CN112687575A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供高效地回收升华物并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的一个方面的热处理装置包括：对形成有覆膜的基片实施热处理的热处理单元；和控制热处理单元的控制单元。上述热处理单元包括：支承并加热基片的加热部；罩住支承于加热部的基片的腔室；具有形成有多个释放孔的释放头部的气体释放部，其从多个释放孔向该基片的表面释放气体，其中多个释放孔分散地设置在与支承于加热部的基片相对的面上；外周排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠外侧的外周区域对腔室内的处理空间进行排气；和中心排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠内侧的中心区域对处理空间进行排气。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
专利文献1公开了一种对形成于基片的涂敷膜进行加热处理的加热处理装置。该加热处理装置包括：设置在处理容器内的载置基片的载置部；用于加热载置于载置部的基片的加热部；和用于对处理容器内进行排气的外周排气口和中央排气口。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-115919号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够高效地回收升华物并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面的热处理装置包括：对形成有覆膜的基片实施热处理的热处理单元；和控制热处理单元的控制单元。上述热处理单元包括：支承并加热基片的加热部；罩住支承于加热部的基片的腔室；具有形成有多个释放孔的释放头部的气体释放部，其从多个释放孔向该基片的表面释放气体，其中多个释放孔分散地设置在与支承于加热部的基片相对的面上；外周排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠外侧的外周区域对腔室内的处理空间进行排气；和中心排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠内侧的中心区域对处理空间进行排气。
发明效果
依照本发明，能够提供一种能够高效地回收升华物并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理系统的一个例子的示意图。
图2是表示涂敷显影装置的一个例子的示意图。
图3是表示热处理单元的一个例子的示意图。
图4是表示气体释放部的一个例子的示意图。
图5是表示控制装置的硬件结构的一个例子的框图。
图6是表示基片处理流程的一个例子的流程图。
图7是表示热处理工序的一个例子的流程图。
图8的(a)～图8的(c)是表示热处理工序中的各部件的动作和气体的流动的一个例子的示意图。
图9的(a)～图9的(c)是表示热处理工序中的各部件的动作和气体的流动的一个例子的示意图。
图10是表示气体释放部的另一例的示意图。
图11是表示气体释放部的另一例的示意图。
图12的(a)和图12的(b)是表示热处理工序中的各部件的动作的另一例的示意图。
图13是表示第二实施方式的基片处理系统所具有的热处理单元的一个例子的示意图。
图14是表示气体释放部和外周排气部的一个例子的示意图。
图15的(a)和图15的(b)是表示热处理工序中的各部件的动作的一个例子的示意图。
图16是示意地表示加热部的详情的一个例子的侧视图。
图17是示意地表示加热部的详情的一个例子的平面图。
图18的(a)和图18的(b)是表示变形例的热处理单元的加热部的一个例子的示意图。
图19是表示第三实施方式的基片处理系统所具有的涂敷显影装置的一个例子的示意图。
图20是表示热处理工序的一个例子的流程图。
图21是表示处理空间的氧浓度的时间变化的一个例子的图表。
附图标记说明
1……基片处理系统；2、2B……涂敷显影装置；20……加热部；30……基片升降部；40……腔室；42……顶板；48……腔室驱动部；50……气体释放部；52……释放头部；54……释放孔；60……排气部；70……外周排气部；72……排气孔；80……中心排气部；82……排气孔；90……排气切换部；100……控制装置；70A……外周排气部；174……第二排气孔；40A……腔室；130……保持部；140……盖部；142顶板；g间隙；182……间隙销；184……吸引孔；200……气体供给单元；U2、U20、U21、U22……热处理单元；W……晶片。
具体实施方式
下面，对各个例示的实施方式进行说明。
一个例示的实施方式的基片处理装置包括：对形成有覆膜的基片实施热处理的热处理单元；和控制热处理单元的控制单元。上述热处理单元包括：支承并加热基片的加热部；罩住支承于加热部的基片的腔室；具有形成有多个释放孔的释放头部的气体释放部，其从多个释放孔向该基片的表面释放气体，其中多个释放孔分散地设置在与支承于加热部的基片相对的面上；外周排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠外侧的外周区域对腔室内的处理空间进行排气；和中心排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠内侧的中心区域对处理空间进行排气。
在上述基片处理装置的热处理单元中，能够利用中心排气部在基片的热处理中进行来自中心区域的排气，能够回收来自覆膜的升华物。此外，用气体释放部对基片的表面释放气体，能够抑制伴随来自中心区域的排气而来的气流的上升。因此，使气流对覆膜的膜厚的影响在基片面内均匀。所以，能够高效地回收升华物，并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
也可以为，热处理单元还包括切换第一状态和第二状态的排气切换部，其中，该第一状态从外周排气部对处理空间进行排气，该第二状态至少从中心排气部对处理空间进行排气。也可以为，控制单元用气体释放部从多个释放孔释放气体，并且控制排气切换部以从第一状态切换为第二状态。在对作为处理对象的基片的加热后阶段中，进行膜形成，排气对膜厚变动的影响小。在上述构成中，能够在加热后阶段进行中心排气。其结果是，能够高效地回收升华物，进一步提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
也可以为，热处理单元还包括：使基片升降的基片升降部；以及开闭切换部，其切换利用腔室形成处理空间的关闭状态和跟关闭状态相比使腔室从加热部离开的打开状态。也可以为，腔室包括设有释放头部的顶板。也可以为，控制单元控制基片升降部以使基片从加热部上升而靠近顶板，在使基片靠近顶板后控制开闭切换部以从关闭状态切换为打开状态。在该情况下，能够更可靠地回收从靠近顶板的状态的基片的覆膜产生的升华物。因此，能够抑制来自覆膜的升华物导致的热处理单元的污染。
也可以为，外周排气部具有用于对处理空间进行排气的外周排气孔。也可以为，控制单元在使基片靠近顶板时控制基片升降部以使基片上升至比外周排气孔高的位置。在该情况下，在使基片靠近顶板时，伴随基于外周排气孔的排气而在基片的表面上产生的气流弱。因此，升华物流动到基片外的可能性降低，能够更高效地回收升华物。
也可以为，腔室以在外周区域形成有连接处理空间与腔室外的空间的连通部的状态，罩住加热部上的基片。也可以为，外周排气部包括在连通部开口的外周排气孔，经由该外周排气孔和连通部对处理空间进行排气。在该情况下，能够防止升华物经由连通部向腔室外的空间泄漏。
也可以为，腔室包括：保持加热部的保持部；和盖部，该盖部以在其与保持部之间形成有间隙以使得从上方罩住加热部上的基片的状态配置。也可以为，保持部与盖部之间的间隙作为上述连通部发挥作用。在该情况下，能够以不伴随部件彼此的接触的方式开闭腔室，因此能够抑制由腔室的开闭导致的颗粒的产生。
也可以为，热处理单元对于包含上述基片的多个基片依次实施热处理。也可以为，控制单元在更换作为处理对象的基片的期间，使气体释放部持续从多个释放孔释放气体。在该情况下，伴随来自气体释放部的气体的释放而来的周围的温度变化被保持为大致一定的。因此，能够在基片之间使热处理的处理结果稳定。
也可以为，中心排气部包括以向处理空间开口的方式设置于释放头部的中心排气孔。也可以为，气体释放部还包括向中心排气孔的下方释放气体的喷嘴部。在该情况下，通过从喷嘴部的排气口向下方释放气体，能够抑制中心排气孔附近的膜厚的突出量。因此，能够在基片面内进一步提高膜厚均匀性。
也可以为，上述基片处理装置还包括：气体供给单元，其通过将包含一个成分的第一气体和包含其他成分的第二气体混合而生成调节为上述一个成分的浓度成为规定值的调节气体，并且将上述调节气体供给到上述气体释放部。也可以为，气体释放部将调节气体作为气体向基片的表面释放。也可以为，气体供给单元配置在与配置热处理单元的空间分隔开的其他空间。在该情况下，能够降低用于生成调节气体的部件因热处理中产生的热而受到的影响。
也可以为，控制单元至少在使加热部加热基片的期间的前半，使气体释放部释放调节气体。在加热基片的前半段的期间进行膜形成，因此能够更可靠地进行使用调节气体的覆膜的品质的调节。
也可以为，加热部包括：产生用于加热基片的热量的热板；多个间隙销，其设置在热板的主面，以在基片与主面之间形成间隙的方式支承基片；和在主面开口的吸引孔，其对配置于多个间隙销上的基片进行吸引。也可以为，多个间隙销包括：配置在主面中的位于吸引孔的附近的吸引区域的第一组的间隙销；和配置在主面中的吸引区域以外的非吸引区域的第二组的间隙销。也可以为，吸引区域的每单位面积的第一组的间隙销的数量比非吸引区域的每单位面积的第二组的间隙销的数量多。在吸引区域来自吸引孔的吸引力大，因此存在由于在基片的内部产生的应力而施加到一个间隙销的负荷变大的倾向。在上述构成中，通过在吸引区域中增加第一组的间隙销的每单位面积的数量，能够抑制施加到一个间隙销的负荷的增加。
也可以为，上述基片处理装置具有包含热处理单元的多个热处理单元。也可以为，加热部包括：产生用于加热基片的热量的热板；多个间隙销，其设置在热板的主面，以在基片与主面之间形成间隙的方式支承基片；和在主面开口的吸引孔，其对配置于多个间隙销上的基片进行吸引。也可以为，多个热处理单元包括第一热处理单元和第二热处理单元。也可以为，由第一热处理单元执行的热处理中的基片的加热温度，比由第二热处理单元执行的热处理中的基片的加热温度高。也可以为，第一热处理单元的加热部所包含的多个间隙销的数量，比第二热处理单元的加热部所包含的多个间隙销的数量多。在热处理中的基片的加热温度高时，存在由于因基片的热膨胀在基片的内部产生的应力而施加到一个间隙销的负荷变大的倾向。在上述构成中，通过增加进行加热温度高的热处理的第一热处理单元的加热部所包含的间隙销的数量，能够抑制施加到一个间隙销的负荷的增加。
也可以为，上述基片处理装置具有包含热处理单元的多个热处理单元。也可以为，加热部包括：产生用于加热基片的热量的热板；多个间隙销，其设置在热板的主面，以在基片与主面之间形成间隙的方式支承基片；和在主面开口的吸引孔，其对配置于多个间隙销上的基片进行吸引。也可以为，多个热处理单元包括第一热处理单元和第二热处理单元。也可以为，从第一热处理单元的吸引孔施加到基片的吸引力，比从第二热处理单元的吸引孔施加到基片的吸引力大。也可以为，第一热处理单元的加热部所包含的多个间隙销的数量，比第二热处理单元的加热部所包含的多个间隙销的数量多。在来自吸引孔的吸引力大时，存在由于在基片的内部产生的应力而施加到一个间隙销的负荷变大的倾向。在上述构成中，通过增加在吸引力大的状态下进行热处理的第一热处理单元的加热部所包含的间隙销的数量，能够抑制施加到一个间隙销的负荷的增加。
一个例示的实施方式的基片处理方法，是包含对形成有覆膜的基片实施热处理的工序的方法。对基片实施热处理的工序包括：将被腔室罩住的状态的基片支承在加热部并对其进行加热的处理；从比支承于加热部的基片的周缘靠外侧的外周区域对腔室内的处理空间进行排气的处理；从比支承于加热部的基片的周缘靠内侧的中心区域对处理空间进行排气的处理；和从多个释放孔向该基片的表面释放气体的处理，该多个释放孔分散地设置在与支承于加热部的基片相对的面上。在该情况下，与上述的基片处理装置同样地，能够高效地回收升华物，并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
也可以为，对基片实施热处理的工序还包括：从多个释放孔向基片的表面释放气体，并且自从外周区域对处理空间进行排气的第一状态切换为至少从中心区域对处理空间进行排气的第二状态的处理。在该情况下，与上述的基片处理装置同样地，能够高效地回收升华物，并且进一步提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
也可以为，对基片实施热处理的工序还包括：使基片从加热部上升而靠近腔室的顶板的处理；和在使基片靠近顶板后，从利用腔室形成处理空间的关闭状态切换为与关闭状态相比使腔室从加热部离开的打开状态的处理。在该情况下，与上述的基片处理装置同样地，能够抑制来自覆膜的升华物导致的热处理单元污染。
也可以为，从外周区域对处理空间进行排气的处理，包括经由外周排气孔对处理空间进行排气的处理。也可以为，使基片靠近顶板的处理，包括使基片上升至比外周排气孔高的位置的处理。在该情况下，与上述的基片处理装置同样地，能够更高效地回收升华物。
也可以为，上述基片处理方法具有对包含基片的多个基片依次实施热处理的工序。也可以为，对多个基片依次实施热处理的工序包括：在更换作为处理对象的基片的期间，持续从多个释放孔释放气体的处理。在该情况下，与上述的基片处理装置同样地，能够在基片之间使热处理的处理结果稳定。
也可以为，从中心区域对处理空间进行排气的处理还包括：经由设置于形成有多个释放孔的释放头部的中心排气孔排出处理空间内的气体的处理；和从喷嘴部向中心排气孔的下方释放气体的处理。在该情况下，与上述的基片处理装置同样地，能够在基片面内进一步提高膜厚均匀性。
一个例示的实施方式的存储介质，是记录有用于使装置执行上述基片处理方法的程序的、计算机可读取的存储介质。
下面，参照附图，对一个实施方式进行说明。在说明中，对相同结构或具有相同功能的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[第一实施方式]
首先，参照图1～图12，对第一实施方式的基片处理系统进行说明。图1所示的基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基片，例如是半导体的晶片W。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。基片处理系统1包括涂敷显影装置2和曝光装置3。曝光装置3是对形成于晶片W(基片)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体而言，曝光装置3通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量线。涂敷显影装置2在由曝光装置3进行的曝光处理之前，对形成有下层膜的晶片W的表面涂敷抗蚀剂(药液)进行形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。
[基片处理装置]
下面，作为基片处理装置的一例，对涂敷显影装置2的结构进行说明。如图1和图2所示，涂敷显影装置2包括承载器区块4、处理区块5、接口区块6和控制部100(控制单元)。
承载器区块4向涂敷显影装置2内导入晶片W并且从涂敷显影装置2内导出晶片W。例如承载器区块4能够支承晶片W用的多个承载器C，内置有包含交接臂的输送装置A1。承载器C例如收纳多个圆形的晶片W。交接臂A1从承载器C取出晶片W并将其交送到处理区块5，从处理区块5接收晶片W并将其送回承载器C内。处理区块5包括多个处理模块11、12、13、14。
处理模块11内置有涂敷单元U1、热处理单元U2和对上述单元输送晶片W的输送装置A3。处理模块11用涂敷单元U1和热处理单元U2在晶片W的表面上形成下层膜。涂敷单元U1将下层膜形成用的处理液涂敷在晶片W上。热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。即，热处理单元U2对形成有处理液的覆膜的晶片W实施热处理。由此，在晶片W的表面形成下层膜。作为下层膜的具体例子，例如能够例举出旋涂(SOC)膜等所谓的硬掩模。在热处理中对形成有覆膜的晶片W进行加热时，从该覆膜产生升华物(废弃物)。因此，在热处理单元U2设置有用于排出升华物的排气部。
处理模块12内置有涂敷单元U3、热处理单元U4和对上述单元输送晶片W的输送装置A3。处理模块12用涂敷单元U3和热处理单元U4在下层膜上形成抗蚀剂膜。涂敷单元U3将抗蚀剂膜形成用的处理液涂敷在下层膜上。热处理单元U4进行伴随覆膜的形成的各种热处理。
处理模块13内置有涂敷单元U5、热处理单元U6和对上述单元输送晶片W的输送装置A3。处理模块13用涂敷单元U5和热处理单元U6在抗蚀剂膜上形成上层膜。涂敷单元U5将上层膜形成用的液体涂敷在抗蚀剂膜上。热处理单元U6进行伴随上层膜的形成的各种热处理。
处理模块14内置有显影单元U7、热处理单元U8和对上述单元输送晶片W的输送装置A3。处理模块14用显影单元U7和热处理单元U8进行被实施了曝光处理的抗蚀剂膜的显影处理和伴随显影处理的热处理。显影单元U7在已曝光的晶片W的表面上涂敷显影液后，利用冲洗液对其进行冲洗，由此进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U8进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例子，能够例举出显影处理前的加热处理(PEB：PostExposure Bake：曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake：后烘烤)等。
在处理区块5内的承载器区块4侧设置有搁架单元U10。搁架单元U10被分为在上下方向上并排的多个小室。在搁架单元U10附近设置有包含升降臂的输送装置A7。输送装置A7使晶片W在搁架单元U10的小室彼此之间升降。
在处理区块5内的接口区块6侧设置有搁架单元U11。搁架单元U11被分为在上下方向上并排的多个小室。
接口区块6在其与曝光装置3之间进行基片W的交接。例如接口区块6内置有包含交接臂的输送装置A8，与曝光装置3连接。输送装置A8将配置于搁架单元U11的晶片W交送到曝光装置3。输送装置A8从曝光装置3收取晶片W并将其送回搁架单元U11。
此外，基片处理装置的具体结构并不限于以上例示的涂敷显影装置2的结构。基片处理装置只要具有进行下层膜等覆膜的热处理的热处理单元和能够控制该热处理单元的控制装置即可，可以为任何装置。
(热处理单元)
下面，参照图3和图4，详细地说明处理模块11的热处理单元U2的一个例子。如图3所示，热处理单元U2具有加热部20、基片升降部30、腔室40和排气部60。此外，在图3中除了一部分的结构之外，省略了表示截面的阴影。
加热部20支承并加热晶片W。加热部20例如具有热板22和热板加热器24。热板22支承作为热处理对象的晶片W，对支承的该晶片W传递热量。热板加热器24使热板22的温度上升。作为一个例子，在热处理中热板22的温度被保持为300°～500°程度。热板加热器24例如设置在热板22内。热板22作为一个例子形成为大致圆板状。热板22的直径可以比晶片W的直径大。热板22具有载置面22a，在载置面22a的规定位置载置有晶片W的状态下支承该晶片W。热板22可以由热传导率高的铝、银或者铜等金属构成。
基片升降部30使晶片W在热板22上升降。基片升降部30例如在处理位置与交接位置之间使晶片W升降，该处理位置是在热板22的载置面22a载置晶片W的位置，该交接位置是在跟热板22隔开间隔的上方与送入装置(送出装置)之间进行晶片W的交接的位置。基片升降部30具有多个(例如3个)的支承销32和升降驱动部34。
支承销32是从下方支承晶片W的销。支承销32例如构成为贯通热板22，在上下方向上延伸。多个支承销32可以在热板22的中心附近的周向上彼此等间隔地配置。升降驱动部34以电动马达或者升降气缸等作为动力源使支承销32升降。升降驱动部34例如使支承销32上升以使支承销32的上端比载置面22a向上方突出，由此使晶片W上升至交接位置。此外，升降驱动部34使支承销32下降以使支承销32的上端位于比载置面22a靠下方处，由此使晶片W下降至处理位置(将晶片W载置在载置面22a)。升降驱动部34根据控制装置100的动作指示使支承销32升降，由此使晶片W在处理位置与交接位置之间升降。
腔室40罩住支承于加热部20的晶片W。由于腔室40罩住热板22上的晶片W，在热板22上形成用于进行热处理的处理空间S。处理空间S是封闭成能够充分加热晶片W上的覆膜的程度的空间。腔室40例如具有顶板42、侧壁44和腔室加热器46。
顶板42形成为具有与热板22相同程度的直径的圆板状。顶板42与热板22的载置面22a在上下方向上相对地配置。即，顶板42从上方覆盖载置面22a。侧壁44形成为从顶板42的外缘向下方延伸。侧壁44包围载置面22a。在图3所示的例子中，由顶板42的下表面、侧壁44的内面和载置面22a构成处理空间S。腔室加热器46设置于顶板42，使顶板42(腔室40)的温度上升。由此，能够抑制伴随加热作为处理对象的覆膜而产生的升华物附着到腔室40。
腔室40以能够在上下方向上移动的方式设置在热处理单元U2的壳体内。热处理单元U2例如具有驱动腔室40的腔室驱动部48(开闭切换部)。腔室驱动部48以电动马达等为动力源使腔室40在上下方向上移动。腔室40通过腔室驱动部48下降，由此利用腔室40形成处理空间S。以下，将由腔室40形成处理空间S的状态称为“关闭状态”。在关闭状态下，腔室40(侧壁44)的下端部靠近热板22。例如，在关闭状态下，侧壁44的下端部(下端及其附近)可以接触到热板22，也可以在侧壁44的下端部与热板22之间形成间隙。这样一来，在关闭状态下，可以形成密闭的状态的处理空间S，也可以形成在一部分具有间隙的状态的处理空间S。此外，图3例示了在侧壁44与热板22之间形成间隙的情况。
腔室40通过腔室驱动部48上升，与上述关闭状态相比腔室40从加热部20(热板22)离开。以下，将与关闭状态相比腔室40从加热部20离开的状态称为“打开状态”。在打开状态下，在热板22上不形成处理空间S，热板22上的空间向腔室40外的空间开放。即，在打开状态下，腔室40从热板22离开至无法充分进行对晶片W的加热的程度。腔室驱动部48根据控制装置100的动作指示使腔室40升降，由此切换关闭状态和打开状态。
腔室40包含气体释放部50。气体释放部50在腔室40内的处理空间S中从上方向热板22上的晶片W释放气体。气体释放部50例如向晶片W的表面的大致整个面释放气体。由气体释放部50释放的气体的种类没有限定，例如可以使用空气、已调节含水量的气体或者非活性气体(氮气)。气体释放部50经由供给通路56与气体的供给源连接。气体释放部50可以具有设置在顶板42的释放头部52。在释放头部52形成有设置在顶板42的下侧的缓冲空间和多个释放孔54，该多个释放孔54在与热板22上的晶片W相对的顶板42的下表面贯通在缓冲空间与处理空间S之间。缓冲空间是连接多个释放孔54和供给通路56的空间。
图4是从下方观察图3例示的腔室40的示意图。如图4所示，多个释放孔54分散地设置在顶板42的下表面上。多个释放孔54例如以大致均匀得密度分散地设置在顶板42的下表面中的与热板22上的晶片W相对的部分(相对部分)。此外，也可以为，从上方观察时，在比相对部分靠外侧(比晶片W的周缘靠外侧)处，也形成有释放孔54。多个释放孔54分散地配置于上述相对部分。在从气体释放部50释放空气等的气体的情况下，也可以为多个释放孔54以每单位时间的释放量在晶片W的表面整个区域变得大致均匀的方式分散地设置。
多个释放孔54的开口面积可以彼此大致相同。在多个释放孔54的开口面积大致相同的情况下，也可以为多个释放孔54以相对部分的每单位面积的释放孔54的开口面积所占的比例变得均匀的方式分散地设置。也可以为，从上下方向观察时，释放孔54的形状圆形或者椭圆形。也可以为，多个释放孔54以相邻的释放孔54彼此的间隔大致相同的方式分散地设置。作为一个例子，如图4所示，在多个释放孔54沿横向和纵向二维地排列的情况下，在横向上相邻的释放孔54彼此的间隔可以是均匀的，在纵向上相邻的释放孔54彼此的间隔可以是均匀的。也可以为，在横向上相邻的释放孔54彼此的间隔与在纵向上相邻的释放孔54彼此的间隔大致相同。
返回图3，排气部60将腔室40内(处理空间S内)的气体排出到腔室40的外部。排气部60包括外周排气部70、中心排气部80和排气切换部90。
外周排气部70从比支承于加热部20的晶片W的周缘靠外侧的外周区域排出处理空间S内的气体。外周排气部70例如经由设置于气体释放部50的外侧的多个排气孔72(多个外周排气孔)从处理空间S的外周对腔室40内进行排气。多个排气孔72如图4例示所示，设置在气体释放部50的释放头部52的外侧。
多个排气孔72设置在腔室40的顶板42内，在顶板42的下表面的外周部(即处理空间S的上表面的外周部)分别开口。可以为，多个排气孔72以环状配置在释放头部52的外侧。也可以为，从上方观察时，多个排气孔72位于比热板22上的晶片W的周缘靠外侧处。换言之，可以为，从上方观察时，多个排气孔72不与热板22上的晶片W重叠。顶板42内的排气孔72的形状没有特别限定。多个排气孔72经由排气管道74连接到排气泵。通过排气泵的吸引，经由多个排气孔72将处理空间S内的气体排出到腔室40外。
中心排气部80从比支承于加热部20的晶片W的周缘靠内侧的中心区域排出处理空间S内的气体。从上方观察时，上述中心区域的外缘例如由具有晶片W的半径的一半程度的半径的圆确定。但是，中心区域并不限于上述区域，例如可以为从比晶片W的半径的一半程度靠外侧处由中心排气部80进行排气。中心排气部80具有设置于气体释放部50的释放头部52的一个排气孔82(中心排气孔)，中心轴Ax可以位于在排气孔82内。如图4例示的那样，排气孔82的中心可以与中心轴Ax大致一致。或者，在中心区域中排气孔82的中心可以相对于中心轴Ax偏心。
排气孔82以向处理空间S开口的方式设置在气体释放部50。具体而言，排气孔82设置在包含气体释放部50的释放头部52的顶板42内，在顶板42的下表面的中央部开口。包含释放头部52的顶板42内的排气孔82的形状没有特别限定。作为一个例子，可以为，从上下方向观察时，排气孔82的形状是圆形或者椭圆形。排气孔82的大小(直径)可以比释放孔54的大小(直径)大，也可以比排气孔72大。排气孔82经由排气管道84与排气泵连接。通过排气泵的吸引，经由排气孔82将处理空间S内的气体排出到腔室40外。
排气切换部90切换来自处理空间S的排气状态。具体而言，排气切换部90切换从外周排气部70对处理空间S进行排气的状态(以下称为“第一状态”。)和至少从中心排气部80对处理空间S进行排气的状态(以下称为“第二状态”。)。在下文中，将例示在第二状态下除了从中心排气部80之外还从外周排气部70对处理空间S进行排气的情况。排气切换部90例如具有阀92和阀94。
阀92切换基于外周排气部70的排气状态。具体而言，阀92设置于排气管道74，将排气孔72与排气泵之间开闭。阀94切换基于中心排气部80的排气状态。具体而言，阀94设置于排气管道84，将排气孔82与排气泵之间开闭。排气泵在涂敷显影装置2工作的期间可以一直持续进行排气，也可以通过阀92、94单独地开闭而来自处理空间S的排气状态切换。在该情况下，当阀92处于关闭状态时，来自外周排气部70的排气成为停止状态，当阀92处于打开状态时，成为进行来自外周排气部70的排气的状态。此外，当阀94处于关闭状态时，来自中心排气部80的排气成为停止状态，当阀94处于打开状态时，成为进行来自中心排气部80的排气的状态。排气切换部90(阀92、94)根据控制装置100的动作指示进行动作。阀92、94作为一个例子分别为电磁阀。
热处理单元U2还具有冷却晶片W的功能的冷却板98(参照图9的(c))。冷却板98在腔室40外的冷却位置与其至少一部分配置在腔室40内的晶片W的送入送出位置之间往复移动。或者，冷却板98可以固定在水平方向上与热板22并排的位置，热处理单元U2可以具有一边在冷却板98和热板22之间移动一边输送晶片W的输送臂。
中心排气部80的排气量(每单位时间的气体的排出量)可以与外周排气部70的排气量为相同程度，也可以比外周排气部70的排气量大。作为一个例子，中心排气部80的排气量可以为外周排气部70的排气量的1.1～5.0倍程度。此外，来自气体释放部50的气体的供给量(每单位时间的气体的释放量)可以比外周排气部70和中心排气部80各自的排气量小。作为一个例子，来自气体释放部50的气体的供给量可以为中心排气部80的排气量的1/6～1/2程度。在该情况下，可以从腔室40的下端部与热板22之间的间隙将气体吸入腔室40内。
(控制装置)
控制装置100控制包含热处理单元U2的涂敷显影装置2的各部。控制装置100构成为能够执行：使加热部20支承由腔室40罩住的状态的晶片W并对其进行加热的处理；从比支承于加热部20的晶片W的周缘靠外侧的外周区域对处理空间S进行排气的处理；从支承于加热部20的晶片W的周缘的内侧的中心区域对处理空间S进行排气的处理；和从多个释放孔54向晶片W的表面释放气体的处理。
如图2所示，控制装置100作为功能上的结构具有存储部102和控制部104。存储部102存储有用于使包含热处理单元U2的涂敷显影装置2的各部动作的程序。存储部102还存储有各种数据(例如，与用于使热处理单元U2动作的指示信号相关的信息)和来自设置于各部的传感器等的信息。存储部102例如是半导体存储器、光盘、磁盘、磁光盘。该程序也可以包含于与存储部102分体的外部存储装置或者传播信号等的无形的介质。也可以从上述的其他介质将该程序安装到存储部102，使存储部102存储该程序。控制部104基于从存储部102读出的程序，控制涂敷显影装置2的各部的动作。
控制装置100由一个或者多个控制用计算机构成。例如控制装置100具有图5所示的电路110。电路110具有一个或者多个处理器112、内存114、存储器116、计时器122和输入输出端口118。存储器116具有例如硬盘等计算机可读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置100执行包含后述的热处理工序的基片处理流程。存储介质可以为非易失性的半导体存储器、磁盘和光盘等的可取出的介质。内存114临时存储从存储器116的存储介质下载的程序和处理器112的运算结果。处理器112与内存114协作地执行上述程序，构成上述的各功能模块。计时器122例如对一定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。输入输出端口118根据来自处理器112的指令，与热处理单元U2之间进行电信号的输入输出。
此外，控制部100的硬件结构并不一定限于由程序构成各功能模块。例如控制部100的各功能模块可以由专用的逻辑电路或者将其集成而得的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
[基片处理流程]
图6是表示包含涂敷显影处理的基片处理流程的一个例子的流程图。控制装置100例如控制涂敷显影装置2，按以下的流程执行对一个晶片W的涂敷显影处理。首先，控制装置100的控制部104控制输送装置A1以将承载器C内的晶片W输送到搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理模块11用的小室。
接着，控制部104控制输送装置A3，以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块11内的涂敷单元U1和热处理单元U2。控制部104控制涂敷单元U1和热处理单元U2以在该晶片W的表面上形成下层膜(步骤S01)。伴随在步骤S01中进行的下层膜形成的热处理(以下称为“热处理工序”。)，在后文说明。之后，控制部104控制输送装置A3以将形成有下层膜的晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理模块12用的小室。
接着，控制部104控制输送装置A3，以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块12内的涂敷单元U3和热处理单元U4。控制部104控制涂敷单元U3和热处理单元U4以在该晶片W的下层膜上形成抗蚀剂膜(步骤S02)。之后，控制部104控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理模块13用的小室。
接着，控制部104控制输送装置A3以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块13内的各单元。控制部104控制涂敷单元U5和热处理单元U6以在该晶片W的抗蚀剂膜上形成上层膜(步骤S03)。之后，控制装置100控制输送装置A3以将晶片W输送到搁架单元U11。
接着，控制部104控制输送装置A8以将收纳于搁架单元U11的晶片W送出到曝光装置3。然后，在曝光装置3中，对形成于晶片W的覆膜实施曝光处理(步骤S04)。之后，控制部104控制输送装置A8，以从曝光装置收入已实施了曝光处理的晶片W，将该晶片W配置在搁架单元U11中的处理模块14用的小室。
接着，控制部104控制输送装置A3，以将搁架单元U11的晶片W输送到处理模块14内的热处理单元U8。然后，控制装置100控制热处理单元U8以对晶片W的覆膜实施显影前的热处理(步骤S05)。接着，控制部104控制显影单元U7和热处理单元U8，以对由热处理单元U8实施了热处理的晶片W的覆膜实施显影处理和显影处理后的热处理(步骤S06、S07)。之后，控制部104控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7和输送装置A1以将该晶片W送回承载器C内。以上，包含涂敷显影处理的基片处理完成。控制部104也可以对其他晶片W(后续的晶片W)反复进行步骤S01～S07的处理。
(热处理工序)
图7是表示在热处理单元U2中进行的热处理工序的一个例子的流程图。图7中例示的流程图表示热处理单元U2对多个晶片W依次实施热处理的情况的工序。首先，控制装置100的控制部104控制热处理单元U2，使得在将热板2维持为规定的温度，进行基于中心排气部80的排气的状态下，从气体释放部50释放气体(步骤S11)。例如，控制部104通过将设置在供给通路56的开闭阀从关闭状态切换为打开状态，从气体的供给源对释放头部52的缓冲空间内供给气体。由此，从形成于释放头部52的多个释放孔54释放气体。
接着，控制部104控制排气切换部90以能够进行来自外周排气部70的排气(步骤S12)。例如，控制部104将阀92从关闭状态切换为打开状态，该阀92设置在与外周排气部70的排气孔72连接的排气管道74。由此，从位于多个排气孔72的下方的空间内将气体经由排气孔72排出。通过执行步骤S12，腔室40内的排气状态成为进行基于外周排气部70和中心排气部80的排气的第二状态。在之后的步骤中，控制部104按照存储部102存储的处理条件，将热板22的温度维持为规定的温度，并且持续进行来自气体释放部50的气体的释放和来自外周排气部70的排气。在第二状态下，从气体释放部50释放的气体主要从中心排气部80被排气。此外，在侧壁44与热板22之间形成间隙的情况下，从间隙进入到腔室40内的气体从外周排气部70和中心排气部80这两者被排气。因此，在腔室40内主要形成从外周侧去往内周侧(中心侧)的气体的流动。
接着，控制部104控制腔室驱动部48以使腔室40上升(步骤S13)。例如，控制部104控制腔室驱动部48以从利用腔室40形成处理空间S的关闭状态切换为使腔室40从加热部20(热板22)离开的打开状态。
接着，控制部104控制热处理单元U2，以将形成有处理液的覆膜的处理对象的晶片W送入腔室40内(步骤S14)。例如，控制部104控制热处理单元U2，以将载置有作为处理对象的晶片W的冷却板98插入到热板22与腔室40之间(配置在送入送出位置)。然后，控制部104通过升降驱动部34使支承销32上升，使得支承销32收取配置于热板22的上方的冷却板98上的晶片W。由此，作为处理对象的晶片W被送入腔室40内。
接着，控制部104控制升降驱动部34以使晶片W下降(步骤S15)。具体而言，控制部104通过升降驱动部34使支承该晶片W的支承销32下降，以将晶片W载置在热板22的载置面22a。
接着，控制部104控制排气切换部90使得来自中心排气部80的排气成为停止状态(步骤S16)。例如，控制部104将阀94从打开状态切换为关闭状态使得来自中心排气部80的排气成为停止状态。由此，在排气部60中，不从排气孔82排出气体，而从多个排气孔72排出气体。即，腔室40内的排气状态从第二状态切换为不进行基于中心排气部80的排气而进行来自外周排气部70的排气的第一状态。
接着，控制部104控制腔室驱动部48以使腔室40下降(步骤S17)。例如，如图8的(a)所示，控制部104控制腔室驱动部48以从打开状态切换为形成处理空间S的关闭状态。由此，开始对作为处理对象的晶片W的加热。通过进行步骤S11～S17，从气体释放部50释放气体，并且在不进行来自中心排气部80的排气而进行来自外周排气部70的排气的状态下开始进行热处理。在第一状态下，从气体释放部50释放的气体以及从形成于侧壁44和热板22之间的间隙进入到腔室40内的气体，从外周排气部70被排气。因此，在晶片W的表面上，形成去往外周侧的柔缓的气体的流动。
接着，控制部104从腔室40的下降结束之后(从开始晶片W的加热起)，至经过第一规定时间为止待机。第一规定时间存储于存储部102。第一规定时间被设定为晶片W上的覆膜以规定水平固化的程度。控制部104至第一规定时间经过为止待机的期间，从外周排气部70对处理空间S进行排气的第一状态持续。在第一规定时间中，不进行来自中心区域的排气而进行来自外周区域的排气，并且用气体释放部50从多个释放孔54向热板22上的晶片W的表面释放气体。在从开始进行晶片W的加热起初期的阶段中，晶片W的覆膜的固化(形成)进行一步进展。如上所述，在初期阶段中，通过成为不包含中心区域地从外周区域对处理空间S进行排气的第一状态，能够抑制因伴随排气而产生的气流对覆膜的形成的影响。
在经过第一规定时间后，控制部104将基于中心排气部80的排气从停止状态切换为排气状态(步骤S19)。具体而言，控制部104将阀94从关闭状态切换为打开状态以进行来自中心排气部80的排气。即，控制部104控制排气切换部90以用气体释放部50从多个释放孔54释放气体，并且腔室40内的排气状态从第一状态切换为第二状态。
接着，控制部104从切换为第二状态起(从开始基于中心排气部80的排气起)至经过第二规定时间为止待机(步骤S20)。第二规定时间存储于存储部102。第二规定时间被设定为晶片W上的覆膜固化至热处理中的所希望水平的程度。控制部104至第二规定时间经过为止待机的期间，从外周排气部70和中心排气部80对处理空间S进行排气的第二状态持续。在第二规定时间中，如图8的(b)所示，进行来自中心区域的排气和来自外周区域的排气，并且用气体释放部50从多个释放孔54向热板22上的晶片W的表面释放气体。在晶片W上的覆膜的固化进展到气流对覆膜的影响比初期阶段小的程度的阶段(后阶段)，成为增加来自中心区域的排气的第二状态，由此能够高效地排出升华物。如上所述，在第二状态下，在晶片W的表面附近，形成从晶片W的外周侧去往内周侧(中心侧)的气体的流动。通过利用这样的气体的流动，能够将升华物从中心排气部80排出。
在经过第二规定时间后，控制部104控制升降驱动部34以使晶片W上升(步骤S21)。具体而言，控制部104，如图8的(c)所示，通过升降驱动部34使支承销32上升，以使晶片W从加热部20(热板22)上升而靠近腔室40的顶板42。例如，控制部104通过升降驱动部34使晶片W上升至设定在进行加热的处理位置与进行晶片W的送入送出的交接位置之间的待机位置为止。此时，控制部104控制腔室驱动部48以维持利用腔室40形成有处理空间S的关闭状态。控制部104控制升降驱动部34以持续进行来自中心区域和外周区域的排气，并且使晶片W上升而靠近顶板42。此外，在步骤S21中，晶片W从载置面22a离开，由此加热部20对作为处理对象的晶片W的加热结束。此外，在使晶片W移动到待机位置的状态下，能够促进沿从气体释放部50释放的气体在晶片W表面的移动和来自中心排气部80的排气。因此，能够促进来自中心排气部80的升华物的排出。
接着，控制部104从使晶片W上升至待机位置后，至经过第三规定时间为止待机(步骤S22)。第三规定时间存储于存储部102。第三规定时间被设定为，因由热板22加热的晶片W的温度降低，而来自该晶片W上的覆膜的升华物的产生充分减少的程度。第三规定时间可以设定为数秒～数十秒程度。作为一个例子，从兼顾升华物的回收和生产能力的维持的观点出发，第三规定时间可以为1～10秒，也可以为1.5～8秒，还可以为2～6秒。如上所述，控制部104控制热处理单元U2，以使晶片W靠近顶板42的状态持续第三规定时间。
在经过第三规定时间后，控制部104控制腔室驱动部48以使腔室40上升(步骤S23)。具体而言，如图9的(a)所示，控制部104控制腔室驱动部48以从腔室40靠近热板22的关闭状态起切换为腔室40离开热板22的打开状态，将处理空间S对腔室40外开放。如上所述，控制部104在使晶片W靠近顶板42后(更详细而言，在持续了靠近顶板42的状态后)，利用腔室驱动部48从关闭状态切换为打开状态。
接着，控制部104控制升降驱动部34以使处于待机位置的晶片W上升(步骤S24)。具体而言，如图9的(b)所示，控制部104，通过升降驱动部34使支承着晶片W的支承销32上升，以使从待机位置上升至交接位置。
接着，控制部104控制热处理单元U2，将处于交接位置的晶片W送出到腔室40外(步骤S25)。例如，控制部104通过控制用于使冷却板98移动的驱动部，如图9的(c)所示，从腔室40和热板22之间，向腔室40内(由支承销32支承的晶片W与热板22之间)插入冷却板98。然后，控制部104通过升降驱动部34使支承着晶片W的支承销32下降。由此，该晶片W从支承销32被交接到冷却板98。之后，控制部104通过控制驱动部，将保持有晶片W的冷却板98移动至腔室40外。由此，作为处理对象的晶片W被送出到腔室40外。如上所述，对一个晶片W的一连串的热处理结束。
控制部104在步骤S25结束后，反复进行步骤S14～步骤S25的一连串的处理。由此，能够依次对多个晶片W实施热处理。在一个热处理中的步骤S22～S25和下一热处理中的步骤S14～S17的处理，是更换作为处理对象的晶片W的处理。在更换作为处理对象的晶片W的期间，控制部104使气体释放部50持续进行来自多个释放孔54的气体的释放，持续进行来自外周排气部70的排气。
[第一实施方式的效果]
以上的第一实施方式的涂敷显影装置2包括对形成有覆膜的晶片W实施热处理的热处理单元U2和控制热处理单元U2的控制装置100。热处理单元U2包括：支承并加热晶片W的加热部20；腔室40，罩住支承于加热部20的晶片W；气体释放部50，其具有形成有多个释放孔54的释放头部52，从多个释放孔54向该晶片W的表面释放气体，其中该多个释放孔54分散地设置在与支承于加热部20的晶片W相对的面上；外周排气部70，其从比支承于加热部20的晶片W的周缘靠外侧的外周区域对腔室40内的处理空间S进行排气；和中心排气部80，其从比支承于加热部20的晶片W的周缘靠内侧的中心区域对上述处理空间S进行排气。
以上的第一实施方式的基片处理流程包括对形成有覆膜的晶片W实施热处理的工序。对晶片W实施热处理的工序包括：使加热部20支承由腔室40罩住的状态的晶片W并对其进行加热的处理；从比支承于加热部20的晶片W的周缘靠外侧的外周区域对处理空间S进行排气的处理；从支承于加热部20的晶片W的周缘的内侧的中心区域对处理空间S进行排气的处理；和从多个释放孔54向该晶片W的表面释放气体的处理，该多个释放孔54分散地设置在与支承于加热部20的晶片W相对的面上。
在该涂敷显影装置2和基片处理流程中，在对作为处理对象的晶片W的热处理中的至少一部分中进行来自中心区域的排气，由此能够高效地回收来自覆膜的升华物。此外，通过从气体释放部50对晶片W的表面释放气体，能够降低伴随来自中心区域的排气的气流导致的对膜厚的影响。因此，能够高效地回收升华物，并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
通过从中心区域进行排气而能够高效地回收升华物，但是由于伴随进行中心排气而产生的晶片W上的气流，对该晶片W上的覆膜的膜厚均匀性造成影响。具体而言，伴随中心排气的气流随着从晶片W上的周缘去往大致中央而上升地流动。因此，该气流的边界层与晶片W的表面的间隔在晶片W面内不同，晶片W上的覆膜的挥发成分的量可能发生不均。在该情况下，存在晶片W上的膜厚随着去往中心而变厚的倾向。
对此，在上述涂敷显影装置2和基片处理流程中，能够从分散地设置在与晶片W的表面相对的面上的多个释放孔54释放气体。伴随来自中心区域的排气而产生的气流(以下称为“气流F”。)随着从晶片W的周缘去往中心而要上升，但是如图8的(b)所示，通过从多个释放孔54释放气体，在晶片W的表面的大致整个面能够抑制气流F的上升。因此，对于伴随中心排气而产生的气流F的边界层与晶片W的表面的间隔，能够缩在晶片W面内的差。其结果是，能够抑制中心排气导致的晶片W面内的膜厚的变动。因此，能够高效地回收升华物，并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
在以上的第一实施方式中，热处理单元U2还包括切换第一状态和第二状态的排气切换部90，该第一状态从外周排气部70对处理空间S进行排气，该第二状态至少从中心排气部80对处理空间S进行排气。控制装置100利用气体释放部50从多个释放孔54释放气体，并且控制排气切换部90以从第一状态切换为第二状态。在对作为处理对象的晶片W的加热后阶段，从第一状态切换为第二状态，以从中心排气部80对处理空间S进行排气，能够高效地回收来自晶片W上的覆膜的升华物。另一方面，在加热后阶段中进行覆膜的形成，伴随排气的气流对膜厚变动的影响小。因此，能够高效地回收升华物，并且进一步提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
此外，在上述的实施方式中，在第二状态下持续从外周排气部70进行排气，由此进行来自中心排气部80和外周排气部70的这两者的排气。通过成为这样的状态，能够抑制伴随从第一状态切换为第二状态时的处理空间S内的气流的变化而来的气流的混乱。因此，能够防止在切换状态时产生的气流的混乱导致的热处理对象的覆膜的膜厚均匀性降低。尤其是，如上述实施方式那样，在侧壁44与热板22之间形成间隙，气体从该间隙进入腔室40内的情况下，通过从外周排气部70进行排气而形成上升流。因此，在第二状态下也持续从外周排气部70进行排气，由此在晶片W的外周处从间隙进入的气体被排出到外周排气部70，这导致继续形成上升流。因此，能够进一步抑制比上升流靠内侧的晶片W表面附近的气流的混乱。
在以上的第一实施方式中，热处理单元U2还包括：使晶片W升降的基片升降部30；以及腔室驱动部48，其切换利用腔室40形成处理空间S的关闭状态和跟关闭状态相比使腔室40从加热部20离开的打开状态。腔室40包括设置有释放头部52的顶板42。控制装置100控制基片升降部30，使晶片W从加热部20上升而靠近顶板42，控制腔室驱动部48，使得在将晶片W靠近顶板42后，从关闭状态切换为打开状态。通过使之从加热部20上升而结束了加热的晶片W，由于具有热量而在加热结束后也可能产生升华物。在上述构成中，使晶片W从加热部20上升后靠近腔室40，因此能够将加热结束后产生的升华物困在腔室40内，将其排出到腔室40外。所以，能够抑制来自晶片W上的覆膜的升华物导致的热处理单元U2的污染。
在以上的第一实施方式中，热处理单元U2对包含上述晶片W的多个晶片W依次实施热处理。控制装置100在更换作为处理对象的晶片W的期间，使气体释放部50持续从多个释放孔54释放气体。在该情况下，伴随来自气体释放部50的气体的释放而来的周围的温度变化，被保持为大致一定的。因此，能够使热处理的处理结果在晶片W之间稳定。例如，在气体释放部50的释放头部52设置在顶板42的情况下，在更换晶片W的期间，不会因是否从气体释放部50释放气体而导致腔室40的温度变化。因此，在接下来的热处理中容易将腔室40的温度保持为大致一定的，能够使晶片W的热处理稳定化。
在以上的第一实施方式的热处理工序中，对晶片W实施热处理的工序还包括：从多个释放孔54向晶片W的表面释放气体，并且自从外周区域对处理空间S进行排气的第一状态切换为至少从中心区域对处理空间S进行排气的第二状态的处理。在该情况下，与上述的涂敷显影装置2同样地，能够高效地回收升华物，并且进一步提高作为热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
以上的第一实施方式中，对晶片W实施热处理的工序还包括：使晶片W从加热部20上升而靠近腔室40的顶板42的处理；以及在使晶片W靠近顶板42后，从利用腔室40形成处理空间S的关闭状态切换为跟关闭状态相比使腔室40从加热部20离开的打开状态的处理。在该情况下，与上述的涂敷显影装置2同样地，能够抑制来自覆膜的升华物导致的热处理单元U2的污染。
在以上的第一实施方式中，热处理工序包括对多个晶片W依次实施热处理的工序。对多个晶片W依次实施热处理的工序，包括在更换处理对象的晶片W的期间，持续从多个释放孔54释放气体的处理。在该情况下，与上述的涂敷显影装置2同样地，能够使热处理的处理结果在晶片W之间稳定。
此外，在以上的第一实施方式中，在热处理单元U2中进行了下层膜的热处理后，用处理模块12的涂敷单元U1对形成有下层膜的晶片W的表面涂敷抗蚀剂膜，形成抗蚀剂的覆膜。根据下层膜的种类的不同，有时使用升华物更容易产生的处理液。或者，有时使用对气流的感度高的处理液。在使用这样的处理液形成下层膜的情况下，上述第一实施方式的涂敷显影装置2和基片处理流程由于兼顾升华物的高效的回收和膜厚均匀性而是有用的。
(变形例)
中心排气部80的结构并不限于上述的例子。也可以为，在中心排气部80中，代替一个排气孔82，而从设置于气体释放部50的释放头部52(顶板42)的多个排气孔82(多个中心排气孔)进行处理空间S的排气。如图10所示，例如，也可以为，以包围中心轴Ax的方式设置的多个排气孔82设置在释放头部52。多个排气孔82各自从中心轴Ax偏心。也可以为，多个排气孔82在中心轴Ax的周向上彼此等间隔地配置。也可以为，多个排气孔82各自的大小比释放孔54大。也可以为，在多个排气孔82中相邻的排气孔82之间，配置有一个或者多个释放孔54。此外，也可以为，在释放头部52设置配置于中心轴Ax的周围的多个排气孔82和配置于中心轴Ax的排气孔82。
由于去往中心排气部80的排气孔82的气流的流动，存在晶片W上的覆膜中的与排气孔82对应的位置的膜厚比其他部分突出的倾向。通过用多个排气孔82从中心区域对处理空间S进行排气，在总排气量相同的情况下，从每一个排气孔82每单位时间排出的排气量减少。因此，去往各排气孔82的气流弱，能够减少与一个排气孔82对应的位置的膜厚的突出量。
如图11所示，也可以为，气体释放部50还包括向排气孔82的下方释放气体的喷嘴部58。也可以为，喷嘴部58以连接在释放头部52的缓冲空间与处理空间S之间的方式形成为筒状。或者，也可以为，喷嘴部58是在铅垂斜向上贯通释放头部52的下表面的释放孔。也可以为，多个喷嘴部58配置成包围一个排气孔82。来自各喷嘴部58的气体的释放量可以与来自各释放孔54的释放量大致相同，也可以不同。在对晶片W进行热处理的期间，控制部104利用气体释放部50从释放孔54和喷嘴部58对处理空间S供给气体。在图11例示的释放头部52中，从气体的供给源对释放头部52的缓冲空间供给气体时，该气体从多个释放孔54和多个喷嘴部58被释放到处理空间S。
在这样的结构中，中心排气部80包括以向处理空间S开口的方式设置于释放头部52的排气孔82。气体释放部50还包括向排气孔82的下方释放气体的喷嘴部58。通过从喷嘴部58向排气孔82的下方释放气体，在排气孔82的下方去往排气孔82的气流弱。由此，能够抑制与排气孔82对应的位置的膜厚的突出量。因此，能够在晶片W面内进一步提高膜厚均匀性。
在由具有这样的结构的热处理单元U2进行的热处理工序中，从中心区域对处理空间S进行排气的处理包括：经由排气孔82排出处理空间S内的气体的处理，其中该排气孔82设置于形成有多个释放孔54的释放头部52；和从喷嘴部58向排气孔82的下方释放气体的处理。在该情况下，也能够在晶片W面内进一步提高膜厚均匀性。
在上述的一个例子中，多个释放孔54的密度在顶板42的与晶片W相对的部分(相对部分)的整个面是大致均匀的，但是在中心排气部80的排气孔82附近的区域，多个释放孔54的密度可以比其他区域的密度高。具体而言，可以为，在排气孔82附近的区域(附近区域)释放孔54的开口面积所占的比例(释放孔54的开口面积相对于附近区域的全部面积的比例)，比在上述附近区域以外的区域释放孔54的开口面积所占的比例大。
排气孔82的上述附近区域可以设定为与因排气孔82的排气而膜厚等受到影响的晶片W上的一部分相对的区域。在一个例子中，在一个排气孔82设置在中心轴Ax的情况下，排气孔82的附近区域可以设定为以中心轴Ax为中心具有该排气孔82的半径的2倍～10倍程度的半径的范围。或者，在多个排气孔82设置在中心轴Ax的周围的情况下，排气孔82的附近区域可以设定为以中心轴Ax为中心具有中心轴Ax与各排气孔82的中心的距离的1.1倍～5倍程度的半径的范围。此外，排气孔82的附近区域可以设定为具有晶片W的半径的1/6倍～1/3倍程度的半径的范围。也可以根据排气孔82的配置位置，改变密集地配置多个释放孔54的附近区域的位置。
在以上的结构中，在排气孔82附近的区域中多个释放孔54的密度比其他区域的多个释放孔54的密度高，因此在排气孔82的下方去往排气孔82的气流弱。由此，能够抑制与排气孔82对应的位置的膜厚的突出量。所以，能够在晶片W面内进一步提高膜厚均匀性。
对作为处理对象的晶片W进行了加热后使晶片W靠近顶板42的方法，并不限于上述的例子。也可以为，在图7所示的步骤S20之后(使第二状态持续第二规定时间后)，如图12的(a)所示，控制部104一边维持晶片W由腔室40包围的状态，一边使晶片W和腔室40大致同时地上升。例如，控制部104在腔室40维持关闭状态的状态下，通过控制基片升降部30，使晶片W上升以靠近顶板42。然后，在晶片W靠近顶板42后，控制部104不以规定的时间待机，而控制基片升降部30和腔室驱动部48，以使晶片W和腔室40以大致相同的速度上升。控制部104作为一个例子使晶片W和腔室40上升直至将晶片W配置到交接位置。
于是，控制部104可以使在交接位置配置晶片W，该晶片W靠近顶板42的状态持续规定时间。之后，控制部104可以如图12的(b)所示，在将晶片W维持在交接位置的状态下，控制腔室驱动部48以使腔室40进一步上升。在该情况下，能够抑制来自覆膜的升华物导致的热处理单元U2的污染。
