CN112599581A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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CN112599581A CN202011475951.6A CN202011475951A CN112599581A CN 112599581 A CN112599581 A CN 112599581A CN 202011475951 A CN202011475951 A CN 202011475951A CN 112599581 A CN112599581 A CN 112599581A
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许瑾
周小康
赵伟
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Beijing Visionox Technology Co Ltd
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Abstract

一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括：OLED背光源和设置在所述OLED背光源的出光方向一侧的量子点层；所述OLED背光源包括：基板；位于所述基板和所述量子点层之间的发光层；位于所述发光层侧部的反射柱，所述反射柱用于将所述发光层射向所述反射柱的光反射至所述量子点层。所述显示面板提高了量子点层对背光源出射光的转换效率。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light－Emitting Diode，简称OLED)显示器，又称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平面显示器。与现有的液晶显示器相比，其具有自主发光、视角宽、超轻、超薄、高亮度、低功耗和快响应等一系列的优点，并且响应速度可达液晶显示器的1000倍，因此，OLED显示器成为国内外非常热门的平面显示器产品，具有广阔的应用前景。OLED显示器的结构包括：基板玻璃；层叠设置在基板玻璃上的阳极、有机功能层和阴极；以及封装在玻璃基板上的盖板。
量子点(quantum dot，QD)材料具有发光色纯度高、发光波长可调节、材料稳定等优点，在追求高色域色彩显示领域具有显著的优势，学术界使用OLED器件作为背光源，搭配量子点作为光色调节的技术成为当前显示技术的研发热点。
然而，目前OLED背光源结合量子点技术的器件，量子点层对背光源出射光的转换效率较差。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于有效的改善现有技术中量子点层对背光源出射光的转换效率较差的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板，包括：OLED背光源和设置在所述OLED背光源的出光方向一侧的量子点层；所述OLED背光源包括：基板；位于所述基板和所述量子点层之间的发光层；位于所述发光层侧部的反射柱，所述反射柱用于将所述发光层射向所述反射柱的光反射至所述量子点层。
可选的，所述OLED背光源还包括：位于所述基板上的像素限定层；所述发光层位于所述像素限定层的开口中；所述反射柱位于所述发光层侧部的所述像素限定层中。
可选的，所述反射柱与所述发光层间隔设置。
可选的，所述反射柱背向所述基板一侧的顶面至所述基板之间的间距大于所述发光层背向所述基板一侧的表面至所述基板之间的间距。
可选的，所述反射柱背向所述基板的顶面被所述像素限定层覆盖。
可选的，所述反射柱的高度占所述像素限定层的厚度的90％～95％。
可选的，所述反射柱的宽度为1um～18um。
可选的，所述反射柱至与反射柱相邻的量子点层之间的横向间距小于或等于8um。
可选的，所述反射柱在所述基板表面的正投影的长度大于或等于所述发光层靠近所述反射柱一侧的边长。
可选的，所述反射柱的侧壁表面与所述反射柱朝向的所述基板的表面之间的夹角大于或等于90度且小于或等于120度。
可选的，所述反射柱的材料包括粘合材料和反射主体材料的混合材料；优选的，所述粘合材料包括二酚基丙烷或者环氧树脂，所述反射主体材料包括银。
可选的，所述反射主体材料与所述粘合材料的质量比为78％～82％。
可选的，所述发光层的数量为若干个，所述发光层在所述基板上阵列排布。
可选的，所述反射柱位于相邻行的发光层之间和/或相邻列的发光层之间。
可选的，对于任意一行的多个发光层，位于每个发光层同一侧的行方向的反射柱之间相互间隔或者相互连接，对于任意一列的多个发光层，位于每个发光层同一侧的列方向的反射柱之间相互间隔或者相互连接。
可选的，所述反射柱与相邻的发光层之间的间距相等。
可选的，所述反射柱呈条状结构。
可选的，所述反射柱呈十字交叉的网状结构。
可选的，每个所述发光层的侧部均环绕有环状结构的反射柱。
可选的，对于环绕所述发光层侧部的所述环状结构的反射柱，位于发光层各侧的反射柱之间相互间隔。
可选的，位于每个发光层侧部的反射柱相互间隔，所述反射柱在所述基板表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括：形成OLED背光源，形成所述OLED背光源的方法包括：提供基板；在所述基板上形成发光层；在所述基板上形成反射柱，所述反射柱位于所述发光层的侧部；在所述OLED背光源的出光方向一侧形成量子点层，所述发光层位于所述基板和所述量子点层之间，所述反射柱用于将所述发光层射向所述反射柱的光反射至所述量子点层。
可选的，形成所述OLED背光源的方法还包括：在形成所述发光层之前，在所述基板上形成像素限定层；在所述基板上形成发光层的步骤为：在所述像素限定层的开口中形成发光层。
可选的，所述反射柱背向所述基板的顶面被所述像素限定层覆盖；在所述基板上形成像素限定层的过程中形成反射柱。
可选的，形成所述像素限定层和反射柱的步骤包括：在所述基板上形成第一初始限定材料层；在所述第一初始限定材料层中形成反射柱；形成覆盖所述反射柱和所述第一初始限定材料层的第二初始限定材料层；在所述第一初始限定材料层和第二初始限定材料层中形成开口，以使第一初始限定材料层和第二初始限定材料层形成像素限定层。
可选的，形成所述OLED背光源的方法还包括：在形成所述发光层和所述像素限定层之前，在基板上形成阳极层；在形成阳极层的过程中形成所述反射柱。
可选的，形成所述阳极层和所述反射柱的步骤包括：在所述基板上形成阳极材料层；采用第一次刻蚀工艺刻蚀所述阳极材料层，形成底层阳极层和凸出于底层阳极层的初始反射柱；采用第二次刻蚀工艺刻蚀去除所述初始反射柱侧部的部分所述底层阳极层，使得所述初始反射柱和所述初始反射柱底部的所述底层阳极层构成所述反射柱，且使得初始反射柱侧部的所述底层阳极层形成所述阳极层。
相应的，本发明还提供一种显示装置，包括本发明的显示面板或如本发明的显示面板的制备方法制备得到的显示面板。
本发明技术方案，具有如下优点：
1.本发明技术方案提供的显示面板，包括：OLED背光源和设置在所述OLED背光源的出光方向一侧的量子点层。由于在所述发光层侧部设置了反射柱，所述反射柱用于将所述发光层斜向出射照射在所述反射柱表面的光反射至所述量子点层，改善了漏光现象，使得OLED背光源提供的光子能量被量子点层有效的利用，进而使得量子点层对背光源出射光的转换效率提高。
2.进一步，所述反射柱背向所述基板一侧的顶面至所述基板之间的间距大于所述发光层背向所述基板一侧的表面至所述基板之间的间距，使得发光层斜向出射的光较多的照射在反射柱的侧壁，这样有较多的光被反射柱反射至所述量子点层中，提高了量子点层对OLED背光源提供的光子能量的利用率，提高了量子点层对背光源出射光的转换效率。
3.进一步，所述反射柱背向所述基板的顶面被所述像素限定层覆盖，这样避免反射柱与像素限定层上方的其他有机功能层之间接触，避免了反射柱对像素限定层上方的其他有机功能层的电学性能的影响，避免加剧不同像素区的像素限定层上方的其他有机功能之间的横向漏电。进一步，所述反射柱的高度占所述像素限定层的厚度的90％～95％，使得反射柱的高度较高，提高了量子点层对OLED背光源提供的光子能量的利用率，提高了量子点层对背光源出射光的转换效率。
4.本发明技术方案提供的显示装置，包括本发明的显示面板。由于在所述发光层侧部设置了反射柱，所述反射柱用于将所述发光层斜向出射照射在所述反射柱表面的光反射至所述量子点层，因此改善了漏光现象，因此使得OLED背光源提供的光子能量被量子点层有效的利用，进而使得量子点层对背光源出射光的转换效率提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1至图14为本发明一实施例中显示面板制备过程的结构示意图；
图15至图19为本发明另一实施例中显示面板制备过程的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中OLED背光源结合量子点技术的器件，量子点层对背光源出射光的转换效率较差。
经发明人长期研究发现，OLED背光源结合量子点技术的器件的转换效率较差的原因在于：器件中存在漏光的情况，也就是说，在从OLED背光源发出的光中，斜向出射的光容易从相邻的量子点层之间发射出去而不经过量子点层，这样导致作为OLED背光源提供的光子能量无法被量子点层有效的利用，进而导致量子点层对背光源出射光的转换效率降低。因此改善漏光、提高漏光利用率可在一定程度上提升量子点层对背光源出射光的转换效率。
在此基础上，本发明一实施例提供一种显示面板，包括：OLED背光源和设置在所述OLED背光源的出光方向一侧的量子点层；所述OLED背光源包括：基板；位于所述基板和所述量子点层之间的发光层；位于所述发光层侧部的反射柱，所述反射柱用于将所述发光层射向所述反射柱的光反射至所述量子点层。
下面对参考图1至图14具体介绍显示面板的制备过程。其中，图1至图13为形成OLED背光源的示意图。
参考图1，提供基板100。
本实施例中，所述基板100为阵列基板，阵列基板包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的阵列电路层，后续形成的OLED发光单元与所述阵列电路层电学连接，所述显示面板为AMOLED(Active－matrix organic light emitting diode)型显示面板。
在其他实施例中，所述显示面板为PMOLED(Passive－matrix organic lightemitting diode)型显示面板。
所述基板100包括若干分立的像素区(未标示)和位于像素区之间的间隔区(未标示)。
继续参考图1，在所述基板100上形成第一初始限定材料层120。
所述第一初始限定材料层120为光阻材料。本实施例中，还包括：在形成第一初始限定材料层120之前，在所述基板100上形成阳极层110。
参考图2，在所述基板100上形成反射柱130。
具体的，在所述第一初始限定材料层120中形成反射柱130。
在所述第一初始限定材料层120中形成反射柱130的方法包括：在所述第一初始限定材料层120中形成孔槽(未标示)；采用丝网印刷工艺在所述孔槽中形成反射浆料；对所述反射浆料进行固化，形成所述反射柱130。
在一个实施例中，所述反射柱130的材料包括粘合材料和反射主体材料的混合材料。所述粘合材料包括二酚基丙烷或者环氧树脂；所述反射主体材料包括银；所述反射主体材料与所述粘合材料的质量比为78％～82％，如78％、80％或82％。通过设置在此范围内，能使得反射柱130具有优异的反射性能。
在其他实施例中，所述反射柱130的材料为银。
所述第一初始限定材料层120为光阻材料，在所述第一初始限定材料层120中形成孔槽的方法包括：依次对所述第一初始限定材料层120进行曝光工艺和显影工艺以形成所述孔槽。
在一个实施例中，所述反射柱130的宽度为1um～18um，如1um、8um、10um、12um、15um、18um。反射柱130不至于过窄，这样反射柱130采用的孔槽的深宽比不至于过大，使得容易形成孔槽，且反射柱130也容易完全填充在孔槽中。
在一个实施例中，所述反射柱130的侧壁表面与所述反射柱130朝向的所述基板100的表面之间的夹角大于或等于90度且小于或等于120度。所述反射柱130的侧壁表面与所述反射柱130朝向所述基板100的表面之间的夹角大于或等于90度，使得反射柱130能接受到更多的从发光层斜向发射出去的光。且使得反射柱130反射的光能更多的照射在后续的量子点层中。
本实施例中，以所述反射柱130的侧壁表面与所述反射柱130朝向的所述基板100的表面之间的夹角等于90度为示例。
参考图3，形成覆盖所述反射柱130和所述第一初始限定材料层120的第二初始限定材料层140。
第二初始限定材料层140的材料为光阻材料。
参考图4，在所述第一初始限定材料层120和第二初始限定材料层140中形成开口150，以使第一初始限定材料层120和第二初始限定材料层140形成像素限定层。
形成像素限定层之后，所述像素限定层暴露出位于像素区上的阳极层110。
本实施例中，所述反射柱130背向所述基板100的顶面被所述像素限定层覆盖。这样避免反射柱130与像素限定层上方的其他有机功能层之间接触，避免了反射柱130对像素限定层上方的其他有机功能层的电学性能的影响，避免加剧不同像素区的像素限定层上方的其他有机功能之间的横向漏电。
在其他实施例中，在所述基板上形成第一初始限定材料层；在所述第一初始限定材料层中形成反射柱；在所述第一初始限定材料层中形成开口，以使第一初始限定材料层形成像素限定层。在此情况下，像素限定层的顶面暴露所述反射柱。
进一步，所述反射柱130的高度占所述像素限定层的厚度的90％～95％，使得反射柱130的高度较高，提高了量子点层对OLED背光源提供的光子能量的利用率，提高后续量子点层对OLED背光源出射光的转换效率。
所述反射柱130的高度和所述像素限定层的厚度均指的是在垂直于基板100表面方向的尺寸。
继续参考图4，在所述基板100上形成发光层160。
在所述基板100上形成发光层160的步骤为：在所述像素限定层中形成发光层160。
具体的，在所述像素限定层中形成发光层160的方法包括：在所述开口150中形成发光层160。
本实施例中，所述反射柱130背向所述基板100一侧的顶面至所述基板100之间的间距大于所述发光层160背向所述基板100一侧的表面至所述基板100之间的间距，使得发光层160斜向出射的光较多的照射在反射柱130的侧壁，这样有较多的光被反射柱130反射至量子点层中，提高了量子点层对OLED背光源提供的光子能量的利用率，提高了量子点层对背光源出射光的转换效率。
本实施例中，所述像素限定层背向所述基板100一侧的顶面至所述基板100之间的间距大于所述发光层160背向所述基板100一侧的表面至所述基板100之间的间距。
在一个实施例中，所述反射柱130在所述基板100表面的正投影的长度大于或等于所述发光层160靠近所述反射柱130一侧的边长。图5中，反射柱130在所述基板100表面的正投影的长度方向为a方向。
需要说明的是，本实施例中，还包括：在形成反射柱130之后，在形成所述发光层160之前，在所述开口的内壁以及所述像素限定层背向所述基板100的表面形成底层有机功能层(未标示)，所述底层有机功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的任一种；在形成发光层160之后，在所述发光层160的顶面以及底层有机功能层的表面形成顶层有机功能层(未标示)，所述顶层有机功能层包括电子传输层和电子注入层中的任一种；在所述顶层有机功能层背向所述基板100的表面形成阴极层(未标示)。需要说明的是，阳极层、底层有机功能层、发光层160、顶层有机功能层和阴极层构成了所述OLED发光单元。
本实施例中，若干像素区在所述基板上阵列排布。发光层160的数量为若干个，所述发光层160在所述基板100上阵列排布。
本实施例中，所述反射柱130位于相邻行的发光层160之间和/或相邻列的发光层160之间。
参考图5和图6，反射柱130位于相邻行的发光层160之间。对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱130之间相互间隔。所述反射柱130呈条状结构。
图5中以反射柱130为矩形条状结构作为示例。图6中，位于每个发光层160侧部的反射柱130’相互间隔，所述反射柱130’在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
图6中的反射柱130’在所述基板100表面的正投影的长度方向参照图5中的a方向。
参考图7，反射柱130a位于相邻行的发光层160之间。对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱130a之间相互连接。
所述反射柱130呈条状结构。
图7中的反射柱130a在所述基板100表面的正投影的长度方向参照图5中的a方向。参考图8，反射柱130b位于相邻列的发光层160之间。对于任意一列的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱130b之间相互间隔。
所述反射柱130b呈条状结构。本实施例中，图8中以反射柱130b为矩形条状结构作为示例。
图8中的反射柱130b在所述基板100表面的正投影的长度方向为b方向。
在其他实施例中，位于每个发光层160同一侧的列方向的侧部的反射柱130之间相互间隔，所述反射柱130在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
参考图9，所述反射柱130c位于相邻列的发光层160之间。对于任意一列的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱130c之间相互连接。
所述反射柱130c呈条状结构。本实施例中，图9中以反射柱130c为矩形条状结构作为示例。
图9中的反射柱130c在所述基板100表面的正投影的长度方向参照图8中的b方向。
在另一个实施例中，反射柱位于相邻行的发光层160之间以及相邻列的发光层160之间。对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱之间相互间隔。对于任意一列的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱之间相互间隔。所述反射柱呈条状结构。在一个具体的实施例中，反射柱为矩形条状结构。在另一个具体的实施例中，位于每个发光层160侧部的反射柱相互间隔，所述反射柱在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
参考图10，反射柱130d位于相邻行的发光层160之间以及相邻列的发光层160之间。对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱130d之间相互连接，对于任意一列的多个发光层160位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱130d之间相互连接。反射柱130d呈十字交叉的网状结构。通过将反射柱130d设置呈十字交叉的网状结构，反射柱130d对光的限制作用加强，也就是反射柱130d从四周对光进行反射，更多的光进入后续的量子点层，提高量子点层对背光源出射光的转换效率。
上述图4至图10中，所述反射柱与相邻的发光层160之间的间距相等或者不等。
参考图11和图12，每个所述发光层160的侧部均环绕有环状结构的反射柱。
环状结构可以为矩形环状结构或者圆环状结构。
当每个所述发光层160的侧部均环绕有环状结构的反射柱130时，对光的限制作用加强，也就是环状结构的反射柱从周向的各个方向对光进行反射，更多的光进入后续的量子点层，提高量子点层对背光源出射光的转换效率。
