CN112530627B

CN112530627B - 一种低雾度透明导电膜及其制备方法

Info

Publication number: CN112530627B
Application number: CN202011276112.1A
Authority: CN
Inventors: 邱业君; 张立文; 闫勇
Original assignee: Suzhou Chengbang Dayi Material Technology Co ltd; Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology
Current assignee: Suzhou Chengbang Dayi Material Technology Co ltd; Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology
Priority date: 2020-11-16
Filing date: 2020-11-16
Publication date: 2022-08-23
Anticipated expiration: 2040-11-16
Also published as: CN112530627A

Abstract

本发明提供了一种低雾度透明导电膜及其制备方法，所述低雾度透明导电膜包括透明基材、导电基元、第一雾度调控层和第二雾度调控层；所述导电基元在透明基材表面形成导电网络；所述第一雾度调控层包含吸光性物质，所述第一雾度调控层位于导电基元的表面；所述第二雾度调控层包含折射率大于空气的纳米颗粒，所述第二雾度调控层位于第一雾度调控层的表面。采用本发明的技术方案，利用涂覆于导电基元表面的第一雾度调控层、第二雾度调控层，通过吸收原理和全反射原理的协同作用，实现散射光总量的减少，从而降低了导电膜中导电基元引起的雾度；制备方法简单，容易实施。

Description

一种低雾度透明导电膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及导电材料技术领域，尤其涉及一种低雾度透明导电膜及其制备方法。

背景技术

透明导电膜是一种极为重要的光电功能薄膜，其广泛应用于平板显示、太阳能电池、触摸屏、柔性电子、智能穿戴等领域。目前，常用的透明导电材料为氧化铟锡（ITO），然而，氧化铟锡昂贵的价格和较大的脆性限制了所能应用的范围。因而，研究人员花费大量精力寻找ITO的替代材料。

在新兴的透明导电膜材料中，金属基透明导电膜具有优异的电学性能、光学性能及柔韧性，获得了众多研究者的极大青睐。然而，由于金属导电基元对可见光具有强反射作用，导致所制备的导电膜在散射光偏离入射方向2.5°以上的光线比例较高，表现出极高的雾度。由此制备的器件如液晶显示器就存在显示不清晰的问题。为了解决金属基透明导电膜雾度高的问题，传统的方式是采用高长径比、细小直径的金属纳米线或复合碳纳米管、石墨烯等具有吸光性的导电材料，通过减少散射光比例的方式实现雾度的降低。然而，上述方法往往以牺牲导电膜的光电性能为代价，且雾度降低程度有限，因此十分必要探索新的雾度降低原理和方法。

发明内容

针对以上技术问题，本发明公开了一种低雾度透明导电膜及其制备方法，实现了导电膜雾度的降低。

对此，本发明采用的技术方案为：

一种低雾度透明导电膜，其包括透明基材、导电基元、第一雾度调控层和第二雾度调控层；

所述导电基元在透明基材表面形成导电网络；

所述第一雾度调控层包含吸光性物质，所述第一雾度调控层位于导电基元的表面；

所述第二雾度调控层包含折射率大于空气的纳米颗粒。所述第二雾度调控层位于第一雾度调控层的表面。进一步的，所述第二雾度调控层的纳米颗粒的折射率在1.1-2.8之间，优选的在1.3-1.6之间。

所述第一雾度调控层与导电基元之间存在物理的或化学的相互作用力；所述第二雾度调控层与第一雾度调控层之间存在物理的或化学的相互作用力。所述作用力包括但不限于氢键、静电力、范德华力等。

采用此技术方案，所述第一雾度调控层通过吸收原理，第二雾度调控层通过全反射原理，二者协同作用，可以降低导电膜因为导电基元带来的雾度。

作为本发明的进一步改进，所述导电基元、第一雾度调控层、第二雾度调控层形成具有等腰直角三角形截面的核壳结构。

作为本发明的进一步改进，所述导电基元包括纳米金属导电单元。进一步的，所述导电基元包括但不限于银纳米线、铜纳米线、银纳米纤维、铜纳米纤维中的一种，优选银纳米线。

作为本发明的进一步改进，所述吸光性物质包括炭黑、碳纳米管、石墨烯、二氧化钒纳米粒子、二氧化锰纳米粒子、四氧化三铁纳米粒子、氧化亚铁纳米粒子、氧化钴纳米粒子、氧化镍纳米粒子、氧化铜纳米粒子、氧化银纳米粒子、天然黑色素或人工合成黑色素、聚多巴胺或其衍生物、聚氧乙烯醚或其衍生物、苯胺黑或其衍生物中的至少一种。进一步优选的，所述吸光性物质包括聚多巴胺。

