CN112680214B - 一种量子点及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种量子点的制备方法，先制得ZnCdSe晶种后在其上生长ZnSe过渡层，然后依次包覆ZnSe壳层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过ZnSe过渡层的设置，巩固核与壳层之间的联系，有效控制核及各壳层之间的过渡，减小晶格之间的缺陷；通过脂肪酸抑制量子点中其他晶种的形成，从而控制量子点晶种的成分、大小与均一度，补加阴离子进行晶种的长大成核，形成表面具有ZnSe过渡层的量子点核结构，之后依次外延生长ZnSe壳层和ZnS壳层，减小混晶结构核各组分之间、核与壳之间的晶格应力，制备的量子点可见光内峰位可调、半峰宽窄、量子效率高。
Description
技术领域
本发明涉及纳米半导体材料制备领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。
背景技术
量子点又可称为纳米晶，粒径一般介于2～20纳米之间，约为头发丝粗细的十万分之一。量子点受光、电等激发后可以发光，通过改变尺寸大小能够调节发射波长，使其具有连续分布的发射光谱。基于显著的量子效应和窄峰宽，量子点在太阳能电池、显示器件、照明和生物标记等领域具有广泛的应用前景。
常见的量子点多为核壳结构，即通常采用CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、InP等为核，采用相对带隙更大一点的CdS、ZnSe、ZnS为壳层，这样的结构设计是为了减小核-壳之间的晶格不匹配问题，但即使这样，量子点核与壳之间仍然存在晶格的不匹配度，产生晶格间的应力，造成量子点的晶格缺陷，一方面影响量子点壳层的均匀包覆造成量子点半峰宽的宽化，显著的特点在于发射光谱具有红偏或者蓝偏不对称现象，另一方面由于晶格缺陷的增加造成量子点荧光强度的减弱，降低量子点的发光强度。同时在包壳过程中容易出现壳层材料的自成核现象，难以合成更窄半峰宽、更高量子效率的量子点。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于现有技术中量子点核与壳之间仍然存在晶格的不匹配度，产生晶格间的应力，造成量子点的晶格缺陷，从而提供了一种核壳之间具有过渡结构的量子点及其制备方法。
为此，本发明采用如下技术方案。
本发明提供一种量子点的制备方法，包括如下步骤：
S1：在250～310℃向第一阳离子前驱体中快速加入第一阴离子前驱体，保温5-30min后快速加入脂肪酸，得到ZnCdSe晶种溶液；
S2：向ZnCdSe晶种溶液中以0.001-1mL/h的速率滴加第一阴离子前驱体，同时以5-10℃/min的速率升温到315～325℃，保温直至发射波长峰位达到450-650nm，得到ZnCdSe-ZnSe量子点核溶液；
S3.将量子点核溶液降温到180～270℃，向其中快速加入第二阳离子前驱体并再次以0.001-1mL/h的速率滴加第一阴离子前驱体，反应后得到ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点溶液；
S4.向上述溶液中快速加入第二阳离子前驱体并以0.001-1mL/h的速率滴加第二阴离子前驱体，反应后得到ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点溶液，经分离、干燥得所述量子点。
进一步地，
所述第一阳离子前驱体由镉源、锌源、脂肪酸和非配位溶剂混合后升温到140-250℃得到；
所述第一阴离子前驱体由硒源与长链烷基膦混合制得；
所述第二阳离子前驱体由锌源、脂肪酸和非配位溶剂混合升温到140-250℃制得；
所述第二阴离子前驱体由硫源与非配位溶剂混合制得。
进一步地，
所述第一阳离子前驱体中，锌与镉的摩尔比5:1-20:1，锌的摩尔浓度为0.01-1.0mmol/mL，脂肪酸的浓度为0.5-3.0mmol/mL；
所述第一阴离子前驱体中，硒的摩尔浓度为0.1-4.0mmol/mL；
所述第二阳离子前驱体中，锌的摩尔浓度为0.1-2.0mmol/mL，所述脂肪酸的浓度为0.5-3.0mmol/mL；
