CN102136544A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents

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釜森均
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Abstract

本发明涉及发光器件及其制造方法。本发明的发光器件(1)具备：由中央具有凹坑的白色玻璃构成的玻璃基体(2)、向在该凹坑(5)的表面设置的贯通孔(3)中填充导电材料而形成的贯通电极(4a、4b)、在贯通电极(4a)上安装并且被凹坑5收纳的发光二极管元件(6)、以及密封发光二极管元件(6)的密封剂(7)。从而提高在玻璃材料上搭载了发光元件的发光器件的可靠性。

Description

发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及在封装件中安装发光元件的发光器件的结构及其制造方法。
背景技术
近几年来，发光二极管元件(以下称作“LED元件”)的发光亮度等得到改善后，被在许多方面广泛使用。例如被作为液晶显示装置的背光源、信号机的发光元件、电光告知板及其它照明用途使用。由于能以低电压、低消耗功率驱动LED元件，并且发光亮度得到改善，所以还可望在室内照明或汽车照明等中采用。
可是，提高LED元件的发光强度后，其发热量就会增大。由于LED元件被加热后，其发光效率就会下降，所以需要采用能够有效地散热的结构。另外，还需要降低制造成本。
作为便宜、散热性优异的结构，使用玻璃基板和Si基板组装的LED发光器件，已经广为人知。图12是在将LED元件安装到玻璃材料上的发光装置的剖面图(例如参照专利文献1的图1)。如图所示，在玻璃基板51形成有贯通电极52，该贯通电极52经由连接用电极金属导电层53B而与LED元件56A电连接。进而，贯通电极52还与在玻璃基板51的背面形成的电极金属导电层53A电连接。LED元件56A的上表面和电极金属导电层53B用金属线电连接。在玻璃基板51的下表面，形成和外部连接用的金属导电层53A。金属导电层53A与贯通电极52电连接。玻璃基板51与带有孔58的Si基板54接合，LED元件56A从该孔58中露出。在孔58的侧面，形成用于将LED元件56A发出的光朝着上方反射的反射面55。通过这种结构，能够经由贯通电极52有效地将LED元件56A产生的热散发掉，此外，由于利用阳极接合将玻璃基板和Si基板54粘接在一起，所以能够提高粘接强度，进而因为能够以晶片状态成批地大量生产，所以可以降低制造成本。
另外，图13示意性地表示将LED元件安装到金属基体上的发光装置61的剖面结构(例如参照专利文献2)。如图所示，在金属基体62的中央部形成凸状的搭载部62a，在它的上表面设置发光元件65。绝缘框体63与金属基体62的周围的阶差部接合。在绝缘框体63上形成电极，由此使发光元件与外部电连接。以包围发光元件65的形状形成的金属框体64，与绝缘框体63的上表面接合。金属框体64的内壁面是从下部朝着上部扩口状的形状，具有朝着上方反射发光元件65发出的光的功能。采用该结构后，能够在提高发光效率的同时，提高散热性能，并增加输入发光元件65的驱动电流，增加发光元件的光输出。
专利文献1：日本特开2007-42781号公报
专利文献2：日本特开2004-228240号公报
在图12所示的现有技术的发光装置中，具有贯通电极52的玻璃基板51和在其上接合的Si基板54互相分开，因此需要分别加工玻璃基板51和Si基板54，然后将两者接合。进而，还需要形成使LED元件56A发出的光反射的发射面55。另外，在图13所示的发光装置61中，搭载发光元件65的金属基体62、绝缘框体63和具有反射面的功能的金属框体64互相分开，因此需要分别加工这3个部件，然后将它们接合。就是说，需要接合不同的物质。
可是，LED元件每次发光时都要发热，所以反复进行热导致的膨胀/收缩。因此，存在着接合部的粘接性或密封性下降的问题。另外，因为以后需要将分别加工的部件接合，所以制造工序多、制造成本高。
发明内容
因此，本发明的发光器件，具备形成有凹坑的玻璃基体、向在凹坑的表面设置的贯通孔填充导电材料的贯通电极、在贯通电极之上安装并且被凹坑收纳的发光二极管元件、以及为了密封发光二极管元件而供给凹坑的密封剂；玻璃基体用反射发光二极管元件发出的光的材料形成。在这里，用白色玻璃形成玻璃基体。
另外，本发明的发光器件的制造方法，具备具备如下工序：在由反射光的材料构成的玻璃基体上形成凹坑的同时在该凹坑的底部形成贯通孔，并且在玻璃基体的贯通孔中设置导电材料而形成贯通电极，在贯通电极之上安装发光二极管元件，并将发光二极管元件收纳到凹坑中，向凹坑供给密封剂，密封发光二极管元件。
依据本发明，因为用玻璃材料一体地形成玻璃基体，所以没有粘接面或接合面。因此，即使发光二极管元件的发热导致的膨胀/收缩被反复进行，水分或杂质也难以从外部浸入，能够抑制电极材料的腐蚀或发光二极管元件的特性劣化，提高可靠性。另外，因为能够用单体构成封装件的基体，所以能够减少制造工序，能够以低成本提供可靠性高的发光器件。进而，因为由反射发光二极管元件发出的光的材料构成玻璃基体，所以不需要另外形成反射面，能够以低成本提供可靠性高的发光器件。从而，能够用简单的制造方法，实现可靠性高的发光器件。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的发光器件的剖面图及俯视图。
图2是讲述本发明的发光器件的制造方法的示意图。
图3是讲述本发明的发光器件的制造方法的示意图。
图4是讲述本发明的发光器件的制造方法的示意图。
图5是示意性地表示本发明的发光器件的结构的剖面图。
图6是示意性地表示本发明的发光器件的结构的剖面图。
图7是示意性地表示本发明的发光器件的结构的剖面图。
图8是示意性地表示本发明的发光器件的结构的剖面图。
图9是示意性地表示本发明的发光器件的结构的剖面图。
图10是讲述本发明的发光器件的制造工序的示意图。
图11是讲述本发明的发光器件的制造工序的示意图。
图12是现有技术广为人知的发光装置的剖面示意图。
图13是现有技术广为人知的其它发光装置的剖面示意图。
具体实施方式
本发明的发光器件，采用将发光元件安装到表面形成有凹坑的玻璃基体上的结构。在玻璃基体的外周设置突起(突出部)，被突起的内周面包围的区域成为凹坑。凹坑的开口侧的面积大于底面侧的面积。因此，构成突起的内壁面成为斜面。突起的材料和玻璃基体相同，和玻璃基体形成为一体。另外，在玻璃基体上形成贯通电极。贯通电极的一端从凹坑的表面露出，另一端从玻璃基体的背面露出。从凹坑露出的贯通电极，与发光元件电连接，密封剂覆盖该发光元件。这样，发光元件就被收纳到凹坑中。因此发光元件被形成凹坑的斜面包围，来自发光元件的光射到该斜面上后，其方向改变。另外，在玻璃基体的背面还形成与贯通电极连接的端子电极，由该电极向发光元件供给电力。在这里，因为用反射光的材料形成玻璃基体，所以不需要在斜面上形成反射膜。
这样，因为用反射光的玻璃材料一体形成发光器件的基体，所以没有粘接面或接合面，此外不需要在基体上形成反射面。因此，能够以低成本实现可靠性高的发光器件。
进而，将玻璃透镜与玻璃基体连接，能够控制发光器件的出射指向性。因为成为玻璃材料彼此之间的连接，所以热膨胀率之差小、可靠性高。这时，可以在玻璃基体的突起的顶面设置粘接剂，使用该粘接剂将玻璃透镜和玻璃基体接合在一起；还可以加大覆盖发光元件的密封剂的供给量，使用该密封剂将玻璃透镜和玻璃基体接合在一起。另外，还可以采用校对(勘合)玻璃基体和玻璃透镜的接合面的形状。这样，能够在使玻璃基体和玻璃透镜高精度地对位的同时，增加粘接剂涂布面积，能够实现耐久性高的发光器件。
接着，讲述本发明的发光器件的制造方法。首先，使用反射光的玻璃材料，制作具有凹坑和在凹坑形成了贯通孔的玻璃基体。接着，在贯通孔中设置导电材料，形成贯通电极。再接着，将发光元件安装到贯通电极之上。覆盖该发光元件地向凹坑供给密封剂，使其固化。这样，能够用简单的方法制造可靠性高的发光器件。
进而，在构成凹坑的突起的顶部设置粘接剂，使玻璃透镜与玻璃基体接合在一起，从而能够简单地制造出带透镜的发光器件。或者取代粘接剂，而使用密封剂时，成为以下所述的制造方法。就是说，首先使用反射光的玻璃材料，制作具有凹坑和在凹坑形成了贯通孔的玻璃基体。接着，在贯通孔中设置导电材料，形成贯通电极。再接着，将发光元件安装到贯通电极之上。向凹坑填充密封剂，以便覆盖该发光元件。这时，大于凹坑的容积地供给密封剂。然后，覆盖凹坑地在玻璃基体上设置玻璃透镜，在玻璃基体和玻璃透镜之间的整个面上填充密封剂。然后，使密封剂固化，从而将玻璃基体和玻璃透镜接合在一起。
下面，根据附图，具体讲述作为发光元件使用LED元件的实施例。
(实施例1)
图1示意性地表示本实施例涉及的发光器件的结构。图1(a)是发光器件的剖面图，图1(b)是其俯视图。玻璃基体2为近似长方形的薄板状，在其中央部形成直径从上到下逐渐变小的近似截圆锥状的凹坑5。或者在玻璃基体2的外周部设置内侧倾斜的突起，能将被该突起包围的区域看作凹坑5。在该凹坑5的玻璃表面，形成多个贯通孔3。贯通孔3为从玻璃基体2的背面朝着凹坑5的玻璃表面扩口的截面形状。在LED元件6的上表面和下表面，形成未图示的电极。下表面电极用管芯焊接材料10固定在凹坑5的表面的同时，还与贯通电极4a电连接。LED元件6的上表面电极经由金属线8而与其他的贯通电极4b电连接。然后，在玻璃基体2的背面，形成与贯通电极4a连接的背面电极9a、与其他的贯通电极4b连接的背面电极9b。背面电极9a经由贯通电极4a而与LED元件6的下表面电极连接，背面电极9b则经由贯通电极4b而与LED元件6的上表面电极连接。就是说，LED元件6能够接受在玻璃基体2的背面分离地形成的背面电极9a、9b供给的电力。
可以使用将硅氧化物作为主体的玻璃材料，制作玻璃基体2。如果在玻璃材料中使用白色玻璃，就可以作为反射LED元件6发出的光的反射材料发挥作用。具体地说，白色玻璃是使透明玻璃中析出许多细微的晶体的玻璃，是晶化玻璃。透明玻璃透射可见光线的几乎所有的波长，但是微量添加各种金属氧化物后，就吸收一部分波长，失去透明性，析出的细微的晶体使入射光散射，成为白色。作为金属氧化物，可以使用SiO2、B2O3、ZnO、TiO2、Al2O3等。通过使用白色玻璃，不需要设置反射膜，使制造趋于简单。因为没有反射膜，所以能够不必担心膜的剥离地形成可靠性高的反射面。
在玻璃基体2上形成的凹坑5及贯通孔3，如后文详述的那样，能够通过玻璃材料的成形同时形成。因此，不必像现有技术那样，单独加工基板或框部后进行粘接。就是说，本实施例的玻璃基体并非用多个不同的部件构成的，所以不存在接合这些部件的接合面。因此，能够杜绝接合面的劣化，提高可靠性。进而，因为制造工序也较少，所以还能够降低制造成本。
贯通电极4a、4b的截面形状，和在玻璃基体2上设置的贯通孔3的截面形状相同，成为从玻璃基体2的背面朝着凹坑5的表面扩口的形状。因此，贯通电极4a、4b不容易从凹坑5的表面侧穿过玻璃封装件的背面侧。向贯通孔3填充含有Ag的导电膏或Ni、Fe、Cu、铁镍钴合金等金属材料，并通过加热固化而形成贯通电极。或者可以插入金属芯材后粘接固定。或者可以填充熔化的软钎焊料后冷却固化。
玻璃基体2的背面，被研磨成为平坦的状态。在该面上形成背面电极9a、9b。可以利用蒸镀或印刷法形成背面电极。如果使用印刷法，可以使制造工序更加简单。
通过管芯焊接材料10，将LED元件6安装在贯通电极4的上部。管芯焊接材料10由凸点(bump)或导电性粘接剂构成，将LED元件6粘接固定在凹坑5的表面。在LED元件6的背面形成未图示的电极，通过管芯焊接材料10而与贯通电极4a电连接。另外，在LED元件6的表面形成未图示的电极，经由贯通电极4b而与金属线8电连接。
这样，因为LED元件6通过贯通电极4a和导电性的管芯焊接材料10与背面电极9a连接，所以LED元件6产生的热就能够经由管芯焊接材料10、贯通电极4a及背面电极9a散发掉。另外，还可以经由用Au等构成的金属线9、贯通电极4b及背面电极9b而散发掉。从而，能够抑制LED元件6的温度上升。
向玻璃基体2的凹坑5填充密封剂7，覆盖LED元件6和金属线8。密封剂7防止杂质或水分等从外部浸入，并防止电极材料等的腐蚀。
此外，如图1(b)所示，在本实施例中，设置4个通过管芯焊接材料10与LED元件6的下表面电极连接的贯通电极4a，并且设置1个经由金属线8而与LED元件6的上表面电极连接的其它的贯通电极4b。另外，各自的贯通电极4a、4b的形状相同。可是并不局限于此。既可以设置更多的贯通电极4a，也可以只设置一个。此外，可以使经由金属线8连接的其它的贯通电极4b的外形大于贯通电极4a的外形。另外，还可以在玻璃基体2的凹坑5的内侧设置多个LED元件6。依据这种结构，能够进一步提高光强度。另外，还可以使发光器件1的外形形状在俯视时成为六边形，或六以上的多边形，或圆形。因为能够在大块的晶片上同时形成多数发光器件1，所以发光器件1的外形形状最好成为能够细密地排列的外形形状。
接着，使用图2～图4，讲述发光器件1的制造方法的实施例。图2示意性地表示利用金属模具冲压机使玻璃材料成形的情况。图3是利用金属模具冲压机形成的玻璃基体2的剖面示意图。如图2所示，将玻璃材料15加热到软化点以上后，设置在模座16上，使表面形成凹凸的成形金属模具17下降，按压玻璃材料15。这样，就将金属模具17的凹凸形状转印到玻璃材料15上。冷却后，使成形金属模具17上升，从模座16中取出玻璃材料15。如图3所示，在取出的玻璃材料15中，形成凹坑5和在该凹坑5的底部形成的贯通孔3，它成为玻璃基体2。
在成形金属模具17的凹凸中存在锥度。因此，凸部18的前端变细，凹部19的底部变窄。利用该锥度，能够提高玻璃材料15离开成形金属模具17的脱模性。另外，转印了成形金属模具17的凸部18的玻璃基体2的贯通孔3，成为从背面朝着表面侧扩口的形状。因此还能够赋予下述优点：以后填充电极材料时，贯通电极4a、4b难以穿过。另外，由凹部19形成的锥面即凹坑5的锥面，可以作为反射LED元件6发出的光的反射面加以利用。
图4示意性地示出采用上述方法制造的玻璃基体制作发光器件的工序。采用网版印刷等，从玻璃基体2的背面向图3所示的贯通孔3中填充含有Ag等金属的导电膏。填充导电膏后，将其加热固化，作为贯通电极4a、4b。图4(a)示出在玻璃基体2的贯通孔3中形成贯通电极4的状态。在这里，也可以取代导电膏，而插入金属芯材后固定。
接着，在玻璃基体2的背面形成与贯通电极4a连接的背面电极9a、与贯通电极4b连接的背面电极9b。图4(b)示意性地示出该状态。采用网版印刷等，向玻璃基体2的背面供给混入Ag等导电材料的油墨，进行加热烧结而使其固化。如果采用印刷法形成背面电极9a、9b，就不必进行光刻工序及蚀刻工序，所以能够降低制造成本。
另外，玻璃基体2的背面平坦，所以易于将发光器件1安装到其它的基板上。
图4(c)示意性地示出在贯通电极4之上安装了LED元件6的状态。在LED元件6的背面形成电极。通过管芯焊接材料10，将LED元件6承载到贯通电极4a之上，一边加热一边按压LED元件6，用软钎焊料及金锡接合玻璃基体2及贯通电极4a。或者作为管芯焊接材料10，可以使用导电性粘接剂，使其固化而接合LED元件6。另外，作为管芯焊接工作法，还可以采用网版印刷等从玻璃基体2的背面向图3所示的贯通孔3中填充含有Ag等金属的导电膏后，将LED元件6小片装配、加热并固化，接合贯通电极4a和LED元件6，同时形成贯通电极4a。
图7是表示利用金属线8连接在LED元件6的上表面形成的电极和贯通电极4之间的状态的剖面示意图。作为金属线8，能使用金线。
图8是表示向玻璃基体2的凹坑5供给密封剂7，覆盖LED元件6和金属线8的状态的剖面示意图。
此外，在这里讲述了形成一个发光器件1的例子。但是可以使用较大的玻璃板同时形成多数发光器件，最后通过划片或切割，将它们分离。另外，工序顺序也不局限于以上所述，还可以在形成贯通电极4之后，按照安装LED元件6、供给密封剂7、形成背面电极9的顺序制造。
(实施例2)
图5是示意性地表示本实施例的发光器件1的剖面图。此外，适当省略与实施例1重复的讲述。如图所示，在本实施例中，采用使玻璃透镜21与实施例1的发光器件一体化的结构。利用在玻璃基体2的突起23的顶面涂布的粘接剂22，将玻璃基体2和玻璃透镜21粘接在一起。如图所示，向玻璃基体2的凹坑供给的密封剂7的量较少时，在密封剂7和玻璃透镜21之间，有时会存在间隙。
依据这种结构，发光元件6被玻璃基体和玻璃透镜完全密闭，所以能够实现耐久性极高的发光器件。在这里，使用半球状的凸透镜，但是可以按照要求的配光特性，使用椭圆、凹透镜，有时还可以采用不同的形状。
此外，玻璃基体最好使用白色玻璃。如前所述，由于白色玻璃被添加了B2O3、ZnO、Al2O3、ZrO2、ZrSiO4、CaF2、TiO2、CaO、MgO、BaO、P2O5等，所以热膨胀率随着添加材料及添加量变化。因为玻璃透镜21基本上使用透明玻璃，所以玻璃基体2和玻璃透镜21产生热膨胀率差。若该差较大，则耐久性降低，所以最好将两者的热膨胀率差选定为3×10-6/k以下。
图6是示意性地表示玻璃透镜21和密封剂7密合的结构的发光器件1的剖面图。如图所示，消除玻璃基体2和玻璃透镜21之间的空间地填充密封剂7。因为不存在图5所示的空间，所以来自发光元件6的光，直接从密封剂7射入玻璃透镜21。因此，能够杜绝间隙密封剂和空气层的界面、空气层和玻璃透镜的界面的反射造成的光损耗，能够提高发光效率。这时，还可以和图5的结构同样，使用在突起23的顶面涂布的粘接剂22粘接玻璃基体2和玻璃透镜21。或者不涂布粘接剂22，而使用从凹坑溢出的密封剂7粘接玻璃基体2和玻璃透镜21。
(实施例3)
下面，根据附图，讲述玻璃透镜21的底面为不平坦的实施例。在这里，所谓“玻璃透镜21的底面”，是指与玻璃基体连接的一侧的面(设置面)。此外，适当省略与实施例2重复的讲述。
图7示意性地表示在玻璃透镜21的底面设置凸部24的发光器件的剖面结构。如图所示，玻璃透镜21的凸部24与玻璃基体2的凹坑的斜面的上部(玻璃基体2的突起23的内壁面的上部)密合并嵌合。这样，使玻璃透镜21的凸部24的外周斜面与玻璃基体的凹坑的斜面接触地配置，从而能够高精度地进行玻璃基体2和玻璃透镜21的对位。进而，因为能够防止粘接剂22流入玻璃基体2的凹坑一侧，所以能够实现品质更加稳定的发光器件。
图8表示使用底面具有凹部26的玻璃透镜21的发光器件的剖面结构。如图所示，在玻璃透镜21中形成凹部26。反言之，在玻璃透镜21的底面的外周，形成凸部25。在玻璃基体2的突起23的外周侧，形成缺口部，以便与该凸部25校对。就是说，使玻璃透镜的凸部25和玻璃基体2的突起23校对地设计。因为凸部25和突起23的缺口部校对后接合，所以能够高精度地进行玻璃基体2和玻璃透镜21的对位。进而，因为粘接面积增加，所以粘接强度也增加，能够实现耐久性更高的发光器件。
图9表示在玻璃透镜21的底面设置的凹部28和玻璃基体2的突起23的顶面校对了凸部27的结构的发光器件。在这里，在玻璃透镜21的底面槽状地形成凹部28，而没有在底面的中央部形成。就是说，在玻璃透镜21的底面，形成环状的凹部28。如图所示，凹部28的内周侧面和凸部27的内周侧面密合地嵌合。毫无疑问，也可以在凹部28的内周侧面和凸部27的内周侧面之间设置粘接剂22或密封剂7，校对后粘接。这样，因为玻璃透镜21的凹部28和玻璃基体2的凸部27校对后接合，所以能够在高精度地进行玻璃基体2和玻璃透镜21的对位的同时，因为粘接剂涂布面积进一步增加，所以粘接强度也增加，能够进一步抑制来自外部的气体或水分的浸入，能够实现耐久性更高的发光器件。
(实施例4)
下面，讲述发光器件1的制造方法的实施例。此外，直到图4(d)所示的LED元件的安装工序为止，与实施例1的讲述相同。
图10示意性地表示利用在玻璃基体2的突起23的顶面设置的粘接剂22接合玻璃透镜21的方法。图10(a)是表示在图4(d)所示的玻璃基体2上设置粘接剂22的状态的剖面图。采用网版印刷、分配器、转印法等方法，在玻璃基体2的突起23的顶面涂布粘接剂22，使其干燥。作为粘接剂22，可以按照要求特性选择环氧树脂、硅树脂等热固化型的粘接剂、或丙烯酸类的光固化粘接剂、使用Polymetalloxane(ポリメタロキサン)的无机类的粘接剂等。在这里，因为基体、透镜都使用玻璃，所以如果使用无机类的粘接剂，就都成为无机类材料的接合，所以密闭强度增大，能够获得耐久性非常高的发光器件。
接着，向玻璃基体2的凹坑供给密封剂7。图10(b)示出这种状态。用分配器等向玻璃基体2的凹坑填充密封剂7。在这里，密封剂的填充量比凹坑稍微多一点。在固化密封剂7之前，使玻璃透镜21与玻璃基体2对位后承放。图10(c)示出粘贴玻璃透镜21后的发光器件1。在该状态下，加热发光器件1，使密封剂7及粘接剂22固化。从而，完成发光器件1。
图11示意性地表示利用向玻璃基体2的凹坑供给的密封剂7接合玻璃透镜21的方法。图11(a)是表示向图4(d)所示的玻璃基体2的凹坑供给密封剂7的状态的剖面图。采用分配器等向玻璃基体2的凹坑填充密封剂7。这时，较多地供给密封剂7，以便使它从玻璃基体2的突起23的顶面稍微高出一点。然后，在固化密封剂7之前，使玻璃透镜21与玻璃基体2对位后承放。这时，密封剂7到达玻璃基体2的突起23之上，玻璃透镜21和玻璃基体2的间隙被填充。图11(b)示意性地示出这种状态。接着，加热发光器件1，使密封剂7固化。依据这种方法，因为玻璃透镜21在密封剂7的作用下紧贴在玻璃基体2上，所以不必进行用图10讲述的粘接剂涂布工序。
此外，在本实施例4中，示出玻璃透镜21的底面为平坦时的结构。但也适合于图8所示的那种玻璃基体2和玻璃透镜21校对的形状。
附图标记说明
1 发光器件；2 玻璃基体；3 贯通孔；4a、4b 贯通电极；5凹坑；6 LED元件；7 密封剂；8 金属线；9a、9b 背面电极；10 管芯焊接材料；21 玻璃透镜；22 粘接剂；23 突起。

Claims (15)

1.一种发光器件，在表面有形成凹坑的玻璃基体上安装有发光元件，其特征在于，包括：
形成在所述玻璃基体上的贯通电极；
被搭载在所述贯通电极上并且被所述凹坑收纳的发光元件；以及
为了密封所述发光元件而向所述凹坑供给的密封剂，
所述凹坑是被在所述玻璃基体的表面一体地形成的突起包围的区域，
所述玻璃基体，用反射所述发光元件发出的光的材料形成。
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于：形成所述玻璃基体的材料是白色玻璃。
3.如权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于：覆盖所述凹坑地使玻璃透镜与所述玻璃基体接合。
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于：所述玻璃透镜和所述玻璃基体，通过被设置在所述突起的顶面的无机类的粘接剂接合。
5.如权利要求4所述的发光器件，其特征在于：所述玻璃透镜和所述玻璃基体，使用所述突起嵌合地校对后接合。
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于：所述玻璃透镜的设置面侧成为凸状，与所述玻璃基体的突起的内周面抵接。
7.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于：所述玻璃透镜的设置面侧成为凹状。
8.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于：在所述玻璃基体的突起的顶面形成凸部，在所述玻璃透镜上形成与所述凸部嵌合的凹部。
