CN112464597B - 电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备 - Google Patents

电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112464597B
CN112464597B CN202011413264.1A CN202011413264A CN112464597B CN 112464597 B CN112464597 B CN 112464597B CN 202011413264 A CN202011413264 A CN 202011413264A CN 112464597 B CN112464597 B CN 112464597B
Authority
CN
China
Prior art keywords
value
parameter value
circuit
simulation
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011413264.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112464597A (zh
Inventor
李森生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Haiguang Microelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Chengdu Haiguang Microelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Haiguang Microelectronics Technology Co Ltd filed Critical Chengdu Haiguang Microelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202011413264.1A priority Critical patent/CN112464597B/zh
Publication of CN112464597A publication Critical patent/CN112464597A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112464597B publication Critical patent/CN112464597B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/32Circuit design at the digital level
    • G06F30/33Design verification, e.g. functional simulation or model checking
    • G06F30/3308Design verification, e.g. functional simulation or model checking using simulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本申请提供一种电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备。该方法,包括:获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值;根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值;分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值;根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间;在所述取值区间进行多次仿真,以得到与所述目标模型参数值。本申请可以提高效率,降低运算量。

Description

电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备
技术领域
本申请涉及集成电路仿真技术领域,特别涉及一种电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备。
背景技术
目前,为了使制造的芯片性能达到预先设定的产品需求,一般采用的对工艺进行局部调整。目前,通常采用SPICE(Simulation program with integrated circuitemphasis)集成电路模拟程序来进行电路仿真,从而对某些器件进行电性信参数调整。其中,由于工艺特性可由器件电性参数表征。因此,可通过改变SPICE模型中特定电子元件的工艺参数,从而来改变功能器件性能,观察电路仿真性能参数变化,找到优化的器件参数和工艺参数,从而给出方向指导。但是,这种盲目的调整所需的仿真次数多且效率较低。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备,可以减少仿真次数,提高仿真效率。
本申请实施例提供了一种电路仿真方法,包括:
获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值;
根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值;
