CN112580389A

CN112580389A - 指纹侦测装置

Info

Publication number: CN112580389A
Application number: CN201910925926.4A
Authority: CN
Inventors: 李祥宇; 金上; 林丙村; 杜佳动
Original assignee: SuperC-Touch Corp
Current assignee: SuperC-Touch Corp
Priority date: 2019-09-27
Filing date: 2019-09-27
Publication date: 2021-03-30
Anticipated expiration: 2039-09-27
Also published as: CN112580389B

Abstract

本发明提供了一种指纹侦测装置，包括：一基板、一开关电路层、一感应电极层、一散热抗静电结构层、及一保护层。开关电路层设置在基板上，并包括多个晶体管开关、多条数据线、及多条控制线。感应电极层设置在开关电路层上，并包括多个感应电极。散热抗静电结构层设置在感应电极层上。散热抗静电结构层包括一导电网格及多个分流散热体。导电网格开设有多个网眼，并配置成疏导电荷。该些分流散热体邻近于导电网格，并对应于该些感应电极。该些分流散热体彼此电性绝缘，且电性绝缘于导电网格，且电性绝缘于该些感应电极。保护层设置在散热抗静电结构层上。

Description

指纹侦测装置

技术领域

本发明是关于指纹侦测装置，特别是关于具有抗静电结构的指纹侦测装置，更特别是关于具有散热抗静电结构的指纹侦测装置。

背景技术

现在，电子商务兴起，远程支付的发展亦是一日千里。为了配合远程支付，生物辨识的需求急速膨胀。其中，基于效率、安全、及非侵入性等要求，指纹辨识已成为生物辨识的首选，特别是电容式指纹侦测，在装置体积、制造成本、省电、可靠、防伪等综合考虑下脱颖而出。

然而，电容式指纹辨识装置所面临的严峻问题是，它的静电耐受性低。这是因为，为了可侦测到指纹所产生的微弱的电信号，电容式指纹侦测装置的保护绝缘体必须变薄(相较于光学式指纹侦测装置而言)，而保护绝缘体一旦变薄，可能不足以防护电容式指纹辨识装置免于受到静电放电的损害。

虽然有人提出以分流结构来强化静电防护，但静电放电往往瞬间在分流结构产生极高温，导致分流结构本身或其周边材料熔化或气化，甚至引起爆裂，最终造成电容式指纹辨识装置不可逆地损坏。而且，将分流结构加粗亦是不可考虑的，因为这么做会缩减感应电极的有效感应面积，使指纹所产生的电信号变得更加微弱，乃至不堪用的地步。由此可见，现有的分流结构仍然成效不大。如何提升电容式指纹侦测装置的静电耐受性，乃业界共同的课题。

因此，亟须提出一种创新的指纹侦测装置，以消除或缓和上述问题。

发明内容

本发明旨在提供一种指纹侦测装置，其具有抗静电结构，更具有散热抗静电结构，可在维持高效能的前提下，以低成本的方式来制造。

根据本发明，抗静电结构是使用导电网格来将静电加以疏导或分流。散热抗静电结构是在导电网格的网眼中进一步设置分流散热体。分流散热体具有良好的导热性质，呈现为浮接(floating)的孤岛，而对应于感应电极。

一方面，分流散热体可在静电放电的瞬间，同时带来分流与散热的双重功效。

另一方面，分流散热体对于感应电极，可产生屏蔽作用，避免感应电极因静电放电直击而损害。

又一方面，上方的浮接的分流散热体与下方的相应的感应电极之间可形成一耦合电容(例如是寄生电容的形式)，耦合电容可将分流散热体的电荷分布及/或变化耦合至下方的感应电极，以进行指纹侦测的动作。

有鉴于此，根据本发明的一种观点，提出一种指纹侦测装置，包括：一基板、一开关电路层、一感应电极层、一散热抗静电结构层、及一保护层。开关电路层设置在基板上，并包括多个晶体管开关、多条数据线、及多条控制线。感应电极层设置在开关电路层上，并包括多个感应电极。散热抗静电结构层设置在感应电极层上。散热抗静电结构层包括一导电网格及多个分流散热体。导电网格开设有多个网眼，并配置成疏导电荷。该些分流散热体邻近于导电网格，并对应于该些感应电极。该些分流散热体彼此电性绝缘，且电性绝缘于导电网格，且电性绝缘于该些感应电极。保护层设置在散热抗静电结构层上。

可选地，或较佳地，散热抗静电结构层区分成一上子层及一下子层，导电网格位在上子层，该些分流散热体位在下子层。

可选地，或较佳地，各感应电极对应于一或多个分流散热体，感应电极所对应的该或该些分流散热体的总面积等于或大于625μm²。

可选地，或较佳地，各感应电极所对应的一或多个分流散热体与感应电极之间形成一或多个耦合电容，该或该些耦合电容将一手指的电荷分布及/或变化耦合至感应电极。

可选地，或较佳地，沿着基板的一法线方向来观察，一或多个分流散热体恰好位于一网眼中。

可选地，或较佳地，网眼由导电网格的一局部环所定义，位在网眼中的该或该些分流散热体的总面积大于局部环的总面积。

可选地，或较佳地，各分流散热体的导热率等于或大于35Wm^-1K^-1。

可选地，或较佳地，各分流散热体的导热率等于或大于100Wm^-1K^-1，且由钼、银、铜、金、铝、或石墨所组成。

可选地，或较佳地，导电网格电性连接至一接地端、一直流参考电压端、或一金属壳，且由钼、银、铜、金、铝、或石墨所组成。

可选地，或较佳地，指纹侦测装置还包括：一上绝缘层，设置在感应电极层与散热抗静电结构层之间。

可选地，或较佳地，各分流散热体的导热率大于上绝缘层5倍或更多。

可选地，或较佳地，上绝缘层包括一第一气化点材料层及/或一第二气化点材料层。

可选地，或较佳地，第一气化点材料层由氮硅化合物所组成，第二气化点材料层由固化型压克力材料所组成。

可选地，或较佳地，指纹侦测装置还包括：一屏蔽电极层，设置在开关电路层与感应电极层之间，并包括至少一屏蔽电极，屏蔽电极配置成在开关电路层与感应电极层之间形成屏蔽效应(shielding effect)。

可选地，或较佳地，指纹侦测装置还包括：一中绝缘层，设置在屏蔽电极层与感应电极层之间。

可选地，或较佳地，指纹侦测装置还包括：一下绝缘层，设置在开关电路层与屏蔽电极层之间。

可选地，或较佳地，指纹侦测装置还包括：一侦测电路，是经由开关电路层，连接至感应电极层的该些感应电极，并配置成：选定一感应电极，并自选定的感应电极来接收一指纹感应信号。

可选地，或较佳地，侦测电路是更配置成：依序或随机将交流(alternating)的一电极激励信号施加于选定的感应电极。

可选地，或较佳地，侦测电路是更配置成：将交流的一手指激励信号施加于一待测者的一手指。

下文将配合图式并详细说明，使本发明的其他目的、优点、及新颖特征更明显。

附图说明

图1为本发明的一实施例的指纹侦测装置的构造图。

图2A为本发明的另一实施例的指纹侦测装置的构造图。

图2B为本发明的再一实施例的指纹侦测装置的构造图。

图2C为本发明的又一实施例的指纹侦测装置的构造图。

图3A、图3B、及图3C为本发明的侦测电路的三种实施方式。

图4A为静电放电造成损害的示意图。

图4B为本发明的一实施例的散热抗静电结构层的立体图。

图5为本发明的一实施例的导电网格与分流散热体的平面图。

图6A及图6B为该些分流散热体与该些感应电极之间所分别形成的耦合电容的示意图。

图7为静电放电的时间温度图。

符号说明

1 指纹侦测装置

10 基板

20 开关电路层

21 薄膜晶体管层

211 晶体管开关

212 放大器

22 金属走线层

31 下绝缘层

32 中绝缘层

33 上绝缘层

331 上绝缘层的第一气化点材料层

332 上绝缘层的第二气化点材料层

34 中介绝缘层

40 屏蔽电极层

401 屏蔽电极

50 感应电极层

501 感应电极

60 散热抗静电结构层

61 导电网格

610 网眼

611 局部环

62 分流散热体

70 保护层

71 氮硅化合物层

72 印刷涂布层

80 金属框

90 侦测电路

Agd1 局部环的第一面积

Agd2 局部环的第二面积

Agd3 局部环的第三面积

Agd4 局部环的第四面积

Ahs 一或多个分流散热体的总面积

C11、C22 耦合电容

C111、C112、C113、C114 耦合电容

C221、C222、C223、C224 耦合电容

Igd 电流

Rgd 电阻

SF 手指激励信号

SR 指纹感应信号

ST 电极激励信号

Z 法线方向

具体实施方式

以下提供本发明的不同实施例。这些实施例是用于说明本发明的技术内容，而非用于限制本发明的权利范围。一实施例的一特征可通过合适的修饰、置换、组合、分离以应用于其他实施例。

应注意的是，在本文中，除了特别指明者之外，具备「一」组件不限于具备单一的该组件，而可具备一或更多的该组件。

此外，在本文中，除了特别指明之外，「第一」、「第二」等序数，只是用于区别具有相同名称的多个组件，并不表示它们之间存在位阶、层级、执行顺序、或制程顺序。一「第一」组件与一「第二」组件可能一起出现在同一构件中，或分别出现在不同构件中。序数较大的一组件的存在不必然表示序数较小的另一组件的存在。

此外，在本文中，所谓的「上」、「下」、「左」、「右」、「前」、「后」、或「之间」等用语，只是用于描述多个组件之间的相对位置，并在解释上可推广成包括平移、旋转、或镜射的情形。

此外，在本文中，除了特别指明之外，「一组件在另一组件上」或类似叙述不必然表示该组件接触该另一组件。

此外，在本文中，「较佳」或「更佳」是用于描述可选的或附加的组件或特征，亦即，这些组件或特征并不是必要的，而可能加以省略。

此外，各组件可以适合的方式来实现成单一电路或一集成电路，且可包括一或多个主动组件，例如，晶体管或逻辑闸，或一或多个被动组件，例如，电阻、电容、或电感，但不限于此。各组件可以适合的方式来彼此连接，例如，分别配合输入信号及输出信号，使用一或多条线路来形成串联或并联。此外，各组件可允许输入信号及输出信号依序或并列进出。上述配置皆是依照实际应用而定。

此外，在本文中，「系统」、「设备」、「装置」、「模块」、或「单元」等用语，是指一电子组件或由多个电子组件所组成的一数字电路、一模拟电路、或其他更广义电路，且除了特别指明之外，它们不必然有位阶或层级关系。

此外，在本文中，除了特别指明之外，二组件的电性连接可包括直接连接或间接连接。在间接连接中，该二组件之间可能存在一或多个其他组件，例如，电阻、电容、或电感。电性连接是用于传递一或多个信号，例如，直流或交流的电流或电压，依照实际应用而定。

图1显示本发明的一实施例的指纹侦测装置1的构造图。

如图1所示，本发明的指纹侦测装置1的最基本构造包括一基板10、一开关电路层20、一感应电极层50、一散热抗静电结构层60、及一保护层70。它们是在基板10的一法线方向Z上依序堆栈。法线方向Z垂直于基板10的主要表面。

图2A显示本发明的另一实施例的指纹侦测装置1的构造图。

图2A的实施例是以图1的实施例加以变化而成。在图2的实施例中，指纹侦测装置1包括一基板10、一开关电路层20、一屏蔽电极层40、一感应电极层50、一散热抗静电结构层60、及一保护层70。它们是在基板10的一法线方向Z上依序堆栈。前后描述的二层可能紧邻，其间亦可能夹设有额外的层。

开关电路层20可区分成一薄膜晶体管层21及一金属走线层22。薄膜晶体管层21及金属走线层22在法线方向Z上可配置成上下二层，亦可整合成同一层。薄膜晶体管层21包括多个晶体管开关211(可参考图3A)。金属走线层22可包括多条数据线及多条控制线。该些数据线是通过由该些控制线所控制的该些晶体管开关211来分别连接至该些感应电极501。

屏蔽电极层40包括至少一屏蔽电极401(可参考图4B)。可以一或多个屏蔽电极401来屏蔽感应电极层50的全部或部分。屏蔽电极401配置成在开关电路层20与感应电极层50之间形成屏蔽效应，以避免在开关电路层20中传输的信号(特别是指纹感应信号SR)受到干扰而失真。

感应电极层50包括多个感应电极501(可参考图3A)。感应电极501配置成感应一待测者(通常是人类)的一手指所带有的电荷。

图3A、图3B、及图3C显示本发明的侦测电路90的三种实施方式，分别用于自电容感应(self-capacitance sensing)、互电容感应(mutual-capacitance sensing)、及自互电容混合式感应。

指纹侦测装置1包括一侦测电路90。侦测电路90可设置在开关电路层20中，但不限于此。在其他实施例中，侦测电路90可为一外部集成电路，而独立于图2A的构造，在这种情况下，因信号路径较长，如何确保指纹感应信号的正确性成为重要课题。

如图3A、图3B、及图3C所示，侦测电路90是经由开关电路层20的电路，例如，晶体管开关211及/或放大器212，连接至感应电极层50的该些感应电极501，并配置成：选定一感应电极501，并自选定的感应电极501来接收一指纹感应信号SR。

在图3A的自电容感应机制下，侦测电路90可更配置成：依序或随机将交流的一电极激励信号ST施加于选定的感应电极501。具体而言，电极激励信号ST是发送至一特定感应电极501，手指在该特定感应电极501感应出电荷分布或电荷变化，因而产生指纹感应信号SR，指纹感应信号SR则是由侦测电路90来接收自该特定感应电极501。

在图3B的互电容感应机制下，侦测电路90可更配置成：将交流的一手指激励信号SF施加于待测者的手指。具体而言，指纹侦测装置1可包括一金属框80，手指激励信号SF是发送至金属框80。手指在接近指纹侦测装置1时，手指的任何部分可接触金属框80，以接收微弱的电流或电荷(无害于身体)，如此可感应出较强的指纹感应信号SR，而增强指纹侦测的灵敏度。

图3C的自互电容混合式感应机制则是兼具图3A及图3B的机制。

图4A显示静电放电造成损害的示意图。

如图4A所示，手指在邻近感应电极时，可能带有过多电荷，过多电荷可能跳跃到指纹侦测装置中，损害内部组件。为了疏导跳跃到指纹侦测装置中的电荷，可设置导电网格。组成导电网格的金属线通常较细，以避免干扰感应电极。可是，若组成导电网格的金属线较细，则它的电阻较大，在疏导电荷时，瞬间会产生极高温(例如，高达摄氏上万度)，这种极高温甚至可能造成整个导电网格或其周边材料的气化。

图4B显示本发明的一实施例的散热抗静电结构层60的立体图。

散热抗静电结构层60包括一导电网格61及多个分流散热体62。该些分流散热体62邻近于导电网格61。在本实施例中，导电网格61及该些分流散热体62在法线方向Z上配置成同一层。

如图4A及图4B所示，导电网格61电性连接至一接地端，亦可电性连接至一直流参考电压端或一金属壳，以疏导电荷。导电网格61具有电阻Rgd。电荷以电流Igd而自导电网格61疏导至接地端。导电网格61例如是由钼、银、铜、金、铝、或石墨所组成。

图5显示本发明的一实施例的导电网格61与分流散热体62的平面图，它是沿着基板10的法线方向Z来观察而得。

如图5所示，导电网格61开设有多个网眼610。一网眼610是由导电网格61的一局部环611所定义。因围绕而定义网眼610的局部环611包括第一路、第二路、第三路、及第四路，分别具有第一面积Agd1、第二面积Agd2、第三面积Agd3、及第四面积Agd4。

较佳地，根据本发明，位在一网眼610中的一或多个分流散热体62的总面积Ahs大于因围绕而定义网眼610的局部环611的总面积，也就是说，Ahs>Agd1+Agd2+Agd3+Agd4。

图6A及图6B显示该些分流散热体62与该些感应电极501之间所分别形成的耦合电容的示意图。

同时参考图5、图6A、及图6B，感应电极层50的感应电极501与导电网格61的网眼610可为一对一对应，或一对多对应，例如，两者在法线方向Z上有序地对齐。同时，该些分流散热体62对应于该些感应电极501。一感应电极501可对应于一或多个分流散热体62。该些分流散热体62分别位于网眼610中，具体而言，一网眼610中可能存在一或多个分流散热体62。

该些分流散热体62彼此电性绝缘，且电性绝缘于导电网格61，且电性绝缘于该些感应电极501。因此，各分流散热体62呈现为浮接的一孤岛。

一方面，该些分流散热体62可大幅强化散热功效。为了达到良好的散热功效，分流散热体62的导热率等于或大于35Wm^-1K^-1。更加地，分流散热体62的导热率等于或大于100Wm^-1K^-1。分流散热体62例如是由钼、银、铜、金、铝、或石墨所组成，因而可导电，以协助疏导或分流电荷。静电放电在指纹侦测装置1中所引起的电流会造成特定组件(例如导电网格61或感应电极层50)的温度遽升，可能破坏特定组件或其周边材料，而上述分流散热体62的导热率的设定，可确保有效散热。

值得注意的是，分流散热体62的浮接状态可能因不同情形而有所变化。在正常情形下，分流散热体62由于呈现浮接状态，不会影响到指纹侦测的动作。然而，在面临静电放电时，静电放电在指纹侦测装置1中产生的极高温会引起电子的游离，使孤岛般的分流散热体62仍然具有分流或疏导电荷的能力。

另一方面，分流散热体62对于感应电极501，可产生屏蔽作用，避免感应电极501因静电放电直击而损害。

又一方面，一感应电极501所对应的一或多个分流散热体62与感应电极501之间可形成一或多个耦合电容，耦合电容可将一手指带给分流散热体62的电荷分布及/或变化耦合至感应电极501，以进行指纹侦测的动作。

图6A显示的是各感应电极501对应于一分流散热体62，形成一耦合电容，例如，C11。图6B显示的是各感应电极501对应于多个(四个)分流散热体62，形成多个(四个)耦合电容，例如，C111、C112、C113、及C114。

较佳地，根据本发明，一感应电极501所对应的一或多个分流散热体62的总面积Ahs等于或大于625μm²。

回到图2A，保护层70用于避免其他层受到物理的破坏或化学的侵蚀。在本实施例中，保护层70又区分成一氮硅化合物层71及一印刷涂布层72。

较佳地，在开关电路层20与屏蔽电极层40之间可设置一下绝缘层31。较佳地，在屏蔽电极层40与感应电极层50之间可设置一中绝缘层32。下绝缘层31或中绝缘层32可为一第二气化点材料层，例如是由固化型压克力材料所组成。

较佳地，在感应电极层50与散热抗静电结构层60之间可设置一上绝缘层33。在本实施例中，上绝缘层33又包括一第一气化点材料层331及/或一第二气化点材料层332；其中，第一气化点材料层331例如是由氮硅化合物所组成，第二气化点材料层332例如是由固化型压克力材料所组成。分流散热体62的导热率设定成大于上绝缘层33至少5倍。

图2B显示本发明的再一实施例的指纹侦测装置1的构造图。

图2B的实施例是以图1及图2A的实施例加以变化而成。图2B的实施例与图2A的实施例之间的差异在于：上绝缘层33只包括一第一气化点材料层，例如是由氮硅化合物所组成。

图2C显示本发明的又一实施例的指纹侦测装置1的构造图。

图2C的实施例是以图1及图2B的实施例加以变化而成。图2C的实施例与图2B的实施例之间的差异在于：散热抗静电结构层60区分成一上子层及一下子层，导电网格61位于上子层，该些分流散热体62位于下子层。虽然如此，沿着基板10的法线方向Z来观察，一或多个分流散热体62仍然位于一网眼610中，亦可呈现出如图5所示的样貌。

此外，在导电网格61所位在的上子层与该些分流散热体62所位于的下子层之间，可设置有一中介绝缘层34。中介绝缘层34包括一第一气化点材料层，例如是由氮硅化合物所组成。

图7显示静电放电的时间温度图。

观察图2A、图2B、及图2C的构造，在散热抗静电结构层60附近(例如，其正下方或组成它的各层之间)，宜紧邻设置(例如，直接接触)第一气化点材料层；其他地方则可设置第二气化点材料层。同时参考图4A、图4B、及图7，导电网格62的气化温度大于第一气化点材料层的气化温度，第一气化点材料层的气化温度又大于第二气化点材料层的气化温度。

曲线a是图4A的构造(没有设置本发明的分流散热体62)遇到静电放电冲击的瞬间，放电点的导电网格周边的温度变化曲线。其中，导电网格的温度骤升，且超过第一气化点材料的气化温度与第二气化点材料的气化温度，更超过导电网格材料的气化温度，将导致在放电点周边形成不可逆的破坏。

曲线b是图4B的构造(有设置本发明的分流散热体62)遇到静电放电冲击的瞬间，放电点的导电网格61周边的温度变化曲线。其中，由于分流散热体62具有良好的电荷分流与散热功效，温度上升未超过第二气化点材料层的气化温度，因此，静电放电冲击不至于造成损坏。

尽管本发明已通过多个实施例来说明，应理解的是，只要不背离本发明的精神及权利要求书所主张者，可作出许多其他可能的修饰及变化。

Claims

1.一种指纹侦测装置，其特征在于，包括：

一基板(10)；

一开关电路层(20)，设置在所述基板(10)上，并包括多个晶体管开关、多条数据线、及多条控制线；

一感应电极层(50)，设置在所述开关电路层(20)上，并包括多个感应电极(501)；

一散热抗静电结构层(60)，设置在所述感应电极层(50)上，所述散热抗静电结构层(60)包括：

一导电网格(61)，开设有多个网眼(610)，并配置成疏导电荷；及

多个分流散热体(62)，邻近于所述导电网格(61)，并对应于所述多个感应电极(501)，所述多个分流散热体(62)彼此是电性绝缘，且电性绝缘于所述导电网格(61)，且电性绝缘于所述多个感应电极(501)；及

一保护层(70)，设置在所述散热抗静电结构层(60)上。

2.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，所述散热抗静电结构层(60)区分成一上子层及一下子层，所述导电网格(61)位于所述上子层，所述多个分流散热体(62)位于所述下子层。

3.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，各所述感应电极(501)对应于一或多个分流散热体(62)，所述感应电极(501)所对应的所述一或多个分流散热体(62)的总面积等于或大于625μm²。

4.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，各所述感应电极(501)所对应的一或多个分流散热体(62)与所述感应电极(501)之间形成一或多个耦合电容，所述一或多个耦合电容将一手指的电荷分布及/或变化耦合至所述感应电极(501)。

5.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，沿着所述基板(10)的一法线方向(Z)来观察，一或多个分流散热体(62)恰好位于一网眼(610)中。

6.根据权利要求5所述的指纹侦测装置，其特征在于，各所述网眼(610)是由所述导电网格(61)的一局部环(611)所定义，位于所述网眼(610)中的所述一或多个分流散热体(62)的总面积大于所述局部环(611)的总面积。

7.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，各所述分流散热体(62)的导热率等于或大于35Wm^-1K^-1。

8.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，各所述分流散热体(62)的导热率等于或大于100Wm^-1K^-1，且是由钼、银、铜、金、铝、或石墨所组成。

9.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，所述导电网格(61)电性连接至一接地端、一直流参考电压端、或一金属壳，且是由钼、银、铜、金、铝、或石墨所组成。

10.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，还包括：一上绝缘层(33)，设置在所述感应电极层(50)与所述散热抗静电结构层(60)之间。

11.根据权利要求10所述的指纹侦测装置，其特征在于，各所述分流散热体(62)的导热率大于所述上绝缘层(33)5倍或更多。

12.根据权利要求11所述的指纹侦测装置，其特征在于，所述上绝缘层(33)包括一第一气化点材料层(331)及/或一第二气化点材料层(332)。

13.根据权利要求12所述的指纹侦测装置，其特征在于，所述第一气化点材料层(331)是由氮硅化合物所组成，所述第二气化点材料层(332)是由固化型压克力材料所组成。

14.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，还包括：一屏蔽电极层(40)，设置在所述开关电路层(20)与所述感应电极层(50)之间，并包括至少一屏蔽电极(401)，所述屏蔽电极(401)配置成在所述开关电路层(20)与所述感应电极层(50)之间形成屏蔽效应。

15.根据权利要求14所述的指纹侦测装置，其特征在于，还包括：一中绝缘层(32)，设置在所述屏蔽电极层(40)与所述感应电极层(50)之间。

16.根据权利要求14所述的指纹侦测装置，其特征在于，还包括：一下绝缘层(31)，设置在所述开关电路层(20)与所述屏蔽电极层(40)之间。

17.根据权利要求1所述的指纹侦测装置，其特征在于，还包括：一侦测电路(90)，是经由所述开关电路层(20)，连接至所述感应电极层(50)的多个感应电极(501)，并配置成：选定一感应电极(501)，并自选定的所述感应电极(501)来接收一指纹感应信号。

18.根据权利要求17所述的指纹侦测装置，其特征在于，所述侦测电路(90)还配置成：依序或随机将交流的一电极激励信号施加于选定的所述感应电极(501)。

19.根据权利要求17所述的指纹侦测装置，其特征在于，所述侦测电路(90)还配置成：将交流的一手指激励信号施加于一待测者的一手指。