在上述中，以形成在作为热处理的对象的晶片W上的下层膜为例进行了说明，但是热处理对象的膜也可以是在处理模块12、13、14中分别实施热处理的抗蚀剂膜、上层膜、显影液的覆膜，还可以是上述膜以外的晶片W上的覆膜。也可以为，热处理单元U4、U6、U8分别与热处理单元U2同样地具有包含气体释放部50的腔室40和排气部60。此外，作为处理对象的基片不限于半导体晶片，例如可以为玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。
[第二实施方式]
下面，参照图13～图18，对第二实施方式的基片处理系统进行说明。第二实施方式的基片处理系统，在处理模块11不具有热处理单元U2而具有热处理单元U20这一点，与第一实施方式的基片处理系统1不同。热处理单元U20例如如图13所示包括壳体198、加热部20、基片升降部30、腔室40A和排气部60A。壳体198至少收纳加热部20、基片升降部30和腔室40A。在该情况下，腔室40A配置在壳体198形成的收纳空间V内。
腔室40A与腔室40同样地通过罩住支承于加热部20的晶片W，形成用于在热板22上进行热处理的处理空间S。腔室40A以在外周区域形成有连接处理空间S和腔室40A外的空间(更详细而言，收纳空间V内且腔室40A外的空间)的连通部的状态，罩住加热部20上的晶片W。腔室40A例如具有保持部130和盖部140。
保持部130将加热部20的热板22保持在规定的位置。保持部130例如包括支承底壁132和周壁部134。支承底壁132形成为具有与热板22的直径同程度的直径的圆板状。支承底壁132以与热板22的载置面22a的相反侧的背面相对(接触)的方式配置，并支承该背面。周壁部134形成为从支承底壁132的外缘向上方延伸。周壁部134形成为圆环状，具有与热板22的厚度相同程度的高度。周壁部134包围热板22的周围。例如，周壁部134的内周面与热板22的外周面相对。在周壁部134的内周面与热板22的外周面之间可以形成间隙。
盖部140以在形成处理空间S时在其与保持部130之间形成有间隙g以使得从上方罩住加热部20上的晶片W的状态配置。盖部140例如包括顶板142和侧壁144。顶板142与上述的顶板42同样地形成。即，在顶板142内设置气体释放部50的释放头部52。
侧壁144与上述的侧壁44同样地形成为从顶板142的外缘向下方延伸。侧壁144形成为圆环状，包围载置面22a。图13表示形成处理空间S时的盖部140的配置的一个例子，在该配置中，侧壁144的下端面144a以靠近保持部130的周壁部134的上端面的状态与之相对。具体而言，在侧壁144的下端面144a与周壁部134的上端面之间形成有间隙g，该间隙g作为连接处理空间S与腔室40A外的空间的连通部发挥作用。
侧壁144的内周面144b随着从该侧壁144的下端靠近顶板42而相对于上下方向倾斜，使得与水平方向上的顶板42的中心(中心轴Ax)的距离变小。在该情况下，侧壁144的内径随着从侧壁144的下端靠近顶板42而变小。
盖部140以能够在上下方向上移动的方式设置在壳体198内。热处理单元U20的腔室驱动部48使盖部140在上下方向上移动。利用腔室驱动部48，盖部140下降至盖部140的侧壁144靠近周壁部134为止，从而利用腔室40A形成处理空间S(腔室40A成为关闭状态)。利用腔室驱动部48，盖部140上升以使得盖部140的侧壁144从周壁部134离开，从而热板22上方的空间向腔室40A外的空间开放(腔室40A成为打开状态)。
排气部60A在代替外周排气部70而具有外周排气部70A这一点，与第一实施方式的排气部60不同。此外，图13例示了排气部60A的中心排气部80具有多个排气孔82(中心排气孔)的情况。外周排气部70A与外周排气部70同样地从比支承于加热部20的晶片W的周缘靠外侧的外周区域排出处理空间S内的气体。外周排气部70A具有设置于气体释放部50的释放头部52的外侧的多个第一排气孔172和多个第二排气孔174。
多个第一排气孔172设置在盖部140的侧壁144内，在侧壁144的倾斜的内周面144b上分别开口。如图14所示，也可以为，多个第一排气孔172以环状配置在顶板142的外侧。此外，也可以为，多个第一排气孔172与排气孔72同样地设置在顶板142内，在顶板142的下表面的外周部分别开口。
多个第二排气孔174(多个外周排气孔)设置在盖部140的侧壁144内，在侧壁144的下端面144a分别开口。多个第二排气孔174在腔室40A为关闭状态的情况下，在盖部140(侧壁144)与保持部130(周壁部134)之间的间隙g开口。也可以为，多个第二排气孔174以环状配置在比多个第一排气孔172靠外侧处。第二排气孔174的高度位置比第一排气孔172的高度位置低，比中心排气部80的排气孔82的高度位置低。
第一排气孔172和第二排气孔174经由排气管道176连接到排气泵。排气管道176可以形成为，与多个第一排气孔172的每一者和多个第二排气孔174的每一者连接的排气流路在盖部140内合并为一个流路。具有以上结构的外周排气部70A，经由在间隙g开口的第二排气孔174和间隙g排出处理空间S内的气体，并且，经由第一排气孔172排出处理空间S内的气体。此外，外周排气部70A可以不具有多个第一排气孔172，可以经由第二排气孔174和间隙g排出处理空间S内的气体。
控制装置100的控制部104可以与第一实施方式的热处理单元U2中的热处理工序同样地，使第二实施方式的热处理单元U20执行图7所示的热处理工序。在该情况下，在步骤S21中，如图15的(a)所示，控制部104在热处理后用升降驱动部34使支承销32上升，以使晶片W靠近顶板142。在步骤S23中(在经过第二规定时间后)，如图15的(b)所示，控制部104控制腔室驱动部48使得腔室40A从关闭状态切换为打开状态。例如，控制部104利用腔室驱动部48使盖部140上升，使得腔室40A的盖部140从保持部130离开。在第二实施方式的热处理工序中，盖部140的升降动作相当于第一实施方式的腔室40的升降动作。
也可以为，在步骤S21的处理中，控制部104控制升降驱动部34，以使晶片W上升至比第二排气孔174高的位置。即，也可以为，进行晶片W的加热的处理位置与进行晶片W相对于腔室40A的送入送出的交接位置之间的待机位置，比腔室40A处于关闭状态时的第二排气孔174高。在该情况下，可以为，配置于待机位置的晶片W的、与形成有覆膜的正面相反的背面的高度位置，比第二排气孔174的开口缘高。此外，配置于待机位置的晶片W的背面的高度位置可以在第一排气孔172的开口缘的最下部以下，也可以比该最下部高。
此处，参照图16和图17，对加热部20的详情的一个例子进行说明。如图16所示，加热部20可以包含热板22、多个间隙销182和吸引孔184。热板22如上所述内置有热板加热器24，因此热板22将热板加热器24作为热源产生用于加热作为处理对象的晶片W的热量。热板22的载置面22a(主面)在加热部20支承有晶片W的状态下与晶片W的背面相对。
多个间隙销182设置在热板22的载置面22a。间隙销182是比载置面22a向上方突出的突起。在作为处理对象的晶片W载置在载置面22a时，多个间隙销182以在载置面22a与晶片W(晶片W的背面)之间形成间隙的方式支承晶片W。
吸引孔184吸引配置于多个间隙销182上的晶片W。吸引孔184以将热板22沿厚度方向(与载置面22a垂直的方向)贯通的方式设置，在载置面22a开口。吸引孔184在多个间隙销182支承有晶片W的状态下，在晶片W的背面与载置面22a之间的间隙(空间)开口。此外，加热部20可以包含多个吸引孔184。多个吸引孔184分别经由吸引通路186与吸引泵连接。通过吸引泵的吸引，在晶片W的背面与载置面22a之间的间隙中，对晶片W的背面在靠近载置面22a的方向上产生吸引力。多个间隙销182上的晶片W的背面被多个吸引孔184吸引，由此晶片W产生的翘曲被矫正(消除)。
图17示意地表示从上方观察热板22的载置面22a情况下多个间隙销182和多个吸引孔184的配置的一个例子。多个间隙销182包括配置在多个吸引孔184各自附近的区域(以下称为“吸引区域SR”。)的第一组的间隙销182、和配置在吸引区域SR以外的区域(非吸引区域)的第二组的间隙销182。吸引区域SR是与受到来自吸引孔184的吸引力的影响的晶片W的背面的一部分的相对的区域，例如，设定为具有吸引孔184的半径的3倍～20倍程度的半径的范围。此外，吸引区域SR也可以设定为具有晶片W的半径的1/10倍～1/3倍程度的半径的范围。
吸引区域SR的每单位面积的第一组的间隙销182的数量，比吸引区域SR以外的非吸引区域的每单位面积的第二组的间隙销182的数量多。可以为，多个间隙销182的大小(从上方观察载置面22a的情况下由间隙销182的外缘包围的区域的面积)彼此大致相同。在该情况下，在从上方观察载置面22a时，在吸引区域SR中第一组的间隙销182所占的比例(第一组的间隙销182的面积相对于吸引区域SR的全部面积所占的比例)，比在非吸引区域中第二组的间隙销182(的面积)所占的比例大。在以上的配置中，在吸引区域SR中相邻的间隙销182彼此的间隔，比在非吸引区域中相邻的间隙销182彼此的间隔小。
处理模块11也可以具有在彼此不同的热处理条件下进行热处理的2个热处理单元。处理模块11例如可以具有在彼此不同的热处理条件下进行热处理的热处理单元U21、U22。热处理单元U21、U22各自除了一部分结构之外与热处理单元U20同样地构成。由热处理单元U21(第一热处理单元)执行的热处理中的晶片W的加热温度，可以比由热处理单元U22(第二热处理单元)执行的热处理中的晶片W的加热温度高。在热处理中加热温度高时存在这样的倾向，即因伴随加热的晶片W的热膨胀而产生的晶片W内部的应力(更详细而言，具有沿晶片W的表面的方向的成分的应力)变大。因此，在热处理单元U21、U22中，根据热处理的加热温度调节间隙销182的数量。
具体而言，如图18的(a)和图18的(b)所示，热处理单元U21的加热部20和热处理单元U22的加热部20构成为间隙销182的数量(总数)彼此不同。在高加热温度下进行热处理的热处理单元U21的加热部20所具有的间隙销182的数量(总数)，比在低加热温度下进行热处理的热处理单元U22的加热部20所具有间隙销182的数量(总数)多。由此，在热处理单元U21与热处理单元U22之间，各间隙销182由于因热膨胀导致的晶片W内部的应力而受到的负荷(一个间隙销182受到的负荷)之差变小。
也可以代替热处理时的加热温度，或者除了加热温度之外，来自吸引孔184的气体的吸引力(每单位时间的气体的吸引量)在热处理单元U21中的热处理与热处理单元U22中的热处理之间彼此不同。更详细而言，从热处理单元U21的加热部20的吸引孔184施加到晶片W的吸引力，可以比从热处理单元U22的加热部20的吸引孔184施加到晶片W的吸引力大。当从吸引孔184施加的吸引力大时，存在这样的倾向，即伴随晶片W的吸引导致的翘曲的消除，在晶片W内部产生的应力(具有沿晶片W的表面的方向的成分的应力)变大。因此，在热处理单元U21、U22中，根据来自吸引孔184的吸引力调节间隙销182的数量。
在施加到晶片W的吸引力大的状态下进行热处理的热处理单元U21的加热部20所具有的间隙销182的数量，比在施加到晶片W的吸引力小的状态下进行热处理的热处理单元U22的加热部20所具有的间隙销182的数量多。因此，在热处理单元U21与热处理单元U22之间，各间隙销182由于伴随吸引导致的翘曲的消除产生的晶片W内部的应力而受到负荷的差变小。此外，也可以为，在热处理单元U21、U22的各个加热部20中，与图17例示的配置同样地，吸引孔184附近的区域的每单位面积的间隙销182的数量，比吸引孔184附近的区域以外的区域的每单位面积的间隙销182的数量多。
[第二实施方式的效果]
在第二实施方式的具有热处理单元U20、U21、U22的涂敷显影装置2中，与第一实施方式的涂敷显影装置2同样地，能够高效地回收升华物，并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
在以上的第二实施方式中，外周排气部70A具有用于对处理空间S进行排气的外周排气孔(第二排气孔174)。控制装置100控制基片升降部30，以使得在使晶片W靠近顶板142时，使晶片W上升至比外周排气孔高的位置。在该情况下，在使晶片W靠近顶板142时，伴随基于外周排气孔的排气而来的晶片W的表面上的去往外侧的气流变弱。因此，升华物流动到晶片W外的可能性降低，能够更高效地回收升华物。
在以上的第二实施方式中，腔室40A以在外周区域形成有连接处理空间S与腔室40A外的空间的连通部(间隙g)的状态罩住加热部20上的晶片W。外周排气部70A包含在连通部开口的外周排气孔(第二排气孔174)，经由该外周排气孔和连通部对处理空间S进行排气。在该情况下，能够防止升华物经由连通部向腔室外的空间泄漏。具体而言，从处理空间S向腔室外的空间流动的升华物通过连通部，因此经由连通部进行排气，由此能够降低升华物的泄漏的可能性。
在以上的第二实施方式中，腔室40A包括保持加热部20的保持部130和盖部140，该盖部140以在其与保持部130之间形成有间隙g以使得从上方罩住加热部20上的晶片W的状态配置。保持部130与盖部140之间的间隙g作为上述连通部发挥作用。在该情况下，伴随腔室40A的开闭不进行保持部与盖部的接触，因此能够抑制伴随腔室40A的开闭而来的颗粒的产生。
在以上的第二实施方式中，加热部20包括：产生用于加热晶片W的热量的热板22；多个间隙销182，其设置在热板22的主面(载置面22a)，以在晶片W与主面之间形成间隙的方式支承晶片W；以及在主面开口的吸引孔184，其吸引配置于多个间隙销182上的晶片W。多个间隙销182包括：第一组的间隙销182，其配置在主面中的位于吸引孔184的附近的吸引区域SR；和第二组的间隙销182，其配置在主面中的吸引区域SR以外的非吸引区域。吸引区域SR的每单位面积的第一组的间隙销182的数量，比非吸引区域的每单位面积的第二组的间隙销182的数量多。在吸引区域SR中来自吸引孔184的吸引力大，因此具有由在晶片W的内部产生的应力施加到一个间隙销182的负荷变大的倾向。在上述结构中，通过增加在吸引区域SR第一组的间隙销182的每单位面积的数量，能够抑制施加到一个间隙销182的负荷的增加。施加到一个间隙销182的负荷，成为产生晶片W与间隙销182的接触部分处的摩擦的主要原因。因此，通过抑制负荷的增加，能够抑制因该摩擦导致的来自晶片W和间隙销182的颗粒的产生。
在以上的第二实施方式中，涂敷显影装置2具有多个热处理单元。加热部20包括：产生用于加热晶片W的热量的热板22；多个间隙销182，其设置在热板22的主面(载置面22a)，以在晶片W与主面之间形成间隙的方式支承晶片W；以及在主面开口的吸引孔184，其吸引配置于多个间隙销182上的晶片W。多个热处理单元包括第一热处理单元(热处理单元U21)和第二热处理单元(热处理单元U22)。由第一热处理单元执行的热处理中的晶片W的加热温度，比由第二热处理单元执行的热处理中的晶片W的加热温度高。第一热处理单元的加热部20所包含的多个间隙销182的数量，比第二热处理单元的加热部20所包含的多个间隙销182的数量多。当热处理中的晶片W的加热温度高时，存在由于因晶片W的热膨胀导致在晶片W的内部产生的应力而施加到一个间隙销182的负荷变大的倾向。上述结构中，通过增加进行加热温度高的热处理的第一热处理单元的加热部20所包含的间隙销182的数量，能够抑制施加到一个间隙销182的负荷的增加。
在以上的第二实施方式中，涂敷显影装置2可以包括多个热处理单元。加热部20包括：产生用于加热晶片W的热量的热板22；多个间隙销182，其设置在热板22的主面(载置面22a)，以在晶片W与主面之间形成间隙的方式支承晶片W；以及在主面开口的吸引孔184，其吸引配置于多个间隙销182上的晶片W。多个热处理单元包括第一热处理单元(热处理单元U21)和第二热处理单元(热处理单元U22)。从第一热处理单元的吸引孔184施加到晶片W的吸引力，比从第二热处理单元的吸引孔184施加到晶片W的吸引力大。第一热处理单元的加热部20所包含的多个间隙销182的数量，比第二热处理单元的加热部20所包含的多个间隙销182的数量多。当来自吸引孔184的吸引力大时，存在由于在晶片W的内部产生的应力而施加到一个间隙销182的负荷变大的倾向。在上述结构中，通过增加在吸引力大的状态下进行热处理的第一热处理单元的加热部20所包含的间隙销182的数量，能够抑制施加到一个间隙销182的负荷的增加。
[第三实施方式]
下面，参照图19～图21，对第三实施方式的基片处理系统进行说明。第三实施方式的基片处理系统，在代替涂敷显影装置2而具有涂敷显影装置2B这一点，与第一实施方式的基片处理系统1不同。如图19所示，涂敷显影装置2B的处理区块5中，代替处理模块11、12、13、14而具有2个处理模块11、2个处理模块12和2个收纳部16。收纳部16例如收纳在处理模块11和处理模块12中进行晶片W的处理所需的从属设备(单元)。作为从属设备的一个例子，能够例举出对各涂敷单元U1、U3供给处理液的单元和对各热处理单元U2供给气体的单元等。
涂敷显影装置2B包括收纳在收纳部16的气体供给单元200，该气体供给单元200对处理模块11的各热处理单元U2供给气体。如图19所示，气体供给单元200也可以配置在下层的收纳部16内。气体供给单元200设置在收纳部16，因此处理模块11中收纳各热处理单元U2的空间被配置成与收纳部16分隔开的其他空间。例如，用支承处理模块11的各单元底板，将配置热处理单元U2的空间与配置气体供给单元200的空间分隔开。
气体供给单元200将已调节为一个成分的浓度成为规定值的气体(以下称为“调节气体”。)供给到各热处理单元U2的气体释放部50。在该情况下，气体释放部50将调节气体从多个释放孔54向晶片W的表面Wa释放。作为调节气体，能够例举出例如调节了氧浓度的气体。此外，作为调节气体，也可以使用调节了氮、氨或者氩等成分的浓度的气体。一个成分的浓度的上述规定值例如根据热处理中的处理空间S内的该成分的浓度的目标值而能够预先确定。
气体供给单元200可以通过将包含成为浓度的调节对象的成分(以下称为“调节成分”。)的气体(第一气体)和包含与调节成分不同的其他成分的气体(第二气体)混合而生成调节气体。例如，气体供给单元200通过将以氧为主成分的氧气(高浓度的氧气)和以氮为主成分的氮气(高浓度的氮气)混合，生成氧气浓度被调节为规定值的调节气体。
在一个例子中，如图19所示，从氧气的气体源202经由气体供给通路204对气体供给单元200供给氧气，从氮气的气体源206经由气体供给通路208对气体供给单元200供给氮气。气体供给单元200以氧浓度成为规定值的方式将来自气体源202的氧气和来自气体源206的氮气在收纳部16内混合，来生成调节气体。然后，气体供给单元200经由从气体供给通路210和该气体供给通路210分支的供给通路56对释放头部52供给调节气体。调节气体混合有多种气体，因此在气体供给通路210中流通的调节气体内的调节成分的浓度(例如，氧浓度)，变得比在气体供给通路204中流通的氧气内的调节成分的浓度(例如，氧浓度)低。
控制装置100的控制部104可以以与图7所示的热处理工序相同的工序使第三实施方式的热处理单元U2执行热处理。图20是表示在第三实施方式的热处理单元U2中进行的热处理工序的一个例子的流程图。首先，控制部104在将热板22维持为规定的温度，进行基于中心排气部80的排气的状态下，与步骤S11～S14同样地执行步骤S41～S44。通过执行步骤S41，调节了调节成分的浓度的调节气体开始从气体释放部50释放。在下文中，例示使用调节了氧气浓度的调节气体的情况。
接着，控制部104控制升降驱动部34以使晶片W下降(步骤S45)。与上述的步骤S15的处理不同，控制部104控制升降驱动部34，以使晶片W下降至设定在进行加热的处理位置与进行晶片W的送入送出的交接位置之间的位置(例如，上述的待机位置)。此外，在该时刻，没有形成处理空间S，因此热板22的上方的空间的氧浓度与壳体198内的收纳空间V的氧浓度(例如，大气的氧浓度)大致一致。
接着，控制部104与步骤S16、S17同样地执行步骤S46、S47。然后，控制部104从腔室40的下降结束开始(形成处理空间S开始)待机，直至经过第四规定时间。第四规定时间存储于存储部102。第四规定时间被设定为处理空间S内的氧的浓度接近目标浓度Tc。
图21示出了处理空间S(热板22的上方的空间)内的氧浓度的时间变化的一个例子。在图21所示的图表中，在时刻t0执行步骤S47(形成处理空间S)。然后，从时刻t0至时刻t1的时间与上述第四规定时间对应，在时刻t1处理空间S内的氧浓度变得与目标浓度Tc大致相等。
接着(经过第四规定时间后)，控制部104控制升降驱动部34以使晶片W进一步下降(步骤S49)。具体而言，控制部104利用升降驱动部34使支承有晶片W的支承销32下降，以将该晶片W载置到热板22的载置面22a。由此，开始对作为处理对象的晶片W进行加热。
接着，控制部104与步骤S18同样地从对晶片W的加热开始起，待机至经过第一规定时间(步骤S50)。控制部104至第一规定时间经过为止待机的期间，从外周排气部70对处理空间S进行排气的第一状态持续。在第一规定时间中，不从来自中心区域的排气，而进行来自外周区域的排气，并且用气体释放部50从多个释放孔54对热板22上的晶片W的表面释放调节了氧气浓度的气体。
在图21的图表中，从时刻t1至时刻t2的时间与第一规定时间对应，在从时刻t1至时刻t2的时间(期间)，处理空间S内的氧气浓度被保持为大致一定的。即，从上述的气体供给单元200供给的调节气体的浓度被设定为在进行来自外周区域的排气的第一状态下处理空间S内的氧浓度被保持为目标浓度Tc。
接着，控制部104与步骤S19同样地将基于中心排气部80的排气从停止状态切换为排气状态(步骤S51)。由此，腔室40内的排气状态从第一状态切换为从外周区域和中心区域排气的第二状态。伴随向第二状态的切换，来自排气部60的排气量增加，因此处理空间S内的氧浓度受到处理空间S的外的气体的氧浓度的影响。例如，如图21所示，在时刻t2以后，处理空间S内的气体的氧浓度变化(减少)至与腔室40外的空间的氧浓度大致一致的程度。
接着，控制部104与步骤S20～步骤S25同样地执行步骤S52～步骤S57。在图21的图表中，在时刻t3执行步骤S53，对晶片W的加热结束，在时刻t4执行步骤S55，将腔室40切换为打开状态。在时刻t2以后，处理空间S(热板22上的空间)内的氧浓度被保持为与腔室40外的空间的氧浓度相同程度且大致一定的。