所述第二阴离子前驱体中，硫的摩尔浓度为0.1-3mmol/mL。
进一步地，
S1中，第一阳离子前驱体中镉与第一阴离子前驱体中硒的摩尔比为：1:10-5:1；
S2中第一阴离子前驱体中硒的物质的量与S1中第一阴离子前驱体中硒物质的量之和，大于第一阳离子前驱体中镉的物质的量且小于第一阳离子前驱体中锌的物质的量；
S3中，第二阳离子前驱体中锌与第一阴离子前驱体中硒的摩尔比为1:1.2-2:1，第二阳离子前驱体中锌与ZnCdSe-ZnSe量子点核的摩尔比大于1:1；
S4中，第二阳离子前驱体中锌与第二阴离子前驱体中硫的摩尔比为1:1.2-4:1，第二阳离子前驱体锌与ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点的摩尔比大于1:1。
优选地，
所述脂肪酸为油酸；
所述长链烷基膦为三丁基膦或三辛基膦；
所述镉源为氧化镉、乙酸镉、硬脂酸镉其中的一种或两种以上；
所述锌源为氧化锌、乙酸锌、硬脂酸锌其中的一种或两种以上；
所述非配位溶剂为十八烯；
所述硒源为硒粉；
所述硫源为硫粉、十二硫醇或辛硫醇。
所述快速加入为1-10s内加入完毕；
S3和S4中滴加完成后的反应时间为10-120min。
优选地，S1中保温温度为270～310℃，更优选的为310℃；
S2中保温温度为325℃；
S3和S4中反应温度为200～230℃。
本发明还提供一种量子点，由上述的制备方法制得，包括，
由ZnCdSe晶种和ZnSe过渡层组成的ZnCdSe-ZnSe量子点核，
依次包覆的ZnSe壳层和ZnS壳层。
进一步地，所述ZnCdSe晶种半径为1.8-7.8nm，ZnSe过渡层厚度为0.1-1.1nm，ZnSe壳层厚度为0.5-2.0nm，ZnS壳层厚度为0.5-4.0nm。
所述量子点发射波长为430-650nm，半峰宽18-24nm，量子效率大于80％；
优选地，半峰宽18-20nm，量子效率大于90％。
本发明技术方案，具有如下优点：
(1)本发明制备ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS结构的量子点，因其结构组成，能够有效提升空穴的注入能力，改善器件中载流子的注入平衡。基于该量子点构筑的器件外量子效率达到15％，在亮度100cd/m2条件下T95工作寿命达到5000h。
(2)本发明提供的量子点通过ZnSe过渡层的设置，巩固核与壳层之间的联系，有效控制核及各壳层之间的过渡，减小晶格之间的缺陷，制备的量子点可见光内峰位可调、半峰宽窄、量子效率高。
(3)本发明通过脂肪酸抑制量子点中CdSe、ZnCdSe晶种的形成，从而控制量子点晶种的成分、大小与均一度，然后提高反应温度补加阴离子进行晶种的长大成核，形成表面具有ZnSe过渡层的量子点核结构，该结构中ZnSe属于量子点晶核长大的过程，同晶种中的各种组分相互结合形成过渡性，减小了混晶结构核各组分之间的晶格应力。
(4)本发明选择ZnSe和ZnS作为壳层，由于量子点核中已经存在ZnSe，ZnSe壳层能够与量子点核有效过渡，同时ZnSe与ZnS之间的晶格匹配性好，不会造成大的晶格缺陷。
(5)本发明制备方法简单，且不需要额外的器材，实施方便。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明各实施例中得到的量子点的结构示意图；
图2为本发明实施例1得到的量子点的荧光发射与吸收光谱图；
图3为本发明实施例4得到的量子点的荧光发射与吸收光谱图；
图4为本发明实施例6得到的量子点的荧光发射与吸收光谱图。
附图标记说明：
1-量子点核晶种ZnCdSe；2-过渡层ZnSe；3-量子点壳层ZnSe；4-量子点壳层ZnS
具体实施方式
提供下述实施例是为了更好地进一步理解本发明，并不局限于所述最佳实施方式，不对本发明的内容和保护范围构成限制，任何人在本发明的启示下或是将本发明与其他现有技术的特征进行组合而得出的任何与本发明相同或相近似的产品，均落在本发明的保护范围之内。
实施例中未注明具体实验步骤或条件者，按照本领域内的文献所描述的常规实验步骤的操作或条件即可进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规试剂产品。