作为本发明的进一步改进，所述第一雾度调控层包括表面活性剂。进一步的，所述表面活性剂包括但不限于硬脂酸、硬脂酸钠、油酸、油胺、油酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十六烷基溴化铵、氨基酸、聚乙二醇、吐温80、脂肪酸甘油酯、聚二甲氧基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷等中的一种。采用此技术方案，通过表面活性剂对吸光性物质进行表面修饰，有利于分散。

作为本发明的进一步改进，所述第二雾度调控层由纳米颗粒自组装形成。

作为本发明的进一步改进，所述纳米颗粒包括导电聚合物纳米粒子、非导电聚合物纳米粒子、无机氧化物纳米粒子、氢氧化物纳米粒子中的至少一种。

进一步优选的，所述导电聚合物纳米粒子包括但不限于PEDOT:PSS、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔或他们的衍生物或混合物等。

进一步优选的，所述非导电聚合物纳米粒子包括但不限于聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏氟乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈、聚环氧乙烷等中的一种。

进一步优选的，所述无机氧化物纳米粒子包括但不限于氧化铬、氧化铜、氧化铝、锆石、二氧化硅、二氧化钛、氧化铟锡、掺铝氧化锌、氟氧化锡等中的一种。

进一步优选的，所述氢氧化物纳米粒子包括但不限于氢氧化镍、氢氧化钴、氢氧化铁、氢氧化铜、氢氧化铝等中的一种或几种的混合物。

作为本发明的进一步改进，所述第二雾度调控层包含偶联剂，所述偶联剂包括但不限于乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-三巯丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、β-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷其中的任意一种或者任意几种的混合物。优选的，所述偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷。采用此技术方案，通过偶联剂对纳米颗粒进行表面处理，有利于分散。

作为本发明的进一步改进，所述透明基材包括但不限于透明聚酰亚胺（CPI），聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚氯乙烯（PVC）、聚碳酸酯（PC）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、玻璃等透明基材中的一种。

作为本发明的进一步改进，所述低雾度透明导电膜的光学雾度小于2%，透过率大于88%，方阻小于200 Ω/sq。进一步优选的，所述低雾度透明导电膜的光学雾度小于1.2%，透过率大于90%，方阻小于100Ω/sq。进一步优选的，所述低雾度透明导电膜的光学雾度小于1.0%，透过率大于90%，方阻小于70Ω/sq。

本发明还公开了如上任意一项所述的低雾度透明导电膜的制备方法，其包括如下步骤：

步骤S1，将透明基材进行清洁处理；

步骤S2，将导电基元附着在透明基材上，并使导电基元在透明基材的表面搭接成导电网络；

步骤S3，在步骤S2形成的导电网络的表面涂覆第一雾度调控层，使其吸附于导电基元的表面，并于50-300℃之间烘干处理，处理1-300分钟；

步骤S4，然后涂覆第二雾度调控层，使其吸附于第一雾度调控层的表面，并于50-300℃之间烘干处理，处理1-300分钟；。

作为本发明的进一步改进，步骤S1中，将透明基材置于乙醇中超声清洗1-60分钟，用氮气吹干后，置于紫外-臭氧中清洁1-60分钟。

作为本发明的进一步改进，步骤S2中，采用卷对卷涂布、静电喷涂、超音速喷涂、旋涂机旋涂、Mayer棒滚涂、浸渍提拉、喷墨打印或静电纺丝的涂布方式，使导电基元在基材表面搭接成导电网络。

作为本发明的进一步改进，步骤S3和步骤S4中，所述涂覆采用卷对卷涂布、静电喷涂、超音速喷涂、旋涂机旋涂、Mayer棒滚涂、浸渍提拉或喷墨打印的方式。

作为本发明的进一步改进，步骤S3中，第一雾度调控层中吸光性物质的质量浓度为0.001-5%。

作为本发明的进一步改进，步骤S4中，第二雾度调控层中纳米颗粒的质量浓度为0.001-40%。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

