CN112466762A - 一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺 - Google Patents

一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN112466762A
CN112466762A CN202011239279.0A CN202011239279A CN112466762A CN 112466762 A CN112466762 A CN 112466762A CN 202011239279 A CN202011239279 A CN 202011239279A CN 112466762 A CN112466762 A CN 112466762A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
constant temperature
injection molding
warpage
improving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011239279.0A
Other languages
English (en)
Inventor
韩磊磊
张军军
阳芳芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiji Semiconductor Suzhou Co ltd
Original Assignee
Taiji Semiconductor Suzhou Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiji Semiconductor Suzhou Co ltd filed Critical Taiji Semiconductor Suzhou Co ltd
Priority to CN202011239279.0A priority Critical patent/CN112466762A/zh
Publication of CN112466762A publication Critical patent/CN112466762A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,包含升温过程、恒温过程、降温过程、再次升温过程、再次恒温过程和再次降温过程;升温过程在设定的时间内到达设定的峰值温度,便开始恒温过程,在恒温时间达到设定值便开始降温过程,温度降低到设定值之后开始再次升温过程,再次升温的温度在设定的应时间内达到设定的峰值温度,便开始再次恒温过程,在恒温时间达到设定值便开始再次降温过程;本方案解决了尺寸稍大,且只有1个bock的基板,在一次升温、恒温和降温无法使得产品应力得不到有效释放的问题,避免了基板和塑封料之间应力无法达到一个平衡的状态,使得产品翘曲严重的副作用,提高了后制程的工作效率,最终的良率也明显改善。

Description

一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺
技术领域
本发明涉及一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,属于集成电路封装的塑封烘烤加工工艺技术领域。
背景技术
现有的注塑后的烘烤程序大多为一次性升温、恒温和降温过程,恒温在175℃左右持续约6小时,这种传统烘烤程序可以使得塑封料固化且释放应力,但是对于尺寸稍大,且只有1个bock的基板,在一次升温、恒温和降温无法使得产品应力得到有效释放;基板和塑封料之间应力无法达到一个平衡的状态,带来的副作用就是产品翘曲严重,无法继续在后制程;即使勉强完成了后制程,在终端将单颗产品焊接到板子上时,会出现部分虚焊,造成质量问题。
发明内容
针对上述存在的技术问题,本发明的目的是:提出了一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺。
本发明的技术解决方案是这样实现的:一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,包含升温过程、恒温过程、降温过程、再次升温过程、再次恒温过程和再次降温过程;所述升温过程在设定的时间内到达设定的峰值温度,便开始恒温过程,在恒温时间达到设定值便开始降温过程,温度降低到设定值之后开始再次升温过程,再次升温的温度在设定的应时间内达到设定的峰值温度,便开始再次恒温过程,在恒温时间达到设定值便开始再次降温过程。
优选的,两次的升温、恒温和降温的设定参数一致。
优选的,所述升温过程是在35~40分钟的时间内,将温度升至170~180℃。
优选的,所述恒温过程是在170~180℃下恒温3.9~4.1小时,此时塑封料开始完全固化反应,去除湿气,释放基板与塑封料之间的应力。
优选的,所述降温过程是将温度降低到50~60℃,开始再次的升温到170~180℃,恒温持续3.9~4.1小时,使塑封料充分固化,释放应力。
优选的,所述再次降温过程使炉温下降到50~60℃。
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
本方案提供了一种基板翘曲改良的注塑烘烤程序,解决了尺寸稍大,且只有1个bock的基板,在一次升温、恒温和降温无法使得产品应力得不到有效释放的问题,避免了基板和塑封料之间应力无法达到一个平衡的状态,使得产品翘曲严重的副作用,提高了后制程的工作效率,最终的良率也明显改善。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
附图1为本发明所述的一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺的温度变化线条示意图;
附图2为塑封料之间的交联反应过程示意图;
附图3为塑封料内部反应和硬度随着烘烤时间变化的示意图。
具体实施方式
下面结合附图来说明本发明。
如图1所示,本发明所述的一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,包含升温过程1、恒温过程2、降温过程3、再次升温过程4、再次恒温过程5和再次降温过程6;所述升温过程1在设定的时间内到达设定的峰值温度,便开始恒温过程2,在恒温时间达到设定值便开始降温过程3,温度降低到设定值之后开始再次升温过程4,再次升温的温度在设定的应时间内达到设定的峰值温度,便开始再次恒温过程5,在恒温时间达到设定值便开始再次降温过程6。
加工时,操作员调取烘烤程序,启动烘箱,烘箱会根据烘烤程序按照时间、温度的设定进行升温、恒温、降温以及再次升温、恒温和降温过程,此期间塑封料完全固化,并释放出应力,大大改善了产品的翘曲问题,提高了质量。
其中,升温过程和再次升温过程设定的参数一致,恒温过程和再次升温过程设定的参数一致,降温过程和再次降温过程设定的参数一致。
所述升温过程是在35~40分钟的时间内,将温度升至170~180℃,然后进入恒温过程,在170~180℃下恒温3.9~4.1小时,此时塑封料开始完全固化反应,去除湿气,释放基板与塑封料之间的应力。
所述降温过程是将温度降低到50~60℃,然后开始再次的升温到170~180℃,恒温持续3.9~4.1小时,使塑封料充分固化,释放应力;然后进入再次降温过程,使炉温下降到50~60℃。
由图2-3可以看出,采用本方案的工艺之后,产品内部得到明显改善,塑封料充分固化,应力得到很好的释放。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,其特征在于:包含升温过程(1)、恒温过程(2)、降温过程(3)、再次升温过程(4)、再次恒温过程(5)和再次降温过程(6);所述升温过程(1)是在设定的时间内到达设定的峰值温度,之后开始恒温过程(2),在恒温时间达到设定值之后开始降温过程(3),温度降低到设定值之后开始再次升温过程(4),再次升温的温度是在设定的应时间内达到设定的峰值温度,之后便开始再次恒温过程(5),在恒温时间达到设定值之后开始再次降温过程(6)。
2.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,其特征在于:两次的升温、恒温和降温的设定参数一致。
3.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,其特征在于:所述升温过程是在35~40分钟的时间内,将温度升至170~180℃。
4.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,其特征在于:所述恒温过程是在170~180℃下恒温3.9~4.1小时,此时塑封料开始完全固化反应,去除湿气,释放基板与塑封料之间的应力。
5.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,其特征在于:所述降温过程是将温度降低到50~60℃,开始再次的升温到170~180℃,恒温持续3.9~4.1小时,使塑封料充分固化,释放应力。
6.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,其特征在于:再次降温过程使炉温下降到50~60℃。
CN202011239279.0A 2020-11-09 2020-11-09 一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺 Pending CN112466762A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011239279.0A CN112466762A (zh) 2020-11-09 2020-11-09 一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011239279.0A CN112466762A (zh) 2020-11-09 2020-11-09 一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112466762A true CN112466762A (zh) 2021-03-09

