CN112563305A - 显示设备和修复显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及显示设备和修复显示设备的方法，所述显示设备包括：基底，包括显示区域和非显示区域；显示元件，在所述显示区域上方；薄膜晶体管，设置在所述基底和所述显示元件之间并且连接到所述显示元件；第一布线，连接到所述薄膜晶体管并且在第一方向上延伸；以及第二布线，设置在所述第一布线上方并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。所述显示设备包括：连接导电层，与其中所述第一布线和所述第二布线彼此交叉的交叉部分重叠；绝缘层，在所述连接导电层和所述第二布线之间；以及至少一个连接接触孔，被限定在所述绝缘层中，所述至少一个连接接触孔将所述连接导电层连接到所述第二布线。

Description

显示设备和修复显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月26日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0119094号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及用于实现高分辨率和改善的可靠性的显示设备和修复显示设备的方法。
背景技术
随着信息社会不断发展，对各种类型的显示设备的需求一直在增加。显示设备的领域已经迅速聚焦在平板显示(FPD)装置上，平板显示(FPD)装置是薄的、轻的并且能够实现大的显示区域，FPD装置取代了具有相对大的体积的阴极射线管(CRT)装置。FPD装置的示例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示(EPD)装置。
这样的显示设备可以包括包含显示区域和非显示区域的基底，并且可以包括能够将电信号传送到显示区域的各种布线。
将理解的是，本背景技术部分旨在部分地提供用于理解技术的有用背景。然而，本背景技术部分还可以包括不作为在本文中公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员已知或理解的一部分的思想、构思或认知。
发明内容
一个或多个实施例包括高度可靠的显示设备。
将在下面的描述中部分地阐述附加方面，并且从该描述中所述附加方面将显而易见，或者可以通过对本公开的所提供的实施例的实践来习得所述附加方面。
根据一个或多个实施例，一种显示设备可以包括：基底，包括显示区域和非显示区域；显示元件，在所述显示区域上方；薄膜晶体管，设置在所述基底和所述显示元件之间并且连接到所述显示元件；第一布线，连接到所述薄膜晶体管并且在第一方向上延伸；第二布线，设置在所述第一布线上方并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；连接导电层，与其中所述第一布线和所述第二布线可以彼此交叉的交叉部分重叠；绝缘层，设置在所述连接导电层和所述第二布线之间；以及至少一个连接接触孔，限定在所述绝缘层中，所述至少一个连接接触孔连接所述连接导电层和所述第二布线。
所述连接导电层可以在所述基底和所述第一布线之间。
在所述连接导电层和所述第一布线之间可以设置缓冲层。
所述显示设备还可以包括：偏置电极，设置在所述基底和半导体层之间并且与所述半导体层重叠，其中，所述薄膜晶体管包括所述半导体层，并且所述连接导电层和所述偏置电极可以设置在相同的层上。
所述连接导电层可以与所述偏置电极间隔开。
所述连接导电层可以设置在所述第二布线上方。
所述显示元件可以包括像素电极和相对电极，并且所述连接导电层和所述像素电极设置在相同的层上。
所述连接导电层可以与所述像素电极间隔开。
所述显示设备还可以包括：平坦化层，在所述显示元件和所述薄膜晶体管之间，其中，所述连接导电层可以在所述平坦化层上。
所述薄膜晶体管可以包括栅电极、源电极和漏电极，其中，所述第一布线可以连接到所述栅电极。
所述第二布线可以连接到所述源电极或所述漏电极。
所述连接导电层可以在所述第二方向上延伸。
所述连接导电层可以包括岛状。
所述连接导电层的在所述第二方向上的长度可以大于所述交叉部分的在所述第二方向上的长度。
所述至少一个连接接触孔可以包括第一接触孔和第二接触孔，其中，所述交叉部分可以在所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。
所述第二布线可以包括数据线。
所述显示设备还可以包括：无机保护层，覆盖所述第二布线。
根据一个或多个实施例，一种修复显示设备的方法，其中，所述显示设备可以包括：基底；第一布线，在所述基底上方在第一方向上延伸；第二布线，设置在所述第一布线上方并且与所述第一布线交叉；连接导电层，与其中所述第一布线和所述第二布线可以彼此交叉的交叉部分重叠；绝缘层，在所述连接导电层和所述第二布线之间；以及至少一个连接接触孔，在所述绝缘层中，所述连接导电层经由所述至少一个连接接触孔连接到所述第二布线，其中，所述方法可以包括通过将激光照射到所述交叉部分和所述至少一个连接接触孔之间的区域来切割所述第二布线。
所述方法还可以包括：在切割所述第二布线之前，测试所述第一布线和所述第二布线是否可能短路。
所述显示设备还可以包括：显示元件，包括像素电极和相对电极，其中，所述方法还可以包括：在切割所述第二布线之后，通过在相同的层上形成所述连接导电层和所述像素电极来连接所述第二布线。
附图说明
根据以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的示意性平面图；
图2是示出根据实施例的显示设备的像素的等效电路图；
图3是示出根据根据实施例的包括在像素电路中的薄膜晶体管和电容器的位置的示意性表示图；
图4是示出其中可以包括有机发光二极管的结构的沿着图3的线A-A’截取的示意性截面图；
图5是沿着图3的线B-B’截取的示意性截面图；
图6A是示出根据实施例的修复显示设备的方法的流程图；
图6B是示出根据实施例的测试第一布线和第二布线是否可能短路的操作的示意性截面图；
图6C是示出根据实施例的切割第二布线的操作的示意性放大图；
图7是示出根据另一实施例的包括在像素电路中的薄膜晶体管和电容器的位置的示意性表示图；
图8是示出根据另一实施例的包括在像素电路中的薄膜晶体管和电容器的位置的示意性表示图；
图9是沿着图8的线C-C’截取的示意性截面图；
图10A是示出根据另一实施例的修复显示设备的方法的流程图；
图10B是示出根据另一实施例的切割第二布线的操作的示意性截面图；
图10C是示出根据另一实施例的形成连接导电层的操作的示意性截面图；以及
图11是示出根据另一实施例的包括在像素电路中的薄膜晶体管和电容器的位置的示意性表示图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，在附图中示出了所述实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件。可以省略同样元件的重复描述。实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本说明书的各方面。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。术语“和”和“或”可以以结合的或分离的含义来使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、全部a、b和c或者它们的变化。
虽然诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种组件，但是这些组件不必受限于上述术语。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。类似地，为了易于描述，在本文中可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”的空间相对术语，以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中所描绘的方位之外，空间相对术语还旨在包含装置在使用或操作中的不同方位。
除非上下文另有明确指示，否则如本文中使用的单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
将理解的是，如本文中使用的术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征或组件。
还将理解的是，当将层、区域或组件被称作“在”另一层、另一区域或另一组件“上”时，所述层、区域或组件可直接或间接在所述另一层、另一区域或另一组件上。例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于解释，可以夸大或缩减附图中的组件的尺寸。例如，由于为便于解释而任意示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
当可以不同地实现实施例时，可以与描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序来执行。
还将理解的是，当层、区域或组件被称为彼此“连接”时，它们可以彼此“直接连接”，或者可以通过介于其间的中间层、中间区域或中间组件彼此“间接连接”。例如，当层、区域或组件被称为彼此“电连接”时，它们可以彼此“直接电连接”，或者可以通过介于其间的中间层、中间区域或中间组件彼此“间接电连接”。
术语“重叠”可以包括：层、堆叠、面对或面向、在上方(或下方)延伸、覆盖或局部地覆盖(或者被覆盖或被局部地覆盖)或者将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其他合适的术语。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本说明书中明确地定义，否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义，而将不以理想化的或过于形式化的含义来解释。
显示设备可以是用于显示图像的设备，并且显示设备的示例可以包括：液晶显示设备、电泳显示设备、有机发光显示设备、无机发光显示设备、场发射显示设备、表面传导电子发射显示设备、量子点显示设备、等离子体显示设备和阴极射线管显示设备。尽管下面将有机发光显示设备作为示例来描述，但是实施例可以适用于诸如上述显示设备的各种显示设备。
图1是根据实施例的显示设备的示意性平面图。
参照图1，显示设备可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。包括显示元件的像素PX可以设置在显示区域DA上方以提供图像。
像素PX可以发射颜色光，例如，红光、绿光、蓝光或白光，并且作为示例，可以包括有机发光二极管。像素PX还可以包括诸如薄膜晶体管(TFT)和电容器的器件。
如上所述，本文中描述的像素PX是指可以发射诸如红光、绿光、蓝光或白光的光的子像素。
非显示区域NDA可以是其中可以不提供图像的区域。诸如扫描驱动器和数据驱动器(或者其上可以安装有控制器的印刷电路板所连接到的焊盘部分)的控制器可以设置在非显示区域NDA上方。控制器可以提供可以施加到显示区域DA的像素PX的电信号。
图2是示出根据实施例的显示设备的像素PX的等效电路图。
参照图2，像素PX可以包括有机发光二极管OLED和包括用于驱动有机发光二极管OLED的TFT的像素电路PC。像素电路PC可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、感测TFT T3和存储电容器Cst。
在一个或多个实施例中，像素电路PC可以包括三个TFT以及存储电容器Cst，所述三个TFT例如为驱动TFT T1、开关TFT T2和感测TFT T3。然而，在另一实施例中，可以修改包括在像素电路PC中的TFT和存储电容器的数量或像素电路PC的结构。
扫描线SL可以连接到开关TFT T2的栅电极G2，数据线DL可以连接到源电极S2，并且存储电容器Cst的第一电极CE1可以连接到漏电极D2。
因此，开关TFT T2可以响应于来自每个像素PX的扫描线SL的扫描信号Sn，将数据线DL的数据电压供给到第一节点N。
驱动TFT T1的栅电极G1可以连接到第一节点N，源电极S1可以连接到用于传送驱动电源电压ELVDD的第一电源线PL1，并且漏电极D1可以连接到有机发光二极管OLED的阳极。
因此，驱动TFT T1可以根据其自身的源极-栅极电压来调节流过有机发光二极管OLED的电流量。例如，驱动TFT T1可以根据可以施加在驱动电源电压ELVDD和第一节点N之间的电压来调节电流量。
感测控制线SSL可以连接到感测TFT T3的栅电极G3，源电极S3可以连接到第二节点S，并且漏电极D3可以连接到参考电压线RL。在一些实施例中，感测TFT T3可以由扫描线SL而不是感测控制线SSL来控制。
感测TFT T3可以感测有机发光二极管OLED的阳极的电位。感测TFT T3可以响应于来自感测控制线SSL的感测信号SSn，将预充电电压从参考电压线RL供给到第二节点S，或者感测TFT T3可以在感测时段期间将有机发光二极管OLED的阳极的电压供给到参考电压线RL。
存储电容器Cst可以具有连接到第一节点N的第一电极CE1和连接到第二节点S的第二电极CE2。存储电容器Cst可以以可以分别供给到第一节点N和第二节点S的电压之间的差电压充电，并且可以供给差电压以作为驱动TFT T1的驱动电压。例如，存储电容器Cst可以以数据电压和预充电电压之间的差电压充电，该数据电压和该预充电电压可以分别供给到第一节点N和第二节点S。
偏置电极BSM可以形成为对应于驱动TFT T1，并且可以连接到感测TFT T3的源电极S3。由于偏置电极BSM可以接收与感测TFT T3的源电极S3的电位互锁的电压，因此可以稳定驱动TFT T1。在一些实施例中，偏置电极BSM可以不连接到感测TFT T3的源电极S3，而是可以连接到单独的偏压布线。
有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)可以接收公共电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以从驱动TFT T1接收驱动电流并且可以发射光。
图2示出了包括信号线的像素PX，所述信号线例如扫描线SL、感测控制线SSL、数据线DL、参考电压线RL、第一电源线PL1和第二电源线PL2。然而，在另一实施例中，例如扫描线SL、感测控制线SSL、数据线DL、参考电压线RL、第一电源线PL1和第二电源线PL2的信号线中的至少一条可以在相邻像素之间共享。
图3是示出根据实施例的包括在像素电路PC中的TFT和电容器Cst的位置的示意性表示图。图4是示出其中可以包括有机发光二极管OLED的结构的沿着图3的线A-A’截取的示意性截面图。图5是沿图3的线B-B’截取的示意性截面图。
参照图3，根据实施例的显示设备的像素电路PC可以连接到在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、感测控制线SSL、第一下部电源线UPL1、第二下部电源线UPL2和下部参考电压线URL。
另外，像素电路PC可以连接到在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的数据线DL、参考电压线RL、第一电源线PL1、第二电源线PL2和连接导电层BML。
在实施例中，扫描线SL、感测控制线SSL、第一下部电源线UPL1和第二下部电源线UPL2可以设置在彼此相同的层上。数据线DL、参考电压线RL、第一电源线PL1和第二电源线PL2可以设置在彼此相同的层上，并且可以设置为使得扫描线SL等以及层间绝缘层115(参照图4)介于它们之间。在另一实施例中，第一电源线PL1和第二电源线PL2可以设置在与数据线DL不同的层上。然而，为了便于描述，下面将详细描述其中第一电源线PL1和第二电源线PL2可以设置在与数据线DL相同的层上的情况。
在实施例中，下部参考电压线URL可以设置在与扫描线SL相同的层上。在另一实施例中，下部参考电压线URL可以设置在与半导体层相同的层上。下面将详细描述其中下部参考电压线URL可以设置在与扫描线SL相同的层上的情况。
在说明书中，在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、感测控制线SSL、第一下部电源线UPL1、第二下部电源线UPL2或下部参考电压线URL可以被称为第一布线。数据线DL、参考电压线RL、第一电源线PL1或第二电源线PL2可以被称为第二布线。
像素电路PC可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、感测TFT T3和存储电容器Cst。
驱动TFT T1的半导体层A1、开关TFT T2的半导体层A2和感测TFT T3的半导体层A3可以设置在彼此相同的层上，并且可以包含彼此相同的材料。例如，半导体层A1、A2和A3可以包含非晶硅或多晶硅。另外，半导体层A1、A2和A3可以包含氧化物半导体材料，该氧化物半导体材料包含从包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)的组中选择的至少一种材料的氧化物。在一些实施例中，半导体层A1、A2和A3可以包含Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等，Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物可以是基于Zn氧化物的材料。在一些实施例中，半导体层A1、A2和A3可以包括被包含在ZnO中的具有诸如铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的金属的IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITZO(In-Sn-Zn-O)或IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O)半导体。半导体层A1、A2和A3可以具有单层结构或多层结构。
半导体层A1、A2和A3可以各自包括沟道区和位于沟道区的各侧的源极区和漏极区。源极区和漏极区可以是具有调节的载流子的浓度的区域。例如，在半导体层A1、A2和A3包含硅的情况下，源极区和漏极区可以掺杂有杂质。作为另一示例，在半导体层A1、A2和A3包含氧化物半导体的情况下，源极区和漏极区可以是具有通过等离子体处理增加的载流子浓度的区域。
栅电极G1、G2和G3可以与半导体层A1、A2和A3的沟道区重叠，栅极绝缘层113(参照图4)介于它们之间。源电极S1、S2和S3以及漏电极D1、D2和D3可以设置在层间绝缘层115上，并且可以经由接触孔连接到源极区和漏极区。
驱动TFT T1的栅电极G1可以具有岛状(例如，可以与另一特征间隔开)。栅电极G1不仅可以用作驱动TFT T1的栅电极，还可以用作存储电容器Cst的第一电极CE1。在实施例中，栅电极G1可以与存储电容器Cst的第一电极CE1一体地形成。栅电极G1的一部分可以与驱动TFT T1的半导体层A1重叠，并且栅电极G1的一部分可以与存储电容器Cst的第二电极CE2重叠以形成第一电容。在另一实施例中，存储电容器Cst的第一电极CE1可以从与驱动TFT T1的半导体层A1重叠的栅电极G1延伸。
偏置电极BSM可以设置在驱动TFT T1下方以对应于栅电极G1(例如，存储电容器Cst的第一电极CE1)。因此，第一电极CE1和偏置电极BSM可以形成第二电容。另外，栅电极G1的一端可以经由第一节点接触孔NCNT1连接到开关TFT T2的漏电极D2。
在实施例中，开关TFT T2的栅电极G2和扫描线SL可以经由第一中间导电层IM1彼此连接。例如，如图3中所示，第一中间导电层IM1可以设置在与数据线DL相同的层上，并且可以经由接触孔分别连接到开关TFT T2的栅电极G2和扫描线SL。在另一实施例中，开关TFTT2的栅电极G2可以是扫描线SL的一部分。例如，栅电极G2可以是在第二方向DR2上从扫描线SL突出的区域，扫描线SL在第一方向DR1上延伸。因此，扫描线SL可以传送的扫描信号Sn可以被传送到栅电极G2，并且开关TFT T2可以响应于扫描信号Sn而操作。
在实施例中，感测TFT T3的栅电极G3和感测控制线SSL可以经由第二中间导电层IM2彼此连接。例如，第二中间导电层IM2可以设置在与数据线DL相同的层上，并且可以经由接触孔分别连接到感测TFT T3的栅电极G3和感测控制线SSL。在另一实施例中，感测TFT T3的栅电极G3可以是感测控制线SSL的一部分。例如，感测控制线SSL可以与感测TFT T3的半导体层A3重叠，并且重叠区域可以用作栅电极G3。因此，感测控制线SSL可以传送的感测信号SSn可以被传送到栅电极G3，并且感测TFT T3可以响应于感测信号SSn而操作。
驱动TFT T1的漏电极D1可以与存储电容器Cst的第二电极CE2和感测TFT T3的源电极S3一体地提供，并且还可以经由第二节点接触孔NCNT2连接到偏置电极BSM。驱动TFTT1的源电极S1可以经由接触孔连接到第一电源线PL1。
开关TFT T2的源电极S2可以是数据线DL的一部分，并且因此可以将数据线DL的数据信号Dm传送到开关TFT T2的源极区。开关TFT T2的漏电极D2的一端可以经由第一节点接触孔NCNT1连接到存储电容器Cst的第一电极CE1。
感测TFT T3的源电极S3可以连接到驱动TFT T1的漏电极D1，并且漏电极D3可以对应于感测TFT T3的半导体层A3的漏极区。漏电极D3可以经由接触孔连接到下部参考电压线URL。下部参考电压线URL可以经由接触孔连接到参考电压线RL。
存储电容器Cst的第一电极CE1可以与栅电极G1一体地形成，并且第二电极CE2可以与第一电极CE1重叠，层间绝缘层115(参照图5)介于第二电极CE2和第一电极CE1之间。存储电容器Cst的第二电极CE2可以经由第一通路孔VH1连接到有机发光二极管OLED的像素电极310(参照图4)。
在存储电容器Cst的第一电极CE1下方，偏置电极BSM可以设置在第一缓冲层111(参照图5)和第二缓冲层112(参照图5)之间。因此，偏置电极BSM和存储电容器Cst的第一电极CE1可以形成第二电容。由于偏置电极BSM的一端可以经由第二节点接触孔NCNT2连接到感测TFT T3的源电极S3，因此可以施加到源电极S3的电压可以以互锁的方式被施加到偏置电极BSM。在另一实施例中，可以将单独的偏置电压提供到偏置电极BSM，或者可以不将电压施加到偏置电极BSM。
第一电源线PL1和第二电源线PL2可以在相同的层上在第二方向DR2上延伸。第一电源线PL1和第二电源线PL2可以是用于传送彼此不同的电压的电压线，并且第一电源线PL1可以传送驱动电源电压ELVDD，并且第二电源线PL2可以传送公共电源电压ELVSS。
第一电源线PL1可以经由接触孔连接到在第一方向DR1上延伸的第一下部电源线UPL1。通过在第一方向DR1上延伸的第一下部电源线UPL1和在第二方向DR2上延伸的第一电源线PL1，驱动电源电压ELVDD可以提供为网格状结构。
第二电源线PL2可以经由接触孔连接到在第一方向DR1上延伸的第二下部电源线UPL2。通过在第一方向DR1上延伸的第二下部电源线UPL2和在第二方向DR2上延伸的第二电源线PL2，公共电源电压ELVSS可以提供为网格状结构。
第一电源线PL1可以经由接触孔连接到驱动TFT T1的源电极S1。第二电源线PL2可以经由第二通路孔VH2连接到有机发光二极管OLED的相对电极330(参照图4)。
在实施例中，连接导电层BML可以设置在第一布线下方。例如，连接导电层BML可以设置在扫描线SL、感测控制线SSL或下部参考电压线URL下方。具体地，连接导电层BML可以设置在基底100和第一布线之间。
在实施例中，连接导电层BML可以设置在与偏置电极BSM相同的层上。例如，连接导电层BML可以设置在第一缓冲层111和第二缓冲层112之间。在另一实施例中，连接导电层BML可以设置在基底100和第一缓冲层111之间。连接导电层BML可以与偏置电极BSM间隔开。具体地，连接导电层BML可以在第一方向DR1或第二方向DR2上与偏置电极BSM间隔开。
在实施例中，连接导电层BML可以包括第一连接导电层BML1、第二连接导电层BML2和第三连接导电层BML3。第一连接导电层BML1、第二连接导电层BML2和第三连接导电层BML3可以彼此间隔开。例如，第一连接导电层BML1、第二连接导电层BML2和第三连接导电层BML3可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
第一连接导电层BML1可以与数据线DL重叠。在实施例中，第一连接导电层BML1可以在与数据线DL重叠的同时在第二方向DR2上延伸。例如，第一连接导电层BML1可以在与数据线DL连续地重叠的同时延伸。
在实施例中，第一连接导电层BML1可以与其中数据线DL和扫描线SL可以彼此交叉的第一交叉部分CP1重叠。第一连接导电层BML1可以与其中数据线DL和感测控制线SSL可以彼此交叉的第二交叉部分CP2重叠。另外，第一连接导电层BML1可以与其中数据线DL和下部参考电压线URL可以彼此交叉的第三交叉部分CP3重叠。
第一连接导电层BML1可以经由至少一个连接接触孔连接到数据线DL。在实施例中，第一连接导电层BML1可以经由第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2连接到数据线DL。就这点而言，第一交叉部分CP1可以设置在第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2之间。因此，数据线DL的数据信号可以通过经由第一连接导电层BML1迂回地(例如，可替代的连接路线或路径)传送。作为另一示例，第一连接导电层BML1可以经由第三接触孔CNT3、第四接触孔CNT4或第五接触孔CNT5连接到数据线DL。就这点而言，第二交叉部分CP2可以设置在第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4之间。第三交叉部分CP3可以设置在第四接触孔CNT4和第五接触孔CNT5之间。
在另一实施例中，可以省略第一接触孔CNT1至第五接触孔CNT5中的一些。例如，可以省略第三接触孔CNT3、第四接触孔CNT4和第五接触孔CNT5中的第四接触孔CNT4。在另一实施例中，在第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4之间还可以包括接触孔。
第二连接导电层BML2可以与参考电压线RL重叠。在实施例中，第二连接导电层BML2可以在与参考电压线RL重叠的同时在第二方向DR2上延伸。例如，第二连接导电层BML2可以在与参考电压线RL连续地重叠的同时延伸。
在实施例中，第二连接导电层BML2可以与其中参考电压线RL和扫描线SL可以彼此交叉的第四交叉部分CP4重叠。另外，第二连接导电层BML2可以与其中参考电压线RL和感测控制线SSL可以彼此交叉的第五交叉部分CP5重叠。
第二连接导电层BML2可以经由至少一个连接接触孔连接到参考电压线RL。例如，第二连接导电层BML2可以经由第六接触孔CNT6或第七接触孔CNT7连接到参考电压线RL。就这点而言，第四交叉部分CP4可以设置在第六接触孔CNT6和第七接触孔CNT7之间。作为另一示例，第二连接导电层BML2可以经由第八接触孔CNT8或第九接触孔CNT9连接到参考电压线RL。就这点而言，第五交叉部分CP5可以设置在第八接触孔CNT8和第九接触孔CNT9之间。因此，参考电压线RL的预充电电压可以通过经由第二连接导电层BML2迂回地传送。
第三连接导电层BML3可以与第二中间导电层IM2重叠。在实施例中，第三连接导电层BML3可以在与第二中间导电层IM2重叠的同时在第二方向DR2上延伸。例如，第三连接导电层BML3可以在与第二中间导电层IM2连续地重叠的同时延伸。第三连接导电层BML3可以与其中第二中间导电层IM2和感测控制线SSL可以彼此交叉的第六交叉部分CP6重叠。
第三连接导电层BML3可以经由至少一个连接接触孔连接到第二中间导电层IM2。例如，第三连接导电层BML3可以经由第十接触孔CNT10或第十一接触孔CNT11连接到第二中间导电层IM2。就这点而言，第六交叉部分CP6可以设置在第十接触孔CNT10和第十一接触孔CNT11之间。因此，参考电压线RL的预充电电压可以通过经由第三连接导电层BML3迂回地传送。
在第一布线和第二布线可能短路的情况下，可以如上所述地提供与第二布线重叠的连接导电层BML，以切割第二布线。在第一布线和第二布线可能短路的情况下，可以切割其中第一布线和第二布线可以彼此交叉的交叉部分。就这点而言，在第二布线可能不具有如第一电源线PL1或第二电源线PL2那样的网格状结构的情况下，可以不传送信号到像素电路PC。在实施例中，可以提供与第二布线重叠的连接导电层BML，并且因此，即使在切割交叉部分的情况下，也可以将信号传送到像素电路PC。具体地，第二布线和连接导电层BML可以经由至少一个接触孔彼此连接，并且因此，可以使信号迂回。
在实施例中，连接导电层BML可以与偏置电极BSM同时形成，并且因此，可以不另外使用掩模。另外，连接导电层BML可以减小第二布线的电阻。
在根据一个或多个实施例的显示设备中，具有参照图3描述的相同形状的像素电路PC可以在第一方向DR1和第二方向DR2上平行地设置。在另一实施例中，包括在显示设备中的像素电路PC可以具有与相邻于像素电路PC的像素电路的形状对称的形状。
在下文中，将参照图4和图5描述根据实施例的显示设备的结构的堆叠顺序。
参照图4，基底100、可以作为设置在基底100上方的显示元件的有机发光二极管OLED、开关TFT T2、覆盖开关TFT T2的栅电极G2的层间绝缘层115以及位于层间绝缘层115上的数据线DL、参考电压线RL和第二电源线PL2可以设置在被包括在根据实施例的显示设备中的至少一个像素中。就这点而言，第一连接导电层BML1可以设置在其中数据线DL和扫描线SL可以彼此交叉的第一交叉部分CP1处，并且第一连接导电层BML1可以经由第一接触孔CNT1或第二接触孔CNT2连接到数据线DL。另外，第二连接导电层BML2可以设置在其中参考电压线RL和扫描线SL可以彼此交叉的第四交叉部分(未示出)处，并且第二连接导电层BML2可以经由第六接触孔CNT6连接到参考电压线RL。
基底100可以包括玻璃、陶瓷、金属、柔性的或可弯曲的材料或它们的组合。在基底100为柔性或可弯曲的情况下，基底100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。基底100可以具有上述材料的单层结构或多层结构，并且在多层结构中，基底100还可以包括无机层。在一些实施例中，基底100可以具有在有机材料之间的无机材料(例如，有机材料/无机材料/有机材料)的结构。
第一缓冲层111可以增加基底100的上表面的平滑度，并且第一缓冲层111可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)或它们的组合。
在基底100和第一缓冲层111之间还可以包括阻挡层(未示出)。阻挡层可以防止或减少杂质从基底100等渗透到半导体层A1和A2(参照图4和图5)中。阻挡层可以包含诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
第一连接导电层BML1或第二连接导电层BML2可以设置在第一缓冲层111上。第一连接导电层BML1可以经由第一接触孔CNT1或第二接触孔CNT2连接到数据线DL。因此，数据线DL的数据信号可以通过经由第一连接导电层BML1迂回地传送。第二连接导电层BML2可以经由第六接触孔CNT6连接到参考电压线RL。因此，参考电压线RL的预充电电压可以通过经由第二连接导电层BML2迂回地传送。
第二缓冲层112可以覆盖第一连接导电层BML1或第二连接导电层BML2，并且可以形成在基底100的表面(例如，整个表面)上方。第二缓冲层112可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)或它们的组合。
半导体层A2可以设置在第二缓冲层112上。栅电极G1和G2可以设置在半导体层A2上方，栅极绝缘层113介于栅电极G1和G2与半导体层A2之间。栅电极G1和G2可以包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有单层结构或多层结构。作为示例，栅电极G1和G2可以包括单个Mo层。
层间绝缘层115可以覆盖栅电极G1和G2。层间绝缘层115可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)或它们的组合。
扫描线SL和第二下部电源线UPL2可以设置在栅极绝缘层113上。就这点而言，扫描线SL可以设置在第二连接导电层BML2上方以与第二连接导电层BML2重叠。为了连接到设置在扫描线SL上方的数据线DL，第一连接导电层BML1的宽度W2可以大于扫描线SL的宽度W1。
存储电容器Cst的第二电极CE2、源电极S2、漏电极D2、数据线DL、参考电压线RL和第二电源线PL2可以设置在层间绝缘层115上。
存储电容器Cst的第二电极CE2、源电极S2、漏电极D2、数据线DL、参考电压线RL和第二电源线PL2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有包含上述材料的多层结构或单层结构。作为示例，第二电极CE2、源电极S2、漏电极D2、数据线DL、参考电压线RL和第二电源线PL2可以具有在钛之间的铝(例如，Ti/Al/Ti)的多层结构。
源电极S1和S2以及漏电极D2可以经由接触孔连接到半导体层A1和A2的源极区或漏极区。
可以提供无机保护层PVX以覆盖存储电容器Cst的第二电极CE2、源电极S2、漏电极D2、数据线DL和参考电压线RL。可以作为无机绝缘层的无机保护层PVX可以包括氮化硅和氧化硅的单个膜或多层膜。无机保护层PVX可以至少部分地覆盖数据线DL和与数据线DL一起形成的布线，并且因此可以防止布线在像素电极310的图案化工艺期间被损坏。
在漏电极D1和D2、源电极S2、数据线DL、参考电压线RL和第二电源线PL2上方可以设置平坦化层117，并且有机发光二极管OLED可以定位在平坦化层117上。
平坦化层117可以包括单层结构或多层结构的包含有机材料的膜。平坦化层117可以包括苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用商品聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的共混物。平坦化层117可以包括无机材料。平坦化层117可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)或它们的组合。在平坦化层117包括无机材料的情况下，在某些情况下可以执行化学平坦化抛光。平坦化层117可以包括有机材料和无机材料两者。
在基底100的显示区域DA中，有机发光二极管OLED可以设置在平坦化层117上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极310、包括有机发射层的中间层320以及相对电极330。
平坦化层117可以包括暴露漏电极D1的一部分的第一通路孔VH1和暴露第二电源线PL2的一部分的第二通路孔VH2。像素电极310可以经由第一通路孔VH1连接到驱动TFT T1的漏电极D1。
相对电极330可以经由第二通路孔VH2连接到第二电源线PL2。由于有机发光二极管OLED的中间层320可以具有多层结构，因此在形成中间层320的工艺期间，可以将中间层320的至少一层设置在第二通路孔VH2中。
在可以形成相对电极330之前，可以通过照射激光以对应于第二通路孔VH2去除可能残留在第二通路孔VH2中的中间层320。另外，在可以形成相对电极330之后，可以通过将激光照射到第二通路孔VH2来改善相对电极330和第二电源线PL2的接触特性。因此，可以通过考虑激光的照射面积来提供第二通路孔VH2。在一些实施例中，第二通路孔VH2的面积可以大于第一通路孔VH1的面积。
像素电极310可以是(半)光透射电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极310可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的化合物的反射层以及位于反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)的组中选择的至少一种。
在平坦化层117上可以设置像素限定层119，并且像素限定层119可以具有在显示区域DA中暴露像素电极310的中央部分的第一开口部分OP1，并且因此可以限定有机发光二极管OLED的发射区域。另外，像素限定层119可以增大像素电极310的边缘和设置在像素电极310上方的相对电极330之间的距离，并且因此可以防止在像素电极310的边缘上方发生电弧等。
像素限定层119可以包括与平坦化层117中的第二通路孔VH2相对应的第二开口部分OP2。第二电源线PL2的一部分可以通过第二开口部分OP2和第二通路孔VH2暴露，并且因此，稍后可以将激光照射到第二通路孔VH2的区域。
像素限定层119可以使用从包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂的组中选择的一种或多种有机绝缘材料通过诸如旋涂的方法来形成。
有机发光二极管OLED的中间层320可以包括有机发射层。有机发射层可以包括有机材料，所述有机材料包括可以发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料，并且诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以选择性地进一步设置在有机发射层下方以及可以选择性地进一步设置在有机发射层上。中间层320可以设置为对应于像素电极310中的每一个。在另一实施例中，中间层320可以包括位于像素电极310上方的一体层。
相对电极330可以是光透射电极或反射电极。在一些实施例中，相对电极330可以是透明或半透明电极，并且可以包括包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的化合物的具有低功函数的金属薄膜。另外，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物(TCO)膜可以进一步设置在金属薄膜上。相对电极330可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA上方，并且可以设置在中间层320和像素限定层119上。相对电极330可以一体地形成在有机发光二极管OLED中以对应于像素电极310。
相对电极330可以经由第二开口部分OP2和第二通路孔VH2连接到第二电源线PL2。
有机发光二极管OLED可能由于外部湿气或氧而被损坏，并且因此，可以在有机发光二极管OLED上设置薄膜封装层(未示出)以覆盖和保护这种有机发光器件。薄膜封装层(未示出)可以在覆盖显示区域DA的同时延伸超过显示区域DA。这种薄膜封装层可以包括包含至少一种无机材料的无机封装层和包含至少一种有机材料的有机封装层。在一些实施例中，薄膜封装层可以具有在无机封装层之间的有机封装层(例如，第一无机封装层/有机封装层/第二无机封装层)的堆叠结构。
另外，在像素限定层119上还可以包括用于防止掩模压印的间隔件，并且可以在薄膜封装层上提供诸如用于减少外部光反射的偏振层和包括黑矩阵的触摸屏幕层、滤色器和/或触摸电极的各种功能层。
在实施例中，可以提供与数据线DL重叠的第一连接导电层BML1，并且因此，即使在切割第一交叉部分CP1的情况下，也可以传送数据信号。具体地，数据线DL和第一连接导电层BML1可以经由第一接触孔CNT1或第二接触孔CNT2彼此连接，并且因此，数据信号可以迂回。另外，在实施例中，第一连接导电层BML1可以减小数据线DL的电阻。
参照图5，根据实施例的显示设备可以包括基底100和设置在基底100上方的驱动TFT T1和感测TFT T3。另外，显示设备可以包括设置在基底100上方的第一下部电源线UPL1、下部参考电压线URL和感测控制线SSL，并且可以包括与感测控制线SSL或下部参考电压线URL、参考电压线RL或第一电源线PL1交叉的数据线DL。在实施例中，显示设备可以包括与交叉部分重叠的第一连接导电层BML1，该交叉部分与感测控制线SSL或下部参考电压线URL交叉，并且第一连接导电层BML1可以经由第三接触孔CNT3、第四接触孔CNT4或第五接触孔CNT5连接到数据线DL。
在实施例中，显示设备还可以包括连接到驱动TFT T1的存储电容器Cst和设置在驱动TFT T1下方的偏置电极BSM。
偏置电极BSM可以与存储电容器Cst重叠。因此，存储电容器Cst的第一电极CE1和第二电极CE2可以形成第一电容，并且第一电极CE1和偏置电极BSM可以形成第二电容。
偏置电极BSM可以设置在第一缓冲层111上以对应于驱动TFT T1和存储电容器Cst。尽管未示出，但是偏置电极BSM可以连接到感测TFT T3的源电极S3，并且因此，可以将源电极S3的电压施加到偏置电极BSM。另外，偏置电极BSM可以防止外部光到达半导体层A1。因此，可以使驱动TFT T1的特性稳定。
在实施例中，第一连接导电层BML1或第三连接导电层BML3可以与偏置电极BSM间隔开。第一连接导电层BML1或第三连接导电层BML3可以包括与偏置电极BSM相同的材料。为了连接到可以设置在感测控制线SSL上方的数据线DL，第一连接导电层BML1的宽度W4可以大于感测控制线SSL的宽度W3。
在实施例中，存储电容器Cst的第一电极CE1可以与栅电极G1一体地提供。在另一实施例中，存储电容器Cst的第一电极CE1可以从驱动TFT T1的栅电极G1延伸。
第一电源线PL1可以连接到驱动TFT T1的源电极S1。在实施例中，第一电源线PL1可以与驱动TFT T1的源电极S1一体地提供。
数据线DL可以设置在层间绝缘层115上。在实施例中，数据线DL可以与感测控制线SSL或下部参考电压线URL重叠。具体地，数据线DL可以与感测控制线SSL交叉以具有第二交叉部分CP2，并且可以与下部参考电压线URL交叉以具有第三交叉部分CP3。
在实施例中，数据线DL可以经由第三接触孔CNT3、第四接触孔CNT4或第五接触孔CNT5连接到第一连接导电层BML1。第二交叉部分CP2可以设置在第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4之间。第三交叉部分CP3可以设置在第四接触孔CNT4和第五接触孔CNT5之间。
在另一实施例中，可以省略第四接触孔CNT4。在另一实施例中，在第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4之间还可以包括将数据线DL和第一连接导电层BML1彼此连接的接触孔。
在实施例中，参考电压线RL可以连接到第三连接导电层BML3。具体地，参考电压线RL可以经由第十接触孔CNT10连接到第三连接导电层BML3。
可以将上述的第一接触孔CNT1至第十接触孔CNT10设置为图4或图5的第二缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层115中的各个通孔。
在下文中，将描述其中上述显示设备的第一布线和第二布线可能短路的修复方法。
图6A是示出根据实施例的修复显示设备的方法的流程图。图6B是示出根据实施例的测试第一布线和第二布线是否可能短路的操作的示意性截面图。图6C是示出根据实施例的切割第二布线的操作的示意性放大图。
在图6B和图6C中，与图4中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此省略其重复描述。
参照图6A，修复显示设备的方法可以包括测试第一布线和第二布线是否可能短路的操作S110以及通过将激光照射到交叉部分和至少一个接触孔之间的区域来切割第二布线的操作S120。
第一布线可以是已经参照图3描述的在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、感测控制线SSL、第一下部电源线UPL1、第二下部电源线UPL2或下部参考电压线URL。第二布线可以是数据线DL、参考电压线RL、第一电源线PL1或第二电源线PL2。
交叉部分可以是参照图3描述的第一交叉部分CP1至第六交叉部分CP6中的任何一个。
至少一个接触孔可以是参照图3描述的第一接触孔CNT1至第十接触孔CNT10中的任何一个。
在其中第一布线和第二布线可以彼此交叉的交叉部分中第一布线和第二布线可能短路的情况下，可以通过切割第二布线来防止短路。具体地，可以通过将激光照射到交叉部分和至少一个接触孔之间的区域来切割第二布线。
参照图6B，数据线DL和扫描线SL可以彼此交叉以具有第一交叉部分CP1。就这点而言，可以测试数据线DL和扫描线SL是否可能短路。
参照图6C，在数据线DL和扫描线SL可能短路的情况下，可以将激光照射到第一交叉部分CP1和第一接触孔CNT1之间的区域和/或第一交叉部分CP1和第二接触孔CNT2之间的区域。因此，可以切割数据线DL。
在实施例中，由于数据线DL经由第一接触孔CNT1或第二接触孔CNT2连接到第一连接导电层BML1，因此可以通过经由第一连接导电层BML1迂回地将数据信号传送到像素。因此，可以获得显示设备的改善的可靠性。
图7是示出根据另一实施例的包括在像素电路PC中的TFT和电容器Cst的位置的示意性表示图。在图7中，与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此省略其重复描述。
参照图7，根据实施例的显示设备的像素电路PC可以连接到在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、感测控制线SSL、第一下部电源线UPL1、第二下部电源线UPL2和下部参考电压线URL。
在实施例中，连接导电层BML可以具有岛状。具体地，第一连接导电层BML1可以包括第一部分BML1-1或第二部分BML1-2。第二连接导电层BML2可以包括第三部分BML2-1或第四部分BML2-2。第三连接导电层BML3可以包括第五部分BML3-1。第一部分BML1-1至第五部分BML3-1可以具有岛状。因此，第一部分BML1-1至第五部分BML3-1可以彼此间隔开。
第一部分BML1-1可以与其中数据线DL和扫描线SL可以彼此交叉的第一交叉部分CP1重叠。第一部分BML1-1可以经由第一接触孔CNT1或第二接触孔CNT2连接到数据线DL。就这点而言，第一部分BML1-1的在第二方向DR2上的长度可以大于扫描线SL的在第二方向DR2上的宽度。
第二部分BML1-2可以与其中数据线DL和感测控制线SSL可以彼此交叉的第二交叉部分CP2重叠。另外，第二部分BML1-2可以与其中数据线DL和下部参考电压线URL可以彼此交叉的第三交叉部分CP3重叠。第二部分BML1-2可以经由第三接触孔CNT3、第四接触孔CNT4或第五接触孔CNT5连接到数据线DL。就这点而言，第二部分BML1-2的在第二方向DR2上的长度可以大于感测控制线SSL或下部参考电压线URL的在第二方向DR2上的宽度。在另一实施例中，可以省略第三接触孔CNT3、第四接触孔CNT4和第五接触孔CNT5中的一些。在另一实施例中，第二部分BML1-2可以包括与第二交叉部分CP2重叠的第一区域和与第三交叉部分CP3重叠并且与第一区域间隔开的第二区域。就这点而言，在第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4之间还可以包括连接到数据线DL的接触孔。
第三部分BML2-1可以与其中参考电压线RL和扫描线SL可以彼此交叉的第四交叉部分CP4重叠。第三部分BML2-1可以经由第六接触孔CNT6或第七接触孔CNT7连接到参考电压线RL。就这点而言，第三部分BML2-1的在第二方向DR2上的长度可以大于扫描线SL的在第二方向DR2上的宽度。
第四部分BML2-2可以与其中参考电压线RL和感测控制线SSL可以彼此交叉的第五交叉部分CP5重叠。第四部分BML2-2可以经由第八接触孔CNT8或第九接触孔CNT9连接到参考电压线RL。就这点而言，第四部分BML2-2的在第二方向DR2上的长度可以大于感测控制线SSL的在第二方向DR2上的宽度。
第五部分BML3-1可以与其中第二中间导电层IM2和感测控制线SSL可以彼此交叉的第六交叉部分CP6重叠。第五部分BML3-1可以经由第十接触孔CNT10或第十一接触孔CNT11连接到第二中间导电层IM2。就这点而言，第五部分BML3-1的在第二方向DR2上的长度可以大于感测控制线SSL的在第二方向DR2上的宽度。
图8是示出根据另一实施例的包括在像素电路PC中的TFT和电容器Cst的位置的示意性表示图。在图8中，与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此省略其重复描述。
参照图8，根据实施例的显示设备的像素电路PC可以连接到在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、感测控制线SSL、第一下部电源线UPL1、第二下部电源线UPL2和下部参考电压线URL。像素电极310可以经由第一通路孔VH1连接到存储电容器Cst的第二电极CE2。另外，像素限定层119可以包括在显示区域DA中暴露像素电极310的中央部分的第一开口部分OP1。
在实施例中，在第二布线上方可以设置上部导电层CM。例如，上部导电层CM可以设置在数据线DL、参考电压线RL、第一电源线PL1和第二电源线PL2上方。
在实施例中，上部导电层CM可以设置在与像素电极310相同的层上，并且可以与像素电极310间隔开。具体地，上部导电层CM可以在第一方向DR1或第二方向DR2上与像素电极310间隔开。在实施例中，上部导电层CM可以包括与像素电极310相同的材料。
在实施例中，上部导电层CM可以包括第一上部导电层CM1、第二上部导电层CM2和第三上部导电层CM3。第一上部导电层CM1、第二上部导电层CM2和第三上部导电层CM3可以彼此间隔开。例如，第一上部导电层CM1、第二上部导电层CM2和第三上部导电层CM3可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
第一上部导电层CM1可以与数据线DL重叠。在实施例中，第一上部导电层CM1可以在与数据线DL重叠的同时在第二方向DR2上延伸。例如，第一上部导电层CM1可以在与数据线DL连续地重叠的同时延伸。
在实施例中，第一上部导电层CM1可以与其中数据线DL和扫描线SL可以彼此交叉的第一交叉部分CP1重叠。第一上部导电层CM1可以与其中数据线DL和感测控制线SSL可以彼此交叉的第二交叉部分CP2重叠。另外，第一上部导电层CM1可以与其中数据线DL和下部参考电压线URL可以彼此交叉的第三交叉部分CP3重叠。
第一上部导电层CM1可以经由至少一个连接接触孔连接到数据线DL。在实施例中，第一上部导电层CM1可以经由第一接触孔CNT1'和第二接触孔CNT2'连接到数据线DL。就这点而言，第一交叉部分CP1可以设置在第一接触孔CNT1'和第二接触孔CNT2'之间。因此，数据线DL的数据信号Dm可以通过经由第一上部导电层CM1迂回地传送。作为另一示例，第一上部导电层CM1可以经由第三接触孔CNT3'、第四接触孔CNT4'或第五接触孔CNT5'连接到数据线DL。就这点而言，第二交叉部分CP2可以设置在第三接触孔CNT3'和第四接触孔CNT4'之间。第三交叉部分CP3可以设置在第四接触孔CNT4'和第五接触孔CNT5'之间。
在另一实施例中，可以省略第一接触孔CNT1'至第五接触孔CNT5'中的一些。例如，可以省略第三接触孔CNT3'、第四接触孔CNT4'和第五接触孔CNT5'中的第四接触孔CNT4'。在另一实施例中，在第三接触孔CNT3'和第四接触孔CNT4'之间还可以包括接触孔。
第二上部导电层CM2可以与参考电压线RL重叠。在实施例中，第二上部导电层CM2可以在与参考电压线RL重叠的同时在第二方向DR2上延伸。例如，第二上部导电层CM2可以在与参考电压线RL连续地重叠的同时延伸。
在实施例中，第二上部导电层CM2可以与其中参考电压线RL和扫描线SL可以彼此交叉的第四交叉部分CP4重叠。另外，第二上部导电层CM2可以与其中参考电压线RL和感测控制线SSL可以彼此交叉的第五交叉部分CP5重叠。
第二上部导电层CM2可以经由至少一个连接接触孔连接到参考电压线RL。例如，第二上部导电层CM2可以经由第六接触孔CNT6'或第七接触孔CNT7'连接到参考电压线RL。就这点而言，第四交叉部分CP4可以设置在第六接触孔CNT6'和第七接触孔CNT7'之间。作为另一示例，第二上部导电层CM2可以经由第八接触孔CNT8'或第九接触孔CNT9'连接到参考电压线RL。就这点而言，第五交叉部分CP5可以设置在第八接触孔CNT8'和第九接触孔CNT9'之间。因此，可以通过经由第二上部导电层CM2迂回地传送参考电压线RL的预充电电压。
第三上部导电层CM3可以与第二中间导电层IM2重叠。在实施例中，第三上部导电层CM3可以在与第二中间导电层IM2重叠的同时在第二方向DR2上延伸。例如，第三上部导电层CM3可以在与第二中间导电层IM2连续重叠的同时延伸。第三上部导电层CM3可以与其中第二中间导电层IM2和感测控制线SSL可以彼此交叉的第六交叉部分CP6重叠。
第三上部导电层CM3可以经由至少一个连接接触孔连接到第二中间导电层IM2。例如，第三上部导电层CM3可以经由第十接触孔CNT10'或第十一接触孔CNT11'连接到第二中间导电层IM2。就这点而言，第六交叉部分CP6可以设置在第十接触孔CNT10'与第十一接触孔CNT11'之间。因此，参考电压线RL的预充电电压可以通过经由第三上部导电层CM3迂回地传送。
在第一布线和第二布线可能短路的情况下，可以如上所述地提供与第二布线重叠的上部导电层CM以切割第二布线。在第一布线和第二布线可能短路的情况下，可以切割其中第一布线和第二布线可以彼此交叉的交叉部分。就这点而言，在第二布线可能不具有如第一电源线PL1或第二电源线PL2那样的网格状结构的情况下，可以不将信号传送到像素电路PC。在实施例中，可以提供与第二布线重叠的上部导电层CM，并且因此，即使在切割交叉部分的情况下，也可以将信号传送到像素电路PC。具体地，第二布线和上部导电层CM可以经由至少一个接触孔彼此连接，并且因此，信号可以迂回。在实施例中，上部导电层CM可以与像素电极310同时形成，并且因此，可以不另外使用掩模。另外，在实施例中，上部导电层CM可以减小第二布线的电阻。
图9是沿着图8的线C-C’截取的示意性截面图。在图9中，与图4或图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此省略其重复描述。
参照图9，可以包括设置在基底100上方的第一下部电源线UPL1、下部参考电压线URL和感测控制线SSL，并且可以包括与下部参考电压线URL或感测控制线SSL交叉的数据线DL和与感测控制线SSL交叉的参考电压线RL。
在实施例中，第一上部导电层CM1可以与其中感测控制线SSL和数据线DL可以彼此交叉的第二交叉部分CP2重叠。另外，第一上部导电层CM1可以与其中下部参考电压线URL和数据线DL可以彼此交叉的第三交叉部分CP3重叠。在实施例中，第二上部导电层CM2可以与其中感测控制线SSL和参考电压线RL可以彼此交叉的第五交叉部分CP5重叠。
第一上部导电层CM1和第二上部导电层CM2可以设置在第一平坦化层117上。具体地，第一上部导电层CM1和第二上部导电层CM2可以设置在与像素电极相同的层上。
第一上部导电层CM1可以经由至少一个连接接触孔连接到数据线DL。在实施例中，第一上部导电层CM1可以经由第三接触孔CNT3'、第四接触孔CNT4'或第五接触孔CNT5'连接到数据线DL。就这点而言，第二交叉部分CP2可以设置在第三接触孔CNT3'和第四接触孔CNT4'之间。第三交叉部分CP3可以设置在第四接触孔CNT4'和第五接触孔CNT5'之间。因此，数据线DL的数据信号可以通过经由第一上部导电层CM1迂回地传送。
在另一实施例中，可以省略第三接触孔CNT3'至第五接触孔CNT5'中的一些。例如，可以省略第三接触孔CNT3'、第四接触孔CNT4'和第五接触孔CNT5'中的第四接触孔CNT4'。
第二上部导电层CM2可以经由至少一个连接接触孔连接到参考电压线RL。作为另一示例，第二上部导电层CM2可以经由第八接触孔CNT8'或第九接触孔CNT9'连接到参考电压线RL。就这点而言，第五交叉部分CP5可以设置在第八接触孔CNT8'和第九接触孔CNT9'之间。因此，参考电压线RL的预充电电压可以通过经由第二上部导电层CM2迂回地传送。
可以将上述第一接触孔CNT1'至第十接触孔CNT10'设置为位于无机保护层PVX和平坦化层117中的各个通孔。
图10A是示出根据另一实施例的修复显示设备的方法的流程图。图10B是示出根据另一实施例的切割第二布线的操作的示意性截面图。图10C是示出根据另一实施例的形成连接导电层的操作的示意性截面图。
在图10B和图10C中，与图9中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此省略其重复描述。
参照图10A，修复显示设备的方法可以包括测试第一布线和第二布线是否可能短路的操作S210、通过将激光照射到交叉部分和至少一个接触孔之间的区域来切割第二布线的操作S220以及通过在与像素电极相同的层上形成连接导电层来连接第二布线的操作S230。
第一布线可以是已经参照图8描述的在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、感测控制线SSL、第一下部电源线UPL1、第二下部电源线UPL2或下部参考电压线URL。第二布线可以是数据线DL、参考电压线RL、第一电源线PL1或第二电源线PL2。
交叉部分可以是参照图8描述的第一交叉部分CP1至第六交叉部分CP6中的任何一个。
至少一个接触孔可以是参照图8描述的第一接触孔CNT1'至第十接触孔CNT10'中的任何一个。
在其中第一布线和第二布线可以彼此交叉的交叉部分中第一布线和第二布线可能短路的情况下，可以通过切割第二布线来防止短路。具体地，可以通过将激光照射到交叉部分和至少一个接触孔之间的区域来切割第二布线。
参照图10B，数据线DL和感测控制线SSL可以彼此交叉以具有第二交叉部分CP2。可以测试数据线DL和感测控制线SSL是否可能短路。就这点而言，在数据线DL和感测控制线SSL可能短路的情况下，可以将激光照射到第二交叉部分CP2和第三接触孔CNT3'之间的区域和/或第二交叉部分CP2和第四接触孔CNT4'之间的区域。因此，可以切割数据线DL。
参照图10C，在可以切割第二布线之后，可以通过在与像素电极相同的层上形成连接导电层来连接第二布线。例如，在可以切割数据线DL之后，可以在平坦化层117上形成第一上部导电层CM1。第一上部导电层CM1可以经由第三接触孔CNT3'或第四接触孔CNT4'连接到数据线DL。因此，数据线DL的数据信号可以通过经由第一上部导电层CM1迂回地传送到像素。因此，可以获得显示设备的改善的可靠性。
图11是示出根据另一实施例的包括在像素电路PC中的TFT和电容器Cst的位置的示意性表示图。在图11中，与图8中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此省略其重复描述。
参照图11，根据实施例的显示设备的像素电路PC可以连接到在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、感测控制线SSL、第一下部电源线UPL1、第二下部电源线UPL2和下部参考电压线URL。
在实施例中，上部导电层CM可以具有岛状。具体地，第一上部导电层CM1可以包括第一上部部分CM1-1或第二上部部分CM1-2。第二上部导电层CM2可以包括第三上部部分CM2-1或第四上部部分CM2-2。第三上部导电层CM3可以包括第五上部部分CM3-1。第一上部部分CM1-1至第五上部部分CM3-1可以具有岛状。因此，第一上部部分CM1-1至第五上部部分CM3-1可以彼此间隔开。
第一上部部分CM1-1可以与其中数据线DL和扫描线SL可以彼此交叉的第一交叉部分CP1重叠。第一上部部分CM1-1可以经由第一接触孔CNT1'或第二接触孔CNT2'连接到数据线DL。就这点而言，第一上部部分CM1-1的在第二方向DR2上的长度可以大于扫描线SL的在第二方向DR2上的宽度。
第二上部部分CM1-2可以与其中数据线DL和感测控制线SSL可以彼此交叉的第二交叉部分CP2重叠。另外，第二上部部分CM1-2可以与其中数据线DL和下部参考电压线URL可以彼此交叉的第三交叉部分CP3重叠。第二上部部分CM1-2可以经由第三接触孔CNT3'、第四接触孔CNT4'或第五接触孔CNT5'连接到数据线DL。就这点而言，第二上部部分CM1-2的在第二方向DR2上的长度可以大于感测控制线SSL或下部参考电压线URL的在第二方向DR2上的宽度。在另一实施例中，可以省略第三接触孔CNT3'、第四接触孔CNT4'和第五接触孔CNT5'中的一些。在另一实施例中，第二上部部分CM1-2可以包括与第二交叉部分CP2重叠的第一区域以及与第三交叉部分CP3重叠且与第一区域间隔开的第二区域。就这点而言，在第三接触孔CNT3'和第四接触孔CNT4'之间还可以包括连接到数据线DL的接触孔。
第三上部部分CM2-1可以与其中参考电压线RL和扫描线SL可以彼此交叉的第四交叉部分CP4重叠。第三上部部分CM2-1可以经由第六接触孔CNT6'或第七接触孔CNT7'连接到参考电压线RL。就这点而言，第三上部部分CM2-1的在第二方向DR2上的长度可以大于扫描线SL的在第二方向DR2上的宽度。
第四上部部分CM2-2可以与其中参考电压线RL和感测控制线SSL可以彼此交叉的第五交叉部分CP5重叠。第四上部部分CM2-2可以经由第八接触孔CNT8'或第九接触孔CNT9'连接到参考电压线RL。就这点而言，第四上部部分CM2-2的在第二方向DR2上的长度可以大于感测控制线SSL的在第二方向DR2上的宽度。
第五上部部分CM3-1可以与其中第二中间导电层IM2和感测控制线SSL可以彼此交叉的第六交叉部分CP6重叠。第五上部部分CM3-1可以经由第十接触孔CNT10'或第十一接触孔CNT11'连接到第二中间导电层IM2。就这点而言，第五上部部分CM3-1的在第二方向DR2上的长度可以大于感测控制线SSL的在第二方向DR2上的宽度。
根据一个或多个实施例，显示设备可以包括与其中信号布线可以彼此交叉的交叉部分重叠的导电层，该导电层使信号迂回，并且因此改善显示设备的可靠性。
应当理解的是，本文中描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。对每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可适用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由本公开及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；
显示元件，在所述显示区域上方；
薄膜晶体管，设置在所述基底和所述显示元件之间并且连接到所述显示元件；
第一布线，连接到所述薄膜晶体管并且在第一方向上延伸；
第二布线，设置在所述第一布线上方并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；
连接导电层，与其中所述第一布线和所述第二布线彼此交叉的交叉部分重叠；
绝缘层，设置在所述连接导电层和所述第二布线之间；以及
至少一个连接接触孔，被限定在所述绝缘层中，所述至少一个连接接触孔连接所述连接导电层和所述第二布线。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接导电层在所述基底和所述第一布线之间。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：缓冲层，设置在所述连接导电层和所述第一布线之间。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：偏置电极，设置在所述基底和半导体层之间并且与所述半导体层重叠，其中，
所述薄膜晶体管包括所述半导体层，并且
所述连接导电层和所述偏置电极设置在相同的层上。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述连接导电层与所述偏置电极间隔开。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接导电层设置在所述第二布线上方。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，
所述显示元件包括像素电极和相对电极，并且
所述连接导电层和所述像素电极设置在相同的层上。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述连接导电层与所述像素电极间隔开。
9.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：平坦化层，在所述显示元件和所述薄膜晶体管之间，
其中，所述连接导电层在所述平坦化层上。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，
其中，所述第一布线连接到所述栅电极。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第二布线连接到所述源电极或所述漏电极。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接导电层在所述第二方向上延伸。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接导电层包括岛状。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接导电层的在所述第二方向上的长度大于所述交叉部分的在所述第二方向上的长度。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个连接接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，
其中，所述交叉部分在所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二布线包括数据线。
17.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：无机保护层，覆盖所述第二布线。
18.一种修复显示设备的方法，其中，所述显示设备包括：
基底；
第一布线，在所述基底上方在第一方向上延伸；
第二布线，设置在所述第一布线上方并且与所述第一布线交叉；
连接导电层，与其中所述第一布线和所述第二布线彼此交叉的交叉部分重叠；
绝缘层，在所述连接导电层和所述第二布线之间；以及
至少一个连接接触孔，在所述绝缘层中，所述连接导电层经由所述至少一个连接接触孔连接到所述第二布线，
其中，所述方法包括：通过将激光照射到所述交叉部分和所述至少一个连接接触孔之间的区域来切割所述第二布线。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述方法还包括：
在所述切割所述第二布线之前，测试所述第一布线和所述第二布线是否短路。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述显示设备包括：显示元件，包括像素电极和相对电极，其中，所述方法还包括：
在所述切割所述第二布线之后，通过在相同的层上形成所述连接导电层和所述像素电极来连接所述第二布线。
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