采用本发明的技术方案，利用涂覆于导电基元表面的第一雾度调控层、第二雾度调控层，通过吸收原理和全反射原理的协同作用，实现散射光总量的减少，从而降低了导电膜中导电基元引起的雾度；制备方法简单，容易实施。

附图说明

图1为本发明实施例1的导电膜的雾度调控层降低雾度的原理图。

图2为本发明实施例1制备得到的导电膜的SEM图；其中，（a）为银纳米线导电膜的SEM图，（b）为导电膜表面浸渍涂覆聚多巴胺/纳米二氧化硅球的SEM图。

图3本发明实施例1的导电膜的内部光路分析图；其中，（a）为银纳米线散射光路图分析；（b）为涂覆聚多巴胺/纳米二氧化硅后银纳米线散射光路图分析。

图4为本发明实施例1的导电膜的性能测试图；其中，（a）为导电膜的总透射率曲线；（b）为导电膜的总散射率曲线，（c）为导电膜的雾度曲线。

图5是本发明实施例2的表面涂覆聚多巴胺的银纳米线透明导电膜的SEM图。

图6是本发明实施例2的表面涂覆聚多巴胺的银纳米线透明导电膜的性能测试图；其中，（a）为导电膜的总透射率曲线；（b）为导电膜的总散射率曲线，（c）为导电膜的雾度曲线。

图7是本发明实施例3的表面涂覆纳米二氧化硅的银纳米线透明导电膜的SEM图。

图8是本发明实施例3的表面涂覆纳米二氧化硅的银纳米线透明导电膜的性能测试图；其中，（a）为导电膜的总透射率曲线；（b）为导电膜的总散射率曲线，（c）为导电膜的雾度曲线。

图9是本发明实施例4的表面涂覆聚多巴胺/聚苯乙烯的银纳米线透明导电膜的SEM图。

图10是本发明实施例4的表面涂覆聚多巴胺/聚苯乙烯的银纳米线透明导电膜的性能测试图；其中，（a）为导电膜的总透射率曲线；（b）为导电膜的总散射率曲线，（c）为导电膜的雾度曲线。

图11是本发明实施例5的表面涂覆聚多巴胺/高浓度二氧化硅的银纳米线透明导电膜的SEM图。

图12是本发明实施例5的表面涂覆聚多巴胺/高浓度二氧化硅的银纳米线透明导电膜的性能测试图；其中，（a）为导电膜的总透射率曲线；（b）为导电膜的总散射率曲线，（c）为导电膜的雾度曲线。

图13是本发明实施例6的表面涂覆聚多巴胺/二氧化硅的银纳米线透明导电膜的SEM图。

图14是本发明实施例6的表面涂覆聚多巴胺/二氧化硅的银纳米线透明导电膜的性能测试图；其中，（a）为导电膜的总透射率曲线；（b）为导电膜的总散射率曲线，（c）为导电膜的雾度曲线。

附图标记包括：

1-透明基材，2-导电基元，3-第一雾度调控层，4-第二雾度调控层。

具体实施方式

下面对本发明的较优的实施例作进一步的详细说明。

实施例1

如图1所示，一种低雾度透明导电膜，其包括透明基材1、导电基元2、第一雾度调控层3和第二雾度调控层4；所述导电基元2在透明基材1的表面形成导电网络；所述第一雾度调控层3包含吸光性物质，所述第一雾度调控层3位于导电基元2的表面；所述第二雾度调控层4包含与透明基材折射率匹配的纳米颗粒，所述第二雾度调控层4位于第一雾度调控层3的表面，所述第二雾度调控层4、第一雾度调控层3和导电基元2形成直角等腰三角形截面的核壳结构。通过图1的光路分析图可见，所述第一雾度调控层3通过吸收原理，第二雾度调控层4通过全反射原理，二者协同降低导电膜的雾度。

具体而言，本实施例中，以PET（折射率为1.65）为透明基材，银纳米线为导电基元，聚多巴胺为第一雾度调控层的吸光性物质，γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）修饰的纳米二氧化硅（折射率为1.45）为第二雾度调控层的纳米颗粒。采用以下步骤进行制备低雾度透明导电膜：

首先，配置聚多巴胺反应液。配置10 mM的三(羟甲基)氨基甲烷的水溶液100 mL，并用5%的盐酸调节pH至8.5；随后加入0.3 g盐酸多巴胺，室温搅拌24 h。

其次，将5 g粒径为20 nm二氧化硅超声分散于100 mL正丁醇中；随后缓慢滴加5 g质量分数为10%的KH550硅烷偶联剂乙醇溶液；90℃水浴加热6 h，获得羟基接枝的二氧化硅纳米颗粒；将二氧化硅浓度稀释为0.05 mg/mL。

最后，将PET基材于浓度为0.02 mg/mL的银纳米线的异丙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，制备透明导电膜；再将上述导电膜于浓度为0.005%的上述聚多巴胺反应液中浸渍提拉，并于80℃烘干；再将上述导电膜于浓度为0.05 mg/mL的二氧化硅的乙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，获得透明导电膜。

制备的银纳米线导电膜SEM如图2（a）所示，表面涂覆聚多巴胺/二氧化硅的导电膜SEM如图2（b）所示。结合图1的雾度调控层降低雾度的原理图可见：入射到银纳米线表面的光线首先被黑色的聚多巴胺吸收，而未被吸收的散射光线经二氧化硅入射到空气中，通过全反射的原理予以反射，在二者协同作用下实现雾度的降低。

图3为银纳米线表面散射光路分析，可知，空气为介质时，银纳米线截面圆44-88.75°范围所对应的表面引起的散射光线偏离入射光方向大于2.5°，会引起雾度；二氧化硅为介质时，这个范围减小为45-47.1°和87.9-90°。由于散射光线经由高折射率的二氧化硅（折射率为1.45）进入低折射率的空气（折射率为1），所以在某一角度下会发生全反射。可以推断，更多的光线被反射回去，而非散射向前。

图4为积分球法测得的导电膜的总散射光T4（a）、总透射光T2（b）以及由此算得的雾度曲线（c），可见在聚多巴胺和二氧化硅的协同作用下，显著降低了导电膜的雾度，550nm处雾度值仅为0.89%，导电膜透过率91.8%，方阻53 Ω/sq。

作为实施例1的对比，实施例2和3分别只采用一种雾度调控层。

实施例2

以PET（折射率为1.65）为透明基材，银纳米线为导电基元，聚多巴胺为雾度调控层的吸光性物质。采用以下步骤进行制备得到低雾度透明导电膜：

其次，将PET基材于浓度为0.02 mg/mL的银纳米线的异丙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，制备透明导电膜；再将上述导电膜于浓度为0.005%的上述聚多巴胺反应液中浸渍提拉，并于80℃烘干，获得透明导电膜。

制备的表面涂覆聚多巴胺的银纳米线透明导电膜SEM如图5所示。图6为积分球法测得的导电膜的总散射光T4（如图6（a））、总透射光T2（如图6（b））以及由此算得的雾度曲线（如图6（c）），可见引入聚多巴胺可在一定程度上降低导电膜的雾度，550 nm处雾度值为1.32%，导电膜透过率90.5%，方阻67 Ω/sq。

实施例3

以PET（折射率为1.65）为透明基材，银纳米线为导电基元，γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）修饰的纳米二氧化硅（折射率为1.45）为雾度调控层的纳米颗粒。采用以下步骤进行制备得到低雾度透明导电膜：

首先，将5 g粒径为20 nm二氧化硅超声分散于100 mL正丁醇中；随后缓慢滴加5 g质量分数为10%的KH550硅烷偶联剂乙醇溶液；90℃水浴加热6 h，获得羟基接枝的二氧化硅纳米颗粒；将二氧化硅浓度稀释为0.05 mg/mL。

其次，将PET基材于浓度为0.02 mg/mL的银纳米线的异丙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，制备透明导电膜；再将上述导电膜于浓度为0.05 mg/mL的二氧化硅的乙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，获得透明导电膜。

制备的表面涂覆纳米二氧化硅的银纳米线透明导电膜SEM如图7所示。图8为积分球法测得的导电膜的总散射光T4（如图8（a））、总透射光T2（如图8（b））以及由此算得的雾度曲线（如图8（c）），可见引入纳米二氧化硅可在一定程度上降低导电膜的雾度，550 nm处雾度值为1.28%，导电膜透过率92.1%，方阻59 Ω/sq。

通过实施例1~实施例3的对比可见，实施例1的导电膜在兼具导电性、透光性的同时，具有更低的雾度。

作为对本发明的进一步对比，我们在实施例4-6中采用了不同基材、导电基元和调控层材料。

实施例4

以PET（折射率为1.65）为基材，银纳米线为导电基元，聚多巴胺为第一雾度调控层的吸光性物质，接枝丙烯酸树脂的纳米聚苯乙烯球（PS）（折射率为1.59）为第二雾度调控层。具体制备方法包括：

其次，将0.24 g聚乙烯吡咯烷酮、0.03 g引发剂、5 g苯乙烯溶于130 mL水中，氮气保护于98℃水热反应2 h；再加入0.5 g苯乙烯、0.95 g丙烯酸丁酯、0.05 g甲基丙烯酸和0.01 g引发剂，继续反应4 h。可获得接枝丙烯酸树脂的PS球；随后，将PS球浓度稀释至0.05mg/mL。

最后，将PET基材于浓度为0.02 mg/mL的银纳米线的异丙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，制备透明导电膜；再将上述导电膜于浓度为0.005%的上述聚多巴胺反应液中浸渍提拉，并于80℃烘干；再将上述导电膜于浓度为0.05 mg/mL的纳米聚苯乙烯球的乙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，获得透明导电膜。

制备的表面涂覆聚多巴胺/聚苯乙烯的银纳米线透明导电膜SEM如图9所示。图10为积分球法测得的导电膜的总散射光T4（如图10（a））、总透射光T2（如图10（b））以及由此算得的雾度曲线（如图10（c）），可见在聚多巴胺和纳米聚苯乙烯球的协同作用下，显著降低了导电膜的雾度，550 nm处雾度值仅为0.93%，导电膜透过率90.8%，方阻62 Ω/sq。

实施例5

以PET（折射率为1.65）为透明基材，银纳米线为导电基元，聚多巴胺为第一雾度调控层的吸光性物质，高浓度γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）修饰的纳米二氧化硅（折射率为1.45）为第二雾度调控层的纳米颗粒。采用以下步骤进行制备透明导电膜：

其次，将5 g粒径为20 nm二氧化硅超声分散于100 mL正丁醇中；随后缓慢滴加5 g质量分数为10%的KH550硅烷偶联剂乙醇溶液；90℃水浴加热6 h，获得羟基接枝的二氧化硅纳米颗粒；将二氧化硅浓度稀释为0.5 mg/mL。

最后，将PET基材于浓度为0.02 mg/mL的银纳米线的异丙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，制备透明导电膜；再将上述导电膜于浓度为0.005%的上述聚多巴胺反应液中浸渍提拉，并于80℃烘干；再将上述导电膜于浓度为0. 5 mg/mL的二氧化硅的乙醇溶液中浸渍提拉，并于80℃烘干，获得透明导电膜。

制备的表面涂覆聚多巴胺/高浓度二氧化硅的银纳米线透明导电膜SEM如图11所示。图12为积分球法测得的导电膜的总散射光T4（如图12（a））、总透射光T2（如图12（b））以及由此算得的雾度曲线（如图12（c）），可见在聚多巴胺和纳米聚苯乙烯球的协同作用下，显著降低了导电膜的雾度，550 nm处雾度值为1.21%，导电膜透过率92.8%，方阻49 Ω/sq。

实施例6

以PC（折射率为1.52）为透明基材，银纳米线为导电基元，聚多巴胺为第一雾度调控层的吸光性物质，γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）修饰的纳米二氧化硅为（折射率为1.45）第二雾度调控层的纳米颗粒。采用以下步骤进行制备透明导电膜：

制备的表面涂覆聚多巴胺/二氧化硅的银纳米线透明导电膜SEM如图13所示。图14为积分球法测得的导电膜的总散射光T4（如图14（a））、总透射光T2（如图14（b））以及由此算得的雾度曲线（如图14（c）），可见在聚多巴胺和纳米聚苯乙烯球的协同作用下，显著降低了导电膜的雾度，550 nm处雾度值为1.16%，导电膜透过率91.1%，方阻55 Ω/sq。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims

1.一种低雾度透明导电膜，其特征在于：其包括透明基材、导电基元、第一雾度调控层和第二雾度调控层；

所述导电基元在透明基材表面形成导电网络；

所述第二雾度调控层包含折射率大于空气的纳米颗粒，所述第二雾度调控层位于第一雾度调控层的表面。

2.根据权利要求1所述的低雾度透明导电膜，其特征在于：所述导电基元包括纳米金属导电单元。

3.根据权利要求1所述的低雾度透明导电膜，其特征在于：所述吸光性物质包括炭黑、碳纳米管、石墨烯、二氧化钒纳米粒子、二氧化锰纳米粒子、四氧化三铁纳米粒子、氧化亚铁纳米粒子、氧化钴纳米粒子、氧化镍纳米粒子、氧化铜纳米粒子、氧化银纳米粒子、天然黑色素或人工合成黑色素、聚多巴胺或其衍生物、聚氧乙烯醚或其衍生物、苯胺黑或其衍生物中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的低雾度透明导电膜，其特征在于：所述第一雾度调控层包括表面活性剂；所述表面活性剂包括硬脂酸、硬脂酸钠、油酸、油胺、油酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十六烷基溴化铵、氨基酸、聚乙二醇、吐温80、脂肪酸甘油酯、聚二甲氧基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的低雾度透明导电膜，其特征在于：所述第二雾度调控层的纳米颗粒的折射率为1.1-2.8；第二雾度调控层中，所述纳米颗粒包括导电聚合物纳米粒子、非导电聚合物纳米粒子、无机物氧化物纳米粒子、氢氧化物纳米粒子中的至少一种；

其中，所述导电聚合物纳米粒子包括PEDOT:PSS、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔或他们的衍生物中的至少一种；所述非导电聚合物纳米粒子包括聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏氟乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈、聚环氧乙烷中的至少一种；所述无机氧化物纳米粒子包括氧化铬、氧化铜、氧化铝、锆石、氧化硅、氧化钛、氧化铟锡、掺铝氧化锌、氟氧化锡中的至少一种；所述氢氧化物纳米粒子包括氢氧化镍、氢氧化钴、氢氧化铁、氢氧化铜、氢氧化铝中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的低雾度透明导电膜，其特征在于：所述第二雾度调控层包含偶联剂，所述偶联剂包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-三巯丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、β-氨乙基-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、β-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷中的一种或者任意几种的混合物。

7.根据权利要求1~6任意一项所述的低雾度透明导电膜，其特征在于：所述透明基材为透明聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃中的一种。

8. 根据权利要求1~6任意一项所述的低雾度透明导电膜，其特征在于：所述低雾度透明导电膜的光学雾度小于2%，透过率大于88%，方阻小于200 Ω/sq。

9.如权利要求1~8任意一项所述的低雾度透明导电膜的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：

步骤S1，将透明基材进行清洁处理；

步骤S4，然后涂覆第二雾度调控层，使其吸附于第一雾度调控层的表面，并于50-300℃之间烘干处理，处理1-300分钟。

10.根据权利要求9所述的低雾度透明导电膜的制备方法，其特征在于：

步骤S1中，将透明基材置于乙醇中超声清洗1-60分钟，用氮气吹干后，置于紫外-臭氧中清洁1-60分钟；

步骤S2中，采用卷对卷涂布、静电喷涂、超音速喷涂、旋涂机旋涂、Mayer棒滚涂、浸渍提拉、喷墨打印或静电纺丝的涂布方式，使导电基元在基材表面搭接成导电网络；

步骤S3和步骤S4中，所述涂覆采用卷对卷涂布、静电喷涂、超音速喷涂、旋涂机旋涂、Mayer棒滚涂、浸渍提拉或喷墨打印的方式；

步骤S3中，第一雾度调控层中吸光性物质的质量浓度为0.001-5%；

步骤S4中，第二雾度调控层中纳米颗粒的质量浓度为0.001-40%。