Family

ID=74825222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011239279.0A Pending CN112466762A (zh) 2020-11-09 2020-11-09 一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112466762A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067196A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
CN101271851A (zh) * 2008-05-08 2008-09-24 日月光半导体制造股份有限公司 降低封装翘曲度的热处理方法
CN104260377A (zh) * 2014-08-13 2015-01-07 昆山易昌泰塑胶有限公司 一种可同时消除塑胶件应力痕和翘曲变形的加工工艺
CN104846302A (zh) * 2015-06-02 2015-08-19 湖南大学 一种保持铝合金强度降低淬火残余应力的时效热处理方法
CN109041446A (zh) * 2018-09-25 2018-12-18 上海移远通信技术股份有限公司 一种pcb板平整度不良品的矫正方法
US20200131624A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling warpage in wafer level packaging processes

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067196A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
CN101271851A (zh) * 2008-05-08 2008-09-24 日月光半导体制造股份有限公司 降低封装翘曲度的热处理方法
CN104260377A (zh) * 2014-08-13 2015-01-07 昆山易昌泰塑胶有限公司 一种可同时消除塑胶件应力痕和翘曲变形的加工工艺
CN104846302A (zh) * 2015-06-02 2015-08-19 湖南大学 一种保持铝合金强度降低淬火残余应力的时效热处理方法
CN109041446A (zh) * 2018-09-25 2018-12-18 上海移远通信技术股份有限公司 一种pcb板平整度不良品的矫正方法
US20200131624A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling warpage in wafer level packaging processes

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105924178B (zh) 铝碳化硅复合材料的制备方法
CN106631037B (zh) 一种氮化铝生坯的排胶方法及氮化铝陶瓷基板的制备方法
CN115124330B (zh) 一种氧化硅陶瓷靶坯的制备方法
CN112466762A (zh) 一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺
CN111087249A (zh) 一种石墨质多孔坩埚及其制备方法
CN108129148A (zh) 一种低膨胀石墨材料的制备方法
CN105088349A (zh) 一种降低多晶硅位错的铸锭方法
CN102491779A (zh) 一种改善氧化铝陶瓷型芯孔隙率的方法
CN109879589A (zh) 一种提高玻璃力学性能的退火工艺
CN113135764A (zh) 一种莫来石流钢砖及其制备方法
CN101972852B (zh) 一种制备复杂形状钼零件的方法
CN112795729A (zh) 异型纳米晶磁芯热处理工艺
CN105290335A (zh) 一种改善陶瓷型芯成型性的方法
CN105624794A (zh) 一种多晶硅铸锭的二次退火工艺
CN108330382A (zh) 一种钒氮合金生产过程中防粘结的方法
CN113582517B (zh) 玻璃注塑胚体的烧结工艺、玻璃制品的加工方法及玻璃制品
CN109776090B (zh) 一种3d氧化锆陶瓷手机背板的制备方法及制备的产品
CN105461313A (zh) 一种碳化硅结构件骨架的烧结方法
CN1373105A (zh) 一种ptc陶瓷发热体的制备方法
CN117047886B (zh) 一种微波热压制备无胶粘合纤维板材的方法
CN115504788A (zh) 免焙烧石墨成型原料及其成型工艺
CN109226716A (zh) 一种车桥铸造工艺
CN111923456A (zh) 装配后的塑料壳体件防开裂的方法
CN110434344B (zh) 一种电机齿轮及其制备方法
CN208895182U (zh) 一种金属注射成形用烧结治具

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination