CN112510441A - 高性能射频连接器 - Google Patents
高性能射频连接器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112510441A CN112510441A CN202011415940.9A CN202011415940A CN112510441A CN 112510441 A CN112510441 A CN 112510441A CN 202011415940 A CN202011415940 A CN 202011415940A CN 112510441 A CN112510441 A CN 112510441A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shielding shell
- radio frequency
- shielding
- frequency connector
- high performance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/646—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00 specially adapted for high-frequency, e.g. structures providing an impedance match or phase match
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/648—Protective earth or shield arrangements on coupling devices, e.g. anti-static shielding
- H01R13/658—High frequency shielding arrangements, e.g. against EMI [Electro-Magnetic Interference] or EMP [Electro-Magnetic Pulse]
- H01R13/6581—Shield structure
Landscapes
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
Abstract
本发明公开了高性能射频连接器,包括插接配合的公端与母端,所述公端包括第一屏蔽壳体,所述母端包括第二屏蔽壳体,所述第一屏蔽壳体套设在所述第二屏蔽壳体上并与所述第二屏蔽壳体抵触连接,所述第二屏蔽壳体的外周壁的至少一个角部设有凹陷部,所述第一屏蔽壳体的开口处设有与所述凹陷部相配合卡块。卡块可在第一屏蔽壳体拉伸/冲压的过程中同步成型,无需另外的加工步骤,简化了射频连接器的加工制程,利于提高射频连接器的生产效率,降低射频连接器的制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及电连接器技术领域,尤其涉及高性能射频连接器。
背景技术
申请号为202020318443.6的中国实用新型专利公开了一种射频连接器,包括插接配合的公端和母端,所述公端包括第一射频信号端与第一接地端,所述母端包括与所述第一射频信号端配合连接的第二射频信号端以及与所述第一接地端配合连接的第二接地端,所述公端还包括放置第一射频信号端的第一腔体,所述第一接地端位于所述第一腔体外,所述母端还包括放置第二射频信号端的第二腔体,所述第二接地端位于第二腔体外;所述第一腔体与所述第二腔体在所述公端与所述母端插接后形成一个信号屏蔽的隔离腔室;所述第一腔体包括固定所述第一射频信号端的第一绝缘基座与固定所述第一绝缘基座的第一屏蔽壳体,所述第二腔体包括固定所述第二射频信号端的第二绝缘基座与固定所述第二绝缘基座的第二屏蔽壳体;所述第一屏蔽壳体和所述第二屏蔽壳体抵触连接。作为一个优化方案,该专利还公开了所述第一腔体的内侧壁设置有第一卡扣件,所述第二腔体的外侧壁设置有与所述第一卡扣件卡扣连接的第二卡扣件。
虽然,该方案能够在一定程度上改善射频连接器的电学性能,但是,在实际生产该方案所对应的射频连接器产品时,需要先拉伸/冲压出第一屏蔽壳体,然后在第一屏蔽壳体上冲压出第一卡扣件,整个加工过程有点繁琐,影响生产效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种便于生产的高性能射频连接器。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:高性能射频连接器,包括插接配合的公端与母端,所述公端包括第一屏蔽壳体,所述母端包括第二屏蔽壳体,所述第一屏蔽壳体套设在所述第二屏蔽壳体上并与所述第二屏蔽壳体抵触连接,所述第二屏蔽壳体的外周壁的至少一个角部设有凹陷部,所述第一屏蔽壳体的开口处设有与所述凹陷部相配合卡块。
本发明的有益效果在于:位于第二屏蔽壳体的外周壁的角部的凹陷部与位于第一屏蔽壳体的开口处的卡块的配合不仅能够提高公母端的连接力,降低公母端意外松脱的风险,还能够提高第一、二屏蔽壳体互配接触的稳定性,使射频连接器工作状态下接地性能更加稳定,从而阻隔外界信号以改善外界信号干扰第一、二屏蔽壳体内的信号传输的现象,同时保证第一、二屏蔽壳体内传输的信号不会泄露出去,进而提高射频连接器的性能。更重要的是,卡块可在第一屏蔽壳体拉伸/冲压的过程中同步成型,无需另外的加工步骤,简化了射频连接器的加工制程,利于提高射频连接器的生产效率,降低射频连接器的制造成本。
