CN112640081A - 静电吸盘组件和静电吸盘制造方法 - Google Patents

静电吸盘组件和静电吸盘制造方法 Download PDF

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Abstract

本实施方式公开了一种静电吸盘组件和一种静电吸盘制造方法，其中用于感测基板的基板感测部分和与用于向基板感测部分供电的电源设备连接的信号线已经被形成为嵌入在静电吸盘中。因此，本实施方式可提供为使得用于感测安装在静电吸盘上的基板的基板感测部分和用于向基板感测部分供电的信号线嵌入在静电吸盘中，与常规的方式相比，这可增强载体主体的刚性、防止变形并防止对所述载体主体的电极的干扰。

Description

静电吸盘组件和静电吸盘制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2018年8月24日提交的韩国专利申请第10-2018-0099402号的优先权，所述专利申请全文以引用方式并入本文。
技术领域
本公开内容涉及一种静电吸盘组件和一种静电吸盘制造方法，并且更特别地涉及可简化安装有静电吸盘的载体本体的接线的一种静电吸盘组件和一种静电吸盘制造方法。
背景技术
一般来讲，基板是指平板显示器(FPD)(诸如等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED))、用于半导体的晶片、用于光掩模的玻璃等。
尽管作为平板显示器(FPD)的基板和作为用于半导体的晶片的基板在其材料和用途等方面彼此不同，但用于基板的一系列处理工艺(例如，诸如曝光、显影、蚀刻、剥离、冲洗和清洁的工艺)实质非常类似，并且这些工艺相继地进行来制造基板。
最近已经在平板显示器(FPD)中备受瞩目的OLED是超薄型显示装置，其通过有机材料的自发射来实现彩色图像，并且因为其简单结构和高光效率而作为下一代有前景的显示装置引起了关注。这种OLED包括阳极、阴极和插入在阳极与阴极之间的有机膜。这里，有机膜可至少包括发光层，并且除了发光层之外，还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。
根据有机膜，特别是构成发光层的材料，OLED可分类为聚合物有机发光二极管和低分子有机发光二极管。为了实现全色，应图案化发光层，并且用于制造大尺寸OLED的方法包括使用掩模的直接图案化方法、应用激光诱导热成像(LITI)方法的方法、使用滤色器的方法等。
同时，可应用所谓的水平向上沉积方法，所述水平向上沉积方法用于将基板水平地布置在腔室中并水平地布置图案化掩模，并且然后可以进行沉积以通过应用掩模方法来制造大尺寸OLED。这种水平向上沉积方法是这样的方法：将水平地布置的基板和掩模相对于使基板在腔室中移动的载体主体底表面互相对准，然后将它们粘结，并且将有机材料沉积在处于水平状态下的大尺寸基板上。
随着OLED的尺寸变得更大，掩模的尺寸更大且重量也更重，在这种情况下，基板或掩模可能在重力方向上发生下垂，并且可能需要更多地考虑将掩模与基板紧密地接触。
同时，可考虑竖直沉积系统，所述竖直沉积系统用于将水平地布置的基板和掩模相对于载体主体的底表面互相对准，并且然后将它们粘结，接着旋转载体主体以使其竖直地站立并沉积有机材料。
如上所述，使用静电吸盘来将基板安装在腔室中。静电吸盘是将预定电压施加到通过堆叠在金属基座的顶表面上而形成以吸附半导体基板或玻璃基板等的吸附电极，来在表面上形成电荷或电场的结构。如上所述，形成在静电吸盘的表面上的电力致使基板吸附在静电吸盘的顶表面上。
如果在由静电吸盘保持基板时，在静电吸盘与基板之间插入了异物(诸如颗粒)或基板起初没有完全地变平，则基板的一部分可能无法被正常地吸附。另外，包括在静电吸盘中的吸附电极的一部分可能会断开或覆盖吸附电极的绝缘层或电介质层的一部分可能会损坏，由此导致基板的吸附不良。
提供基板传感器以确认基板是否被正常地吸附或在基板的移动期间发生诸如基板的破裂、滑移等的问题时对其进行监测。可在其中安装有静电吸盘的载体主体下方配备基板感测传感器。另外，可将基板感测传感器安装在载体主体上以从用于向静电吸盘供电的电源设备接收电力。
为此目的，由线缆连接基板感测传感器和电源设备。可通过用于通过切割载体主体表面来安装的沟槽方法来将线缆安装在载体主体上。
当由线缆连接基板感测传感器和电源设备时，可能需要更多地考虑防止在安装在载体主体上的外围电极与线缆之间的干扰。此外，在竖直沉积系统的情况下，可能会使载体主体的厚度相对薄，并且当切割载体主体的表面时，可能会减小载体主体的刚性。
发明内容
本公开内容的一个目标在于提供可简化用于确认基板是否吸附在静电吸盘上的传感器的安装结构的一种静电吸盘组件和一种静电吸盘制造方法。
另外，本公开内容的另一个目标在于提供可增强静电吸盘制造的工作效率和生产率的一种静电吸盘结构和一种静电吸盘制造方法。
所述目标通过包括以下项实现：静电吸盘，所述静电吸盘用于通过产生静电力来粘结基板；电源设备，所述电源设备用于向所述静电吸盘供电；载体主体，所述静电吸盘和所述电源设备安装在所述载体主体上；一个或多个基板感测部分，所述一个或多个基板感测部分用于感测所述基板是否相对于所述静电吸盘被吸附；和信号线，所述信号线用于将所述电源设备与所述基板感测部分连接，以便从所述电源设备向所述基板感测部分供电，并且所述信号线通过嵌入在所述静电吸盘中而形成。
另外，在根据本实施方式的静电吸盘组件中，所述基板感测部分可通过与所述信号线一起嵌入在所述静电吸盘中而形成。
另外，根据本实施方式的所述静电吸盘组件包括连接端子，所述连接端子至少部分地暴露于所述静电吸盘的外部，并且固定到所述静电吸盘以与所述信号线连接。
另外，根据本实施方式的所述静电吸盘组件包括插头，所述插头具有与所述基板感测部分连接的一个端部，具有与所述连接端子耦接的另一个端部，以将所述基板感测部分与所述信号线电连接。
另外，在根据本实施方式的所述静电吸盘组件中，所述静电吸盘包括插头耦接部分，所述插头耦接部分形成在所述静电吸盘的边缘表面上，并形成为朝向所述静电吸盘的内表面凹缩。
另外，在根据本实施方式的所述静电吸盘组件中，当所述静电吸盘安装在所述载体主体上时，所述连接端子形成在所述静电吸盘的接触所述载体主体的所述内表面的一个侧表面上。
另外，根据本实施方式的所述静电吸盘组件包括接触端子，所述接触端子形成在所述载体主体的所述内表面上，并且当所述静电吸盘安装在所述载体主体上时，所述接触端子接触所述连接端子并与所述连接端子电连接。
另外，在根据本实施方式的所述静电吸盘组件中，所述静电吸盘包括：金属材料的基座构件；下电介质层，所述下电介质层形成在所述基座构件上；电极层，所述电极层通过沉积在所述下电介质层上来形成；所述信号线，所述信号线形成在与所述电极层相同的线上；和上电介质层，所述上电介质层形成在所述电极层和所述信号线上，以便包括所述电极层和所述信号线。
另外，在根据本实施方式的所述静电吸盘组件中，所述静电吸盘包括：金属材料的基座构件；下电介质层，所述下电介质层形成在所述基座构件上；所述信号线，所述信号线形成在所述下电介质层上；第一上电介质层，所述第一上电介质层形成在所述信号线上，以便包括所述信号线；电极层，所述电极层通过沉积在所述第一上电介质层上来形成；和第二上电介质层，所述第二上电介质层形成在所述电极层上，以便包括所述电极层。
另外，在根据本实施方式的所述静电吸盘组件中，所述电源设备包括可再充电电池，所述可再充电电池用于向所述静电吸盘和所述基板感测部分供电。
另外，作为用于制造静电吸盘以便将用于感测所粘结的基板的基板感测部分的信号线嵌入在静电吸盘中的静电吸盘制造方法，所述目标通过包括以下项实现：在金属材料的基座构件上形成下电介质层；通过沉积来在所述下电介质层上形成电极层和与所述电极层在相同的线上的信号线，所述信号线用于将用于向多个基板感测部分供电的电源设备与所述基板感测部分电连接，所述多个基板感测部分用于感测安置在所述静电吸盘上的基板是否被吸附；和在所述电极层和所述信号线上形成上电介质层，使得在所述上电介质层中包括所述电极层和所述信号线。
另外，根据本实施方式的所述静电吸盘制造方法包括在形成所述上电介质层之后，形成连接端子，所述连接端子至少部分地暴露于所述静电吸盘的外部，并且固定到所述静电吸盘以与所述信号线连接。
另外，作为用于制造静电吸盘以便将用于感测所粘结的基板的基板感测部分的信号线嵌入在静电吸盘中的静电吸盘制造方法，并且作为用于制造安装在载体主体上的静电吸盘的静电吸盘制造方法，所述目标通过包括以下项实现：在金属材料的基座构件上形成下电介质层；通过沉积来在所述下电介质层上形成信号线，所述信号线用于将用于向多个基板感测部分供电的电源设备与所述基板感测部分电连接，所述多个基板感测部分用于感测安置在所述静电吸盘上的基板是否被吸附；在所述信号线上形成第一上电介质层，使得在所述第一上电介质层中包括所述信号线；通过沉积来在所述第一上电介质层上形成电极层；和在所述电极层上形成第二上电介质层，使得在所述第二上电介质层中包括所述电极层。
另外，根据本实施方式的所述静电吸盘制造方法包括在形成所述第二上电介质层之后，形成连接端子，所述连接端子至少部分地暴露于所述静电吸盘的外部，并且固定到所述静电吸盘以与所述信号线连接。
