CN112599689A - 一种高效率白光器件结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高效率白光器件结构,所述白光器件结构由下至上依次包括:阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、黄光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层、薄膜封装层;并根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度;本发明提供的高效率白光器件结构具有以下有益效果:该结构能够使黄光和蓝光同时谐振加强,蓝光和黄光可同时谐振增强时,蓝光发光层的微腔阶数=5、黄光发光层的微腔阶数=4;本发明中的高效率白光器件结构可提高WOLED的发光效率,改善产品的使用寿命。
Description
技术领域
本发明属于WOLED技术领域,具体涉及一种高效率白光器件结构。
背景技术
与传统的AMOLED显示技术相比,硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高,可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场,在军事以及消费电子领域,硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮,为用户带来前所未有的视觉体验。
受限于金属掩膜版的制作技术,现有的高ppi硅基OLED产品多采用common mask蒸镀OLED,若是全彩产品则使用WOLED(白光OLED)+CF(彩色滤光片)技术。目前常见的实现白光OLED器件结构有以下几种方案:发光层为Y+B结构,YB共用主体材料,通常均为荧光材料,该器件结构简单,易于实现白色发光,但器件的效率较低;发光层分别为signle B+Y结构和single B+G+R结构,这两种结构均属于弱微腔结构,此时Y和G/R可为磷光材料,器件效率有提高,但该结构实现白光受激子复合区影响较大,光色不稳定;发光层分别为tandem B+Y、tandem B+G+R叠层结构,该类型器件效率会有大幅度提升,但是需要解决RGBY因不同光学微腔长度导致的色偏问题。
当前硅基OLED用来解决WOLED因RGB不同光学微腔长度导致的色偏方法有以下两种:其一是在阳极上制作不同厚度的ITO膜层,即RGB像素区域对应的ITO厚度不一样,通过ITO厚度的来实现WOLED中RGB三个颜色的微腔调整,如图6所示,但是该种方法工艺复杂,需要经过多次涂曝显工艺,并且要求器件与ITO的厚度匹配要精准;其二是使用透明金属IZO或者ITO等作为阴极,消除微腔效应,如图7所示,但是该种方法需要增加特殊的溅射设备,以防止ITO或者IZO成膜过程中对OLED造成损伤。
以上两种方案对工艺和设备成本要求较高,目前还在研发阶段,尚未大量应用于实际生产中。
发明内容
本发明提供了一种高效率白光器件结构,以解决因EML-Y和EML-B各自的谐振腔长不同导致的导致Y和B光谱不能同时谐振增强导致产品效率较低或者CIE偏离的问题,进而提高WOLED的发光效率,改善产品的使用寿命。
为实现上述目的,本发明采取的具体技术方案为:
一种高效率白光器件结构,所述白光器件结构由下至上依次包括:阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、黄光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层、薄膜封装层。其为多阶叠层WOLED顶发射器件结构;并根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度;本发明中有机层的厚度为阳极与阴极之间所有层的总厚度。
所述OLED微腔计算公式为:其中ni为OLED有机层的折射率,di为有机层的厚度,φ为光在阴极和阳极表面反射相移,λ为光波波长,m为发射模的级数,也称为微腔的阶数;当有机层的厚度和光波波长满足上述关系时,光就会被加强;
当蓝光和黄光分别加强所对应的有机层厚度相同或相近时,蓝光和黄光可同时谐振增强,这样可得到高发光效率和长寿命的WOLED。
进一步地,蓝光和黄光可同时谐振增强时,蓝光发光层的微腔阶数=5、黄光发光层的微腔阶数=4。
所述蓝光发光层中发光材料为荧光类型发光材料,所述蓝光发光层的厚度范围为10-30nm,优选为15nm。
所述蓝光发光层中发光材料的掺杂浓度范围为2%-5%,优选为3%。
所述黄光发光层中发光材料为磷光类型发光材料,所述黄光发光层的厚度范围为20-40nm,优选为30nm。
所述黄光发光层中发光材料的掺杂浓度范围为6%-10%,优选为8%。
除蓝光发光层和黄光发光层外,其余各层材料的特性和能级搭配均要WOLED的需求。
与现有技术相比,本发明提供的高效率白光器件结构具有以下有益效果:该结构能够使黄光和蓝光同时谐振加强,蓝光和黄光可同时谐振增强时,蓝光发光层的微腔阶数=5、黄光发光层的微腔阶数=4;本发明中的高效率白光器件结构可提高WOLED的发光效率,改善产品的使用寿命。
附图说明
图1为本发明中的白光器件的白光光谱;
图2为single B+Y白光器件的光谱;
图3为本发明中的白光器件的结构图;
图4为singleB+Y白光器件的结构图;
图5为本发明中的白光器件与singleB+Y白光器件的发光效率对比图;
图6为阳极上制作不同厚度的ITO膜层的示意图;
图7为使用透明金属IZO或者ITO等作为阴极的示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
实施例
一种高效率白光器件结构,所述白光器件结构由下至上依次包括:阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、蓝光发光层(EML-B)、电荷产生层(CGL)、黄光发光层(EML-Y)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、阴极(Cathode)、封盖层(CPL)、薄膜封装层(TFE),其为多阶叠层WOLED顶发射器件结构;并根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度。
所述蓝光发光层中发光材料为荧光类型发光材料,所述蓝光发光层的厚度范围为15nm;蓝光发光层中发光材料的掺杂浓度范围为3%。
所述黄光发光层中发光材料为磷光类型发光材料,所述黄光发光层的厚度范围为30nm;黄光发光层中发光材料的掺杂浓度为8%。
除蓝光发光层和黄光发光层外,其余各层材料的特性和能级搭配均要WOLED的需求。
根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度;其中ni为OLED有机层的折射率,di为有机层的厚度,φ为光在阴极和阳极表面反射相移,λ为光波波长,m为发射模的级数,也称为微腔的阶数;当有机层的厚度和光波波长满足上述关系时,光就会被加强;当蓝光和黄光分别加强所对应的有机层厚度相同或相近时,蓝光和黄光可同时谐振增强,这样可得到高发光效率和长寿命的WOLED。
此实施例中,令有机层的折射率n=1.75,令黄光的波长λY=570nm,令蓝光的波长λB=460nm,忽略光在阴极和阳极的相移,令m=1,2,3,……,N;分别得到蓝光、黄光加强所对应的有机层厚度,如表1所示:
表1
m=1 | m=2 | m=3 | m=4 | m=5 | m=N | ||
Y | 162.9 | 325.7 | 488.6 | 651.5 | 814 | …… | 162.9N2 |
B | 131.4 | 262.8 | 394.2 | 525.6 | 657 | …… | 131.4N1 |
通过表1得到了黄光和蓝光分别加强所要求的WOLED有机层的总厚度,此时选取WOLED通过表1得到了Y和B分别加强所要求的OLED膜层的总厚度,此时选取OLED总厚度为651nm,此时黄光发光层处于第4阶微腔谐振加强,蓝光发光层处于第5阶谐振加强范围内;
当器件的厚度为651nm时,Y和B同时谐振增强,此时得到的光谱如图1所示,与single B+Y白光器件光谱(图2)相比,singleB+Y白光器件的结构图如图4所示,本实施例中的多阶叠层WOLED顶发射器件光谱有明显窄化;
本实施例中的多阶叠层WOLED顶发射器件与single器件,二者共同层都使用相同的材料,效率对比如图5所示,本实施例中经过微腔谐振加强的器件相比较single器件,效率提高3倍以上。
上述参照实施例对一种高效率白光器件结构进行的详细描述,是说明性的而不是限定性的,可按照所限定范围列举出若干个实施例,因此在不脱离本发明总体构思下的变化和修改,应属本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种高效率白光器件结构,其特征在于,所述白光器件结构由下至上依次包括:阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、黄光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层、薄膜封装层;并根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度。
3.根据权利要求1所述的高效率白光器件结构,其特征在于,所述蓝光发光层中发光材料为荧光类型发光材料,所述蓝光发光层的厚度范围为10-30nm。
4.根据权利要求1或3所述的高效率白光器件结构,其特征在于,所述蓝光发光层中发光材料的掺杂浓度范围为2%-5%。
5.根据权利要求1所述的高效率白光器件结构,其特征在于,所述黄光发光层中发光材料为磷光类型发光材料,所述黄光发光层的厚度范围为20-40nm。
6.根据权利要求1或5所述的高效率白光器件结构,其特征在于,所述黄光发光层中发光材料的掺杂浓度范围为6%-10%。
7.根据权利要求1所述的高效率白光器件结构,其特征在于,除蓝光发光层和黄光发光层外,其余各层材料的特性和能级搭配均要WOLED的需求。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202011476328.2A CN112599689A (zh) | 2020-12-15 | 2020-12-15 | 一种高效率白光器件结构 |
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CN (1) | CN112599689A (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110121342A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode lighting apparatus |
CN103700782A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN103915569A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN105161633A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光器件 |
CN105633289A (zh) * | 2014-11-25 | 2016-06-01 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和使用其的有机发光显示装置 |
US20160181561A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Samsung Display Co., Ltd. | White organic light emitting diode |
US20170243929A1 (en) * | 2016-02-24 | 2017-08-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode |
KR20170127956A (ko) * | 2016-05-13 | 2017-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자 |
-
2020
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110121342A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode lighting apparatus |
CN103915569A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN103700782A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN105633289A (zh) * | 2014-11-25 | 2016-06-01 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和使用其的有机发光显示装置 |
US20160181561A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Samsung Display Co., Ltd. | White organic light emitting diode |
CN105161633A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光器件 |
US20170243929A1 (en) * | 2016-02-24 | 2017-08-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode |
KR20170127956A (ko) * | 2016-05-13 | 2017-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자 |
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