CN112582328B - 转移基板及其制作方法、转移装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种转移基板及其制作方法、转移装置，该转移基板包括第一衬底基板；阻挡层，设于所述第一衬底基板上；所述阻挡层包括多个阻挡部；胶层，设于所述阻挡部上；所述胶层覆盖所述阻挡层，所述胶层包括多个间隔设置的凸部，所述凸部用于黏贴微型发光器件，以将所述微型发光器件转移至驱动基板上。本发明的转移基板及其制作方法、转移装置，可以提高转移精度。

Description

转移基板及其制作方法、转移装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种转移基板及其制作方法、转移装置。
背景技术
相比于有机发光二极管(OLED)，微型发光器件(Micro-LED)的亮度更高、发光效率更好、且功耗更低。
目前Micro-LED显示面板的制作通常是利用转移基板上的胶层黏贴微型发光器件，再将巨量的微型发光器件转移至驱动基板，实现微型发光器件的巨量转移。
然而，现有的转移基板的胶层收缩较严重，导致转移精度较差。
发明内容
本发明提供一种转移基板及其制作方法、转移装置，可以提高转移精度。
本发明提供一种转移基板，包括：
第一衬底基板；
阻挡层，设于所述第一衬底基板上；所述阻挡层包括多个阻挡部；
胶层，设于所述阻挡部上；所述胶层覆盖所述阻挡层，所述胶层包括多个间隔设置的凸部，所述凸部用于黏贴微型发光器件，以将所述微型发光器件转移至驱动基板上。
在本发明一些实现方式中，所述多个阻挡部包括多个第一阻挡部和多个第二阻挡部，所述第一阻挡部沿第一方向排布；所述第二阻挡部沿第二方向排布；所述第一方向与所述第二方向相交。
在本发明一些实现方式中，所述多个阻挡部包括多个第一阻挡单元和多个第二阻挡单元，所述第一阻挡单元和所述第二阻挡单元交替设置；所述第一阻挡单元包括多个间隔设置的第三阻挡部；所述第二阻挡单元包括多个间隔设置的第四阻挡部，所述第三阻挡部的位置与相邻两个第四阻挡部之间的间隙处的位置对应。
在本发明一些实现方式中，所述阻挡部的密度大于所述凸部的密度。
在本发明一些实现方式中，所述凸部的宽度大于相邻两个阻挡部之间的间距。
在本发明一些实现方式中，相邻两个阻挡部的顶部之间的间距范围为10um-100um，所述凸部的顶部的宽度的范围为50um-500um。
在本发明一些实现方式中，所述胶层的厚度大于所述阻挡部的厚度，其中所述阻挡部的厚度范围为10um-50um。
本发明还提供一种转移装置，包括：上述转移基板。
在本发明一些实现方式中，所述转移装置还包括：滚轮，所述转移基板贴附在所述滚轮的侧面上。
本发明还提供一种转移基板的制作方法，包括：
在第一衬底基板上制作阻挡层，得到所述第一基板；所述阻挡层包括多个阻挡部；
在第二衬底基板上制作多个间隔设置的间隔部；
在所述间隔部上制作胶层，得到第二基板；其中所述胶层覆盖所述多个间隔部；
将所述第二基板与所述第一基板进行压合，以使所述阻挡部贴合在所述胶层上；
将所述间隔部和所述第二衬底基板去除，以在所述胶层上形成多个凸部；所述凸部的位置与相邻两个间隔部之间的间隙处的位置对应。
本发明的转移基板及其制作方法、转移装置，包括第一衬底基板；阻挡层，设于所述第一衬底基板上；所述阻挡层包括多个阻挡部；胶层，设于所述阻挡部上；所述胶层覆盖所述阻挡层，所述胶层包括多个间隔设置的凸部，所述凸部用于黏贴微型发光器件，以将所述微型发光器件转移至驱动基板上；由于在胶层和第一衬底基板之间设置阻挡层，因此可以减小胶层横向方向的应力，避免胶层收缩，从而提高转移精度。
附图说明
图1为现有转移基板的制备工艺流程图。
图2为本发明一实施例提供的转移基板的剖面示意图。
图3为本发明一实施例提供的转移基板的俯视图。
图4为本发明另一实施例提供的转移基板的俯视图。
图5为本发明又一实施例提供的转移基板的俯视图。
图6为本发明一实施例提供的转移装置的结构示意图。
图7为本发明一实施例提供的转移基板的制备工艺流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
如图1所示，现有的转移基板的制备方法包括：对硅晶片11进行蚀刻，得到多个开口区域101，然后在硅晶片11上涂布胶层12，之后将硅晶片11从胶层12上剥离，以在胶层12上形成多个凸部121，之后将该胶层12与玻璃基板13进行键合。之后将微发光器件贴合在凸部121上，再将微发光器件转移至驱动基板上，得到显示面板。然而由于胶层收缩较严重，严重影响后续的转移精度；此外通过涂布工艺得到的胶层的膜厚难以控制，因此导致膜厚较厚。
请参阅图2，图2为本发明一实施例提供的转移基板的剖面示意图。
如图2所示，本实施例的转移基板20包括：第一衬底基板21、阻挡层22以及胶层23。
第一衬底基板21可为玻璃基板或者柔性衬底。在一优选实施方式中，该第一衬底基板21为柔性衬底。第一衬底基板21的材质包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。
阻挡层22设于所述第一衬底基板21上，所述阻挡层22包括多个阻挡部221；在一实施方式中，阻挡层22部分覆盖在所述第一衬底基板21上，在其他实施方式中，阻挡层22可全部覆盖在所述第一衬底基板21上。在一实施方式中，该阻挡层22的材料可为有机材料，比如光阻材料。
胶层23设于所述阻挡部221上；所述胶层23覆盖所述阻挡层22，也即所述胶层23在第一衬底基板21上的正投影的面积大于多个阻挡部221在第一衬底基板21上的正投影的面积。所述胶层23包括多个间隔设置的凸部231，所述凸部231用于黏贴微型发光器件(图中未示出)，以将所述微型发光器件转移至驱动基板上。所述胶层23的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、及聚乙烯醇(PVA)中的一种或者多种，此处不作进一步限定。在一实施方式中，凸部231阵列均匀排布于转移基板上。且凸部231与微型发光器件一一对应。
由于在胶层和第一衬底基板之间设置阻挡层，因此可以减小胶层横向方向的应力，避免胶层收缩，从而提高转移精度。其中横向方向与胶层收缩方向相同。
在一实施例中，如图3所示，所述多个阻挡部221包括多个第一阻挡部31和多个第二阻挡部32，所述第一阻挡部31沿第一方向排布；所述第二阻挡部32沿第二方向排布；所述第一方向与所述第二方向相交，从而进一步避免胶层收缩以及进一步提高转移精度。也即阻挡部221的俯视形状为网格状，在一实施方式中，第一方向可与第二方向垂直，在其他实施方式中，第一方向与第二方向之间也可倾斜设置，具体不限。该第一阻挡部31和多个第二阻挡部32的截面形状包括长方形、梯形以及三角形中的至少一种。
在另一些实施例中，如图4所示，所述多个阻挡部221包括多个交替设置的第一阻挡单元33和第二阻挡单元34，所述第一阻挡单元33包括多个间隔设置的第三阻挡部331；所述第二阻挡单元34包括多个间隔设置的第四阻挡部341，所述第四阻挡部341的位置与相邻两个第三阻挡部331之间的间隙处的位置对应，从而进一步避免胶层收缩以及提高转移精度，其中第三阻挡部331和第四阻挡部341的俯视形状包括圆形、椭圆形以及长方形中的至少一种。当然可以理解的，在其他实施方式中，如图5所示，所述多个阻挡部221按矩阵方式排列，其中相邻两个阻挡部221之间可间隔或者部分重叠设置，具体方式不限，可以理解的，多个阻挡部221的具体结构不限于此。
在一些实施例中，返回图2，凸部231在第一衬底基板21上的正投影覆盖微型发光器件在第一衬底基板21上的正投影。需要说明的是，凸部231的面积可以大于或等于微型发光器件的面积，这样，在微型发光器件的转移过程中，凸部231可以对微型发光器件进行有效吸附，从而实现微型发光器件的巨量转移。微型发光器件可为微型发光芯片或者微型发光二极管。
