CN112491371A - 一种高线性度可编程ab-c类混合跨导的低噪声跨导放大器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种高线性度可编程AB‑C类混合跨导的低噪声跨导放大器，包括现场可编程结构，其中，现场可编程结构包括：混频接收器，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一隔直电容以及第二隔直电容；跨导放大器，其包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第三隔直电容以及第四隔直电容。本申请通过现场可编程结构对接收机进行编程，使其在不同的模式下工作，从而对于噪声、线性度、以及功耗进行优化，以适应不同信号的标准。

Description

一种高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器

技术领域

本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器。

背景技术

跨导放大器作为混合模拟信号电路中的基本组成模块，广泛应用于乘法器、连续时间滤波器、无电感型压控振荡器、连续时间调制器。作为基本的电压电流转换器，跨导放大单元的线性度一直都是模拟集成电路研究的领域的一个热点。随着CMOS工艺的革新与进步，电源电压、动态范围、带宽、噪声、功耗等因素越来越需要和跨导放大单元的线性度进行折中与联合优化。

现有技术中，现代无线接收机需要满足不同频率的多个标准，并且每个标准具有不同的灵敏度和线性度要求。现有的技术要么是基于多个窄带的前端进行设计，要么是基于宽带的低噪声跨导放大器进行设计。窄带的低噪声放大器，窄带通常使用共栅共源结构，电感做负载的结构，通过在输出端口进行电容开关，从而进行不同频率段的工作，性能比较均衡，宽带低噪声放大器一般采用电阻负反馈结构，或者两级反馈结构，或者交叉耦合技术，但是线性度往往不是那么如意。

发明内容

本申请主要是提供一种高线性度可编程AB-C类混合的低噪声跨导放大器，以解决现有技术中宽带低噪声放大器线性度低的问题。

在本申请的一个技术方案中，提供一种高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器包括现场可编程结构，现场可编程结构包括，

混频接收器，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一隔直电容以及第二隔直电容，其中，混频接收器的输入端连接第一隔直电容的输入端，第一隔直电容的输出端连接第一反馈电阻的输入端，第一反馈电阻的输出端连接从第一晶体管的源极，混频接收器的输入端还连接第二隔直电容的输入端，第二反馈电阻的输入端连接第四晶体管的源极，第四晶体管的漏极连接第三晶体管的源极，第二晶体管的源极连接第一晶体管的漏极，混频接收器的输出端分别与第二晶体管的漏极和第三晶体管的漏极连接；

跨导放大器，其包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第三隔直电容以及第四隔直电容，其中，跨导放大器的输入端经第一隔直电容连接第三隔直电容的输入端，第三隔直电容的输出端连接第五晶体管的栅极，跨导放大器的输入端还经第二隔直电容连接第四隔直电容的输入端，第四隔直电容的输出端连接第八晶体管的栅极，第八晶体管的漏极连接第七晶体管的源极，第六晶体管的源极连接第五晶体管的漏极，跨导放大器的输出端分别与第六晶体管的漏极和第七晶体管的漏极连接。

本申请的技术方案可以达到的有益效果是：本申请提出了一种高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器。通过一个现场可编程结构对接收机进行编程，使其在不同的模式下工作，从而对噪声、线性度、以及功耗进行优化，以适应不同信号的标准。

附图说明

图1是本申请高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器的一个具体实施方式组成的示意图；

图2是本申请高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器的一个具体实例中混频接收器的电路示意图

附图中标记说明如下：IN-混频接收器的输入端，OUT-混频接收器的输出端，M1-第一晶体管，M2-第二晶体管，M3-第三晶体管，M4-第四晶体管，Vbp-第四晶体管偏置电压输入端，Vbn-第一晶体管偏置电压输入端,Vcs,p-第三晶体管交流电压输入端,Vcs,n-第二晶体管交流电压输入端；

图3是本申请高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器的一个具体实例中NMOS和PMOS组合的跨导放大单元的电路示意图

附图中标记说明如下：IN-跨导放大单元的输入端，OUT-跨导放大单元的输出端，H1-NMOS晶体管，H2-PMOS晶体管，VBP-PMOS晶体管偏置电压输入端，VBN-NMOS晶体管偏置电压输入端；

图4是本申请高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器的一个具体实例中跨导放大器的电路示意图

附图中标记说明如下：IN-跨导放大器的输入端，OUT-跨导放大器的输出端，M5-第五晶体管，M6-第六晶体管,M7-第七晶体管，M8-第八晶体管，Vbp-第八晶体管偏置电压输入端，Vbn-第五晶体管偏置电压输入端,Vcs,p-第七晶体管交流电压输入端,Vcs,n-第六晶体管交流电压输入端；

图5是本申请高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器的一个具体实例中集成电路的核心电路示意图

附图中标记说明如下：IN-核心电路的输入端，OUT-核心电路的输出端，M1-第一晶体管，M2-第二晶体管，M3-第三晶体管，M4-第四晶体管，M5-第五晶体管，M6-第六晶体管,M7-第七晶体管，M8-第八晶体管，Vbp4-第四晶体管偏置电压输入端，Vbn1-第一晶体管偏置电压输入端,Vcs,p3-第三晶体管交流电压输入端,Vcs,n2-第二晶体管交流电压输入端，Vbp8-第八晶体管偏置电压输入端，Vbn5-第五晶体管偏置电压输入端,Vcs,p7-第七晶体管交流电压输入端,Vcs,n6-第六晶体管交流电压输入端。

具体实施方式

下面结合附图对本申请的较佳实施例进行详细阐述，以使本申请的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本申请的保护范围做出更为清楚明确的界定。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

跨导放大器的输入信号是电压，输出信号是电流，增益叫跨导，用Gm表示。集成跨导放大器可分为两种：一种是跨导运算放大器，简称OTA，另一种是跨导器，跨导运算放大器是一种通用型标准部件，有市售产品，而且都是双极型的。跨导器不是通用集成部件，没有市售产品，它是在集成系统中进行模拟信号处理的，跨导器几乎都是CMOS型的。由于跨导放大器的输入信号是电压，输出信号是电流，所以它既不是完全的电压模式电路，也不是完全的电流模式电路，而是一种电压-电流模式混合电路。由于跨导放大器内部只有电压电流变换级和电流传输级，没有电压增益级，因此没有大摆幅电压信号和密勒电容倍增效应，高频性能好，大信号下的转换速率也高，同时电路结构简单，电源电压和功耗都可以降低。这些高性能特点表明，在跨导放大器的电路中，电流模式部分起决定作用。根据这一理由，跨导放大器被看作是一种电流模式电路。

图1的示意图示出了是本申请高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器的一个具体实施方式。

在本申请的一个具体实施方式中，本申请的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器包括现场可编程结构，其包括：混频接收器，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一负反馈电阻、第二负反馈电阻、第一隔直电容以及第二隔直电容，其中，混频接收器的输入端连接第一隔直电容的输入端，第一隔直电容的输出端连接第一反馈电阻的输入端，第一反馈电阻的输出端连接从第一晶体管的源极，混频接收器的输入端还连接第二隔直电容的输入端，第二反馈电阻的输入端连接第四晶体管的源极，第四晶体管的漏极连接第三晶体管的源极，第二晶体管的源极连接第一晶体管的漏极，混频接收器的输出端分别与第二晶体管的漏极和第三晶体管的漏极连接。

在本申请的一个具体实施例中，混频接收器的第一晶体管与第二晶体管为相同类型的晶体管，第三晶体管与第四晶体管为相同类型的晶体管，其中，第一晶体管与第三晶体管为互补类型的晶体管。互补类型的晶体管的组合电路，其传输曲线显示出几乎两倍大的线性放大区域，并且消除了输入削波非线性，从而导致对输入阻塞信号的容忍度大大提高，减少了偶数阶失真。

在本申请的一个具体实例中，优选的，对第一晶体管与第二晶体管使用NMOS晶体管，对第三晶体管与第四晶体管使用PMOS晶体管。如图2所示，即为混频接收器的电路示意图，其中，图中IN为混频接收器的输入端，OUT为混频接收器的输出端，M1为第一晶体管，M2为第二晶体管,M3为第三晶体管，M4为第四晶体管。如图2的电路示意图，混频接收器的输入端连接第一隔直电容的输入端，第一隔直电容的输出入端连接第一负反馈电阻的输入端，第一负反馈电阻的输出端连接与M1的源极连接，混频接收器的输入端连接经第二隔直电容的输入端，第二隔直电容的输出端连接第二负反馈电阻的输入端，第二负反馈电阻的输出端与M4的源极连接，M4的漏极与M3的源极连接，M2的源极与M1的漏极连接，混频接收器的输出端与M2的漏极和M3的漏极连接。在该具体实例中，采用由M1.M2.M3.M4组成的低噪声跨导放大结构作为混频器接收器，使得宽带的输入匹配并且具有反向隔离的能力。

在本申请的一个具体实施例中，混频接收器，包括：第一偏置电压从第一晶体管的栅极输入，第二偏置电压经第四晶体管的栅极输入，第一交流电压从第二晶体管的栅极输入，第二交流电压从第三晶体管的栅极输入。

在本申请的一个具体实例中，在图2所示的混频接收器的电路示意图中，Vbp为第四晶体管偏置电压输入端，Vbn为第一晶体管偏置电压输入端,Vcs,p为第三晶体管交流电压输入端,Vcs,n为第二晶体管交流电压输入端。如图2的电路示意图，第一偏置电压Vbn从M1的栅极输入，第二偏置电压Vbp从M4的栅极输入，第一交流电压从M2的栅极输入，第二交流电压从M3的栅极输入。

在本申请的一个具体实施例中，对混频接收器各个偏置电压设置不同的偏置类型。

在本申请的一个具体实施例中，在各个所述偏置电压相应偏置类型下，各个偏置电压的晶体管处于相应的AB类、C类和、或OFF工作模式。

在本申请的一个具体实例中，优选的，对M1与M4设置不同的偏置，使得M1与M4的管子处于不同的偏置类型，从而满足不同的工作模式。例如，当晶体管以强反向偏置时，晶体管处于AB类工作模式；当晶体管以深弱反相偏置时，晶体管处于C类工作模式；当晶体管0V偏置时，晶体管处于OFF工作模式。一般将M4和M1晶体管呈现偶数个的形式，一半管子处于AB类，一半管子处于C类。

在本申请的一个具体实施方式中，本申请的高线性度可编程AB-C类混合低噪声的跨导放大器包括现场可编程结构，其还包括：跨导放大器，其包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第三隔直电容以及第四隔直电容，其中，跨导放大器的输入端经第一隔直电容连接第三隔直电容的输入端，第三隔直电容的输出端连接第五晶体管的栅极，跨导放大器的输入端还经第二隔直电容连接第四隔直电容的输入端，第四隔直电容的输出端连接第八晶体管的栅极，第八晶体管的漏极连接第七晶体管的源极，第六晶体管的源极连接第五晶体管的漏极，跨导放大器的输出端分别与第六晶体管的漏极和第七晶体管的漏极连接。

在本申请的一个具体实施例中，跨导放大器的第五晶体管与第六晶体管为相同类型的晶体管，第七晶体管与第八晶体管为相同类型的晶体管，其中，第五晶体管与第七晶体管为互补类型的晶体管。

在本申请的一个具体实施例中，跨导放大器，还包括：第一偏置电阻、第二偏置电阻，其中，第三偏置电压经第一偏置电阻从第五晶体管的栅极输入，第四偏置电压经第二偏置电阻从第八晶体管的栅极输入，第三交流电压从第六晶体管的栅极输入，第四交流电压从第七晶体管的栅极输入。

在本申请的一个具体实例中，优选的，对于单个跨导放大单元，当使用普通的NMOS单元晶体管M1时，当工作电压低于其栅极偏置电压时，NMOS晶体管截止，从而导致硬削波和强烈的非线性低噪声跨导放大传输曲线。当工作电压使用较高的值时，其栅极偏置电压会增加输入摆幅范围，但代价是要降低漏极电流，从而降低功率效率。为了克服此限制，增加第二个PMOS跨导放大单元，该单元在C类工作模式中偏置，从而当NMOS截止时，该单元导通并推出电流。NMOS和PMOS的跨导放大组合传输曲线显示出几乎两倍大的线性放大区域，并且消除了输入削波非线性，从而导致对输入阻塞信号的容忍度大大提高，并减少了偶数阶失真。

NMOS和PMOS组合的跨导放大单元如图3所示，图3中IN为跨导放大单元的输入端，OUT为跨导放大单元的输出端，H1为NMOS晶体管，H2为PMOS晶体管，VBP为PMOS晶体管偏置电压输入端，VBN为NMOS晶体管偏置电压输入端。跨导放大单元的输入端连接隔直电容的输入端，隔直电容的输出端与H1的栅极连接，跨导放大单元的输入端还与另一隔直电容的输入端连接，另一隔直电容的输出端与H2的栅极连接，输出端与H1的漏极和H2的漏极连接，H1的偏置电压从偏置电阻从H1的栅极输入，H2的偏置电压从另一偏置电阻从H2的栅极输入，H1的源极接地，H2的源极连接外部工作电源。

基于图3所示的跨导放大单元，在集成电路中组成的跨导放大器如图4所示，其中，图中IN跨导放大器的输入端，OUT为跨导放大器的输出端，M5为第五晶体管，M6为第六晶体管,M7为第七晶体管，M8为第八晶体管。如图4的电路示意图，跨导放大器的输入端经第三隔直电容连接M5的栅极，跨导放大器的输入端还经第四隔直电容连接M8的栅极，M8的漏极连接M7的源极，M6的源极连接M5的漏极，跨导放大器的输出端与M6的漏极和M7的漏极连接，M5的源极经第三反馈电阻接地，M8的源极经第四反馈电阻连接外部电压。由于NMOS和PMOS单元之间的迁移率不匹配，在合并的传输曲线中，使用了源极负反馈电阻。负反馈电阻值可在线性改善和噪声损失之间取得良好的折衷。所有的负反馈电阻具有相同的类型和尺寸。其改善了AB类和C类操作中P和N单元的匹配度，改善了P和N单元的小信号线性度，并将晶体管上的电压摆幅减小至输入摆幅的一半，从而提高了可靠性。

在本申请的一个具体实施例中，在跨导放大器中，若第五晶体管为PMOS晶体管，第八晶体管为NMOS晶体管，则第五晶体管的源极经第三反馈电阻接地，第八晶体管的源极经第四反馈电阻连接外部电源。通过NMOS和PMOS进行互补，可以提高电流的利用率以及可以降低噪声的贡献。

在本申请的一个具体实例中，在图4所示的跨导放大器的电路示意图中，Vbp为第八晶体管偏置电压输入端，Vbn为第五晶体管偏置电压输入端,Vcs,p为第七晶体管交流电压输入端,Vcs,n为第六晶体管交流电压输入端。如图4的电路示意图，第三偏置电压Vbn经第一偏置电阻从M5的栅极输入，第四偏置电压Vbp经第二偏置电阻从M4的栅极输入，第三交流电压从M6的栅极输入，第四交流电压从M7的栅极输入。

在本申请的一个具体实施例中，对跨导放大器的各个偏置电压设置不同的偏置类型。

在本申请的一个具体实施例中，在各个所述偏置电压相应偏置类型下，各个偏置电压的晶体管处于相应的AB类、C类和、或OFF工作模式。

在本申请的一个具体实例中，优选的，对M5与M8设置不同的偏置，使得M5与M8的晶体管处于不同的偏置类型，从而满足不同的工作模式。例如，当晶体管以强反向偏置时，晶体管处于AB类工作模式；当晶体管以深弱反相偏置时，晶体管处于C类工作模式；当晶体管0V偏置时，晶体管处于OFF工作模式。

在本申请的一个具体实施例中，若跨导放大器的输入端出现带外阻塞时，则跨导放大器的各个晶体管处于在AB类与C类的混合的高线性度工作模式下。

在本申请的一个具体实例中，当输入端出现较大的带外阻塞器时，跨导放大器被编程为高线性模式，即将M5和M8组成的单元一半工作在AB类，一半工作在C类。由于较低的跨导增益和转换增益，噪声系数会稍微降低，此时电路处于高线性度模式。

在本申请的一个具体实施例中，若跨导放大器的各个晶体管工作在AB类工作模式下，则将跨导放大器的各个晶体管的工作模式转换为低噪声模式。

在本申请的一个具体实例中，当跨导放大器的8个管子及M5和M8的管子都工作在AB类工作模式时，电路转换为低噪声模式。在具有适度的阻断器和强大的所需信号的良性射频信号的环境中，可以完全关闭M5和M8组成的单元以节省功率以及功耗，但代价是增加了噪声系数。

在本申请的一个具体实施例中，还包括：第一电感，第二电感，其中，第一隔直电容经第一电感接地，第二隔直电容经第二电感接地。

在本申请的一个具体实例中，本申请的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其核心电路包括混频接收器与跨导放大器，优选的，其核心电路示意图如图5所示，图中，IN为核心电路的输入端，OUT为核心电路的输出端，M1为第一晶体管，M2为第二晶体管，M3为第三晶体管，M4为第四晶体管，M5为第五晶体管，M为第六晶体管,M7为第七晶体管，M8为第八晶体管，Vbp4为第四晶体管偏置电压输入端，Vbn1为第一晶体管偏置电压输入端,Vcs,p3为第三晶体管交流电压输入端,Vcs,n2为第二晶体管交流电压输入端，Vbp8为第八晶体管偏置电压输入端，Vbn5为第五晶体管偏置电压输入端,Vcs,p7为第七晶体管交流电压输入端,Vcs,n6为第六晶体管交流电压输入端。

核心电路的输入端连接第一隔直电容的输入端，第一隔直电容的输出端连接第一反馈电阻的输入端，第一反馈电阻的输出端连接从M1的源极，核心电路输入端还连接第二隔直电容的输入端，第二隔直电容的输出端连接第二反馈电阻的输入端，第二反馈电阻的输入端连接M4的源极，M4的漏极与M3的源极连接，M2的源极与M1的漏极连接，混频接收器的输出端与M2的漏极和M3的漏极连接；核心电路的输入端经第一隔直电容连接第三隔直电容的输入端，第三隔直电容的输出端连接M5的栅极，核心电路的输入端还经第二隔直电容连接第四隔直电容的输入端，第四隔直电容的输出端连接M8的栅极，M8的漏极连接M7的源极，M6的源极连接M5的漏极，跨导放大器的输出端与M6的漏极和M7的漏极连接，M5的源极经第三反馈电阻接地，M8的源极经第四反馈电阻连接外部电压；第一偏置电压Vbn1从M1的栅极输入，第二偏置电压Vbp4从M4的栅极输入，第一交流电压Vcs,n2从M2的栅极输入，第二交流电压Vcs,p3从M3的栅极输入。第三偏置电压Vbn经第一偏置电阻从M5的栅极输入，第四偏置电压Vbp经第二偏置电阻从M4的栅极输入，第三交流电压Vcs,n6从M6的栅极输入，第四交流电压Vcs,p7从M7的栅极输入；第一隔直电容与第三隔直电容之间经第一电感接地，第二隔直电容与第四隔直电容之间经第二电感接地。由于片内使用电感会造成芯片成本的增加，在本申请高线性度可编程AB-C类混合的低噪声跨导放大器中，将电感加在片外，片内没有电感，降低了成本，节约了面积。

本申请提出了一种高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器。通过一个现场可编程结构对接收机进行编程，使其在不同的模式下工作，从而对噪声、线性度、以及功耗进行优化，以适应不同信号的标准。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

以上综述仅为本发明的实施例，本非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，包括现场可编程结构，所述现场可编程结构包括：

混频接收器，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一隔直电容以及第二隔直电容，其中，所述混频接收器的输入端连接所述第一隔直电容的输入端，所述第一隔直电容的输出端连接第一反馈电阻的输入端，所述第一反馈电阻的输出端连接从所述第一晶体管的源极，所述混频接收器的输入端还连接所述第二隔直电容的输入端，所述第二反馈电阻的输入端连接所述第四晶体管的源极，所述第四晶体管的漏极连接所述第三晶体管的源极，所述第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极，所述混频接收器的输出端分别与所述第二晶体管的漏极和第三晶体管的漏极连接；

跨导放大器，其包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第三隔直电容以及第四隔直电容，其中，所述跨导放大器的输入端经所述第一隔直电容连接所述第三隔直电容的输入端，所述第三隔直电容的输出端连接所述第五晶体管的栅极，所述跨导放大器的输入端还经所述第二隔直电容连接所述第四隔直电容的输入端，所述第四隔直电容的输出端连接所述第八晶体管的栅极，所述第八晶体管的漏极连接所述第七晶体管的源极，所述第六晶体管的源极连接所述第五晶体管的漏极，所述跨导放大器的输出端分别与所述第六晶体管的漏极和所述第七晶体管的漏极连接。

2.如权利要求1所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于：

所述第一晶体管与所述第二晶体管为相同类型的晶体管，所述第三晶体管与所述第四晶体管为相同类型的晶体管，其中，所述第一晶体管与所述第三晶体管为互补类型的晶体管；以及

所述第五晶体管与所述第六晶体管为相同类型的晶体管，所述第七晶体管与所述第八晶体管为相同类型的晶体管，其中，所述第五晶体管与所述第七晶体管为互补类型的晶体管。

3.如权利要求1所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，所述混频接收器，包括：

第一偏置电压从所述第一晶体管的栅极输入，第二偏置电压经所述第四晶体管的栅极输入，第一交流电压从所述第二晶体管的栅极输入，第二交流电压从所述第三晶体管的栅极输入。

4.如权利要求1所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，在所述跨导放大器中，若所述第五晶体管为PMOS晶体管，所述第八晶体管为NMOS晶体管，则所述第五晶体管的源极经第三反馈电阻接地，所述第八晶体管的源极经第四反馈电阻连接外部电源。

5.如权利要求1所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，所述跨导放大器，还包括：第一偏置电阻、第二偏置电阻，其中，

所述第三偏置电压经所述第一偏置电阻从所述第五晶体管的栅极输入，所述第四偏置电压经所述第二偏置电阻从所述第八晶体管的栅极输入，所述第三交流电压从所述第六晶体管的栅极输入，所述第四交流电压从所述第七晶体管的栅极输入。

6.如权利要求3或5所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，对所述混频接收器与所述跨导放大器的各个偏置电压设置不同的偏置类型。

7.如权利要求6所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，在各个所述偏置电压相应偏置类型下，各个所述直流偏置电压的晶体管处于相应的AB类、C类和/或OFF工作模式。

8.如权利要求7所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，若所述跨导放大器的输入端出现带外阻塞时，则所述跨导放大器的各个所述直流偏置电压的晶体管处于在AB类与C类的混合的高线性度工作模式下。

9.如权利要求7所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，若所述跨导放大器的各个晶体管工作在AB类工作模式下，则将所述跨导放大器的各个所述晶体管的工作模式转换为低噪声模式。

10.如权利要求1所述的高线性度可编程AB-C类混合跨导的低噪声跨导放大器，其特征在于，还包括：第一电感，第二电感，其中，

所述第一隔直电容经所述第一电感接地，所述第二隔直电容经所述第二电感接地。

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