分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值;
根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间;
在所述取值区间进行多次仿真,以得到与所述目标模型参数值。
本申请实施例通过采用先计算出目标模型参数所在的取值区间,然后再对该取值区间进行多次仿真,从而来得到与目标电路参数对应的目标模型参数,可以减小仿真次数,从而提高运算效率。
可选地,在本申请实施例所述的电路仿真方法中,所述根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间,包括:
若所述目标电路参数值位于所述初始电路参数值与所述第一电路参数值之间,则目标电路参数值对应的目标模型参数值位于所述初始值与所述第一模型参数值之间;
若所述目标电路参数值位于所述初始电路参数值与所述第二电路参数值之间,则目标电路参数值对应的目标模型参数值位于所述第二模型参数值与所述初始值之间。
可选地,在本申请实施例所述的电路仿真方法中,所述在所述取值区间进行多次仿真,以得到所述目标模型参数值,包括:
在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,并对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到所述目标模型参数值。
可选地,在本申请实施例所述的电路仿真方法中,所述在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,并对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到所述目标模型参数值,包括:
在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值;
对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到多个仿真电路参数值;
判断所述多个仿真电路参数值中是否存在与所述目标电路参数值的差距在预设误差范围内的仿真电路参数值;
若存在,则将与所述目标电路参数值的差距在预设误差范围内的仿真电路参数值对应的仿真模型参数值作为目标模型参数值;
若不存在,则根据所述目标电路参数值、所述多个仿真电路参数值以及对应的仿真模型参数值生成新取值区间,所述目标模型参数位于所述新取值区间内;
采用所述新取值区间对所述取值区间进行更新,并返回执行所述在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值的步骤。
本申请实施例通过多次对取值区间进行迭代更新,从而快速锁定与目标电路参数对应的目标模型参数,从而进一步提高效率和准确度。
可选地,在本申请实施例所述的电路仿真方法中,所述根据所述目标电路参数值、所述多个仿真电路参数值以及对应的仿真模型参数值生成新取值区间,包括:
从所述多个仿真电路参数值中选出小于所述目标电路参数值的仿真电路参数值,并从小于所述目标电路参数值的仿真电路参数值中选出最接近所述目标电路参数的仿真电路参数值作为第一仿真电路参数值;
从所述多个仿真电路参数值中选出大于所述目标电路参数值的仿真电路参数值,并从大于所述目标电路参数值的仿真电路参数值中选出最接近所述目标电路参数的仿真电路参数值作为第二仿真电路参数值;
根据所述第一仿真电路参数值以及所述第二仿真电路参数值对应的仿真模型参数值生成新取值区间。
可选地,在本申请实施例所述的电路仿真方法中,所述电路参数包括第一参数以及第二参数;所述目标电路参数值满足预设公式d={(ax)2+(by)2}0.5;其中,a为第一参数的权重系数,b为第二参数的权重系数,x为第一参数的取值,y为第二参数的取值;d为目标电路参数值。
可选地,在本申请实施例所述的电路仿真方法中,所述分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值,包括:
根据所述初始值进行仿真得到所述第一参数及第二参数的第一取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第一取值计算得到初始电路参数值;
根据所述第一模型参数值进行仿真得到第一参数及第二参数的第二取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第二取值计算得到第一电路参数值;
根据所述第二模型参数值进行仿真得到第一参数及第二参数的第三取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第三取值计算得到第二电路参数值。
可选地,在本申请实施例所述的电路仿真方法中,所述在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,包括:
根据所述取值区间的区间长度获取一对应的插值距离;
根据所述插值距离在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值。
第二方面,本申请实施例还提供了一种电路仿真装置,包括:
第一获取模块,用于获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值;
设置模块,用于根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值;
第一仿真模块,分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值;
确定模块,用于根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间;
第二仿真模块,用于在所述取值区间进行多次仿真,以得到与所述目标模型参数值。
第三方面,本申请实施例还提供了一种存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时运行如上述任一项所述的方法。
第四方面,本申请实施例还提供了一种电子设备,包括处理器以及存储器,所述存储器存储有计算机可读取指令,当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时,运行如上述任一项所述的方法。
由上可知,本申请实施例提供的电路仿真方法及装置通过获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值;根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值;分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值;根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间;在所述取值区间进行多次仿真,以得到与所述目标模型参数值;从而实现快速仿真计算得到目标电路参数值对应的目标模型参数值,可以提高效率,降低运算量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本申请一些实施例中的一种电路仿真方法的一种流程图。
图2是本申请一些实施例中的一种电路仿真方法的另一种流程图。
图3是本申请一些实施例中的一种电路仿真装置的一种结构图。
图4是本申请一些实施例中的一种电子设备的一种结构图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请参数图1,图1是本申请一些实施例中的一种电路仿真方法的流程图。该电路仿真方法,包括以下步骤:
S101、获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值。
S102、根据模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值。
S103、分别根据初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值。
S104、根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间。
S105、在所述取值区间进行多次仿真,以得到所述目标模型参数值。
其中,在该步骤S101中,该目标电路为集成电路,例如集成电路芯片。目标电路参数值是指该集成电路中某一功能器件的参数的目标值。当然,也可以为两个或者三个功能器件的参数的目标值;例如,该目标电路参数值可以是该目标电路中的环形振荡器的参数的目标值,或者该低压差稳压器的参数的目标值,或者静态随机存储器的参数的目标值。其中,该模型参数可以包括多个电子元件的参数,但是,其中,该多个电子元件的参数中,只有一个电子元件的参数为变化的。模型参数的初始值是指生产厂家在出厂时设定的默认值。其中,该电子元件可以为对应的功能器件内部或与其连接的一个电阻、电容或者MOS管等。
其中,在该步骤S102中,其中,该第一模型参数值与该初始值的差值应当大于一个预设的阈值,该第二模型参数值与搞初始值的差值也应当大于该预设的阈值。该预设的阈值可以为该初始值的200%,或者300%等。
其中,在该步骤S103中,需要基于该初始值来进行仿真运行,从而采集到该初始值对应的初始电路参数值。需要基于该第一模型参数值来进行仿真运行,从而采集到该第一模型参数值对应的第一电路参数值。需要基于该第二模型参数值来进行仿真运行,从而采集到该第二模型参数值对应的第二电路参数值。可以采用SPICE集成电路模拟程序来对目标电路进行仿真,当然其并不限于此,也可以采用其他电路仿真软件来进行仿真。
其中,在该步骤S104中,该初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值形成了两个第一区间,该目标电路参数值在哪一个第一区间,则该目标电路参数值对应的目标模型参数值的取值区间就与该对应的第一区间对应的模型参数值区间对应。例如,该两个第一区间分别为[c1,c0],[c0,c2],该目标电路参数值c位于该第一区间[c1,c0]内,而该第一区间c1,c0]对应的模型参数区间为[f1,f0],因此,则表明,该目的电路参数值对应的目标模型参数值在该区间[f1,f0]内。通过快速锁定该目标模型参数值所在的取值区间,可以实现减小仿真次数,减小运算量,提高效率。
其中,在该步骤S105中,可以在该取值区间取多个值来进行仿真,然后将最接近该目标电路参数值的仿真电路参数值对应的仿真模型参数值作为与该目标电路参数值对应的目标模型参数值,如果有多个仿真电路参数值都在该目标电路参数值的误差范围内,则选择与目标电路参数值相比误差最小的仿真电路参数值作为目标电路参数值。当然,也可以采用多次迭代的方式,找到误差最小的一个仿真电路参数值对应的仿真模型参数值作为与该目标电路参数值对应的目标模型参数值。