参考图11，环绕所述发光层160侧部的环状结构的反射柱130e为一体结构。反射柱130e为圆环状结构。
在其他实施例中，环绕所述发光层160侧部的所述环状结构的反射柱130为一体结构，反射柱130为矩形环状结构。
参考图12，对于环绕所述发光层160侧部的环状结构的反射柱130f，位于发光层160各侧的反射柱130f之间相互间隔。图12中，位于每个发光层160侧部的反射柱130f相互间隔，所述反射柱130f在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
在其他实施例中，对于环绕所述发光层160侧部的环状结构的反射柱130，位于发光层160各侧的反射柱130之间相互间隔，反射柱130为条状结构。
参考图13，在所述阴极层背向所述基板100的一侧形成封装薄膜层170，所述封装薄膜层170包括若干平坦化层，所述平坦化层为有机薄膜层和/或无机薄膜层。
需要说明的是，位于每个发光层160侧部的反射柱相互间隔时，所述反射柱130在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度时，反射柱130对光的反射优于反射柱130为条状结构时对光的反射，使得更多的光进入后续的量子点层，提高量子点层对背光源出射光的转换效率。
图1至图13形成了OLED背光源。
参考图14，在所述OLED背光源的出光方向一侧形成量子点层180，所述发光层位160于所述基板100和所述量子点层180之间，所述反射柱130用于将所述发光层160射向所述反射柱130的光反射至所述量子点层180。
所述反射柱130位于相邻的量子点层180之间。
在一个实施例中，所述反射柱130至与反射柱130相邻的量子点层180之间的横向间距小于或等于8um，如8um、6um、4um、2um、1um或0um。这样使得反射柱130的边缘和量子点层180的边缘之间的横向距离较近，降低反射柱130反射的光从反射柱130与量子点层180之间的区域穿过进而向外射出的几率。
相应的，本实施例还提供一种显示面板，参考图14，包括：OLED背光源和设置在所述OLED背光源的出光方向一侧的量子点层180；所述OLED背光源包括：基板100；位于所述基板100和所述量子点层180之间的发光层160；位于所述发光层160侧部的反射柱130，所述反射柱130用于将所述发光层160射向所述反射柱130的光反射至所述量子点层180。
所述OLED背光源还包括：位于所述基板100上的像素限定层；所述发光层160位于所述像素限定层的开口中；所述反射柱130位于所述发光层160侧部的所述像素限定层中。所述反射柱130与所述发光层160间隔设置。
所述反射柱130背向所述基板100一侧的顶面至所述基板100之间的间距大于所述发光层160背向所述基板100一侧的表面至所述基板100之间的间距。
所述像素限定层背向所述基板100一侧的顶面至所述基板100之间的间距大于所述发光层160背向所述基板100一侧的表面至所述基板100之间的间距。优选的，所述反射柱130背向所述基板100的顶面被所述像素限定层覆盖，优选的，所述反射柱130的高度占所述像素限定层的厚度的90％～95％。
在一个实施例中，所述反射柱130的宽度为1um～18um。
在一个实施例中，所述反射柱130至与反射柱130相邻的量子点层180之间的横向间距小于或等于8um。
在一个实施例中，所述反射柱130在所述基板100表面的正投影的长度大于或等于所述发光层160靠近所述反射柱130一侧的边长。
在一个实施例中，所述反射柱130的侧壁表面与所述反射柱130朝向所述基板100的表面之间的夹角大于或等于90度且小于或等于120度。
所述反射柱130的材料参照前述内容，不再详述。
所述发光层160的数量为若干个，所述发光层160在所述基板100上阵列排布。所述反射柱130位于相邻行的发光层160之间和/或相邻列的发光层160之间。
对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱130之间相互间隔或者相互连接，对于任意一列的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱130之间相互间隔或者相互连接。
参考图5和图6，反射柱130位于相邻行的发光层160之间。对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱130之间相互间隔。所述反射柱呈条状结构。
图5中以反射柱130为矩形条状结构作为示例。图6中，位于每个发光层160侧部的反射柱130’相互间隔，所述反射柱130’在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
参考图7，反射柱130a位于相邻行的发光层160之间。对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱130a之间相互连接。