根据本公开内容，可感测基板是否与静电吸盘紧密地接触和基板是否已经定位在正确位置处。
另外，可在静电吸盘内部形成用于连接用于感测基板的基板感测部分与用于向基板感测部分供电的电源设备的信号线。因此，无需用于在载体主体上形成用于将电源设备与基板感测部分连接的线缆的后处理，就可将电源设备与基板感测部分连接。
尤其是，不必在载体主体上形成信号线，由此不影响载体主体的刚性，同时将电源设备与基板感测部分电连接，即使载体主体的厚度变薄也是如此。
另外，由于信号线没有形成在载体主体上，因此可最小化在形成在载体主体上的电极与信号线之间的干扰，并且此外，简化静电吸盘组件。
附图说明
图1是根据本实施方式的示出静电吸盘和载体主体的平面图，用于感测基板是否被吸附的基板感测部分的信号线已经嵌入在静电吸盘中，静电吸盘已经安装在载体主体上。
图2是根据本公开内容的一个实施方式的示出静电吸盘的截面的截面图。
图3是根据本公开内容的另一个实施方式的示出静电吸盘的截面的截面图。
图4是通过放大图1的区域A示出基板感测部分的连接端子和耦接到连接端子的插头的实施方式的局部平面图。
图5是通过放大图1的区域B示出基板感测部分的连接端子的另一个实施方式的局部平面图。
图6是静电吸盘的侧视图，其示出了其中已经朝向基板形成孔以使得执行基板感测部分的基板感测的实施方式。
图7是根据本公开内容的一个实施方式的示出静电吸盘制造方法的流程图。
图8是根据本公开内容的另一个实施方式的示出静电吸盘制造方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图如下详细地描述本公开内容的优选实施方式。然而，在描述本公开内容时，将省略对已知的功能或构造的描述以阐明本公开内容的要旨。
图1是根据本公开内容的示出静电吸盘和载体主体的平面图，用于感测基板是否被吸附的基板感测部分的信号线已经嵌入在静电吸盘中，静电吸盘已经安装在载体主体上，并且图2是根据本公开内容的一个实施方式的示出静电吸盘的截面的截面图。
首先，参考图1，本实施方式的静电吸盘组件包括：静电吸盘20，所述静电吸盘用于通过产生静电力来粘结基板(S，参见图4)；电源设备12，所述电源设备用于在静电吸盘的顶表面上向静电吸盘20供电；载体主体10，所述载体主体上安装有静电吸盘20和电源设备12；一个或多个基板感测部分30，所述一个或多个基板感测部分用于感测基板是否被吸附到静电吸盘20；和信号线35，所述信号线用于将电源设备12与基板感测部分30连接，以便从电源设备12向基板感测部分30供电。
使用这种静电吸盘组件的基板处理设备可为用于对基板执行处理的任何设备，诸如化学气相沉积(CVD)设备、溅射设备、离子注入设备、蚀刻设备或蒸发沉积设备。
优选地，根据本实施方式的静电吸盘20用于在与大气压力相比非常低的压力下执行工艺的设备中。另外，将以包括由双极性组成的电极层的示例来描述根据本实施方式的静电吸盘20，在这样的电极层中，脉冲信号交替地出现+和-。
另外，根据本实施方式的静电吸盘20优选地用于蒸发沉积设备中，所述蒸发沉积设备用于作为制造设备通过从蒸发源蒸发的沉积材料在基板上形成沉积膜，诸如OLED基板。
另外，根据本实施方式的静电吸盘20可构想为各种形状作为用于产生用于吸附和固定基板的静电力的部件。静电吸盘20可形成在载体主体10上，并且可包括电介质层，在所述电介质层中已经形成被施加DC电力的电极层。
参考图2，根据本实施方式，用于连接基板感测部分30和电源设备12的信号线35可嵌入在静电吸盘20中。特定地，静电吸盘20可包括：金属材料的基座构件21；下电介质层23，所述下电介质层形成在基座构件21上；电极层25，所述电极层通过沉积在下电介质层23上来形成；信号线35，所述信号线形成在与电极层25相同的线上；和上电介质层27，所述上电介质层形成在电极层25和信号线35上，以便包括电极层25和信号线35。
电极层25由上电介质层27中的材料(诸如钨)制成，并且用作与DC电力电连接以产生静电力的部件。可通过使用等离子体喷涂方法、丝网印刷等来形成电极层25。另外，可根据基板的吸附方法来形成一个或多个电极层25。
上电介质层23和下电介质层27是具有能够产生通过向电极层25施加电力产生的静电力的介电常数的部件。上电介质层23和下电介质层27可通过各种方法中的一种来形成，所述方法诸如从陶瓷材料进行等离子体喷涂。
载体主体10可设在静电吸盘20的边缘处。载体主体10是能够在用于执行基板处理的基板处理系统中传送处于其中基板已经被吸附并固定的状态下的基板的构造。
此外，载体主体10可由金属材料(诸如铝或SUS)制成，以确保机械刚性，但可根据使用状况而以各种改变来构造材料和结构等。
另外，载体主体10安装有用于向静电吸盘20供电的电源设备12。电源设备12可为可再充电电池。此时，可在电源设备12与静电吸盘20之间安装静电吸盘侧电源设备连接线22。在本实施方式中，电源设备120例如是可再充电电池，但电源设备12可为除可再充电电池之外的用于向载体主体10供电的设备中的任一种，诸如外部电源。
同时，在基板处理工艺中，当基板未与静电吸盘20紧密地接触时，颗粒可在基板与静电吸盘20的顶表面之间流动，从而污染基板的背表面，由此导致不良基板处理。
因此，本实施方式可包括一个或多个基板感测部分30，用于监测诸如在基板的紧密接触期间基板的破裂和滑移及基板的移动的问题的发生。
例如，在本实施方式中，如图1所示，将描述例如基板感测部分30可由安装在静电吸盘20的边缘的每个拐角处的第一基板感测部分30A和第二基板感测部分30B构成。然而，自然地，可根据本公开内容的状况来改变安装基板感测部分30的位置等。
另外，基板感测部分30可为各种构造中的任一种，所述构造诸如用于感测由静电吸盘20所产生的静电力产生的热的热传感器、用于测量基板的位置的位置传感器、和激光器，并且根据基板感测部分30的状况而改变。
特别地，基板感测部分30可安装在静电吸盘20下方，与静电吸盘20的拐角相邻。即，当基板与静电吸盘20紧密地接触时，基板感测部分30可感测基板的拐角区域。
基板感测部分30从电源设备12接收电力。为此目的，基板感测部分30和电源设备12通过信号线35连接。此时，信号线35形成为嵌入在静电吸盘20中。特定地，可在形成静电吸盘20的电极层25的工艺中将信号线35形成为定位在与电极层25相同的线上，这是静电吸盘20的制造工艺。
如上所述，由于信号线35形成为嵌入在静电吸盘20中，因此不必在载体主体10上形成用于将电源设备12与基板感测部分30连接的线缆，由此不使载体主体10的刚性减小。
特定地，在基板沉积系统中的竖直沉积系统的情况下，载体主体10的厚度趋于变薄。因此，当用于将基板感测部分30与电源设备12连接的线缆形成在载体主体10上时，载体主体10的刚性可能会减小。然而，根据本实施方式，用于将基板感测部分30与电源设备12连接的信号线35形成为嵌入在静电吸盘20中，由此不影响载体主体10的刚性。
此外，由于信号线35没有形成在载体主体10上，因此可最小化在形成在载体主体10上的电极与信号线35之间的干扰，并且此外，可简化静电吸盘组件。
另外，由于在制造静电吸盘20的工艺中形成信号线35，因此可减少用于制造连接有基板感测部分30和电源设备12的静电吸盘组件的制造时间，由此增强工作效率。
同时，在本实施方式中，基板感测部分30例如形成在静电吸盘20的边缘处，但也可形成为与信号线35一起嵌入在静电吸盘20中。
返回到图1，信号线35可与电源设备12连接。为此目的，信号线35和电源设备12可安装有信号线侧电源设备连接导线32。
同时，图3是根据本公开内容的另一个实施方式的示出静电吸盘的截面的截面图。
在图3的描述之前，假定如果图3中指示的附图标记与图1和图2中的附图标记相同，那么它们是相同的构造，将省略对它们的详细描述。
参考图3，静电吸盘20包括：金属材料的基座构件21；下电介质层23，所述下电介质层形成在基座构件21上；信号线35，所述信号线形成在下电介质层23上；第一上电介质层27a，所述第一上电介质层形成在信号线35上，以便包括线35；电极层25，所述电极层沉积并形成在第一上电介质层27a上；和第二上电介质层27b，所述第二上电介质层形成在电极层25上，以便包括电极层25。
即，信号线35可嵌入在静电吸盘20中并形成在第一上电介质层27a与第二上电介质层27b之间，由此最小化在形成在第二上电介质层27b中的电极层25与信号线35之间的干扰。
如上所述，由于信号线35形成在静电吸盘20内部，因此需要单独的连接结构以将信号线35与基板感测部分30连接。例如，静电吸盘20包括连接端子34，所述连接端子至少部分地暴露于静电吸盘20的外部，并且固定到静电吸盘20以与信号线35连接。因此，可准备插头，所述插头具有与基板感测部分30连接的一个端部，并且具有与连接端子34耦接的另一个端部，以将基板感测部分30与信号线35电连接。
在本实施方式中，例如，准备了用于将基板感测部分30与信号线35连接的插头，但替代地，基板感测部分30和信号线35也可在不使用插头的情况下直接地连接。
在下文中，将参考图4详细地描述插头。