控制部104在步骤S57结束后反复进行步骤S44～步骤S57的一连串的处理。由此，能够依次实施对多个晶片W的热处理。在以上的例子中，控制部104在对一个晶片W的热处理的整个期间从气体释放部50释放调节气体。也可以与此不同，控制部104在对作为处理对象的晶片W的加热期间的整个期间或者该加热期间的前半段的期间使气体释放部50释放调节气体，在上述期间以外的期间不使气体释放部50释放调节气体。也可以为，对晶片W的加热期间的前半段的期间相当于不进行中心排气而进行外周排气的第一状态持续的期间。
[第三实施方式的效果]
在第三实施方式的涂敷显影装置2B中，与第一实施方式的涂敷显影装置2同样地，能够高效地回收升华物，并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性。
在以上的第三实施方式中，涂敷显影装置2B还包括气体供给单元200，该气体供给单元200将包含一个成分的第一气体和包含其他成分的第二气体混合而生成调节为该一个成分的浓度成为规定值的调节气体，并且将调节气体供给到气体释放部50。气体释放部50向晶片W的表面释放调节气体。气体供给单元200配置在与配置热处理单元U2的空间分隔开的其他空间。在该情况下，在加热晶片W的期间，能够将晶片W的周围的气体所包含的一个成分的浓度保持为大致一定的，能够调节热处理后的覆膜的品质。此外，能够降低用于生成调节气体的部件(例如，第一气体和第二气体的配管)受到热处理中产生的热量的影响。
在以上的第三实施方式中，控制装置100至少在使加热部20加热晶片W的期间的前半，从多个释放孔54对气体释放部50释放调节气体。在加热晶片W的前半段的期间进行膜形成，因此能够更可靠地进行使用调节气体的覆膜的品质的调节。
根据以上的说明，以说明为目的在本说明书中说明了本发明的各种实施方式，应当理解，只要不脱离本发明的范围和主旨就能够进行各种改变。因此，本说明书中公开的各种实施方式并不用于限定，真正的范围和主旨由所附的权利要求给出。

Claims (21)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对形成有覆膜的基片实施热处理的热处理单元；和
控制所述热处理单元的控制单元，
所述热处理单元包括：
支承并加热所述基片的加热部；
罩住支承于所述加热部的所述基片的腔室；
具有形成有多个释放孔的释放头部的气体释放部，其从所述多个释放孔向该基片的表面释放气体，其中所述多个释放孔分散地设置在与支承于所述加热部的所述基片相对的面上；
外周排气部，其从比支承于所述加热部的所述基片的周缘靠外侧的外周区域对所述腔室内的处理空间进行排气；和
中心排气部，其从比支承于所述加热部的所述基片的周缘靠内侧的中心区域对所述处理空间进行排气。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述热处理单元还包括切换第一状态和第二状态的排气切换部，其中，所述第一状态从所述外周排气部对所述处理空间进行排气，所述第二状态至少从所述中心排气部对所述处理空间进行排气，
所述控制单元控制所述排气切换部，以用所述气体释放部从所述多个释放孔释放所述气体，并且从所述第一状态切换为所述第二状态。
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述热处理单元还包括：
使所述基片升降的基片升降部；以及
开闭切换部，其切换利用所述腔室形成所述处理空间的关闭状态和跟所述关闭状态相比使所述腔室从所述加热部离开的打开状态，
所述腔室包括设有所述释放头部的顶板，
所述控制单元控制所述基片升降部，以使所述基片从所述加热部上升而靠近所述顶板，
所述控制单元在使所述基片靠近所述顶板后控制所述开闭切换部以从所述关闭状态切换为所述打开状态。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述外周排气部具有用于对所述处理空间进行排气的外周排气孔，
所述控制单元控制所述基片升降部，以使得在使所述基片靠近所述顶板时使所述基片上升至比所述外周排气孔高的位置。
5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述腔室以在所述外周区域形成有连接所述处理空间与所述腔室外的空间的连通部的状态，罩住所述加热部上的所述基片，
所述外周排气部包括在所述连通部开口的外周排气孔，经由该外周排气孔和所述连通部对所述处理空间进行排气。
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述腔室包括：
保持所述加热部的保持部；和
盖部，所述盖部以在其与所述保持部之间形成有间隙以使得从上方罩住所述加热部上的所述基片的状态配置，
所述保持部与所述盖部之间的所述间隙作为所述连通部发挥作用。
7.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述热处理单元对包含所述基片的多个基片依次实施所述热处理，
所述控制单元在更换作为处理对象的所述基片的期间，使所述气体释放部持续从所述多个释放孔释放所述气体。
8.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述中心排气部包括以向所述处理空间开口的方式设置于所述释放头部的中心排气孔，
所述气体释放部还包括向所述中心排气孔的下方释放所述气体的喷嘴部。
9.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
气体供给单元，其通过将包含一个成分的第一气体和包含其他成分的第二气体混合而生成调节为所述一个成分的浓度成为规定值的调节气体，并且将所述调节气体供给到所述气体释放部，
所述气体释放部将所述调节气体作为所述气体向所述基片的表面释放，
所述气体供给单元配置在与配置所述热处理单元的空间分隔开的其他空间。
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制单元至少在使所述加热部加热所述基片的期间的前半段，使所述气体释放部释放所述调节气。
11.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
所述热处理单元对包含所述基片的多个基片依次实施所述热处理，
所述控制单元在更换作为处理对象的所述基片的期间，在所述处理空间与其外侧的空间连通的状态下，使所述气体释放部持续从所述多个释放孔释放所述气体，由此使所述处理空间内的所述一个成分的浓度成为比所述规定值接近所述外侧空间的气氛中的所述一个成分的浓度的状态。
12.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
所述加热部包括：
产生用于加热所述基片的热量的热板；
设置在所述热板的主面的多个间隙销，其以在所述基片与所述主面之间形成间隙的方式支承所述基片；和
在所述主面开口的吸引孔，其对配置于所述多个间隙销上的所述基片进行吸引，
所述多个间隙销包括：第一组的间隙销，其配置在所述主面中的位于所述吸引孔的附近的吸引区域；和第二组的间隙销，其配置在所述主面中的所述吸引区域以外的非吸引区域，
所述吸引区域的每单位面积的所述第一组的间隙销的数量，比所述非吸引区域的每单位面积的所述第二组的间隙销的数量多。
13.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
具有包含所述热处理单元的多个热处理单元，
所述加热部包括：
产生用于加热所述基片的热量的热板；
设置在所述热板的主面的多个间隙销，其以在所述基片与所述主面之间形成间隙的方式支承所述基片；和
在所述主面开口的吸引孔，其对配置于所述多个间隙销上的所述基片进行吸引，
所述多个热处理单元包括第一热处理单元和第二热处理单元，
由所述第一热处理单元执行的所述热处理中的所述基片的加热温度，比由所述第二热处理单元执行的所述热处理中的所述基片的加热温度高，
所述第一热处理单元的所述加热部所包含的所述多个间隙销的数量，比所述第二热处理单元的所述加热部所包含的所述多个间隙销的数量多。
14.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
具有包含所述热处理单元的多个热处理单元，
所述加热部包括：
产生用于加热所述基片的热量的热板；
设置在所述热板的主面的多个间隙销，其以在所述基片与所述主面之间形成间隙的方式支承所述基片；和
在所述主面开口的吸引孔，其对配置于所述多个间隙销上的所述基片进行吸引，
所述多个热处理单元包括第一热处理单元和第二热处理单元，
从所述第一热处理单元的所述吸引孔施加到所述基片的吸引力，比从所述第二热处理单元的所述吸引孔施加到所述基片的吸引力大，
所述第一热处理单元的所述加热部所包含的所述多个间隙销的数量，比所述第二热处理单元的所述加热部所包含的所述多个间隙销的数量多。
15.一种基片处理方法，其包含对形成有覆膜的基片实施热处理的工序，所述基片处理方法的特征在于：
对所述基片实施所述热处理的工序包括：
将被腔室罩住的状态的所述基片支承在加热部并对其进行加热的处理；
从比支承于所述加热部的所述基片的周缘靠外侧的外周区域对所述腔室内的处理空间进行排气的处理；
从比支承于所述加热部的所述基片的周缘靠内侧的中心区域对所述处理空间进行排气的处理；和
从多个释放孔向该基片的表面释放气体的处理，其中所述多个释放孔分散地设置在与支承于所述加热部的所述基片相对的面上。
16.如权利要求15所述的基片处理方法，其特征在于：
对所述基片实施所述热处理的工序还包括：
从所述多个释放孔向所述基片的表面释放气体，并且自从所述外周区域对所述处理空间进行排气的第一状态切换为至少从所述中心区域对所述处理空间进行排气的第二状态的处理。
17.如权利要求15所述的基片处理方法，其特征在于：
对所述基片实施所述热处理的工序还包括：
使所述基片从所述加热部上升而靠近所述腔室的顶板的处理；和
在使所述基片靠近所述顶板后，从利用所述腔室形成所述处理空间的关闭状态切换为与所述关闭状态相比使所述腔室从所述加热部离开的打开状态的处理。
18.如权利要求17所述的基片处理方法，其特征在于：
从所述外周区域对所述处理空间进行排气的处理，包括经由外周排气孔对所述处理空间进行排气的处理，
使所述基片靠近所述顶板的处理，包括使所述基片上升至比所述外周排气孔高的位置的处理。
19.如权利要求15所述的基片处理方法，其特征在于：
具有对包含所述基片的多个基片依次实施所述热处理的工序，
对所述多个基片依次实施所述热处理的工序包括：在更换作为处理对象的所述基片的期间，持续从所述多个释放孔释放所述气体的处理。
20.如权利要求15所述的基片处理方法，其特征在于：
从所述中心区域对所述处理空间进行排气的处理还包括：
经由设置于形成有所述多个释放孔的释放头部的中心排气孔排出所述处理空间内的气体的处理；和
从喷嘴部向所述中心排气孔的下方释放所述气体的处理。
21.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
记录有用于使装置执行权利要求15～20中任一项所述的基片处理方法的程序。
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