所述反射柱130呈条状结构。
参考图8，反射柱130b位于相邻列的发光层160之间。对于任意一列的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱130b之间相互间隔。
所述反射柱130b呈条状结构。本实施例中，图8中以反射柱130b为矩形条状结构作为示例。在其他实施例中，位于每个发光层160侧部的同一侧的列方向的反射柱130之间相互间隔，所述反射柱130在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
参考图9，所述反射柱130c位于相邻列的发光层160之间。对于任意一列的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱130c之间相互连接。
所述反射柱130c呈条状结构。本实施例中，图9中以反射柱130c为矩形条状结构作为示例。
在另一个实施例中，反射柱130位于相邻行的发光层160之间以及相邻列的发光层160之间。对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱130之间相互间隔。对于任意一列的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱130之间相互间隔。所述反射柱130呈条状结构。在一个具体的实施例中，反射柱130为矩形条状结构。在另一个具体的实施例中，位于每个发光层160侧部的反射柱130相互间隔，所述反射柱130在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
参考图10，反射柱130d位于相邻行的发光层160之间以及相邻列的发光层160之间。对于任意一行的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的行方向的反射柱130d之间相互连接，对于任意一列的多个发光层160，位于每个发光层160同一侧的列方向的反射柱130d之间相互连接。反射柱130d呈十字交叉的网状结构。
上述图4至图10中，所述反射柱与相邻的发光层160之间的间距相等或者不等。
参考图11和图12，每个所述发光层160的侧部均环绕有环状结构的反射柱，环状结构为矩形环状结构或者圆环状结构。
参考图11，环绕所述发光层160侧部的环状结构的反射柱130e为一体结构。反射柱130e为圆环状结构。
在其他实施例中，环绕所述发光层160侧部的所述环状结构的反射柱130为一体结构，反射柱130为矩形环状结构。
参考图12，对于环绕所述发光层160侧部的环状结构的反射柱130f，位于发光层160各侧的反射柱130f之间相互间隔。图12中，位于每个发光层160侧部的反射柱130f相互间隔，所述反射柱130f在所述基板100表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
在其他实施例中，对于环绕所述发光层160侧部的环状结构的反射柱130，位于发光层160各侧的反射柱130之间相互间隔，反射柱130为条状结构。
图15至图19为本发明另一实施例中显示面板制备过程的结构示意图。
参考图15至图17，提供基板200；在所述基板200上形成阳极层211，在形成阳极层211的过程中形成反射柱230。
参考图15，提供基板200；在所述基板200上形成阳极材料层210。
参考图16，采用第一次刻蚀工艺刻蚀所述阳极材料层210，形成底层阳极层211a和凸出于底层阳极层211a的初始反射柱230a。
参考图17，采用第二次刻蚀工艺刻蚀去除初始反射柱230a侧部的部分底层阳极层211a，使得初始反射柱230a和初始反射柱230a底部的底层阳极层211a构成所述反射柱230，且使得初始反射柱230a侧部的底层阳极层211a形成所述阳极层211。
本实施例中的反射柱230的材料、形状、高度、宽度、长度等信息均参考前述实施例的内容，不再详述。
参考图18，形成所述反射柱230之后，在所述基板200上形成像素限定层X；在所述像素限定层X的开口中形成发光层260。
本实施例中，还包括：形成底层有机功能层、顶层有机功能层、阴极层、薄膜封装层的步骤，这些过程均参照前述实施例的内容，不再详述。
参考图19，所述OLED背光源的出光方向一侧形成量子点层280，所述发光层260位于所述基板200和所述量子点层280之间，所述反射柱230用于将所述发光层260射向所述反射柱230的光反射至所述量子点层280。
在一个实施例中，所述反射柱230至相邻的量子点层280之间的横向间距小于或等于8微米。
相应的，本实施例还提供一种显示面板，参考图19，本实施例的显示面板的结构参照前述实施例的结构，不再详述。
相应的，本发明又一实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