图4是通过放大图1的区域A示出基板感测部分的连接端子和耦接到连接端子的插头的实施方式的局部平面图。
参考图4，静电吸盘20安装有连接端子34。连接端子34可具有接触嵌入在静电吸盘20中的信号线35的一个端部，并且具有暴露于静电吸盘20的外部的另一个端部。由于连接端子34的一个端部已经接触信号线35，因此当向信号线35供电时可向连接端子34供电。
耦接到连接端子34的插头40包括插头端子44，连接端子34安装在所述插头端子上。插头端子44允许插头40耦接到连接端子34，使得供应到连接端子34的电力可通过插头端子44供应到插头40。此外，所供应的电力可传递到与插头40连接的基板感测部分30。通过这种构造，可连接信号线35和基板感测部分30。
同时，静电吸盘20包括插头耦接部分26，插头40耦接到所述插头耦接部分。插头耦接部分26可形成在静电吸盘20的边缘表面上并形成为朝向静电吸盘20的内表面沉陷。即，如图4所示，插头耦接部分26可以沟槽形状形成在静电吸盘20的边缘处。因此，可在已经由沟槽形状的插头耦接部分26耦接插头40和连接端子34之后最小化插头40从静电吸盘的边缘的突出，由此防止干扰静电吸盘20的周边。
在本实施方式中，例如形成插头耦接部分26以便耦接静电吸盘20和插头40，但替代地，也可在没有插头耦接部分26的情况下连接静电吸盘20和插头40。
另外，如上所述，在本实施方式中，基板感测部分30可由安装在静电吸盘20的边缘的每个拐角处的第一基板感测部分30A和第二基板感测部分30B构成。在下文中，本实施方式的插头40例如连接到信号线35以向第一基板感测部分30A供电。
或者，连接端子34也可以表面端子形状形成在静电吸盘20的一个表面上。在下文中，将参考图5描述连接端子的另一个实施方式。
图5是通过放大图1的区域B示出基板感测部分的连接端子的另一个实施方式的局部平面图。
如图5所示，连接端子34可形成为表面端子形状，并且特定地，当静电吸盘20安装在载体主体10上时，所述连接端子可形成在静电吸盘20的接触载体主体10的内表面的一个侧表面上。
对应地，载体主体10可包括形成在载体主体10的内表面上的接触端子144，并且当静电吸盘20安装在载体主体10上时，接触端子144接触连接端子34并与所述连接端子电连接。
根据这个构造，当静电吸盘20安装在载体主体10上时，连接端子34和接触端子144彼此接触，并且从电源设备12供应的电力可在通过连接端子34和接触端子144供应时供应到基板感测部分30。
同时，自然地，可根据状况来改变将描述的连接端子34和插头40及连接端子34和接触端子144的配置和操作效果，并且本实施方式不限于将描述的构造。
同时，图6是静电吸盘的侧视图，其示出了其中已经朝向基板形成孔以便执行基板感测部分的基板感测的实施方式。
在图6的描述之前，假定如果图6中指示的附图标记与图1至图5中指示的附图标记相同，那么它们是相同的构造，将省略对它们的详细描述。
参考图6，静电吸盘组件的基板感测部分30可相对于静电吸盘20的已经安装有基板(S)的一个表面定位在静电吸盘20下方，这里是静电吸盘20的另一个表面。特定地，可通过包围静电吸盘20的边缘来安装载体主体10。此时，基板感测部分30可安装在与用于支撑静电吸盘20的下侧的载体主体10的端部部分相邻的位置处。
特别地，基板感测部分30可定位在静电吸盘20下方，面对基板(S)的边缘。因此，当基板(S)定位在静电吸盘20上时，可感测基板(S)的边缘区域以感测静电吸盘20和基板(S)是否彼此紧密地接触和基板(S)的紧密接触位置。
此时，静电吸盘20包括通孔24，所述通孔用于朝向基板(S)竖直地穿透，使得执行基板感测部分30的基板感测。优选地，基板感测部分30可安装成面对通孔24。通孔24使得基板感测部分30能够容易地感测基板(S)是否定位在正确位置或是否已经与静电吸盘20紧密地接触。
在下文中，将参考图7和图8描述用于制造包括此构造的静电吸盘组件的工艺。
图7是根据本公开内容的一实施方式的示出静电吸盘制造方法的流程图，并且图8是根据本公开内容的另一个实施方式的示出静电吸盘制造方法的流程图。
首先，参考图7，在金属材料的基座构件21上形成下电介质层23，并且电极层25通过沉积在下电介质层23上而形成(图7A)。
此时，电极层25可由双极性静电吸盘构成，所述双极性静电吸盘通过形成为使得脉冲信号交替地出现+和-来制造。另外，可根据基板(S)的吸附方法来形成一个或多个电极层25，并且在本实施方式中，例如，将描述形成多个电极层25。