附图说明
图1为本发明实施例一的高性能射频连接器的整体结构的结构示意图;
图2为本发明实施例一的高性能射频连接器中的公端的结构示意图;
图3为本发明实施例一的高性能射频连接器中的母端的结构示意图;
图4为图3中细节A的放大图;
图5为本发明实施例一中的样品一的泄露测试结果图;
图6为本发明实施例一中的样品二的泄露测试结果图;
图7为本发明实施例一中的样品三的泄露测试结果图。
标号说明:
1、公端;
2、母端;
3、第一屏蔽壳体;31、卡块;32、延伸边;321、长延伸部;322、短延伸部;33、第一抵块;34、第二抵块;
4、第二屏蔽壳体;41、凹陷部;411、止挡面;412、引导面;
51、第一信号端;52、第二信号端;
61、第一电源端;62、第二电源端;
71、第一连接部;72、第二连接部;
8、第三屏蔽壳体。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1至图7,高性能射频连接器,包括插接配合的公端1与母端2,所述公端1包括第一屏蔽壳体3,所述母端2包括第二屏蔽壳体4,所述第一屏蔽壳体3套设在所述第二屏蔽壳体4上并与所述第二屏蔽壳体4抵触连接,所述第二屏蔽壳体4的外周壁的至少一个角部设有凹陷部41,所述第一屏蔽壳体3的开口处设有与所述凹陷部41相配合卡块31。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:位于第二屏蔽壳体4的外周壁的角部的凹陷部41与位于第一屏蔽壳体3的开口处的卡块31的配合不仅能够提高公母端的连接力,降低公母端意外松脱的风险,还能够提高第一、二屏蔽壳体互配接触的稳定性,使射频连接器工作状态下接地性能更加稳定,从而阻隔外界信号以改善外界信号干扰第一、二屏蔽壳体内的信号传输的现象,同时保证第一、二屏蔽壳体内传输的信号不会泄露出去,进而提高射频连接器的性能。更重要的是,卡块31可在第一屏蔽壳体3拉伸/冲压的过程中同步成型,无需另外的加工步骤,简化了射频连接器的加工制程,利于提高射频连接器的生产效率,降低射频连接器的制造成本。
进一步的,所述第一屏蔽壳体3的开口处具有朝内弯折延伸的延伸边32,所述卡块31与所述延伸边32相连。
由上述描述可知,卡块31连接于延伸边32上,可避免卡块31在第一屏蔽壳体3拉伸/冲压成型的过程中出现非预期变形,利于保证射频连接器生产的良品率。
进一步的,所述第一屏蔽壳体3呈矩形框状,所述延伸边32呈环框状,所述延伸边32包括连接所述第一屏蔽壳体3的短边的短延伸部322和连接所述第一屏蔽壳体3的长边的长延伸部321,所述短延伸部322的两端分别连接两个所述长延伸部321,所述卡块31连接所述短延伸部322和所述长延伸部321。
由上述描述可知,卡块31位于延伸边32的角部并同时与长延伸部321及短延伸部322相连,有效地提高了卡块31的弹性及结构强度,不仅能够让公母端连接更加稳定可靠,还能够保证公母端经过多次插拔后,卡块31仍可实现其功能,利于延长射频连接器的使用寿命;另外,连接长延伸部321及短延伸部322的卡块31还能够发挥类似加强筋的作用,利于保证第一屏蔽壳体3结构的稳定性,降低第一屏蔽壳体3发生意外变形的风险。
进一步的,所述长延伸部321上设有朝内侧凸出的多个第一抵块33,所述第一抵块33抵触所述第二屏蔽壳体4的外周壁。
进一步的,同一所述长延伸部321上,相邻的两个所述第一抵块33之间的间距小于或等于0.3mm。
由上述描述可知,第一抵块33的设置能够实现第一、二屏蔽壳体的接触导通,且相邻的两个所述第一抵块33之间的间距小于或等于0.3mm能够极大程度上提高射频连接器的屏蔽性能,从而改善射频连接器的电学性能。
进一步的,所述短延伸部322上设有朝内侧凸出的若干个第二抵块34,所述第二抵块34抵触所述第二屏蔽壳体4的外周壁。
由上述描述可知,第一抵块33的设置能够让第一、二屏蔽壳体实现更稳定地接触导通。
进一步的,所述第一屏蔽壳体3的开口处的各个角部均设有所述卡块31。
由上述描述可知,第一屏蔽壳体3的开口处的各个角部均设置卡块31在极大程度上提高了射频连接器的屏蔽性能。
进一步的,所述公端1中所述第一屏蔽壳体3的数量为两个,所述公端1还包括设于所述第一屏蔽壳体3内的第一信号端51以及设于两个所第一屏蔽壳体3之间的第一电源端61,所述第一屏蔽壳体3中远离所述第一电源端61的所述长延伸部321的两端分别连接有所述卡块31。
进一步的,两个所述第一屏蔽壳体3通过连接部相连,所述第一屏蔽壳体3与所述连接部为一体式结构。
进一步的,所述公端1还包括第三屏蔽壳体8,所述两个所述第一屏蔽壳体3均位于所述第三屏蔽壳体8内,所述第三屏蔽壳体8与所述第一屏蔽壳体3连接固定。
由上述描述可知,第三屏蔽壳体8的设置进一步提高了射频连接器的屏蔽性能,进而改善射频连接器的电学性能。
实施例一
请参照图1至图7,本发明的实施例一为:请结合图1至图3,高性能射频连接器,包括插接配合的公端1与母端2,所述公端1包括第一屏蔽壳体3,所述母端2包括第二屏蔽壳体4,所述第一屏蔽壳体3套设在所述第二屏蔽壳体4上并与所述第二屏蔽壳体4抵触连接,所述第二屏蔽壳体4的外周壁的至少一个角部设有凹陷部41,所述第一屏蔽壳体3的开口处设有与所述凹陷部41相配合卡块31,所述卡块31与所述第一屏蔽壳体3为一体式结构,优选的,所述卡块31抵触所述凹陷部41的壁面。具体的,所述第一屏蔽壳体3和第二屏蔽壳体4分别为四周无缺口的环框结构。可选的,所述凹陷部41冲压成型。