在一些实施例中，返回图2，所述阻挡部221的密度大于所述凸部231的密度，从而进一步避免胶层收缩，进而进一步提高转移精度。当然，所述阻挡部221的密度也可小于或等于所述凹部231的密度。在一些实施方式中，所述凸部231的宽度大于相邻两个阻挡部221之间的间距。比如，一实施方式中，相邻两个阻挡部221的顶部d2之间的间距范围为10um-100um，所述凸部231顶部的宽度d1的范围为50um-500um。
在一些实施例中，所述胶层23的厚度大于所述阻挡部221的厚度，其中所述阻挡部221的厚度(高度)范围为10um-50um，从而进一步避免胶层收缩，以进一步提高转移精度。在一实施方式中，所述胶层23的厚度略大于所述阻挡部221的厚度，进而可以减小转移基板的厚度，更好地控制转移精度。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种转移装置，该转移装置可以用于微型发光器件的巨量转移，该转移装置包括如上述实施例提供的转移基板。
在一些实施例中，如图6所示，该转移装置100包括滚轮40以及上述转移基板20，所述转移基板20贴附在所述滚轮40的侧面上。其中转移基板的实现原理与上述转移基板的实现原理相同，在此不再赘述。
由于该转移基板可以应用在滚轮上，因此可以实现大型化的巨量转移，提升了转移效率。
基于同一发明构思，如图7所示，本发明实施例提供了一种转移基板的制作方法，包括：
S101、在第一衬底基板上制作阻挡层，得到所述第一基板；
例如，如图7所示，在一实施方式中，可在第一衬底基板21上制作阻挡层22，对阻挡层22进行曝光、显影、蚀刻，得到多个阻挡部221，从而得到第一基板20’。也即，所述阻挡层22包括多个阻挡部221。
S102、在第二衬底基板上制作多个间隔设置的间隔部；
例如，第二衬底基板41可为玻璃基板，在一实施方式中，在第二衬底基板41上制作有机层，对有机层进行图案化处理得到多个间隔部42，间隔部42的材料可与阻挡部221的材料相同。结合图2，相邻两个阻挡部221的顶部之间的间距d2范围为10um-100um，相邻两个间隔部42的顶部之间的间距范围为50um-500um。相邻两个间隔部42的顶部之间的间距等于所述凸部231顶部的宽度。
S103、在所述间隔部上制作胶层，得到第二基板；
例如，在一实施方式中，在所述间隔部42上涂布胶材，形成胶层23，从而得到第二基板40。其中所述胶层23覆盖所述多个间隔部42。在一优选实施方式中，所述间隔部42和所述阻挡部221的材料均为光阻材料，从而简化制程工艺，降低生产成本。
S104、将所述第二基板与所述第一基板进行压合，以使所述阻挡部贴合在所述胶层上；
例如，将第二基板40与所述第一基板20’进行对组并压合，之后对胶材进行固化，以使第一基板20’通过所述胶层23与第二基板40贴合。也即此时所述阻挡部221贴合在所述胶层23上。在一些实施例中，所述胶层23的厚度略大于所述间隔部42的厚度(高度)和所述阻挡部221的厚度(高度)之和。在一实施方式中，所述阻挡部221的厚度范围为10um-50um，所述间隔部42的厚度范围为0.01um-50um。在一优选实施方式中，相邻两个阻挡部221的顶部之间的间距小于相邻两个间隔部42的顶部之间的间距，也即阻挡部221的密度大于间隔部42的密度，进一步减小胶层横向方向的应力，从而进一步避免胶层收缩，以进一步提高转移精度。
S105、将所述间隔部和所述第二衬底基板去除，以在所述胶层上形成多个凸部；所述凸部的位置与相邻两个间隔部之间的间隙处的位置对应。
在一实施方式中，将间隔部42以及第二衬底基板41从所述胶层23上剥离，以在所述胶层23上形成多个凸部231；所述凸部231的位置与相邻两个间隔部42之间的间隙处的位置。
由于对第一基板和第二基板进行压合，因此进而可以减小转移基板的厚度，更好地控制转移精度。
在具体转移过程中，先在承载基板上设置多个微型发光器件。微型发光器件可阵列分布在承载基板上。微型发光器件的具体形成工艺可以利用现有技术形成，在此不再赘述。将转移基板与承载基板进行对位，将凸部与微型发光器件一一对应，之后将微型发光器件黏贴至移动基板的凸部上，之后将转移基板与驱动基板进行对位，以将所述微型发光器件转移至驱动基板上。驱动基板上有多个绑定区域，具体是将所述微型发光器件转移至驱动基板的绑定区域内。
本发明的转移基板及其制作方法、转移装置，包括第一衬底基板；阻挡层，设于所述第一衬底基板上；所述阻挡层包括多个阻挡部；胶层，设于所述阻挡部上；所述胶层覆盖所述阻挡层，所述胶层包括多个间隔设置的凸部，所述凸部用于黏贴微型发光器件，以将所述微型发光器件转移至驱动基板上；由于在胶层和第一衬底基板之间设置阻挡层，因此可以减小胶层横向方向的应力，避免胶层收缩，从而提高转移精度。
以上对本发明提供的转移基板及其制作方法、转移装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种转移基板，其特征在于，包括：
第一衬底基板；
阻挡层，设于所述第一衬底基板上；所述阻挡层包括多个阻挡部；
胶层，设于所述阻挡部上；所述胶层覆盖所述阻挡层，并填充满所述阻挡层的间隙，所述胶层包括多个间隔设置的凸部，所述凸部用于黏贴微型发光器件，以将所述微型发光器件转移至驱动基板上；
所述凸部的宽度大于相邻两个所述阻挡部之间的间距，所述阻挡部的密度大于所述凸部的密度。
2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，
所述多个阻挡部包括多个第一阻挡部和多个第二阻挡部，所述第一阻挡部沿第一方向排布；所述第二阻挡部沿第二方向排布；所述第一方向与所述第二方向相交。
3.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，
所述多个阻挡部包括多个第一阻挡单元和多个第二阻挡单元，所述第一阻挡单元和所述第二阻挡单元交替设置；所述第一阻挡单元包括多个间隔设置的第三阻挡部；所述第二阻挡单元包括多个间隔设置的第四阻挡部，所述第三阻挡部的位置与相邻两个第四阻挡部之间的间隙处的位置对应。
4.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，
相邻两个阻挡部的顶部之间的间距范围为10um -100um，所述凸部的顶部的宽度的范围为50um -500um。
5.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，
所述胶层的厚度大于所述阻挡部的厚度，其中所述阻挡部的厚度范围为10um-50um。
6.一种转移装置，其特征在于，包括：如权利要求1至5任意一项所述的转移基板。
7.根据权利要求6所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括：
滚轮，所述转移基板贴附在所述滚轮的侧面上。
8.一种转移基板的制作方法，其特征在于，包括：
在第一衬底基板上制作阻挡层，得到第一基板；所述阻挡层包括多个阻挡部；
在第二衬底基板上制作多个间隔设置的间隔部；
在所述间隔部上制作胶层，得到第二基板；其中所述胶层覆盖所述多个间隔部；
将所述第二基板与所述第一基板进行压合，以使所述阻挡部贴合在所述胶层上，所述胶层填充满所述阻挡层的间隙；
将所述间隔部和所述第二衬底基板去除，以在所述胶层上形成多个凸部；所述凸部的位置与相邻两个间隔部之间的间隙处的位置对应，所述凸部的宽度大于相邻两个所述阻挡部之间的间距，所述阻挡部的密度大于所述凸部的密度。
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