以下具体实施例是对本发明的进一步说明，所举案例并不能列举出本发明的全部实施方式，仅以其中部分实施方式为例进行说明，具体实施例如下：
预先对各实施例和对比例中使用的第一阴离子前驱体、第二阴离子前驱体和第二阳离子前驱体配置。
各实施例和对比例中使用的第一阴离子前驱体TBP-Se溶液的配制：
称取0.2mmol硒粉于锥形瓶，并加入2mL三丁基膦(TBP)，超声振荡，得到硒浓度为1mmol/mL第一阴离子前驱体。
各实施例和对比例中使用的第二阴离子前驱体DDT-ODE溶液的配制：
分别量取1.46mL十二硫醇(DDT)和1.04mL十八烯(ODE)充分混合得到硫浓度为2.4mmol/mL的第二阴离子前驱体。
各实施例和对比例中使用的第二阳离子前驱体的配制：
第二阳离子前驱体的制备：称取7.5mmol氧化锌置于三口瓶中，加入4.5mL油酸和10.5mL十八烯，抽真空加热到150℃，直至溶液澄清，通氮气保护，得到锌浓度为0.5mmol/mL的第二阳离子前驱体。
实施例1
本实施例提供一种量子点的制备方法，具体步骤如下：
1)ZnCdSe晶种溶液的制备：
称取0.05mmol氧化镉、0.5mmol氧化锌置于25mL三口瓶中，加入2mL油酸和3mL十八烯，抽真空加热到150℃，直至溶液澄清，通氮气，得到第一阳离子前驱体，在氮气保护下，升温至310℃，将0.04mL第一阴离子前驱体快速加入到反应体系中，并伴以搅拌，反应15min，快速加入1mL油酸，取样观测发射波长为610nm，半峰宽为35nm；
2)ZnCdSe-ZnSe量子点核溶液的制备：
向上述晶种溶液中以0.144mL/h的速度缓慢滴加0.06mL第一阴离子前驱体，滴加25min，开始滴加的同时以3℃/min的速率从310℃升到325℃，滴加完成后继续反应15min，取样观测发射波长为632nm，半峰宽为22nm；
3)ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点溶液的制备：
将上述量子点核溶液降至230℃，并快速加入0.5mL第二阳离子前驱体，并以0.6mL/h的速度滴加0.25mL第一阴离子前驱体，滴加25min，滴加完成后继续反应15min，取样观测发射波长为631nm，半峰宽为21nm；
4)ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点溶液制备：
向上述量子点核溶液中快速加入1mL第二阳离子前驱体，并以0.25mL/h的速度滴加0.25mL第二阴离子前驱体，滴加1h，滴加完成后，继续反应30min，降至室温；
5)沉淀及干燥：
在上述反应后的溶液中加入等体积正己烷并加入等体积无水乙醇，静置使形成絮状沉淀，离心，去掉上层清液得到沉淀，将沉淀用正己烷溶解，加入乙醇，离心得到沉淀，沉淀物放入真空干燥箱中干燥，经测试，发射峰位630nm，半峰宽20nm，量子效率95％，其结构如图1所示，其荧光发射与吸收光谱图如图2所示。
实施例2
本实施例提供一种量子点的制备方法，具体步骤如下：
1)ZnCdSe晶种溶液的制备：
称取0.05mmol氧化镉、0.5mmol氧化锌置于25mL三口瓶中，加入2mL油酸和3mL十八烯，抽真空加热到150℃，直至溶液澄清，通氮气，得到第一阳离子前驱体，在氮气保护下，升温至310℃，将0.06mL第一阴离子前驱体快速加入到反应体系中，并伴以搅拌，反应15min，快速加入1mL油酸，取样观测发射波长为590nm，半峰宽为34nm；
2)ZnCdSe-ZnSe量子点核溶液的制备：
向上述晶种溶液中以0.096mL/h的速度缓慢滴加0.04mL第一阴离子前驱体，滴加25min，开始滴加的同时以3℃/min的速率从310℃升到325℃，滴加完成后继续反应15min，取样观测发射波长为589nm，半峰宽为21nm；
3)ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点溶液的制备：
将上述量子点核溶液降至230℃，并快速加入0.5mL第二阳离子前驱体，并以0.6mL/h的速度滴加0.25mL第一阴离子前驱体，滴加25min，滴加完成后继续反应15min，取样观测发射波长为588nm，半峰宽为23nm。
4)ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点溶液制备：
向上述量子点核溶液中快速加入1mL第二阳离子前驱体，并以0.25mL/h的速度滴加0.25mL第二阴离子前驱体，滴加1h，滴加完成后，继续反应30min，降至室温；
5)沉淀及干燥：
在上述反应后的溶液中加入等体积正己烷并加入等体积无水乙醇，静置使形成絮状沉淀，离心，去掉上层清液得到沉淀，将沉淀用正己烷溶解，加入乙醇，离心得到沉淀，沉淀物放入真空干燥箱中干燥，经测试，发射峰位588nm，半峰宽22nm，量子效率91％，其结构如图1所示。
实施例3
本实施例提供一种量子点的制备方法，和实施例2的区别在于，将实施例2中第1步注射的0.06mL第一阴离子前驱体换成注射0.08mL，其余条件不变；
其中ZnCdSe晶种的发射峰位与半峰宽分别为571nm、33nm；
其中ZnCdSe-ZnSe量子点核的发射峰位与半峰宽分别为562nm、23nm；
其中ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点的发射峰位与半峰宽分别为561nm、25nm；
经沉淀及干燥后得到的ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点的发射峰位、半峰宽和量子效率分别为560nm、24nm和90％，其结构如图1所示。
实施例4
本实施例提供一种量子点的制备方法，和实施例2的区别在于，将实施例2中第1步注射的0.04mL第一阴离子前驱体换成注射0.1mL，其余条件不变；
其中ZnCdSe晶种的发射峰位与半峰宽分别为550nm、27nm；
其中ZnCdSe-ZnSe量子点核的发射峰位与半峰宽分别为531nm、20nm；
其中ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点的发射峰位与半峰宽分别为531nm、19nm；
经沉淀及干燥后得到的ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点的发射峰位、半峰宽和量子效率分别为531nm、18nm和99％，其结构如图1所示，其荧光发射与吸收光谱图如图3所示。
实施例5
本实施例提供一种量子点的制备方法，和实施例1的区别在于，将实施例1中第1步注射的0.04mL第一阴离子前驱体换成注射0.12mL，滴加的0.06mL第一阴离子前驱体换成滴加0.08mL，滴速同时换为0.192mL/h，其余条件不变；
其中ZnCdSe晶种的发射峰位与半峰宽分别为530nm、24nm；
其中ZnCdSe-ZnSe量子点核的发射峰位与半峰宽分别为504nm、22nm；
其中ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点的发射峰位与半峰宽分别为502nm、21nm；
经沉淀及干燥后得到的ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点的发射峰位、半峰宽和量子效率分别为502nm、20nm和91％，其结构如图1所示。
实施例6
本实施例提供一种量子点的制备方法，和实施例1的区别在于，将实施例1中第1步注射的0.04mL第一阴离子前驱体换成注射0.2mL，其余条件不变；
其中ZnCdSe晶种的发射峰位与半峰宽分别为472nm、24nm；
其中ZnCdSe-ZnSe量子点核的发射峰位与半峰宽分别为457nm、22nm；
其中ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点的发射峰位与半峰宽分别为450nm、20nm；
经沉淀及干燥后得到的ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点的发射峰位、半峰宽和量子效率分别为449nm、19nm和92％，其结构如图1所示，其荧光发射与吸收光谱图如图4所示。
对比例1
本对比例提供一种量子点的制备方法，和实施例4唯一的区别在于：
将实施例4中第1步快速加入的1mL油酸换成注射1mL非配位溶剂十八烯，其余条件不变；
其中ZnCdSe晶种的发射峰位与半峰宽分别为537nm、43nm；
其中ZnCdSe-ZnSe量子点核的发射峰位与半峰宽分别为526nm、36nm；
其中ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点的发射峰位与半峰宽分别为526nm、35nm；
经沉淀及干燥后得到的ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点的发射峰位、半峰宽和量子效率分别为526nm、35nm和86％。
对比例1得到的量子点数据和实施例4进行对比可知，油酸对量子点晶种ZnCdSe的形成至关重要，油酸可以抑制晶种的继续长大或溶解颗粒较小的晶种，控制整个晶种的成分、大小和均一性，量子点晶种的成分、大小和均一性如果没有得到保障，后面无论如何长大与包壳，都不会达到很窄的半峰宽。
对比例2
本对比例提供一种量子点的制备方法，和实施例4唯一的区别在于：
将实施例4中ZnCdSe-ZnSe量子点核溶液的制备这一过程跳过，即量子点核晶种ZnCdSe制备加完油酸后溶液直接降温至230℃并进行ZnSe壳层的包覆；
其中ZnCdSe晶种的发射峰位与半峰宽分别为549nm、27nm；
其中ZnCdSe/ZnSe量子点的发射峰位与半峰宽分别为547nm、33nm；
经沉淀及干燥后得到的ZnCdSe/ZnSe/ZnS量子点的发射峰位、半峰宽和量子效率分别为546nm、35nm和75％。
对比例2得到的量子点数据和实施例4进行对比可知，量子点晶种已经通过油酸控制达到实施例4相应的结果，但是不再进行量子点核表面ZnSe过渡层的长大，量子点晶种与壳层ZnSe无法实现很好的匹配，导致包覆ZnSe后半峰宽大幅度变宽，量子点发光峰位因为量子点核中没有额外提高ZnSe的含量并没有大幅度蓝移，整个反应得到的量子点的量子效率不高。
对比例3
本对比例提供一种量子点的制备方法，和实施例4唯一的区别在于：
将实施例4中ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点溶液的制备这一过程跳过，即量子点核ZnCdSe-ZnSe制备后直接进行ZnS壳层的包覆；
其中ZnCdSe晶种的发射峰位与半峰宽分别为550nm、27nm；
其中ZnCdSe-ZnSe量子点核的发射峰位与半峰宽分别为532nm、20nm；
经沉淀及干燥后得到的ZnCdSe-ZnSe/ZnS量子点的发射峰位、半峰宽和量子效率分别为531nm、26nm和85％。
对比例3得到的量子点数据分别和实施例4、对比例2进行对比可知，量子点核晶种与量子点核的数据已经达到实施例4的结果，去除ZnSe壳层包覆这一步骤与实施例4相比量子点的半峰宽有一定幅度变宽，量子效率也有所下降，但与对比例2相比半峰宽相对较窄，量子效率相对较高。其原因为量子点核表面具有ZnSe的过渡层，虽然没有包覆ZnSe的壳层，但是ZnS与量子点核表面过渡层ZnSe之间也能够形成部分的匹配，但不完美，导致包覆ZnS后光学性能也没有达到实施例4的水平。
对比例4
本对比例提供一种量子点的制备方法，和实施例4唯一的区别在于：
将实施例4中量子点核ZnCdSe-ZnSe的制备、量子点壳ZnCdSe-ZnSe/ZnSe的制备这两个过程都跳过，即量子点核的晶种ZnCdSe制备加完油酸后溶液降直接至230℃并进行ZnS壳层的包覆；
其中ZnCdSe晶种的发射峰位与半峰宽分别为551nm、27nm；
经沉淀及干燥后得到的ZnCdSe/ZnS量子点的发射峰位、半峰宽和量子效率分别为548nm、42nm和65％。
对比例4得到的量子点数据分别和实施例4和对比例2、3进行对比可知，由于量子点核晶种表面，量子点核外都没有ZnSe过渡层结构，量子点发光峰位因为量子点核中没有额外提高ZnSe的含量并没有大幅度蓝移，直接包覆ZnS无法实现量子点核与壳层之间的匹配，导致包覆ZnS后量子点的半峰宽大幅度变宽，量子效率无法得到保障。
试验例
使用实施例4中合成的波长为531nm的量子点用于制备QLED器件，具体步骤如下：
在带有ITO涂层的玻璃基底上，旋涂PEDOT:PSS溶液，80℃烘烤20分钟，依次旋涂PVK的氯苯溶液、量子点和ZnO的乙醇溶液，再用真空蒸镀法镀上100nm的Ag层，最后采用光固化方式封装器件。
经检测发现，基于实施例4合成的量子点制备的QLED器件，外量子效率达到15％，在亮度100cd/m2条件下T95工作寿命达到5000h。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (8)
1.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在250～310℃向第一阳离子前驱体中快速加入第一阴离子前驱体，保温5-30min后快速加入脂肪酸，得到ZnCdSe晶种溶液；
S2：向ZnCdSe晶种溶液中以0.001-1mL/h的速率滴加第一阴离子前驱体，同时以5-10℃/min的速率升温到315～325℃，保温直至发射波长峰位达到450-650nm，得到ZnCdSe-ZnSe量子点核溶液；
S3.将量子点核溶液降温到180～270℃，向其中快速加入第二阳离子前驱体并再次以0.001-1mL/h的速率滴加第一阴离子前驱体，反应后得到ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点溶液；
S4.向上述溶液中快速加入第二阳离子前驱体并以0.001-1mL/h的速率滴加第二阴离子前驱体，反应后得到ZnCdSe-ZnSe/ZnSe/ZnS量子点溶液，经分离、干燥得所述量子点；
所述第一阳离子前驱体由镉源、锌源、脂肪酸和非配位溶剂混合后升温到140-250℃得到；
所述第一阴离子前驱体由硒源与长链烷基膦混合制得；
所述第二阳离子前驱体由锌源、脂肪酸和非配位溶剂混合升温到140-250℃制得；
所述第二阴离子前驱体由硫源与非配位溶剂混合制得。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述第一阳离子前驱体中，锌与镉的摩尔比5:1-20:1，锌的摩尔浓度为0.01-1.0mmol/mL，脂肪酸的浓度为0.5-3.0mmol/mL；
所述第一阴离子前驱体中，硒的摩尔浓度为0.1-4.0mmol/mL；
所述第二阳离子前驱体中，锌的摩尔浓度为0.1-2.0mmol/mL，所述脂肪酸的浓度为0.5-3.0mmol/mL；
所述第二阴离子前驱体中，硫的摩尔浓度为0.1-3mmol/mL。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
S1中，第一阳离子前驱体中镉与第一阴离子前驱体中硒的摩尔比为：1:10-5:1；
S2中第一阴离子前驱体中硒的物质的量与S1中第一阴离子前驱体中硒物质的量之和，大于第一阳离子前驱体中镉的物质的量且小于第一阳离子前驱体中锌的物质的量；
S3中，第二阳离子前驱体中锌与第一阴离子前驱体中硒的摩尔比为1:1.2-2:1，第二阳离子前驱体中锌与ZnCdSe-ZnSe量子点核的摩尔比大于1:1；
S4中，第二阳离子前驱体中锌与第二阴离子前驱体中硫的摩尔比为1:1.2-4:1，第二阳离子前驱体锌与ZnCdSe-ZnSe/ZnSe量子点的摩尔比大于1:1。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
所述脂肪酸为油酸；
所述长链烷基膦为三丁基膦或三辛基膦；
所述镉源为氧化镉、乙酸镉、硬脂酸镉其中的一种或两种以上；
所述锌源为氧化锌、乙酸锌、硬脂酸锌其中的一种或两种以上；
所述非配位溶剂为十八烯；
所述硒源为硒粉；
所述硫源为硫粉、十二硫醇或辛硫醇。
5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的制备方法，其特征在于，
所述快速加入为1-10s内加入完毕；
S3和S4中滴加完成后的反应时间为10-120min。
6.一种量子点，由权利要求1-5任一权利要求所述的制备方法制得，其特征在于，包括，
由ZnCdSe晶种和ZnSe过渡层组成的ZnCdSe-ZnSe量子点核，
依次包覆的ZnSe壳层和ZnS壳层。
7.根据权利要求6所述的量子点，其特征在于，所述ZnCdSe晶种半径为1.8-7.8nm，ZnSe过渡层厚度为0.1-1.1nm，ZnSe壳层厚度为0.5-2.0nm，ZnS壳层厚度为0.5-4.0nm。
8.根据权利要求6或7所述的量子点，其特征在于，所述量子点发射波长为430-650nm，半峰宽18-24nm，量子效率大于80％。
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