9.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于：所述玻璃透镜和所述玻璃基体，通过所述密封剂接合。
10.如权利要求9所述的发光器件，其特征在于：所述玻璃透镜和所述玻璃基体，使用所述突起嵌合地接合。
11.如权利要求10所述的发光器件，其特征在于：所述玻璃透镜的设置面侧的外周部成为凸状，以使在所述突起形成的阶差部和所述外周部嵌合的方式接合。
12.如权利要求10所述的发光器件，其特征在于：在所述玻璃基体的突起的顶面形成凸部，在所述玻璃透镜上形成与所述凸部嵌合的凹部。
13.一种发光器件的制造方法，其特征在于，包含：
使用反射光的材料，制造表面设有用于形成凹坑的突起并且在所述凹坑的表面形成有贯通孔的玻璃基体的第1工序；
在所述贯通孔中设置导电材料，形成贯通电极的第2工序；
在所述贯通电极之上安装发光元件的第3工序；
覆盖所述发光元件地向所述凹坑供给密封剂的第4工序；以及
使所述密封剂固化的第5工序。
14.如权利要求13所述的发光器件的制造方法，其特征在于，包含：
在所述突起上设置粘接剂的工序；以及
在所述突起设置玻璃透镜，以便覆盖所述玻璃基板的凹坑，使所述粘接剂固化而接合玻璃基板和所述玻璃透镜的工序。
15.如权利要求13所述的发光器件的制造方法，其特征在于：
在所述第4工序中，比所述突起的高度高地供给所述密封剂；
具备在所述玻璃基板上设置玻璃透镜，以便覆盖所述凹坑，使所述密封剂填充到所述玻璃基板的突起和所述玻璃透镜的间隙为止的工序；
在所述第5工序中，利用所述密封剂接合所述玻璃基板和所述玻璃透镜。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN103187504A (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN106299077A (zh) * 2015-05-26 2017-01-04 碁鼎科技秦皇岛有限公司 Led封装结构及其制作方法
CN108206233A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 三星电子株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187504A (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN102646674A (zh) * 2012-04-26 2012-08-22 南通脉锐光电科技有限公司 白光led发光装置
CN106299077A (zh) * 2015-05-26 2017-01-04 碁鼎科技秦皇岛有限公司 Led封装结构及其制作方法
CN106299077B (zh) * 2015-05-26 2019-01-25 碁鼎科技秦皇岛有限公司 Led封装结构的制作方法
CN108206233A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 三星电子株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
CN108206233B (zh) * 2016-12-20 2021-06-29 三星电子株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
CN112582328A (zh) * 2020-12-10 2021-03-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 转移基板及其制作方法、转移装置

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