也可以通过减小图4所示的虚设电极112a以及112b而增大该间隔，还可以通过使汇流条电极111a以及111b从电极指的顶端部分远离而增大该间隔。
针对电容器C1的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个弹性波谐振器之中的与电容器C1最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S11。即，形成电容器C1的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔，也可以大于形成串联臂谐振器S11的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔。
由于形成电容器C1的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于形成电容器C1的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔大，因而形成电容器C1的梳齿电容电极的电容变得不易偏离设计值，换言之，变得容易生成与设计值一致的抵消信号，能够抑制由附加电路11引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C2的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
针对电容器C2的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个弹性波谐振器之中的与电容器C2最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S14。即，形成电容器C2的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也可以大于形成串联臂谐振器S14的IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
由于形成电容器C2的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于不仅是电容器C1，形成电容器C2的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也大，因而形成电容器C2的梳齿电容电极的电容也变得不易偏离设计值，能够进一步抑制由附加电路11引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C2的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔，也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔。
针对电容器C2的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个弹性波谐振器之中的与电容器C2最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S14。即，形成电容器C2的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔，也可以大于形成串联臂谐振器S14的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔。
由于形成电容器C2的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于不仅是电容器C1，形成电容器C2的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔也大，因而形成电容器C2的梳齿电容电极的电容也变得不易偏离设计值，能够进一步抑制由附加电路11引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C2的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔，也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔。
针对电容器C2的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个弹性波谐振器之中的与电容器C2最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S14。即，形成电容器C2的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔，也可以大于形成串联臂谐振器S14的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔。
由于形成电容器C2的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，不仅是电容器C1，形成电容器C2的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔也大，因而形成电容器C2的梳齿电容电极的电容也变得不易偏离设计值，能够进一步抑制由附加电路11引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
另外，对于电容器C1，之所以将电容、相邻的电极指间的间隔、以及多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔的比较对象设为串联臂谐振器S11，是因为串联臂谐振器S11是在各弹性波谐振器中与输入输出端子31最靠近地连接的针对输入输出端子31的初级的弹性波谐振器，并且是容易给滤波器10的通过特性以及衰减特性带来影响的弹性波谐振器。
此外，对于电容器C2，之所以将电容、相邻的电极指间的间隔、以及多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔的比较对象设为串联臂谐振器S14，是因为串联臂谐振器S14是在各弹性波谐振器中与输入输出端子32最靠近地连接的针对输入输出端子32的初级的弹性波谐振器，并且是容易给滤波器10的通过特性以及衰减特性带来影响的弹性波谐振器。
另外，滤波器装置100能够应用于多工器。关于应用了滤波器装置100的多工器，使用图6进行说明。
图6是示出实施方式1涉及的多工器1的一个例子的结构图。
多工器1具备包括滤波器装置100的多个滤波器，多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子30连接。多个滤波器例如包括滤波器装置100以及200。即，在本实施方式中，多工器1是作为多个滤波器包括滤波器装置100以及200这2个滤波器装置的双工器。在本实施方式中，作为多个滤波器各自的输入端子或输出端子，输入输出端子32以及34与公共端子30公共连接，但是也可以输入输出端子31以及33与公共端子30公共连接。
公共端子30公共地设置于滤波器装置100以及200。公共端子30与天线元件连接。即，公共端子30也是多工器1的天线端子。
滤波器装置100的输入输出端子31以及滤波器装置200的输入输出端子33经由开关IC或放大电路等而与RF信号处理电路连接。
另外，多工器1虽然作为多个滤波器包括2个滤波器装置，但是也可以包括3个以上的滤波器装置。
另外，多工器1虽然具备1个滤波器装置100，但是也可以具备通带不同的2个以上的滤波器装置100。
如以上那样，根据具备滤波器装置100的多工器1，能够抑制由附加电路11引起的通过特性的劣化。
(实施方式2)
接下来，使用图7对实施方式2进行说明。
图7是示出实施方式2涉及的多工器1a的一个例子的结构图。
多工器1a具有第1输入端子即输入输出端子31、第1输出端子即输入输出端子32、第2输出端子即输入输出端子33、第2输入端子即输入输出端子34以及公共端子30。输入输出端子32以及34与连接于天线元件的公共端子30连接，输入输出端子31以及33经由开关IC或放大电路等与RF信号处理电路连接。
多工器1a具备发送滤波器100a、接收滤波器200a和附加电路11a。
发送滤波器100a是设置于输入输出端子31与输入输出端子32之间的弹性波滤波器。发送滤波器100a具备形成发送滤波器100a的通带的至少2个发送侧弹性波谐振器。至少2个发送侧弹性波谐振器分别由压电体和设置于压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成。在此，发送滤波器100a作为至少2个发送侧弹性波谐振器而具备串联臂谐振器S11a、S12a、S13a以及S14a和并联臂谐振器P11a、P12a以及P13a。串联臂谐振器S11a、S12a、S13a以及S14a配置在将输入输出端子31和输入输出端子32连结的路径上，并互相串联连接。并联臂谐振器P11a连接于串联臂谐振器S11a与串联臂谐振器S12a之间的连接节点和接地之间。并联臂谐振器P12a连接于串联臂谐振器S12a与串联臂谐振器S13a之间的连接节点和接地之间。并联臂谐振器P13a连接于串联臂谐振器S13a与串联臂谐振器S14a之间和连接节点和接地之间。
另外，发送滤波器100a中的串联臂谐振器的数量以及并联臂谐振器的数量也可以不是图7所示的数量，发送滤波器100a只要具备至少2个串联臂谐振器、或至少2个并联臂谐振器、或至少1个串联臂谐振器以及至少1个并联臂谐振器即可。
接收滤波器200a是设置于输入输出端子34与输入输出端子33之间的弹性波滤波器。接收滤波器200a具备形成接收滤波器200a的通带的至少2个接收侧弹性波谐振器。至少2个接收侧弹性波谐振器分别由压电体和设置于压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成。在此，接收滤波器200a作为至少2个接收侧弹性波谐振器而具备串联臂谐振器S21a、S22a、S23a以及S24a和并联臂谐振器P21a、P22a以及P23a。串联臂谐振器S21a、S22a、S23a以及S24a配置在将输入输出端子33和输入输出端子34连结的路径上，并互相串联连接。并联臂谐振器P21a连接于串联臂谐振器S21a与串联臂谐振器S22a之间的连接节点和接地之间。并联臂谐振器P22a连接于串联臂谐振器S22a与串联臂谐振器S23a之间的连接节点和接地之间。并联臂谐振器P23a连接于串联臂谐振器S23a与串联臂谐振器S24a之间的连接节点和接地之间。
另外，接收滤波器200a中的串联臂谐振器的数量以及并联臂谐振器的数量也可以不是图7所示的数量，接收滤波器200a只要具备至少2个串联臂谐振器、或至少2个并联臂谐振器、或至少1个串联臂谐振器以及至少1个并联臂谐振器即可。
在此，由公共端子30将发送滤波器100a以及接收滤波器200a公共连接，期望进行同时收发分别对应于发送滤波器100a以及接收滤波器200a的多个频带的信号的、所谓的CA(载波聚合)。此时，例如，需要对接收滤波器200a的与发送滤波器100a的通带对应的频带的衰减特性进行改善，使得发送滤波器100a的通带的发送信号不经由输入输出端子32以及34向接收滤波器200a泄漏。
因此，使用附加电路11a。附加电路11a是设置于输入输出端子31与输入输出端子33之间的电路，其一端连接于将输入输出端子31以及32连结的路径上，其另一端连接于将输入输出端子33以及34连结的路径上。例如，在附加电路11a中，其一端与输入输出端子31连接，其另一端与输入输出端子33连接。附加电路11a生成作为与无用信号相位相反的信号并用于抵消该无用信号的抵消信号，该无用信号是从发送滤波器100a向接收滤波器200a泄漏的与发送滤波器100a的通带对应的频带的信号。向接收滤波器200a泄漏的无用信号在接收滤波器200a和附加电路11a的连接点处，被通过附加电路11生成的抵消信号抵消。由此，在与发送滤波器100a的通带对应的频带中接收滤波器200a的衰减特性被改善。
另外，在附加电路11a中，其一端也可以不与输入输出端子31和串联臂谐振器S11a之间的节点连接，也可以与串联臂谐振器S11a和串联臂谐振器S12a之间的节点、串联臂谐振器S12a和串联臂谐振器S13a之间的节点、或串联臂谐振器S13a和串联臂谐振器S14a之间的节点连接。此外，在附加电路11a中，其另一端也可以不与输入输出端子33和串联臂谐振器S21a之间的节点连接，也可以与串联臂谐振器S21a和串联臂谐振器S22a之间的节点、串联臂谐振器S22a和串联臂谐振器S23a之间的节点、或串联臂谐振器S23a和串联臂谐振器S24a之间的节点连接。
附加电路11a具备：作为移相电路的纵向耦合型谐振器M2；和第3电容器，设置于纵向耦合型谐振器M2与输入输出端子31之间、以及纵向耦合型谐振器M2与输入输出端子33之间的一者处。例如，在此，附加电路11a作为第3电容器而具备设置于纵向耦合型谐振器M2与输入输出端子31之间的电容器C3。此外，附加电路11a还具备：第4电容器，设置于纵向耦合型谐振器M2与输入输出端子31之间、以及纵向耦合型谐振器M2与输入输出端子33之间的另一者处。例如，在此，附加电路11a作为第4电容器而具备设置于纵向耦合型谐振器M2与输入输出端子33之间的电容器C4。纵向耦合型谐振器M2和电容器C3以及C4是用于生成抵消信号的结构。另外，电容器C3也可以是第4电容器，电容器C4也可以是第3电容器。
电容器C3以及C4是为了生成与流向接收滤波器200a的无用信号振幅相同的抵消信号而对输入的信号的振幅进行调整(具体的地使其变小)的元件。电容器C3以及C4由压电体和设置于压电体上的包括多个电极指的梳齿电容电极形成。
纵向耦合型谐振器M2是为了生成与无用信号相位相反且振幅相同的抵消信号而对输入的信号的振幅以及相位进行调整的移相电路。另外，与实施方式1相同，移相电路也可以是横向型滤波器，也可以是弹性波延迟线路。
形成电容器C3以及C4的梳齿电容电极、形成发送滤波器100a中的至少2个发送侧弹性波谐振器的IDT电极、和形成接收滤波器200a中的至少2个接收侧弹性波谐振器的IDT电极互相设置于相同的压电体上。另外，关于纵向耦合型谐振器M2，也可以设置于上述压电体上。形成电容器C3以及C4的梳齿电容电极、形成至少2个发送侧弹性波谐振器的IDT电极、以及形成至少2个接收侧弹性波谐振器的IDT电极的构造例如成为图3或图4所示的构造。
附加电路11a由于能够抵消从发送滤波器100a向接收滤波器200a泄漏的无用信号，因而能够对接收滤波器200a的衰减特性进行改善。另一方面，存在流过发送滤波器100a的与发送滤波器100a的通带对应的信号向附加电路11a泄漏，使发送滤波器100a的通过特性劣化的情况。
因此，在本方式中，形成电容器C3的梳齿电容电极的电容小于形成至少2个发送侧弹性波谐振器、以及至少2个接收侧弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的IDT电极的电容。为了减小梳齿电容电极的电容，在俯视压电体中的形成了IDT电极以及梳齿电容电极的面时，形成电容器C3的梳齿电容电极的面积小于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的面积。
针对电容器C3的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个发送侧弹性波谐振器之中的与电容器C3最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S11a。即，形成电容器C3的梳齿电容电极的电容小于形成串联臂谐振器S11a的IDT电极的电容，形成电容器C3的梳齿电容电极的面积小于形成串联臂谐振器S11a的IDT电极的面积。
这样，由于形成电容器C3的梳齿电容电极的电容小，因而流过发送滤波器100a的与发送滤波器100a的通带对应的信号难以向附加电路11a泄漏，因而能够抑制由附加电路11a引起的通过特性的劣化。
另外，在第3电容器是设置于纵向耦合型谐振器M2与输入输出端子33之间的电容器C4的情况下，针对电容器C4的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个接收侧弹性波谐振器之中的与电容器C4最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S21a。即，作为第3电容器而形成电容器C4的梳齿电容电极的电容小于形成串联臂谐振器S21a的IDT电极的电容，形成电容器C4的梳齿电容电极的面积小于形成串联臂谐振器S21a的IDT电极的面积。
此外，在将第3电容器设为电容器C3的本方式中，作为第4电容器而形成电容器C4的梳齿电容电极的电容小于形成至少2个发送侧弹性波谐振器、以及至少2个接收侧弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的IDT电极的电容。为了减小梳齿电容电极的电容，在俯视压电体中的形成了IDT电极以及梳齿电容电极的面时，形成电容器C4的梳齿电容电极的面积小于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的面积。
针对电容器C4的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个接收侧弹性波谐振器之中的与电容器C4最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S21a。即，形成电容器C4的梳齿电容电极的电容小于形成串联臂谐振器S21a的IDT电极的电容，形成电容器C4的梳齿电容电极的面积小于形成串联臂谐振器S21a的IDT电极的面积。
这样，由于形成电容器C4的梳齿电容电极的电容小于形成串联臂谐振器S21a的IDT电极的电容，因而输入到输入输出端子31的与发送滤波器100a的通带对应的信号由于电容小的2个电容器C3以及C4，而变得更加难以流向附加电路11a中的电容器C3的纵向耦合型谐振器M2侧。因此，流过发送滤波器100a的与发送滤波器100a的通带对应的信号变得更加难以向附加电路11a泄漏，因而能够进一步抑制由附加电路11a引起的通过特性的劣化。
在本方式中，如上述那样，形成电容器C3以及C4的梳齿电容电极以及形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极形成于同一压电体，由同一工艺流程制造。即，针对形成电容器C3以及C4的梳齿电容电极、以及形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的制造偏差相同。如上述那样，由于形成电容器C3以及C4的梳齿电容电极的面积小于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的面积，因而制造偏差对面积小的梳齿电容电极的影响大于制造偏差对面积大的IDT电极的影响。因此，由于制造偏差的影响而存在形成电容器C3以及C4的梳齿电容电极的电容产生较大偏差的情况，由附加电路11a生成的抵消信号与设计不一致，存在由附加电路11a引起的衰减特性或隔离特性的改善功能劣化的情况。
因此，例如，形成电容器C3的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
针对电容器C3的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个发送侧弹性波谐振器之中的与电容器C3最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S11a。即，形成电容器C3的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也可以大于形成串联臂谐振器S11a的IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
由于形成电容器C3的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于形成电容器C3的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔大，因而形成电容器C3的梳齿电容电极的电容变得不易偏离设计值，换言之，变得容易生成与设计值一致的抵消信号，能够抑制由附加电路11a引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C3的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔。
针对电容器C3的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个发送侧弹性波谐振器之中的与电容器C3最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S11a。即，形成电容器C3的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔也可以大于形成串联臂谐振器S11a的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔。
由于形成电容器C3的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于形成电容器C3的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔大，因而形成电容器C3的梳齿电容电极的电容变得不易偏离设计值，换言之，变得容易生成与设计值一致的抵消信号，能够抑制由附加电路11a引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C3的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔，也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔。
针对电容器C3的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个发送侧弹性波谐振器之中的与电容器C3最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S11a。即，形成电容器C3的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔，也可以大于形成串联臂谐振器S11a的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔。
由于形成电容器C3的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于形成电容器C3的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔大，因而形成电容器C3的梳齿电容电极的电容变得不易偏离设计值，换言之，变得容易生成与设计值一致的抵消信号，能够抑制由附加电路11a引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C4的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
针对电容器C4的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个接收侧弹性波谐振器之中的与电容器C4最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S21a。即，形成电容器C4的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也可以大于形成串联臂谐振器S21a的IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
由于形成电容器C4的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于不仅是电容器C3，形成电容器C4的梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔也大，因而形成电容器C4的梳齿电容电极的电容也变得不易偏离设计值，能够进一步抑制由附加电路11a引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C4的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔，也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔。
针对电容器C4的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个接收侧弹性波谐振器之中的与电容器C4最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S21a。即，形成电容器C4的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔，也可以大于形成串联臂谐振器S21a的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔。
由于形成电容器C4的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，由于不仅是电容器C3，形成电容器4的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极之间的间隔也大，因而形成电容器C4的梳齿电容电极的电容也变得不易偏离设计值，能够进一步抑制由附加电路11a引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
此外，例如，形成电容器C4的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔，也可以大于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔。
针对电容器C4的至少1个弹性波谐振器例如包括至少2个接收侧弹性波谐振器之中的与电容器C4最靠近地连接的弹性波谐振器，具体地，包括串联臂谐振器S21a。即，形成电容器C4的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔，也可以大于形成串联臂谐振器S21a的IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔。
由于形成电容器C4的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔大，因而作为固定值的制造偏差的影响变小。
这样，不仅是电容器C3，形成电容器C4的梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的虚设电极之间的间隔也大，因而形成电容器C4的梳齿电容电极的电容也变得不易偏离设计值，能够进一步抑制由附加电路11a引起的衰减特性或隔离特性的改善功能的劣化。
另外，对于电容器C3，之所以将电容、相邻的电极指间的间隔、以及多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔的比较对象设为串联臂谐振器S11a，是因为串联臂谐振器S11a是在各弹性波谐振器中与输入输出端子31最靠近地连接的针对输入输出端子31的初级的弹性波谐振器，并且是容易给发送滤波器100a的通过特性以及衰减特性带来影响的弹性波谐振器。
此外，对于电容器C4，之所以将电容、相邻的电极指间的间隔、以及多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔的比较对象设为串联臂谐振器S21a，是因为串联臂谐振器S21a是在各弹性波谐振器中与输入输出端子33最靠近地连接的针对输入输出端子33的初级的弹性波谐振器，并且是容易给发送滤波器200a的通过特性以及衰减特性带来影响的弹性波谐振器。
另外，多工器1a也可以具备除发送滤波器100a以及接收滤波器200a之外与公共端子30公共连接的滤波器。
(其他的实施方式)
以上，对本发明的实施方式涉及的滤波器装置以及多工器进行了说明，但是对于本发明，对上述实施方式中的任意的结构要素进行组合而实现的其他的实施方式、针对上述实施方式在不脱离本发明的主旨的范围内实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本发明涉及的滤波器装置以及多工器的各种设备也包含于本发明。
例如，在实施方式1中，虽然说明了针对电容器C1的滤波器10中的至少1个弹性波谐振器包括与电容器C1最靠近地连接的串联臂谐振器S11，但是不限于此。例如，针对电容器C1的滤波器10中的至少1个弹性波谐振器也可以不包括滤波器10中的串联臂谐振器S11，也可以包括除串联臂谐振器S11以外的弹性波谐振器。
此外，例如，在实施方式1中，虽然说明了针对电容器C2的滤波器10中的至少1个弹性波谐振器包括与电容器C2最靠近地连接的串联臂谐振器S14，但是不限于此。例如，针对电容器C2的滤波器10中的至少1个弹性波谐振器也可以不包括滤波器10中的串联臂谐振器S14，也可以包括除串联臂谐振器S14以外的弹性波谐振器。
此外，例如，在实施方式1中，虽然说明了滤波器装置100具备电容器C2，但也可以不具备。
此外，例如，在实施方式2中，虽然说明了针对电容器C3的发送滤波器100a以及接收滤波器200a中的至少1个弹性波谐振器包括与电容器C3最靠近地连接的串联臂谐振器S11a，但是不限于此。例如，针对电容器C3的发送滤波器1OOa以及接收滤波器200a中的至少1个弹性波谐振器也可以不包括串联臂谐振器S11a，也可以包括发送滤波器100a中的除串联臂谐振器S11a以外的弹性波谐振器。
此外，例如，在实施方式2中，虽然说明了针对电容器C4的发送滤波器100a以及接收滤波器200a中的至少1个弹性波谐振器包括与电容器C4最靠近地连接的串联臂谐振器S21a，但是不限于此。例如，针对电容器C4的发送滤波器100a以及接收滤波器200a中的至少1个弹性波谐振器也可以不包括串联臂谐振器S21a，也可以包括接收滤波器200a中的除串联臂谐振器S21a以外的弹性波谐振器。
此外，例如，在实施方式2中，虽然说明了附加电路11a具备电容器C3以及C4，但也可以不具备电容器C3以及C4的任一者。
工业实用性
本发明作为滤波器装置以及多工器，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
Claims (19)
1.一种滤波器装置，具备：
弹性波滤波器，设置于第1输入输出端子与第2输入输出端子之间；和
附加电路，在所述第1输入输出端子与所述第2输入输出端子之间与所述弹性波滤波器并联连接，
所述弹性波滤波器具备：至少2个弹性波谐振器，形成所述弹性波滤波器的通带，
所述附加电路具备：
移相电路；和
第1电容器，连接于所述移相电路与所述第1输入输出端子之间，
所述至少2个弹性波谐振器分别由压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成，
所述第1电容器由所述压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的梳齿电容电极形成，
形成所述第1电容器的所述梳齿电容电极的电容小于形成所述至少2个弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的电容，
在俯视所述压电体中的形成了所述IDT电极以及所述梳齿电容电极的面时，形成所述第1电容器的所述梳齿电容电极的面积小于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的面积。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
形成所述第1电容器的所述梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔大于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
形成所述第1电容器的所述梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔，大于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述至少1个弹性波谐振器包括所述至少2个弹性波谐振器之中的与所述第1电容器最靠近地连接的弹性波谐振器。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述附加电路还具备：第2电容器，连接于所述移相电路与所述第2输入输出端子之间，
所述第2电容器由所述压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的梳齿电容电极形成，
形成所述第2电容器的所述梳齿电容电极的电容小于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的电容，
在俯视所述压电体中的形成了所述IDT电极以及所述梳齿电容电极的面时，形成所述第2电容器的所述梳齿电容电极的面积小于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的面积。
6.根据权利要求5所述的滤波器装置，其中，
形成所述第2电容器的所述梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔，大于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
7.根据权利要求5或6所述的滤波器装置，其中，
形成所述第2电容器的所述梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔，大于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述至少1个弹性波谐振器包括所述至少2个弹性波谐振器之中的与所述第2电容器最靠近地连接的弹性波谐振器。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述移相电路是纵向耦合型谐振器。
10.一种多工器，具备：
多个滤波器，包括权利要求1～9中任一项所述的滤波器装置，
所述多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子连接。
11.一种多工器，具备：
发送滤波器，设置于第1输入端子与第1输出端子之间；
接收滤波器，设置于第2输入端子与第2输出端子之间；和
附加电路，设置于所述第1输入端子与所述第2输出端子之间，
所述第1输出端子以及所述第2输入端子与公共端子连接，
所述发送滤波器具备：至少2个发送侧弹性波谐振器，形成所述发送滤波器的通带，
所述接收滤波器具备：至少2个接收侧弹性波谐振器，形成所述接收滤波器的通带，
所述附加电路具备：
移相电路；和
第3电容器，设置于所述移相电路与所述第1输入端子之间以及所述移相电路与所述第2输出端子之间的一者，
所述至少2个发送侧弹性波谐振器分别由压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成，
所述至少2个接收侧弹性波谐振器分别由所述压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的IDT电极形成，
所述第3电容器由所述压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的梳齿电容电极形成，
形成所述第3电容器的所述梳齿电容电极的电容小于形成所述至少2个发送侧弹性波谐振器以及所述至少2个接收侧弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的电容，
在俯视所述压电体中的形成了所述IDT电极以及所述梳齿电容电极的面时，形成所述第3电容器的所述梳齿电容电极的面积小于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的面积。
12.根据权利要求11所述的多工器，其中，
形成所述第3电容器的所述梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔，大于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
13.根据权利要求11或12所述的多工器，其中，
形成所述第3电容器的所述梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔，大于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的多工器，其中，
在所述第3电容器是设置于所述移相电路与所述第1输入端子之间的电容器的情况下，所述至少1个弹性波谐振器包括所述至少2个发送侧弹性波谐振器之中的与所述第3电容器最靠近地连接的弹性波谐振器，
在所述第3电容器是设置于所述移相电路与所述第2输出端子之间的电容器的情况下，所述至少1个弹性波谐振器包括所述至少2个接收侧弹性波谐振器之中的与所述第3电容器最靠近地连接的弹性波谐振器。
15.根据权利要求11～14中任一项所述的多工器，其中，
所述附加电路还具备：第4电容器，设置于所述移相电路与所述第1输入端子之间以及所述移相电路与所述第2输出端子之间的另一者，
所述第4电容器由所述压电体和设置在所述压电体上的包括多个电极指的梳齿电容电极形成，
形成所述第4电容器的所述梳齿电容电极的电容小于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的电容，
在俯视所述压电体中的形成了所述IDT电极以及所述梳齿电容电极的面时，形成所述第4电容器的所述梳齿电容电极的面积小于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的面积。
16.根据权利要求15所述的多工器，其中，
形成所述第4电容器的所述梳齿电容电极的相邻的电极指间的间隔，大于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的相邻的电极指间的间隔。
17.根据权利要求15或16所述的多工器，其中，
形成所述第4电容器的所述梳齿电容电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔，大于形成所述至少1个弹性波谐振器的所述IDT电极的多个电极指的顶端部分和与该顶端部分对置的汇流条电极或虚设电极之间的间隔。
18.根据权利要求15～17中任一项所述的多工器，其中，
在所述第4电容器是设置于所述移相电路与所述第2输出端子之间的电容器的情况下，所述至少1个弹性波谐振器包括所述至少2个接收侧弹性波谐振器之中的与所述第4电容器最靠近地连接的弹性波谐振器，
在所述第4电容器是设置于所述移相电路与所述第1输入端子之间的电容器的情况下，所述至少1个弹性波谐振器包括所述至少2个发送侧弹性波谐振器之中的与所述第4电容器最靠近地连接的弹性波谐振器。
19.根据权利要求11～18中任一项所述的多工器，其中，
所述移相电路是纵向耦合型谐振器。
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