OLED背光源和设置在所述OLED背光源的出光方向一侧的量子点层；
所述OLED背光源包括：基板；位于所述基板和所述量子点层之间的发光层；位于所述发光层侧部的反射柱，所述反射柱用于将所述发光层射向所述反射柱的光反射至所述量子点层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述OLED背光源还包括：位于所述基板上的像素限定层；所述发光层位于所述像素限定层的开口中；所述反射柱位于所述发光层侧部的所述像素限定层中；
优选的，所述反射柱与所述发光层间隔设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述反射柱背向所述基板一侧的顶面至所述基板之间的间距大于所述发光层背向所述基板一侧的表面至所述基板之间的间距；
优选的，所述反射柱背向所述基板的顶面被所述像素限定层覆盖；
优选的，所述反射柱的高度占所述像素限定层的厚度的90％～95％。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述反射柱的宽度为1um～18um；
优选的，所述反射柱至与反射柱相邻的量子点层之间的横向间距小于或等于8um；
优选的，所述反射柱在所述基板表面的正投影的长度大于或等于所述发光层靠近所述反射柱一侧的边长。
5.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述反射柱的侧壁表面与所述反射柱朝向的所述基板的表面之间的夹角大于或等于90度且小于或等于120度。
6.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述反射柱的材料包括粘合材料和反射主体材料的混合材料；
优选的，所述粘合材料包括二酚基丙烷或者环氧树脂；所述反射主体材料包括银；
优选的，所述反射主体材料与所述粘合材料的质量比为78％～82％。
7.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述发光层的数量为若干个，所述发光层在所述基板上阵列排布；
优选的，所述反射柱位于相邻行的发光层之间和/或相邻列的发光层之间；
优选的，对于任意一行的多个发光层，位于每个发光层同一侧的行方向的反射柱之间相互间隔或者相互连接，对于任意一列的多个发光层，位于每个发光层同一侧的列方向的反射柱之间相互间隔或者相互连接；
优选的，所述反射柱与相邻的发光层之间的间距相等；
优选的，所述反射柱呈条状结构；
优选的，所述反射柱呈十字交叉的网状结构；
优选的，每个所述发光层的侧部均环绕有环状结构的反射柱；
优选的，对于环绕所述发光层侧部的所述环状结构的反射柱，位于发光层各侧的反射柱之间相互间隔；
优选的，位于每个发光层侧部的反射柱相互间隔，所述反射柱在所述基板表面的正投影的两端的宽度大于中间的宽度。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
形成OLED背光源，形成所述OLED背光源的方法包括：提供基板；在所述基板上形成发光层；在所述基板上形成反射柱，所述反射柱位于所述发光层的侧部；
在所述OLED背光源的出光方向一侧形成量子点层，所述发光层位于所述基板和所述量子点层之间，所述反射柱用于将所述发光层射向所述反射柱的光反射至所述量子点层。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，形成所述OLED背光源的方法还包括：在形成所述发光层之前，在所述基板上形成像素限定层；在所述基板上形成发光层的步骤为：在所述像素限定层的开口中形成发光层；
优选的，所述反射柱背向所述基板的顶面被所述像素限定层覆盖；在所述基板上形成像素限定层的过程中形成反射柱；形成所述像素限定层和反射柱的步骤包括：在所述基板上形成第一初始限定材料层；在所述第一初始限定材料层中形成反射柱；形成覆盖所述反射柱和所述第一初始限定材料层的第二初始限定材料层；在所述第一初始限定材料层和第二初始限定材料层中形成开口，以使第一初始限定材料层和第二初始限定材料层形成像素限定层；
优选的，形成所述OLED背光源的方法还包括：在形成所述发光层和所述像素限定层之前，在基板上形成阳极层；在形成阳极层的过程中形成所述反射柱；优选的，形成所述阳极层和所述反射柱的步骤包括：在所述基板上形成阳极材料层；采用第一次刻蚀工艺刻蚀所述阳极材料层，形成底层阳极层和凸出于所述底层阳极层的初始反射柱；采用第二次刻蚀工艺刻蚀去除所述初始反射柱侧部的部分所述底层阳极层，使得所述初始反射柱和所述初始反射柱底部的所述底层阳极层构成所述反射柱，且使得所述初始反射柱侧部的所述底层阳极层形成所述阳极层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7任意一项所述的显示面板或如权利要求8或9所述的显示面板的制备方法制备得到的显示面板。
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