当沉积电极层25时，形成与用于感测安置在静电吸盘20上的基板(S)的多个基板感测部分30连接的信号线35(图7B)。即，信号线35可形成在与电极层25相同的线上。因此，可连接基板感测部分30和电源设备12而无需在载体主体10上形成将电源设备12与基板感测部分30连接的线缆的后处理。
特别地，可减少用于制造与基板感测部分30和电源设备12连接的静电吸盘组件的制造时间，由此增强生产率和工作效率。
此外，一般来讲，在通过切割载体主体10的表面形成的沟槽中形成信号线。然而，在本实施方式中，由于在静电吸盘20内部形成信号线35，因此为了防止载体主体10的刚性降低，可对载体主体10的表面进行切割。
另外，不仅可防止在形成在载体主体10上的电极与信号线35之间的干扰，而且可简化静电吸盘组件。
同时，基板感测部分30是感测安装在静电吸盘20上的基板(S)是否与其紧密地接触、基板(S)是否安装在正确位置等的构造。基板感测部分30可为各种构造中的任一种，所述构造诸如用于感测由静电吸盘20所产生的静电力产生的热的热传感器、用于测量基板的位置的位置传感器、激光器等，并且可根据状况而改变基板感测部分30。
基板感测部分30从电源设备12接收电力。此时，信号线35可为将基板感测部分30与电源设备12连接的构造。当信号线35形成静电吸盘20的电极层25时，信号线35在形成要形成在静电吸盘20内部的电极层25的工艺中一起形成。因此，不需要将用于将电源设备12与基板感测部分30连接的线缆单独地安装在载体主体10上或在静电吸盘20外部的工艺。
在下电介质层23上形成电极层25和信号线35之后，在电极层25和信号线35上形成上电介质层27(图7C)。上电介质层27是具有用于产生通过向电极层25施加电力产生的静电力的介电常数的部件。可通过各种方法中的任一种来形成上电介质层27，所述方法诸如从陶瓷材料进行等离子体喷涂。
同时，在形成上电介质层27之后，可形成连接端子34，所述连接端子至少部分地暴露于静电吸盘20的外部，并且固定到静电吸盘以与信号线35连接。即，在本实施方式中，信号线35不暴露于外部。因此，在将静电吸盘20安装在载体主体10上之后，仅当信号线35和基板感测部分30连接时，基板感测部分30才可感测基板(S)。为此目的，将连接端子34安装在静电吸盘20上，以便与信号线35连接。连接端子34的一个端部可接触信号线35，而所述连接端子的另一个端部可暴露于静电吸盘20的外部。
当将连接端子34安装在静电吸盘20上时，可将插头40耦接到连接端子34。当插头40和连接端子34彼此耦接时，可通过连接端子34和插头40将供应到信号线35的电力供应到基板检测部分30。可监测诸如基板(S)的紧密接触状态、基板的破裂和滑移等问题。
同时，尽管已经描述了本实施方式的连接端子34耦接到插头40，但例如，如图5所示，连接端子34也可形成为点形端子形状。
或者，可在与电极层25不同的层上形成信号线35。
如图8所示，根据本公开内容的另一个实施方式的静电吸盘制造方法，在金属材料的基座构件21上形成下电介质层23，并且在下电介质层23上形成信号线35(图8A)。
当在下电介质层23上形成信号线35时，在信号线35上形成第一上电介质层27a，以便在所述第一上电介质层中包括信号线35(图8B)。
此后，通过堆叠在第一上电介质层27a上来形成多个电极层25(图8C)，并且可在电极层25上形成第二上电介质层27b，使得在所述第二上电介质层中包括电极层25(图8D)。
如上所述，可制造静电吸盘20，使得电极层25和信号线35形成在彼此不同的层上，由此防止电极层25和信号线35彼此干扰。
同时，在形成第二上电介质层27b之后，可将连接端子34安装在静电吸盘20上。
如上所述，连接端子34可接触与基板感测部分30连接的插头40或形成在载体主体10上的接触端子144，并且将基板感测部分30与信号线35电连接。
如上所述，本实施方式可形成能够感测与静电吸盘20紧密地接触的基板(S)是否紧密地接触所述静电吸盘并且已经定位在正确位置的基板感测部分30，以及在静电吸盘20内部的用于连接用于向基板感测部分30供电的电源设备12的信号线35。因此，可减少用于制造静电吸盘20的工作时间，由此提高工作效率。
本公开内容的前述描述意图进行说明，并且本公开内容所属领域的技术人员将理解，在不改变本公开内容的技术精神或基本特征的情况下，可容易地以其他特定形式修改本公开内容。因此，应理解，上述实施方式在所有方面都是示例性的而非限制性的。例如，描述为单一类型的每个部件也可以分布式方式实施，并且类似地，描述为分布式的部件可以组合形式实施。
本公开内容的范围是由所附权利要求书而非详细描述指示，并且应理解，从权利要求的含义和范围及其等同概念得出的所有改变或修改都被包括在本公开内容的范围内。

Claims (14)

1.一种静电吸盘组件，包括：
静电吸盘，所述静电吸盘用于通过产生静电力来粘结基板；
电源设备，所述电源设备用于向所述静电吸盘供电；
载体主体，所述静电吸盘和所述电源设备安装在所述载体主体上；
一个或多个基板感测部分，所述一个或多个基板感测部分用于感测所述基板是否相对于所述静电吸盘被吸附；和
信号线，所述信号线用于将所述电源设备与所述一个或多个基板感测部分连接，以便从所述电源设备向所述一个或多个基板感测部分供电，
其中所述信号线通过嵌入在所述静电吸盘中而形成。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘组件，
其中所述一个或多个基板感测部分通过与所述信号线一起嵌入在所述静电吸盘中而形成。
3.根据前述权利要求中任一项所述的静电吸盘组件，包括连接端子，所述连接端子至少部分地暴露于所述静电吸盘的外部，并且固定到所述静电吸盘以与所述信号线连接。
4.根据权利要求3所述的静电吸盘组件，包括插头，所述插头具有与所述一个或多个基板感测部分连接的一个端部，具有与所述连接端子耦接的另一个端部，以将所述一个或多个基板感测部分与所述信号线电连接。
5.根据权利要求3和4中任一项所述的静电吸盘组件，
其中所述静电吸盘包括插头耦接部分，所述插头耦接部分形成在所述静电吸盘的边缘表面上并形成为朝向所述静电吸盘的内表面凹缩。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的静电吸盘组件，
其中当所述静电吸盘安装在所述载体主体上时，所述连接端子形成在所述静电吸盘的接触所述载体主体的内表面的一个侧表面上。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的静电吸盘组件，包括接触端子，所述接触端子形成在所述载体主体的内表面上，并且当所述静电吸盘安装在所述载体主体上时，所述接触端子接触所述连接端子并与所述连接端子电连接。
8.根据前述权利要求中任一项所述的静电吸盘组件，
其中所述静电吸盘包括
金属材料的基座构件；
下电介质层，所述下电介质层形成在所述基座构件上；
电极层，所述电极层通过沉积在所述下电介质层上来形成；
所述信号线，所述信号线形成在与所述电极层相同的线上；和
上电介质层，所述上电介质层形成在所述电极层和所述信号线上，以便包括所述电极层和所述信号线。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的静电吸盘组件，
其中所述静电吸盘包括
金属材料的基座构件；
下电介质层，所述下电介质层形成在所述基座构件上；
所述信号线，所述信号线形成在所述下电介质层上；
第一上电介质层，所述第一上电介质层形成在所述信号线上，以便包括所述信号线；
电极层，所述电极层通过沉积在所述第一上电介质层上来形成；和
第二上电介质层，所述第二上电介质层形成在所述电极层上，以便包括所述电极层。
10.根据前述权利要求中任一项所述的静电吸盘组件，
其中所述电源设备包括可再充电电池，所述可再充电电池用于向所述静电吸盘和所述一个或多个基板感测部分供电。
11.一种用于制造安装在载体主体上的静电吸盘的静电吸盘制造方法，包括：
在金属材料的基座构件上形成下电介质层；
通过沉积来在所述下电介质层上形成电极层和与所述电极层在相同的线上的信号线，所述信号线用于将用于向多个基板感测部分供电的电源设备与所述基板感测部分电连接，所述多个基板感测部分用于感测安置在所述静电吸盘上的基板是否被吸附；和
在所述电极层和所述信号线上形成上电介质层，使得在所述上电介质层中包括所述电极层和所述信号线。
12.根据权利要求11所述的静电吸盘制造方法，包括
在形成所述上电介质层之后，
形成连接端子，所述连接端子至少部分地暴露于所述静电吸盘的外部，并且固定到所述静电吸盘以与所述信号线连接。
13.一种用于制造安装在载体主体上的静电吸盘的静电吸盘制造方法，包括：
在金属材料的基座构件上形成下电介质层；
通过沉积来在所述下电介质层上形成信号线，所述信号线用于将用于向多个基板感测部分供电的电源设备与所述基板感测部分电连接，所述多个基板感测部分用于感测安置在所述静电吸盘上的基板是否被吸附；
在所述信号线上形成第一上电介质层，使得在所述第一上电介质层中包括所述信号线；
通过沉积来在所述第一上电介质层上形成电极层；和
在所述电极层上形成第二上电介质层，使得在所述第二上电介质层中包括所述电极层。
14.根据权利要求13所述的静电吸盘制造方法，包括
在形成所述第二上电介质层之后，
形成连接端子，所述连接端子至少部分地暴露于所述静电吸盘的外部，并且固定到所述静电吸盘以与所述信号线连接。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000019521A1 (en) * 1998-09-29 2000-04-06 Applied Materials, Inc. Chuck with integrated piezoelectric sensors for wafer detection
KR20070074395A (ko) * 2006-01-09 2007-07-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 장비
KR20180022520A (ko) * 2016-11-02 2018-03-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판처리장치의 캐리어
US20180096869A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Electrostatic chuck and substrate fixing device
CN108431940A (zh) * 2015-12-08 2018-08-21 沃特洛电气制造公司 减小的线数量的加热器阵列块
CN108432341A (zh) * 2015-10-28 2018-08-21 沃特洛电气制造公司 集成加热器和传感器系统

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6592673B2 (en) * 1999-05-27 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate
JP4378822B2 (ja) * 1999-07-09 2009-12-09 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックおよびユニット
US8169769B2 (en) * 2008-09-11 2012-05-01 Tel Epion Inc. Electrostatic chuck power supply
CN106575634A (zh) * 2014-08-15 2017-04-19 应用材料公司 在等离子体增强化学气相沉积系统中于高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置
KR101719260B1 (ko) * 2015-11-03 2017-03-23 (주)파웰이엔지 스마트 정전 척, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그의 통신 모듈 구동 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000019521A1 (en) * 1998-09-29 2000-04-06 Applied Materials, Inc. Chuck with integrated piezoelectric sensors for wafer detection
KR20070074395A (ko) * 2006-01-09 2007-07-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 장비
CN108432341A (zh) * 2015-10-28 2018-08-21 沃特洛电气制造公司 集成加热器和传感器系统
CN108431940A (zh) * 2015-12-08 2018-08-21 沃特洛电气制造公司 减小的线数量的加热器阵列块
US20180096869A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Electrostatic chuck and substrate fixing device
KR20180022520A (ko) * 2016-11-02 2018-03-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판처리장치의 캐리어

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