CN112480181A - 一种镝单分子磁体及其合成方法和应用 - Google Patents
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- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 title abstract description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 9
- PXSGFTWBZNPNIC-UHFFFAOYSA-N 618-80-4 Chemical compound OC1=C(Cl)C=C([N+]([O-])=O)C=C1Cl PXSGFTWBZNPNIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 3
- HFEOHRWLEGXZHW-UHFFFAOYSA-K trichlorodysprosium;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Dy+3] HFEOHRWLEGXZHW-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims description 8
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 6
- BOXVSFHSLKQLNZ-UHFFFAOYSA-K dysprosium(iii) chloride Chemical compound Cl[Dy](Cl)Cl BOXVSFHSLKQLNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 27
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910021644 lanthanide ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- GPAAEXYTRXIWHR-UHFFFAOYSA-N (1-methylpiperidin-1-ium-1-yl)methanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C[N+]1(C)CCCCC1 GPAAEXYTRXIWHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000547 structure data Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F19/00—Metal compounds according to more than one of main groups C07F1/00 - C07F17/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/42—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of organic or organo-metallic materials, e.g. graphene
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
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Abstract
本发明属于稀土金属配位化学技术领域,涉及一种镝单分子磁体,结构简式为:Dy(Ph3PO)3(OPhCl2NO2)3,其中Ph3PO为三苯基氧化膦,HOPhCl2NO2为2,6‑二氯‑4‑硝基苯酚。其合成方法,包括:向含有2,6‑二氯‑4‑硝基苯酚(HOPhCl2NO2)的乙腈溶液中加入三乙胺,搅拌均匀,再添加到含有六水合氯化镝(DyCl3·6H2O)、三苯基氧化膦(Ph3PO)的乙醇溶液中充分反应,最后将生成的沉淀物溶于二氯甲烷,将正己烷缓慢加入其中,静置,进行两相扩散即得到六配位的镝单分子磁体。本发明制备工艺安全简单,可控性高,重现性好,所制备的配合物稳定性好、纯度和产率都较高,在外加磁场为0.04T下可表现出典型的慢弛豫行为,具有单分子磁体特征,可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备,如光盘、硬磁盘等使用。
Description
技术领域
本发明属于稀土金属配位化学技术领域,涉及一种镝单分子磁体及其合成方法和应用。
背景技术
磁性材料用途广泛,其应用市场超过了半导体材料;其中,信息存储已是磁性材料最大的应用领域之一。随着信息技术的发展,人们需求电子器件的集成数目成指数倍数增长而器件尺寸不断地减小。这种集成化和微型化的不断发展将受到加工工艺以及成本的限制,造成现代电子器件集成技术难以逾越的障碍。因此,研制开发分子基磁性材料已成为科学家们关注的热点。
单分子磁体(SMM)是分子基磁性材料研究的重要领域。它既能表现经典磁体的宏观磁性,又能表现微观粒子的量子隧穿效应,已成为连接磁性经典理论和量子理论之间的桥梁,而且在高密度信息存储、量子计算机和分子自旋学有着巨大的应用潜能。
SMM的翻转能垒U是由体系的基态自旋值(S)和负的零场分裂能参数(D)共同决定,其关系为U=S2|D|或(S2-1/4)|D|。最初,研究者们选择合适的桥联配体来调节各自旋载体间的磁相互作用为铁磁相互作用,提高基态自旋值(S),从而获得单分子磁体。然而,研究者们发现S的增大会使D值减小,仅通过提高S并不能有效提高翻转能垒U值。为此,研究者利用具有较强磁各向异性的镧系离子构筑单核配合物,通过提高D值而得到单分子磁体。而这类单分子磁体由于分子结构中仅具有一个磁性中心,也被称之为单离子磁体(SIM)。
相对于过渡金属离子,镧系离子的单电子数多,具有更强的自旋-轨道耦合,是设计单离子磁体的理想选择。Dy(III)由于其具有Kramer电子层结构(f层具有奇数电子),所以镝基单离子磁体的基态是双稳态,且与配位场平衡无关。因此,镝基单离子磁体吸引了众多研究者的关注,并迅猛发展,已成为性能最佳的单离子磁体体系,其有效能垒和阻塞温度可高达1540cm-1和80K。然而,合成这些高性能的镝基单离子磁体往往需要在无水无氧的极端条件下进行,因此不便控制合成,重复效果差、产率较低。并且部分此类材料在常温和空气中不稳定,容易分解或风化。
发明内容
针对上述现有技术中存在的不足,本发明的目的是公开一种镝单分子磁体。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种镝单分子磁体,结构简式为:Dy(Ph3PO)3(OPhCl2NO2)3,其中Ph3PO为三苯基氧化膦,HOPhCl2NO2为2,6-二氯-4-硝基苯酚,所述三苯基氧化膦、2,6-二氯-4-硝基苯酚的化学结构式分别为:
本发明较优公开例中,所述Dy(III)与三个NO2Cl2PhO-和有机配体Ph3PO中的氧原子进行配位,形成八面体的配位构型。
本发明还有一个目的,在于公开了上述镝单分子磁体的合成方法,包括以下步骤:
向含有2,6-二氯-4-硝基苯酚(HOPhCl2NO2)的乙腈溶液中加入三乙胺,搅拌均匀,再添加到含有六水合氯化镝(DyCl3·6H2O)、三苯基氧化膦(Ph3PO)的乙醇溶液中充分反应,最后将生成的沉淀物溶于二氯甲烷,将正己烷缓慢加入其中,静置,进行两相扩散即得到六配位的镝单分子磁体,其中所述DyCl3·6H2O与有机配体Ph3PO、HOPhCl2NO2的摩尔比为1:4:3,每1mmol的DyCl3·6H2O对应于1~4mmol的三乙胺,每1mmol的DyCl3·6H2O对应于5~10mL的乙醇,每1mmol的HOPhCl2NO2对应于3~8mL的乙腈。
本发明较优公开例中,所述正己烷的体积为二氯甲烷的3~4倍。
本发明较优公开例中,所述静置时间2~4d,得到块状晶体。
本发明较优公开例中,所述每1mmol的DyCl3·6H2O对应于2mmol的三乙胺,对应于8mL的乙醇,每1mmol的HOPhCl2NO2对应于5mL的乙腈。
本发明所制备的六配位的镝单分子磁体为淡黄色块状晶体,在外加磁场作用下即可表现出典型的慢弛豫行为,具有单分子磁体特征,可作为分子基磁性材料应用。
本发明所用试剂均为市售,分析纯。
有益效果
本发明制备工艺安全简单,可控性高,重现性好,所制备的配合物稳定性好、纯度和产率都较高,在外加磁场为0.04T下可表现出典型的慢弛豫行为,具有单分子磁体特征,可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备(如光盘、硬磁盘等)使用。
附图说明
图1.镝单分子磁体Dy(Ph3PO)3(OPhCl2NO2)3的晶体结构图;
图2.镝单分子磁体Dy(Ph3PO)3(OPhCl2NO2)3的粉末X-射线衍射图;
图3.镝单分子磁体Dy(Ph3PO)3(OPhCl2NO2)3的直流磁化率测试图;
图4.镝单分子磁体Dy(Ph3PO)3(OPhCl2NO2)3的场依赖的磁化强度曲线图;
图5.镝单分子磁体Dy(Ph3PO)3(OPhCl2NO2)3对温度依赖的虚部交流磁化率曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明,以使本领域技术人员更好地理解本发明,但本发明并不局限于以下实施例。
实施例1
一种镝单分子磁体的合成方法,包括:
步骤一、将DyCl3·6H2O(1mmol)和有机配体Ph3PO(4mmol)在10mL乙醇溶液中搅拌混合,让其反应10min;
步骤二、HOPhCl2NO2(3mmol)溶于9mL乙腈,向其加入三乙胺(4mmol),让其反应5min,然后加入步骤一中的混合溶液,产生淡黄色沉淀物;
步骤三、将黄色沉淀物溶于4mL二氯甲烷,转移至试管中,缓慢滴入10mL正己烷形成两相分层,2天后得到镝单分子磁体的晶体。
本实施例制备的镝单分子磁体的产率为61.8%。
实施例2
一种镝单分子磁体的合成方法,包括:
步骤一、将DyCl3·6H2O(1mmol)和有机配体Ph3PO(4mmol)在10mL乙醇溶液中搅拌混合,让其反应10min;
步骤二、HOPhCl2NO2(3mmol)溶于9mL乙腈,向其加入三乙胺(2mmol),让其反应5min,然后加入步骤一中的混合溶液,产生黄色沉淀物;
步骤三、将黄色沉淀物溶于5mL二氯甲烷,转移至试管中,缓慢滴入15mL正己烷形成两相分层,2天后得到该镝单分子磁体的晶体。
本实施例制备的镝单分子磁体的产率为60.4%。
实施例3
一种镝单分子磁体的合成方法,包括:
步骤一、将DyCl3·6H2O(1mmol)和有机配体Ph3PO(3mmol)在10mL乙醇溶液中搅拌混合,让其反应10min;
步骤二、HOPhCl2NO2(3mmol)溶于5mL乙腈,向其加入三乙胺(1mmol),让其反应5min,然后加入步骤一中的混合溶液,产生淡黄色沉淀物;
步骤三、将黄色沉淀物溶于6mL二氯甲烷,转移至试管中,缓慢滴入20mL正己烷形成两相分层,2天后得到该镝单分子磁体的晶体。
本实施例制备的镝单分子磁体的产率为60.8%。
本实施例制备的镝单分子磁体的表征如下:
(1)晶体结构测定
在显微镜下选取合适大小的单晶,室温下在Bruker SMART Apex II CCD单晶仪上,利用石墨单色化的钼靶Mo Kα测试结构。利用APEXII程序收集数据和确定晶胞。结构数据运用SAINT和SADABS程序进行归一化处理和吸收校正。运用SHELXTL-97程序进行结构解析。所有非氢原子坐标均由差值傅里叶合成法得到,应用全矩阵最小二乘法对原子坐标和各向异性温度因子进行校正,全部氢原子利用理论加氢。结构图见图1,晶体学数据见表1,配位键长见表2。
表1配合物的晶体学数据
表2配合物的配位键长数据
图1的结构图表明:Dy(Ⅲ)与三个NO2Cl2PhO-和有机配体Ph3PO中的氧原子进行配位,形成了八面体的配位构型。
(2)粉末X-射线衍射测定相纯度
使用Bruker D8 Advance粉末X-射线衍射仪对本实施例所得的红色块状晶体产物的相纯度进行表征。如图2所示,模拟曲线是利用Mercury软件对单晶结构数据模拟得到的。结果显示所述的镝单分子磁体材料具有可靠的相纯度,为其在分子基磁性材料的应用提供保障。
(3)磁学性能表征:
磁性测量采用超导量子干涉仪Quantum Design MPMS SQUID VSM磁测量系统。直流磁化率的测试温度为2.0~300K,磁场为0.1T。磁化强度的测试温度为1.8K,3K和5K,磁场为0~7T。虚部交流磁化率和实部交流磁化率使用的频率范围为1~999Hz,温度范围是1.8~4.1K,外加直流磁场为0.04T。
如图3所示,当温度在300K时,直流磁化率(χ)与温度(T)的乘积为13.63cm3 mol- 1K,小于仅自旋的Dy(III)(S=5/2,L=5,6H15/2,g=4/3)的理论值14.17cm3 k mol-1。当温度开始下降时,该乘积逐步下降,而当温度低于50K时,该值开始急剧下降,这是由于体系中存在重要的磁各向异性。磁化强度曲线(图4)显示,当磁场达到7T时,该配合物的磁化强度都未达到饱和,证实了该配合物具有较强的磁各向异性。在外加直流场为0.04T的情况下,该配合物的虚部交流磁化率χ”呈现出明显的温度依赖和频率依赖现象(图5),产生了慢磁弛豫行为。
综合上述现象,本发明所制备的稀土配合物在外加磁场为0.04T下即可表现出典型的慢弛豫行为,具有单分子磁体特征,可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备(如光盘、硬磁盘等)使用。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
3.根据权利要求1所述的镝单分子磁体,其特征在于:所述Dy(III)与三个NO2Cl2PhO-和有机配体Ph3PO中的氧原子进行配位,形成八面体的配位构型。
4.一种如上述权利要求1-3任一所述镝单分子磁体的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:向含有2,6-二氯-4-硝基苯酚(HOPhCl2NO2)的乙腈溶液中加入三乙胺,搅拌均匀,再添加到含有六水合氯化镝(DyCl3·6H2O)、三苯基氧化膦(Ph3PO)的乙醇溶液中充分反应,最后将生成的沉淀物溶于二氯甲烷,将正己烷缓慢加入其中,静置,进行两相扩散即得到六配位的镝单分子磁体,其中所述DyCl3·6H2O与有机配体Ph3PO、HOPhCl2NO2的摩尔比为1:4:3,每1mmol的DyCl3·6H2O对应于1~4mmol的三乙胺,对应于5~10mL的乙醇,每1mmol的HOPhCl2NO2对应于3~8mL的乙腈。
5.根据权利要求4所述镝单分子磁体的合成方法,其特征在于:所述正己烷的体积为二氯甲烷的3~4倍。
6.根据权利要求4所述镝单分子磁体的合成方法,其特征在于:所述静置时间2~4d。
7.根据权利要求4所述镝单分子磁体的合成方法,其特征在于:所述每1mmol的DyCl3·6H2O对应于2mmol的三乙胺,对应于8mL的乙醇,每1mmol的HOPhCl2NO2对应于5mL的乙腈。
8.一种如上述权利要求1-3任一所述镝单分子磁体的应用,其特征在于:将其作为分子基磁性材料应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011277291.0A CN112480181B (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 一种镝单分子磁体及其合成方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011277291.0A CN112480181B (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 一种镝单分子磁体及其合成方法和应用 |
Publications (2)
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---|---|
CN112480181A true CN112480181A (zh) | 2021-03-12 |
CN112480181B CN112480181B (zh) | 2022-07-22 |
Family
ID=74930544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011277291.0A Active CN112480181B (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 一种镝单分子磁体及其合成方法和应用 |
Country Status (1)
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---|---|
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