如图4所示,可选的,为方便公端1与母端2的分离,所述凹陷部41的至少一个侧壁上设有相连的止挡面411和引导面412,所述引导面412连接所述止挡面411与所述第二屏蔽壳体4的外壁面,其中,所述止挡面411与所述卡块31平齐,所述引导面412为弧面或斜面。当公母端之间的拉拔力过小时,止挡面411能很好的止挡卡块31,使卡块31保持在凹陷部41内,有效地防止公母端意外松脱;当公母端之间的拉拔力足够时,引导面412能很好地引导卡块31滑出凹陷部41,便于公母端顺畅地分离。本实施例中,所述凹陷部41的两个侧壁上均设有所述止挡面411及所述引导面412,如此,可方便卡块31自动找准凹陷部41,利于降低射频连接器安装精度要求。
所述第一屏蔽壳体3的开口处具有朝内弯折延伸的延伸边32,所述卡块31与所述延伸边32相连。需要说明的是,所述延伸边32的截面既可以是弧形段,也可以是折线段,还可以是弧形段连接直线段的组合形式、折线段连接直线段的组合形式等。
具体的,所述第一屏蔽壳体3呈矩形框状,所述延伸边32呈环框状,所述延伸边32包括连接所述第一屏蔽壳体3的短边的短延伸部322和连接所述第一屏蔽壳体3的长边的长延伸部321,所述短延伸部322的两端分别连接两个所述长延伸部321,所述卡块31连接所述短延伸部322和所述长延伸部321。
为进一步提高射频连接器的性能,所述长延伸部321上设有朝内侧凸出的多个第一抵块33,所述第一抵块33抵触所述第二屏蔽壳体4的外周壁,同一所述长延伸部321上,相邻的两个所述第一抵块33之间的间距小于或等于0.3mm。
同理,所述短延伸部322上设有朝内侧凸出的若干个第二抵块34,所述第二抵块34抵触所述第二屏蔽壳体4的外周壁;本实施例中,所述短延伸部322上的所述第二抵块34的数量为一个,在其他实施例中,所述短延伸部322上的所述第二抵块34的数量可以是多个,此时,同一所述短延伸部322上,相邻的两个所述第二抵块34之间的间距小于或等于0.3mm。
可选的,所述第一屏蔽壳体3的开口处的各个角部均设有所述卡块31。
本实施例中,所述公端1中所述第一屏蔽壳体3的数量为两个,所述公端1还包括设于所述第一屏蔽壳体3内的第一信号端51以及设于两个所第一屏蔽壳体3之间的第一电源端61,所述第一屏蔽壳体3中远离所述第一电源端61的所述长延伸部321的两端分别连接有所述卡块31;相应的,所述母端2中所述第二屏蔽壳体4的数量为两个,所述母端2还包括设于所述第二屏蔽壳体4内的第二信号端52以及设于两个所第二屏蔽壳体4之间的第二电源端62,第二信号端52与第一信号端51相配合以传递射频信号,所述第二电源端62与第一电源端61相配合以传递电能。由此可见,本射频连接器仅在公端1靠外侧的长延伸部321的两端设置卡块31即可实现射频连接器良好的屏蔽,进而改善射频连接器的电学性能,进一步方便了射频连接器的加工制造。
详细的,两个所述第一屏蔽壳体3通过第一连接部71相连,所述第一屏蔽壳体3与所述第一连接部71为一体式结构;同理,两个所述第二屏蔽壳体4通过第二连接部72相连,所述第二屏蔽壳体4与所述第二连接部72为一体式结构。
进一步的,所述公端1还包括第三屏蔽壳体8,所述两个所述第一屏蔽壳体3均位于所述第三屏蔽壳体8内,所述第三屏蔽壳体8与所述第一屏蔽壳体3连接固定。本实施例中,所述第三屏蔽壳体8与所述第一屏蔽壳体3卡扣连接。
申请人制作了一批样品:
样品一是根据本实施例一所记载的内容制作出来的,其中,第一屏蔽壳体3的长延伸部321上设有四个第一抵块33,相邻的两个第一抵块33之间的间距为0.3mm。
样品二与样品一的区别仅在于第一屏蔽壳体3的长延伸部321上仅设有两个第一抵块33,两个第一抵块33之间的间距为0.4mm。
样品三与样品一的区别仅在于样品三的第一屏蔽壳体3上未设置所述卡块31,第二屏蔽壳体4上未设置所述凹陷部41。
对上述样品进行信号泄露测试,测试结果如图5至图7所示,注意,图中实测数据距离图中零点越远越好。
对比图5至图7可知,当长延伸部321上相邻的两个第一抵块33之间的间距为0.3mm且具有凹陷部41与卡块31配合结构时,射频连接器在各个工作频段均能满足超高的预设标准。
综上所述,本发明提供的高性能射频连接器,连接稳定可靠,屏蔽效果好,电学性能优良。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.高性能射频连接器,包括插接配合的公端与母端,所述公端包括第一屏蔽壳体,所述母端包括第二屏蔽壳体,所述第一屏蔽壳体套设在所述第二屏蔽壳体上并与所述第二屏蔽壳体抵触连接,其特征在于:所述第二屏蔽壳体的外周壁的至少一个角部设有凹陷部,所述第一屏蔽壳体的开口处设有与所述凹陷部相配合卡块。
2.根据权利要求1所述的高性能射频连接器,其特征在于:所述第一屏蔽壳体的开口处具有朝内弯折延伸的延伸边,所述卡块与所述延伸边相连。
3.根据权利要求2所述的高性能射频连接器,其特征在于:所述第一屏蔽壳体呈矩形框状,所述延伸边呈环框状,所述延伸边包括连接所述第一屏蔽壳体的短边的短延伸部和连接所述第一屏蔽壳体的长边的长延伸部,所述短延伸部的两端分别连接两个所述长延伸部,所述卡块连接所述短延伸部和所述长延伸部。
4.根据权利要求3所述的高性能射频连接器,其特征在于:所述长延伸部上设有朝内侧凸出的多个第一抵块,所述第一抵块抵触所述第二屏蔽壳体的外周壁。
5.根据权利要求4所述的高性能射频连接器,其特征在于:同一所述长延伸部上,相邻的两个所述第一抵块之间的间距小于或等于0.3mm。
6.根据权利要求3所述的高性能射频连接器,其特征在于:所述短延伸部上设有朝内侧凸出的若干个第二抵块,所述第二抵块抵触所述第二屏蔽壳体的外周壁。
7.根据权利要求3所述的高性能射频连接器,其特征在于:所述第一屏蔽壳体的开口处的各个角部均设有所述卡块。
8.根据权利要求3所述的高性能射频连接器,其特征在于:所述公端中所述第一屏蔽壳体的数量为两个,所述公端还包括设于所述第一屏蔽壳体内的第一信号端以及设于两个所第一屏蔽壳体之间的第一电源端,所述第一屏蔽壳体中远离所述第一电源端的所述长延伸部的两端分别连接有所述卡块。
9.根据权利要求8所述的高性能射频连接器,其特征在于:两个所述第一屏蔽壳体通过连接部相连,所述第一屏蔽壳体与所述连接部为一体式结构。
10.根据权利要求8所述的高性能射频连接器,其特征在于:所述公端还包括第三屏蔽壳体,所述两个所述第一屏蔽壳体均位于所述第三屏蔽壳体内,所述第三屏蔽壳体与所述第一屏蔽壳体连接固定。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011415940.9A CN112510441A (zh) | 2020-12-03 | 2020-12-03 | 高性能射频连接器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011415940.9A CN112510441A (zh) | 2020-12-03 | 2020-12-03 | 高性能射频连接器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112510441A true CN112510441A (zh) | 2021-03-16 |
Family
ID=74970688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011415940.9A Pending CN112510441A (zh) | 2020-12-03 | 2020-12-03 | 高性能射频连接器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112510441A (zh) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108418022A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-08-17 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频插座 |
CN108649356A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-10-12 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频插头 |
CN108682990A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-10-19 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频插头 |
CN108682991A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-10-19 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频头 |
CN109103629A (zh) * | 2018-09-12 | 2018-12-28 | 昆山长盈精密技术有限公司 | 板对板型射频插头、插座及其组件 |
CN109217031A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-15 | 昆山长盈精密技术有限公司 | 板对板型射频插头及其连接器组件 |
CN208401102U (zh) * | 2018-04-23 | 2019-01-18 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频头 |
CN208674425U (zh) * | 2018-09-12 | 2019-03-29 | 昆山长盈精密技术有限公司 | 板对板型射频插头、插座及其组件 |
CN110444962A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-12 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 射频连接器 |
CN210430296U (zh) * | 2019-07-26 | 2020-04-28 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 双屏蔽框射频连接器 |
CN211958127U (zh) * | 2020-03-13 | 2020-11-17 | 信维通信(江苏)有限公司 | 一种稳定传输射频连接器 |
-
2020
- 2020-12-03 CN CN202011415940.9A patent/CN112510441A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108418022A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-08-17 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频插座 |
CN108649356A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-10-12 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频插头 |
CN108682990A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-10-19 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频插头 |
CN108682991A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-10-19 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频头 |
CN208401102U (zh) * | 2018-04-23 | 2019-01-18 | 昆山杰顺通精密组件有限公司 | 板对板型射频头 |
CN109103629A (zh) * | 2018-09-12 | 2018-12-28 | 昆山长盈精密技术有限公司 | 板对板型射频插头、插座及其组件 |
CN109217031A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-15 | 昆山长盈精密技术有限公司 | 板对板型射频插头及其连接器组件 |
CN208674425U (zh) * | 2018-09-12 | 2019-03-29 | 昆山长盈精密技术有限公司 | 板对板型射频插头、插座及其组件 |
CN110444962A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-12 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 射频连接器 |
CN210430296U (zh) * | 2019-07-26 | 2020-04-28 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 双屏蔽框射频连接器 |
CN211958127U (zh) * | 2020-03-13 | 2020-11-17 | 信维通信(江苏)有限公司 | 一种稳定传输射频连接器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN215119354U (zh) | 连接器 | |
KR100886639B1 (ko) | 실드케이블의 전기커넥터, 그 커넥터 본체 및 이 전기커넥터의 제조방법 | |
US9515405B2 (en) | Electrical connector assembly with metallic plate | |
CN113675666A (zh) | 连接器 | |
EP3836310A1 (en) | Male plug, female socket and board-to-board rf connector | |
CN108281834B (zh) | 连接器插座以及连接器 | |
CN217182551U (zh) | 连接器和连接器组装体 | |
CN218997151U (zh) | 一种连接器组件及射频连接器 | |
KR101212716B1 (ko) | 동축 커넥터 | |
WO2020057629A1 (zh) | 一种转换插头、电源适配器加工方法及转换插头、电源适配器 | |
KR20030087539A (ko) | 커넥터 구조 | |
CN106058543A (zh) | 连接器 | |
US20130137304A1 (en) | Electrical connector | |
CN213093491U (zh) | 电连接器 | |
CN214254904U (zh) | 高性能射频连接器 | |
CN112510441A (zh) | 高性能射频连接器 | |
CN114336180A (zh) | 电连接器及其传输片 | |
CN208656029U (zh) | 电连接器及电连接器组合 | |
EP4395085A1 (en) | Plug connector and radio frequency connector assembly | |
CN114498128B (zh) | 板对板插头及板对板连接器组件 | |
CN216720366U (zh) | 连接器壳体、连接器和连接器组件 | |
CN214542602U (zh) | 具有高频传输功能的插座连接器 | |
WO2020098499A1 (zh) | 电池产品及其装配方法 | |
CN211958130U (zh) | 一种抗干扰的射频连接器 | |
CN211789724U (zh) | 高频板对板插座 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210316 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |