CN112647054A - 双面镀膜系统以及双面镀膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了双面镀膜系统以及双面镀膜方法，其中，双面镀膜系统用于对基材的双面进行镀膜，包括：载置部，载置所述基材；第一镀膜部，对所述基材的一面进行镀膜；第二镀膜部，对所述基材的另一面进行镀膜；搬运部，搬运所述载置部，以使被载置在所述载置部的所述基材从所述第一镀膜部被搬运至所述第二镀膜部，或者从所述第二镀膜部被搬运至所述第一镀膜部。在本发明中，由于在不同的镀膜部对基材的双面进行镀膜，因此，能够针对基材的双面，分别镀不同类型的镀膜材料，能够实现基材的不同面的光电性能的差异性需求。

Description

双面镀膜系统以及双面镀膜方法

技术领域

本发明涉及但不限于太阳能电池制造的技术领域，尤其涉及双面镀膜系统以及双面镀膜方法。

背景技术

在硅基材料的太阳能电池当中，晶体硅/薄膜硅异质结电池(HIT)由于具有制备工艺流程简单、光电转换效率高等优点而被广泛关注。在HIT电池的制造中，透明导电氧化物薄膜(也称TCO薄膜)作为HIT电池制造中的关键材料之一，影响着HIT电池的光电转换效率以及成本。

在已知的制备HIT电池的硅片的双面TCO薄膜的镀膜设备当中，既有使用在同一台设备中设置上下的磁控溅射镀膜源、以实现连续对基材n面和p面进行镀膜的镀膜设备，也有使用在同一台设备中集成磁控溅射镀膜源与离子镀膜源、以实现连续对基材n面和p面进行镀膜的镀膜设备。然而，不管哪一种类型的双面镀膜设备，均只能镀制同一种类型的TCO薄膜材料。

发明内容

本发明旨在至少一定程度上解决现有技术的问题之一。为此，本发明提出了一种双面镀膜系统，能够实现在基材的双面镀不同类型的薄膜，实现基材的不同面的光电性能的差异性需求。此外，本发明还提出了能够实现在基材的双面镀不同类型的薄膜的双面镀膜方法。

根据本发明第一方面实施例的双面镀膜系统，用于对基材的双面进行镀膜，包括：载置部，载置所述基材；第一镀膜部，对所述基材的一面进行镀膜；第二镀膜部，对所述基材的另一面进行镀膜；搬运部，搬运所述载置部，以使被载置在所述载置部的所述基材从所述第一镀膜部被搬运至所述第二镀膜部，或者从所述第二镀膜部被搬运至所述第一镀膜部。

根据本发明第一方面的双面镀膜系统，至少具有如下有益效果：由于在不同的镀膜部对基材的双面进行镀膜，因此，能够针对基材的双面，分别镀不同类型的镀膜材料，能够实现基材的不同面的光电性能的差异性需求。

在一些实施例中，所述第一镀膜部包括离子镀用镀膜装置，所述第二镀膜部包括溅射镀膜用镀膜装置或者离子镀用镀膜装置，所述第一镀膜部和所述第二镀膜部分别对所述基材的两面镀TCO薄膜。

在一些实施例中，所述第一镀膜部从下朝上对所述基材的一面进行镀膜，所述第二镀膜部从下朝上对所述基材的另一面进行镀膜。

在一些实施例中，所述载置部包括第一载具和第二载具，所述基材可从所述第一载具被转移到所述第二载具，或者从所述第二载具被转移到所述第一载具。

在一些实施例中，所述第一载具以和所述基材的一面相对的方式支撑所述基材，被所述搬运部搬运并进入所述第一镀膜部或者从所述第一镀膜部被送出；所述第二载具以和所述基材的另一面相对的方式支撑所述基材，被所述搬运部搬运并进入所述第二镀膜部或者从所述第二镀膜部被送出。

在一些实施例中，还包括翻转部，所述翻转部设置为在所述基材从所述第一镀膜部被搬运至所述第二镀膜部之前，或者在所述基材从所述第二镀膜部被搬运至所述第一镀膜部之前，翻转所述基材。

在一些实施例中，所述第一载具上设置有用于支撑所述基材的第一支撑部，所述第二载具上设置有用于支撑所述基材的第二支撑部。

在一些实施例中，所述第一支撑部包括多个支撑所述基材的边缘部的支撑件，所述支撑件间隔分布。

在一些实施例中，所述支撑件的支撑所述基材的部分呈针状。

在一些实施例中，所述支撑件可拆卸地安装到所述第一载具。

在一些实施例中，所述第二支撑部呈平面状，支撑所述基材的边缘部。

在一些实施例中，所述搬运部包括：第一搬运装置，搬运所述第一载具，以使被载置在所述第一载具的所述基材进入所述第一镀膜部或者从所述第一镀膜部被送出；第二搬运装置，搬运所述第二载具，以使被载置在所述第二载具的所述基材进入所述第二镀膜部或者从所述第二镀膜部被送出。

在一些实施例中，还包括回流部，所述回流部设置为使所述第一载具从所述第一镀膜部的后端返回所述第一镀膜部的前端，以及使所述第二载具从所述第二镀膜部的后端返回所述第二镀膜部的前端。

在一些实施例中，所述回流部，包括：第一回流装置，设置为使所述第一载具从所述第一镀膜部的后端返回所述第一镀膜部的前端；第二回流装置，设置为使所述第二载具从所述第二镀膜部的后端返回所述第二镀膜部的前端。

在一些实施例中，所述第一镀膜部的前端，沿前后方向依次设置有第一进料腔和第一进料缓冲腔，所述第一镀膜部的后端，沿前后方向依次设置有第一出料缓冲腔和第一出料腔；所述第二镀膜部的前端，沿前后方向依次设置有第二进料腔和第二进料缓冲腔，所述第二镀膜部的后端，沿前后方向依次设置有第二出料缓冲腔和第二出料腔。

根据本发明第二方面实施例的双面镀膜方法，用于对基材的双面进行镀膜，包括如下步骤：步骤一：在第一镀膜部和第二镀膜部当中的其中一个，对所述基材的一面进行镀膜；步骤二：通过搬运部，将其中一面已被镀膜的所述基材转移至所述第一镀膜部和所述第二镀膜部的另外一个；步骤三：在所述第一镀膜部和第二镀膜部当中的另一个，对所述基材的另一面进行镀膜。

根据本发明第二方面的双面镀膜方法，至少具有如下有益效果：由于在不同的镀膜部对基材的双面进行镀膜，因此，能够针对基材的双面，分别镀不同类型的镀膜材料，实现基材的不同面的光电性能的差异性需求。

在一些实施例中，在所述步骤一和所述步骤三中，分别从下朝上对所述基材进行镀膜。

在一些实施例中，在所述第一镀膜部和所述第二镀膜部当中，其中一个用于离子镀镀膜，另一个用于离子镀镀膜或者溅射镀膜。

在一些实施例中，在所述步骤二中，在将所述基材转移至所述第一镀膜部和所述第二镀膜部的另外一个之前，翻转所述基材，以使所述基材的未镀膜的一面朝下。

附图说明

图1是本发明的双面镀膜系统的一种实施例的平面示意图。

图2是载置部的一种实施例的俯视图。

图3是图2中的A-A处的局部剖视图。

图4是载置部的另一种实施例的俯视图。

图5是HIT电池的示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

图1是双面镀膜系统的平面示意图，参照图1，根据本发明第一方面实施例的双面镀膜系统，用于对基材201的双面进行镀膜，包括：载置部101、第一镀膜部102、第二镀膜部103以及搬运部104。其中，载置部101载置基材201，第一镀膜部102对基材201的一面进行镀膜，第二镀膜部103对基材201的另一面进行镀膜，搬运部104搬运载置部101，以使被载置在载置部101的基材201从第一镀膜部102被搬运至第二镀膜部103，或者从第二镀膜部103被搬运至第一镀膜部102。

在本实施例中，由于在不同的镀膜部102、103对基材201的双面进行镀膜，因此，能够针对基材201的双面，分别镀不同类型的镀膜材料，实现基材201的不同面的光电性能的差异性需求。

图5是HIT电池200的示意图，参照图5，具体地，基材201可以是例如太阳能电池的硅片，以HIT电池200为例，HIT电池200以n型单晶硅片作为基材201，在正面具有本征硅基薄膜202、n型掺杂硅基薄膜叠层203、TCO薄膜204和电极205等，在背面具有本征硅基薄膜202、p型掺杂硅基薄膜叠层206、TCO薄膜204和电极205等。在以下说明中，以在基材201的双面镀TCO薄膜204为例，进行详细说明。

继续参照图1，此外，为了方面，在下面的说明中，以第一镀膜部102对基材201的n面(正面)进行镀TCO薄膜204，第二镀膜部103对基材201的p面(背面)进行镀TCO薄膜204为例进行说明。在本实施例中，既可以先对基材201的n面进行镀膜，然后再对基材201的p面进行镀膜(即载置部101从第一镀膜部102被搬运至第二镀膜部103)，也可以先对基材201的p面进行镀膜，然后再对基材201的n面进行镀膜(即载置部101从第二镀膜部103被搬运至第一镀膜部102)。为了方面说明，下面以载置部101从第一镀膜部102被搬运至第二镀膜部103的方向，作为前后方向进行说明。

在一些实施例中，为了实现进一步实现基材201的不同面的光电性能的差异性需求，第一镀膜部102包括离子镀用镀膜装置，第二镀膜部103包括溅射镀用镀膜装置或者离子镀用镀膜装置，第一镀膜部102和第二镀膜部103分别对基材201的两面镀TCO薄膜204。

具体地，作为离子镀用镀膜装置的镀膜源，可以采用例如反应性等离子体沉积离子(RPD)镀膜源、电子束蒸镀离子镀膜源中的一种。优选RPD镀膜源，由此，能够提高TCO薄膜制备工艺中对非晶硅薄膜的适应性，提高HIT电池的性能和产出率。作为溅射镀用镀膜装置的镀膜源，则可以采用例如磁控溅射镀膜源、直流溅射镀膜源、交流溅射镀膜源、交流脉冲溅射镀膜源、射频交流溅射镀膜源等中的一种。优选使用磁控溅射镀膜源，由此能够提高TCO镀膜时的沉积速率，提高TCO薄膜的致密性。

本实施例的双面镀膜系统，由于通过不同的镀膜部102、103分别集合了离子镀镀膜和溅射镀镀膜，能够针对基材201的n面和p面，分别镀制不同类型的TCO薄膜204，以实现基材201的双面的不同类型TCO薄膜204材料的光电性能的差异性需求，扩大了TCO靶材的选用范围。能够适用于各种TCO材料以及不同类型的镀膜源。例如，可以针对基材201的n面，选用对衬底表面损伤较小的RPD镀膜用镀膜装置和具有更高迁移率以及透过率性能的TCO靶材例如IWO靶材、ITO靶材、IMO靶材等，以实现基材201的n面的高穿透性以及优异的电性能。针对基材201的p面，则选用磁控溅射镀膜用镀膜装置以及低电阻率的TCO靶材例如AZO靶材、GZO靶材等，以实现基材201的p面的导电性性能，能够降低靶材成本。进一步地，能够实现大批量地制备双面TCO薄膜204的连续生产，有利于提高大大地提高HIT电池的生产规模。

此外，需要说明的是，在上面的描述中，以不同光电性能的TCO靶材为例仅是为了说明在基材201的两面镀不同类型的TCO薄膜的材料，而并非限定在基材201的两面所镀的TCO薄膜204材料的具体类型。当然，毋庸置疑的是，本实施例的双面镀膜系统同样可以镀相同类型的TCO薄膜材料。

在一些实施例中，为了容易地对基材201的双面进行镀膜，第一镀膜部102从下朝上(沿竖直方向的从下朝上)对基材201的一面进行镀膜，第二镀膜部103从下朝上对基材201的另一面进行镀膜。具体地，例如，第一镀膜部102包括第一镀膜腔105，第一镀膜腔105中，可以设置离子镀用镀膜装置，离子镀用镀膜装置设置在第一镀膜腔105的下部，更加具体地，例如设置在第一镀膜腔105内的用于传输载置部101的滚筒线(未图示)的下部。由此，能够容易地实现对基材201的一面进行镀膜。同样地，第二镀膜部103也包括第二镀膜腔106，在第二镀膜腔106中，可以设置溅射镀用镀膜装置或者离子镀用镀膜装置，离子镀用镀膜装置则设置在第二镀膜腔106的下部，更加具体地，例如，设置在第二镀膜腔106内的用于传输载置部101的辊筒线的下部。由此，能够容易地实现对基材201的另一面进行镀膜。此外，需要说明的是，对于第一镀膜部102以及第二镀膜部103的未详细陈述的部分，均可以使用现有的配置，例如镀膜部102、103还包括对镀膜腔105、106进行开门或者关门的腔门107，对镀膜腔进行抽真空的抽真空装置(未图示)，加热装置(未图示)，载气注入装置(未图示)、残余气体分析装置(未图示)、除水汽装置(未图示)、废气处理装置(未图示)等。

由于对基材201的两面均是从下朝上地进行镀膜，因此，在其中一个镀膜部(例如第一镀膜部102)从下朝上完成对基材201的一面进行镀膜之后，在另外一个镀膜部(例如第二镀膜部103)对基材201的另一面进行镀膜之前，需要对基材201进行翻转。为此，在一些实施例中，在第一镀膜部102和第二镀膜部103之间，设置有翻转部108，翻转部108设置为在基材201从第一镀膜部102被搬运至第二镀膜部103之前，或者从第二镀膜部103被搬运至第一镀膜部102之前，对基材201进行翻转。具体地，翻转部108可以包括例如六轴机械手(未图示)，机械手的末端装有用于夹持基材201的夹持部(未图示)，夹持部可以是例如夹爪，由此能够容易地夹持基材201并进行翻转。

以下对基材201的双面镀膜的主要过程进行说明。

在搬运部104将载置有基材201的载置部101送进第一镀膜部102之后，关闭第一镀膜部102的腔门107。对封闭的第一镀膜部102的第一镀膜腔105进行抽真空，然后在第一镀膜腔105内从下朝上地对基材201的下表面(在此为n面)进行镀膜。镀膜完成后，对第一镀膜腔105进行破真空，第一镀膜腔105内的滚筒线将载置有基材201的载置部101送出。载置有基材201的载置部101被送出后，翻转部108夹持基材201并对基材201进行翻转，以使基材201未镀膜的一面(在此为p)朝下的方式将基材201载置在载置部101上。搬运部104继续将载置有基材201的载置部101送入第二镀膜部103。在搬运部104将载置有基材201的载置部101送进第二镀膜部103之后，关闭第二镀膜部103的腔门107。对封闭的第二镀膜部103的第二镀膜腔106进行抽真空，然后在第二镀膜腔106内从下朝上地对基材201的下表面进行镀膜。镀膜完成后，对第二镀膜腔106进行破真空，第二镀膜腔106内的滚筒线将载置有基材201的载置部101送出。由此，完成基材201的双面镀膜。

以上虽然以将从第一镀膜部102到第二镀膜部103的镀膜过程进行了说明，但是并非限定于此，镀膜过程也可以是从第二镀膜部103到第一镀膜部102。

继续参照图1，在一些实施例中，为了能够更加容易地针对基材201的双面分别镀不同类型的镀膜材料，实现基材201的不同面的光电性能的差异性需求，载置部101包括第一载具109和第二载具110，基材201可在第一载具109和第二载具110之间被转移，即基材201可从第一载具109被转移到第二载具110，或者从第二载具110被转移到第一载具109。第一载具109以和基材201的一面(在此为n面)相对的方式支撑基材201，被搬运部104搬运并进入第一镀膜部102或者从第一镀膜部102被送出。第二载具110以和基材201的另一面(在此为p面)相对的方式支撑基材201，被搬运部104搬运并进入第二镀膜部103或者从第二镀膜部103被送出。

具体地，第一镀膜部102的后端，设置有第一缓存工位111，第二镀膜部103的前端，设置有第二缓存工位112，翻转部108例如设置第一缓存工位111和第二缓存工位112之间。第一载具109从第一镀膜部102被送出后，被搬运部104(具体为第一搬运装置113(后述))搬运至第一缓存工位111，翻转部108夹持位于第一缓存工位111上的第一载具109的基材201，并进行翻转，然后放置于存储在第二缓存工位112上的空载的第二载具110。之后，第二载具110被搬运部104(具体为第二搬运装置114(后述))从第二缓存工位112搬运至第二镀膜部103然后进行镀膜。由此，在本实施例中，通过设置第一载具109和第二载具110，不仅能够容易地在第一镀膜部102和第二镀膜部103之间转移基材201，而且能够根据基材201的不同的面的镀膜需求，选择不同的载具，由此，能够容易地实现基材201的不同面的光电性能的差异性需求。

图2是第一载具109的俯视图，图3是图2中的A-A处的局部剖视图，图4是第二载具110的俯视图，参照图2至图4，并辅助图1，例如，在一些实施例中，第一载具109上设置有用于支撑基材201的第一支撑部115，第二载具110上设置有用于支撑基材201的第二支撑部116。通过设置不同的第一支撑部115和第二支撑部116，能够容易地实现基材201的不同面的光电性能的差异性需求。

例如，当需要实现基材201的n面的高光电性能时，除了第一镀膜部102选择对基材201的衬底表面损伤更小的离子镀镀膜装置、以及使用具有更高光电性能的TCO靶材(例如具有更高迁移率以及透过率性能的TCO靶材)之外，还可以通过尽可能使TCO薄膜204有效面积更大从而实现基材201的n面的高光电性能。因此，在一些实施例中，以第一支撑部115为例，第一支撑部115包括多个支撑基材201的边缘部的支撑件117，支撑件117间隔分布。具体地，例如，第一载具109呈盘状，第一载具109上开设有多个贯通第一载具109的钣金件的槽部118，槽部118根据基材201的形状设置。例如，当基材201为大致矩形状时，槽部118的形状也大致为矩形状。槽部118的长度和宽度设置为稍大于基材201的长度和宽度。支撑件117在槽部118的四周边缘形成，例如，槽部118的各边缘处可以分别形成两处支撑件117。由此，通过设置间隔分布的支撑件117，能够大大缩小第一支撑部115的支撑件117在支撑基材201时，其遮蔽的基材201的面积，能够扩大基材201的镀膜的有效面积。

为了进一步扩大基材201的镀膜的有效面积，在一些实施例中，支撑件117的支撑基材201的部分呈针状。具体地，例如，可以在第一载具109的槽部118的边缘处，加工出朝槽部118的中部延伸的宽度S1例如为0.8mm左右、延伸出去的长度S2例如为0.6mm的针状的支撑件117，由此，能够进一步缩小第一支撑部115的支撑件117支撑基材201时，遮蔽的基材201的面积，从而进一步扩大基材201的镀膜的有效面积。

此外，为了防止对第一载具109进行清洗时，呈针状的支撑件117由于有效支撑部分减损而导致无法支撑基材201，在一些实施例中，支撑件117可拆卸地安装到第一载具109。具体地，支撑件117可以通过例如0.8mm的不锈钢钢丝折弯成L字型状。支撑件117可以通过卡入、插入、挂钩等各种方法安装到第一载具109的槽部118的边缘处。由此，能够容易地拆卸并更换支撑件117，防止对第一载具109进行清洗时导致支撑件117损坏。

另外，为避免对n面镀膜时导致的p面绕镀所产生的旁路电阻(Rsh)降低等的问题，可以使第二支撑部116呈平面状，支撑基材201的边缘部分。具体地，例如，第二载具110可以呈盘状，第二载具110上开设有多个贯通第二载具110的钣金件的槽部118，槽部118根据基材201的形状设置，例如，当基材201为大致矩形状时，槽部118的形状也大致为矩形状。槽部118的长度和宽度设置为稍小于基材201的长度和宽度，由此，在槽部118的四周边缘形成用于支撑基材201的边缘部分的呈平面状的第二支撑部116。第二支撑部116设置为相对于其所支撑的基材201的最边缘部分，从基材201的最边缘部分朝基材201内伸进的距离S3为例如0.2mm-1.5mm。在本实施例中，通过设置呈平面状的第二支撑部116，能够遮蔽基材201的边缘部分，从而避免镀p面时，在由于镀n面时所导致的p面的边缘部分绕镀的部分的镀膜重叠，进而导致旁路电阻(Rsh)降低等的问题。进一步地，能够减少在镀膜后为去除绕镀问题所进行的化学刻蚀、激光等工艺，能够简化HIT电池200的制备流程。

此外，需要说明的是，在上面虽然以第一载具109的第一支撑部115具有间隔分布的支撑件117，第二载具110的第二支撑部116呈平面状为例进行说明，但是，并非限定于此。例如，在对基材201的n面和p面进行镀膜时，均可以使用第一载具109，或者均可以使用第二载具110。或者，也可以只使用一种类型的载具，即，翻转部108从载具上夹持基材201进行翻转，然后放回同一个载具。

继续参照图1，以下分别对第一载具109和第二载具110的搬运进行说明。

在一些实施例中，搬运部104包括：第一搬运装置113和第二搬运装置114。其中，第一搬运装置113搬运第一载具109，以使被载置在第一载具109的基材201进入第一镀膜部102或者从第一镀膜部102被送出。第二搬运装置114搬运第二载具110，以使被载置在第二载具110的基材201进入第二镀膜部103或者从第二镀膜部103被送出。具体地，第一搬运装置113和第二搬运装置114的结构大致相同，在此以第一搬运装置113为例进行说明，省略对第二搬运装置114的说明。第一搬运装置113可以是例如滚筒线、链传动线等各种传送线。以滚筒线为例，第一搬运装置113可以包括位于第一镀膜部102的前端侧的前端滚筒线119和位于第一镀膜部102的后端侧的后端滚筒线120。前端滚筒线119的前端和上料装置121例如上料机械手对接，前端滚筒线119的后端和第一镀膜腔105内的滚筒线的前端连接。后端滚筒线120的前端和第一镀膜腔105内的滚筒线的后端连接，后端滚筒线120的后端和第一缓存工位111连接。由此，能够容易地搬运第一载具109。

在一些实施例中，为了使空载的第一载具109和第二载具110回流，还包括回流部122，回流部122设置为使第一载具109从第一镀膜部102的后端返回第一镀膜部102的前端，以及使第二载具110从第二镀膜部103的后端返回第二镀膜部103的前端。具体地，例如，回流部122包括：第一回流装置123和第二回流装置124，第一回流装置123设置为使第一载具109从第一镀膜部102的后端返回第一镀膜部102的前端，第二回流装置124设置为使第二载具110从第二镀膜部103的后端返回第二镀膜部103的前端。第一回流装置123和第二回流装置124的结构大致相同，在此以第一回流装置123为例进行说明，省略对第二回流装置124的说明。第一回流装置123同样可以选择例如滚筒线、链传动线等，第一回流装置123的一端和第一缓存工位111对接，第一回流装置123的另一端和前端滚筒线119的前端对接，由此，能够容易地实现空载的第一载具109回流。

另外，虽然以回流部122包括第一回流装置123和第二回流装置124为例进行了说明，但是并非限定于此。例如，第一载具109和第二载具110也可以仅通过一个回流装置进行回流，在这种情况下，双面镀膜系统可以形成为例如U型的流水线状，第一搬运装置113以及第一镀膜部102，和第二搬运装置114以及第二镀膜部103平行设置，并分别将翻转部108和回流部122设置在两者之间。

另外，在一些实施例中，为了提高镀膜的生产效率，第一镀膜部102的前端，沿前后方向依次设置有第一进料腔125和第一进料缓冲腔126，第一镀膜部102的后端，沿前后方向依次设置有第一出料缓冲腔127和第一出料腔128。具体地，第一进料腔125和第一进料缓冲腔126分别设置在第一镀膜腔105的前端，第一出料缓冲腔127和第一出料腔128分别设置在第一镀膜腔105的后端。同样地，第二镀膜部103的前端，也可以沿前后方向依次设置有第二进料腔129和第二进料缓冲腔130，第二镀膜部103的后端，沿前后方向依次设置有第二出料缓冲腔131和第二出料腔132。

另外，第一镀膜部102和第二镀膜部103均可以包括沿前后方向设置的多个镀膜腔。

以下，对本发明第二方面实施例的双面镀膜方法进行说明。根据本发明第二方面的双面镀膜方法，用于对基材201的双面进行镀膜，包括如下步骤：步骤一：在第一镀膜部102和第二镀膜部103当中的其中一个，对基材201的一面进行镀膜；步骤二：通过搬运部104，将其中一面已被镀膜的基材201转移至第一镀膜部102和第二镀膜部103的另外一个；步骤三：在第一镀膜部102和第二镀膜部103当中的另一个，对基材201的另一面进行镀膜。

根据本发明的双面镀膜方法，由于在不同的镀膜部102、103对基材201的双面进行镀膜，因此，能够针对基材201的双面，分别镀不同类型的镀膜材料，实现基材201的不同面的光电性能的差异性需求。

在一些实施例中，为了容易地对基材201的双面进行镀膜，在步骤一和步骤三中，分别从下朝上对基材201进行镀膜。

在一些实施例中，为了使第一镀膜部102和第二镀膜部103能够分别从下朝上对基材201进行镀膜，在步骤二中，在将基材201转移至第一镀膜部102和第二镀膜部103的另外一个之前，翻转基材201以使基材201的未镀膜的一面朝下。

在一些实施例中，在第一镀膜部102和第二镀膜部103当中，其中一个用于离子镀镀膜，另一个用于离子镀镀膜或者溅射镀膜。

由于通过不同的镀膜部102、103分别集合了溅射镀膜与离子镀膜，能够针对基材201n面和p面，分别镀制不同类型的TCO薄膜204，以实现基材201的双面的不同类型TCO薄膜204材料的光电性能的差异性需求，扩大了TCO靶材的选用范围。

此外，上面的实施例中，虽然说明了在HIT电池的基材(硅片)，制备双面透明导电氧化物薄膜(TCO薄膜)的连续性的镀膜生产线以及镀膜方法，但是，本领域的技术人员在需要的情况下，可以在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，从而能够制备别的镀膜对象物。另外，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (19)

1.双面镀膜系统，用于对基材的双面进行镀膜，其特征在于，包括：

载置部，载置所述基材；

第一镀膜部，对所述基材的一面进行镀膜；

第二镀膜部，对所述基材的另一面进行镀膜；

搬运部，搬运所述载置部，以使被载置在所述载置部的所述基材从所述第一镀膜部被搬运至所述第二镀膜部，或者从所述第二镀膜部被搬运至所述第一镀膜部。

2.根据权利要求1所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述第一镀膜部包括离子镀用镀膜装置，所述第二镀膜部包括溅射镀膜用镀膜装置或者离子镀用镀膜装置，所述第一镀膜部和所述第二镀膜部分别对所述基材的两面镀TCO薄膜。

3.根据权利要求2所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述第一镀膜部从下朝上对所述基材的一面进行镀膜，所述第二镀膜部从下朝上对所述基材的另一面进行镀膜。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述载置部包括第一载具和第二载具，所述基材可从所述第一载具被转移到所述第二载具，或者从所述第二载具被转移到所述第一载具。

5.根据权利要求4所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述第一载具以和所述基材的一面相对的方式支撑所述基材，被所述搬运部搬运并进入所述第一镀膜部或者从所述第一镀膜部被送出；

所述第二载具以和所述基材的另一面相对的方式支撑所述基材，被所述搬运部搬运并进入所述第二镀膜部或者从所述第二镀膜部被送出。

6.根据权利要求3所述的双面镀膜系统，其特征在于，还包括翻转部，所述翻转部设置为在所述基材从所述第一镀膜部被搬运至所述第二镀膜部之前，或者在所述基材从所述第二镀膜部被搬运至所述第一镀膜部之前，翻转所述基材。

7.根据权利要求4所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述第一载具上设置有用于支撑所述基材的第一支撑部，所述第二载具上设置有用于支撑所述基材的第二支撑部。

8.根据权利要求7所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述第一支撑部包括多个支撑所述基材的边缘部的支撑件，所述支撑件间隔分布。

9.根据权利要求8所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述支撑件的支撑所述基材的部分呈针状。

10.根据权利要求9所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述支撑件可拆卸地安装到所述第一载具。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述第二支撑部呈平面状，支撑所述基材的边缘部。

12.根据权利要求4所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述搬运部包括：

第一搬运装置，搬运所述第一载具，以使被载置在所述第一载具的所述基材进入所述第一镀膜部或者从所述第一镀膜部被送出；

第二搬运装置，搬运所述第二载具，以使被载置在所述第二载具的所述基材进入所述第二镀膜部或者从所述第二镀膜部被送出。

13.根据权利要求12所述的双面镀膜系统，其特征在于，还包括回流部，所述回流部设置为使所述第一载具从所述第一镀膜部的后端返回所述第一镀膜部的前端，以及使所述第二载具从所述第二镀膜部的后端返回所述第二镀膜部的前端。

14.根据权利要求13所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述回流部，包括：

第一回流装置，设置为使所述第一载具从所述第一镀膜部的后端返回所述第一镀膜部的前端；

第二回流装置，设置为使所述第二载具从所述第二镀膜部的后端返回所述第二镀膜部的前端。

15.根据权利要求1或2所述的双面镀膜系统，其特征在于，所述第一镀膜部的前端，沿前后方向依次设置有第一进料腔和第一进料缓冲腔，所述第一镀膜部的后端，沿前后方向依次设置有第一出料缓冲腔和第一出料腔；

所述第二镀膜部的前端，沿前后方向依次设置有第二进料腔和第二进料缓冲腔，所述第二镀膜部的后端，沿前后方向依次设置有第二出料缓冲腔和第二出料腔。

16.双面镀膜方法，用于对基材的双面进行镀膜，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：在第一镀膜部和第二镀膜部当中的其中一个，对所述基材的一面进行镀膜；

步骤二：通过搬运部，将其中一面已被镀膜的所述基材转移至所述第一镀膜部和所述第二镀膜部的另外一个；

步骤三：在所述第一镀膜部和第二镀膜部当中的另一个，对所述基材的另一面进行镀膜。

17.根据权利要求16所述的双面镀膜方法，其特征在于，在所述步骤一和所述步骤三中，分别从下朝上对所述基材进行镀膜。

18.根据权利要求16或17所述的双面镀膜方法，其特征在于，在所述第一镀膜部和所述第二镀膜部当中，其中一个用于离子镀镀膜，另一个用于离子镀镀膜或者溅射镀膜。

19.根据权利要求16或17所述的双面镀膜方法，其特征在于，在所述步骤二中，在将所述基材转移至所述第一镀膜部和所述第二镀膜部的另外一个之前，翻转所述基材，以使所述基材的未镀膜的一面朝下。

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