由上可知,本申请实施例提供的电路仿真方法,通过获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值;根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值;分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值;根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间;在所述取值区间进行多次仿真,以得到与所述目标模型参数值;从而实现快速仿真计算得到目标电路参数值对应的目标模型参数值,可以提高效率,降低运算量。
在一些实施例中,该步骤S104可以包括以下子步骤:
S1041、若所述目标电路参数值位于所述初始电路参数值与所述第一电路参数值之间,则目标电路参数值对应的目标模型参数值位于所述初始值与所述第一模型参数值之间;S1042、若所述目标电路参数值位于所述初始电路参数值与所述第二电路参数值之间,则目标电路参数值对应的目标模型参数值位于所述第二模型参数值与所述初始值之间。
其中,在该步骤S1041以及步骤S1042中,例如,该初始值为a0、该第一模型参数值为a1、第二模型参数值为a2,该初始电路参数值为b0,该第一电路参数值为b1,该第二电路参数值为b2。其中,该a1大于a0,a0大于a2。该b1大于b0,该b0大于b2。且目标电路参数值b位于a0至a2之间,则该目标电路参数值对应的目标模型参数值位于b2至b0之间。
在一些实施例中,该步骤S105具体包括:在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,并对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到所述目标模型参数值。其中,采用线性插值方法时,可以基于一定插值距离进行,也可以根据该取值区间的长度来设置对应的插值数量。
在一些实施例中,如图2所示,在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,并对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到所述目标模型参数值,可以包括以下子步骤:
S1051、在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值;S1052、对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到多个仿真电路参数值;S1053、判断所述多个仿真电路参数值中是否存在与所述目标电路参数值的差距在预设误差范围内的仿真电路参数值;S1054、若存在,则将与所述目标电路参数值的差距在预设误差范围内的仿真电路参数值对应的仿真模型参数值作为目标模型参数值;S1055、若不存在,则根据所述目标电路参数值、所述多个仿真电路参数值以及对应的仿真模型参数值生成新取值区间,所述目标模型参数位于所述新取值区间内;S1056、采用所述新取值区间对所述取值区间进行更新,并返回执行步骤S1051。
其中,在该步骤S1051中,可以采用根据所述取值区间的区间长度获取一对应的插值距离;根据所述插值距离在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值。例如,如果的区间长度为r1,则将该插值距离设置为r1/n。当然,可以理解地,也可以基于取值区间的区间长度来获取一个对应的插值数量,然后基于该插值数量进行线性插值。可以理解地,还可以根据该目标电路参数值与该第一电路参数值以及与该第二电路参数值的差值中较大的差值来设置,差值越大设置的插值距离越大。从而可以更快地定位到该目标电路参数值对应的目标模型参数值附近。
其中,在该步骤S1052中,每次将目标电路的对应模型参数对应设置为一个仿真模型参数值,并采用SPICE集成电路用模拟程序来对目标电路进行仿真,从而得到与该仿真模型参数对应的仿真电路参数;直至将该多个仿真模型参数值仿真完毕,得到对应的多个对应的仿真电路参数。
其中,在该步骤S1053中,该误差范围设置的越小,最终仿真得到的目标模型参数值越接近期望的目标模型参数值。该误差范围可以根据需求进行设置,当然,也可以将该误差范围设置为0。
其中,在该步骤S1054中,如果存在该目标电路参数值的误差范围内的仿真电路参数值,则说明该仿真电路参数值对应的仿真模型参数值即可以为所求的目标模型参数值。
其中,在该步骤S1055中,如果不存在该目标电路参数值的误差范围内的仿真电路参数值,则说明还需要继续进行仿真。因此,需要重新设置仿真模型参数值的新取值范围。
在一些实施例中,该步骤S1055可以具体包括以下子步骤:S10551、从所述多个仿真电路参数值中选出小于所述目标电路参数值的仿真电路参数值,并从小于所述目标电路参数值的仿真电路参数值中选出最接近所述目标电路参数的仿真电路参数值作为第一仿真电路参数值。S10552、从所述多个仿真电路参数值中选出大于所述目标电路参数值的仿真电路参数值,并从大于所述目标电路参数值的仿真电路参数值中选出最接近所述目标电路参数的仿真电路参数值作为第二仿真电路参数值。S10553、根据所述第一仿真电路参数值以及所述第二仿真电路参数值对应的仿真模型参数值生成新取值区间。例如,该第一仿真电路参数值为q1,该第二仿真电路参数值为q2,如果q1大于q2,则新取值区间为q2至q1,如果q1小于q2,则新取值区间为q1至q2。
其中,在一些实施例中,该电路参数可以为一个参数,也可以为至少两个参数的加权计算值。
具体地,在一些实施例中,该电路参数包括第一参数以及第二参数;该电路参数值满足预设公式d={(ax)2+(by)2}0.5;其中,a为第一参数的权重系数,b为第二参数的权重系数,x为第一参数的取值,y为第二参数的取值;d为目标电路参数值。其中,a和b的取值分别基于该第一参数以及第二参数对该目标电路参数影响程度进行设置,其为经过多次试验得出的经验值。
对应地,该步骤S103可以包括以下子步骤:S1031、根据所述初始值进行仿真得到所述第一参数及第二参数的第一取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第一取值计算得到初始电路参数值。S1032、根据所述第一模型参数值进行仿真得到第一参数及第二参数的第二取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第二取值计算得到第一电路参数值。S1033、根据所述第二模型参数值进行仿真得到对应的第一参数及第二参数的第三取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第三取值计算得到第二电路参数值。
其中,在该步骤S1031-步骤S1033中,例如,该第一参数第二参数的第一取值分别为x1和y1,因此,得到该初始电路参数值为d1={(ax1)2+(by1)2}0.5
同样,该第一参数第二参数的第二取值分别为x2和y2,因此,得到该第一电路参数值为d2={(ax2)2+(by2)2}0.5
该第一参数第二参数的第三取值分别为x3和y3,因此,得到该第二电路参数值为d3={(ax3)2+(by2)2}0.5
在该步骤S1035中,同样可以采用该公式来计算各个仿真电路参数值,在此无需重复描述。
请参数图3所示,图3是本申请一些实施例中的一种电路仿真装置的结构示意图。该电路仿真装置,包括:第一获取模块201、设置模块202、第一仿真模块203、确定模块204以及第二仿真模块205。
其中,该第一获取模块201用于获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值。该目标电路为集成电路,例如集成电路芯片。目标电路参数值是指该集成电路中某一功能器件的参数的目标值。当然,也可以为两个或者三个功能器件的参数的目标值;例如,该目标电路参数值可以是该目标电路中的环形振荡器的参数的目标值,或者该低压差稳压器的参数的目标值,或者静态随机存储器的参数的目标值。其中,该模型参数可以包括多个电子元件的参数,但是,其中,该多个电子元件的参数中,只有一个电子元件的参数为变化的。模型参数的初始值是指生产厂家在出厂时设定的默认值。其中,该电子元件可以为对应的功能器件内部或与其连接的一个电阻、电容或者MOS管等。
其中,该设置模块202用于根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值。其中,该第一模型参数值与该初始值的差值应当大于一个预设的阈值,该第二模型参数值与搞初始值的差值也应当大于该预设的阈值。该预设的阈值可以为该初始值的200%,或者300%等。
其中,该第一仿真模块203分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值。需要基于该初始值来进行仿真运行,从而采集到该初始值对应的初始电路参数值。需要基于该第一模型参数值来进行仿真运行,从而采集到该第一模型参数值对应的第一电路参数值。需要基于该第二模型参数值来进行仿真运行,从而采集到该第二模型参数值对应的第二电路参数值。可以采用SPICE集成电路用模拟程序来对目标电路进行仿真,当然其并不限于此,也可以采用其他电路仿真软件来进行仿真。
其中,该确定模块204用于根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间。该初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值形成了两个第一区间,该目标电路参数值在哪一个第一区间,则该目标电路参数值对应的目标模型参数值的取值区间就与该对应的第一区间对应的模型参数值区间对应。
其中,该第二仿真模块205用于在所述取值区间进行多次仿真,以得到与所述目标模型参数值。可以在该取值区间取多个值来进行仿真,然后将最接近该目标电路参数值的仿真电路参数值对应的仿真模型参数值作为与该目标电路参数值对应的目标模型参数值。当然,也可以采用多次迭代的方式,找到误差最小的一个仿真电路参数值对应的仿真模型参数值作为与该目标电路参数值对应的目标模型参数值。
在一些实施例中,该确定模块204用于:
若所述目标电路参数值位于所述初始电路参数值与所述第一电路参数值之间,则目标电路参数值对应的目标模型参数值位于所述初始值与所述第一模型参数值之间;若所述目标电路参数值位于所述初始电路参数值与所述第二电路参数值之间,则目标电路参数值对应的目标模型参数值位于所述第二模型参数值与所述初始值之间。其中,例如,该初始值为a0、该第一模型参数值为a1、第二模型参数值为a2,该初始电路参数值为b0,该第一电路参数值为b1,该第二电路参数值为b2。其中,该a1大于a0,a0大于a2。该b1大于b0,该b0大于b2。且目标电路参数值b位于a0至a2之间,则该目标电路参数值对应的目标模型参数值位于b2至b0之间。
在一些实施例中,该第二仿真模块205用于:在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,并对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到所述目标模型参数值。其中,采用线性插值方法时,可以基于一定插值距离进行,也可以根据该取值区间的长度来设置对应的插值数量。
在一些实施例中,第二仿真模块205具体用于:
在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值;对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到多个仿真电路参数值;判断所述多个仿真电路参数值中是否存在与所述目标电路参数值的差距在预设误差范围内的仿真电路参数值;若存在,则将与所述目标电路参数值的差距在预设误差范围内的仿真电路参数值对应的仿真模型参数值作为目标模型参数值;若不存在,则根据所述目标电路参数值、所述多个仿真电路参数值以及对应的仿真模型参数值生成新取值区间,所述目标模型参数位于所述新取值区间内;采用所述新取值区间对所述取值区间进行更新,并返回执行在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值。
其中,可以采用根据所述取值区间的区间长度获取一对应的插值距离;根据所述插值距离在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值。例如,如果的区间长度为r1,则将该插值距离设置为r1/n。当然,可以理解地,也可以基于取值区间的区间长度来获取一个对应的插值数量,然后基于该插值数量进行线性插值。可以理解地,还可以根据该目标电路参数值与该第一电路参数值以及与该第二电路参数值的差值中较大的差值来设置,差值越大设置的插值距离越大。从而可以更快地定位到该目标电路参数值对应的目标模型参数值附近。
其中,每次将目标电路的对应模型参数对应设置为一个仿真模型参数值,并采用SPICE集成电路用模拟程序来对目标电路进行仿真,从而得到与该仿真模型参数对应的仿真电路参数;直至将该多个仿真模型参数值仿真完毕,得到对应的多个对应的仿真电路参数。
其中,该误差范围设置的越小,最终仿真得到的目标模型参数值越接近期望的目标模型参数值。该误差范围可以根据需求进行设置,当然,也可以将该误差范围设置为0。
其中,如果存在该目标电路参数值的误差范围内的仿真电路参数值,则说明该仿真电路参数值对应的仿真模型参数值即可以为所求的目标模型参数值。
其中,如果不存在该目标电路参数值的误差范围内的仿真电路参数值,则说明还需要继续进行仿真。因此,需要重新设置仿真模型参数值的新取值范围。
在一些实施例中,该第二仿真模块205可以采用从所述多个仿真电路参数值中选出小于所述目标电路参数值的仿真电路参数值,并从小于所述目标电路参数值的仿真电路参数值中选出最接近所述目标电路参数的仿真电路参数值作为第一仿真电路参数值。从所述多个仿真电路参数值中选出大于所述目标电路参数值的仿真电路参数值,并从大于所述目标电路参数值的仿真电路参数值中选出最接近所述目标电路参数的仿真电路参数值作为第二仿真电路参数值。根据所述第一仿真电路参数值以及所述第二仿真电路参数值对应的仿真模型参数值生成新取值区间。例如,该第一仿真电路参数值为q1,该第二仿真电路参数值为q2,如果q1大于q2,则新取值区间为q2至q1,如果q1小于q2,则新取值区间为q1至q2。
其中,在一些实施例中,该电路参数可以为一个参数,也可以为至少两个参数的加权计算值。
具体地,在一些实施例中,该电路参数包括第一参数以及第二参数;该电路参数值满足预设公式d={(ax)2+(by)2}0.5;其中,a为第一参数的权重系数,b为第二参数的权重系数,x为第一参数的取值,y为第二参数的取值;d为目标电路参数值。其中,a和b的取值分别基于该第一参数以及第二参数对该目标电路参数影响程度进行设置,其为经过多次试验得出的经验值。
对应地,该第一仿真模块203用于:根据所述初始值进行仿真得到所述第一参数及第二参数的第一取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第一取值计算得到初始电路参数值。根据所述第一模型参数值进行仿真得到第一参数及第二参数的第二取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第二取值计算得到第一电路参数值。根据所述第二模型参数值进行仿真得到对应的第一参数及第二参数的第三取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第三取值计算得到第二电路参数值。
由上可知,本申请实施例提供的电路仿真装置,通过获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值;根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值;分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值;根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间;在所述取值区间进行多次仿真,以得到与所述目标模型参数值;从而实现快速仿真计算得到目标电路参数值对应的目标模型参数值,可以提高效率,降低运算量。
请参数图4,图4为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图,本申请提供一种电子设备3,包括:处理器301和存储器302,处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构(未标出)互连并相互通信,存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序,当计算设备运行时,处理器301执行该计算机程序,以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。
本申请实施例提供一种存储介质,所述计算机程序被处理器执行时,执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。其中,存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(Static Random AccessMemory,简称SRAM),电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory,简称EEPROM),可擦除可编程只读存储器(Erasable ProgrammableRead Only Memory,简称EPROM),可编程只读存储器(Programmable Red-Only Memory,简称PROM),只读存储器(Read-Only Memory,简称ROM),磁存储器,快闪存储器,磁盘或光盘。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
另外,作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请的保护范围,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种电路仿真方法,其特征在于,包括:
获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值;
根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值;
分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值;
根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间;
在所述取值区间进行多次仿真,以得到所述目标模型参数值。
2.根据权利要求1所述的电路仿真方法,其特征在于,所述根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间,包括:
若所述目标电路参数值位于所述初始电路参数值与所述第一电路参数值之间,则目标电路参数值对应的目标模型参数值位于所述初始值与所述第一模型参数值之间;
若所述目标电路参数值位于所述初始电路参数值与所述第二电路参数值之间,则目标电路参数值对应的目标模型参数值位于所述第二模型参数值与所述初始值之间。
3.根据权利要求1所述的电路仿真方法,其特征在于,所述在所述取值区间进行多次仿真,以得到所述目标模型参数值,包括:
在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,并对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到所述目标模型参数值。
4.根据权利要求3所述的电路仿真方法,其特征在于,所述在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,并对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到所述目标模型参数值,包括:
在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值;
对所述多个仿真模型参数值进行仿真,以得到多个仿真电路参数值;
判断所述多个仿真电路参数值中是否存在与所述目标电路参数值的差距在预设误差范围内的仿真电路参数值;
若存在,则将与所述目标电路参数值的差距在预设误差范围内的仿真电路参数值对应的仿真模型参数值作为目标模型参数值;
若不存在,则根据所述目标电路参数值、所述多个仿真电路参数值以及对应的仿真模型参数值生成新取值区间,所述目标模型参数位于所述新取值区间内;
采用所述新取值区间对所述取值区间进行更新,并返回执行所述在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值的步骤。
5.根据权利要求4所述的电路仿真方法,其特征在于,所述根据所述目标电路参数值、所述多个仿真电路参数值以及对应的仿真模型参数值生成新取值区间,包括:
从所述多个仿真电路参数值中选出小于所述目标电路参数值的仿真电路参数值,并从小于所述目标电路参数值的仿真电路参数值中选出最接近所述目标电路参数的仿真电路参数值作为第一仿真电路参数值;
从所述多个仿真电路参数值中选出大于所述目标电路参数值的仿真电路参数值,并从大于所述目标电路参数值的仿真电路参数值中选出最接近所述目标电路参数的仿真电路参数值作为第二仿真电路参数值;
根据所述第一仿真电路参数值以及所述第二仿真电路参数值对应的仿真模型参数值生成新取值区间。
6.根据权利要求1所述的电路仿真方法,其特征在于,所述电路参数包括第一参数以及第二参数;
所述目标电路参数值满足预设公式d={(ax)2+(by)2}0.5;其中,a为第一参数的权重系数,b为第二参数的权重系数,x为第一参数的取值,y为第二参数的取值;d为目标电路参数值。
7.根据权利要求6所述的电路仿真方法,其特征在于,所述分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值,包括:
根据所述初始值进行仿真得到所述第一参数及第二参数的第一取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第一取值计算得到初始电路参数值;
根据所述第一模型参数值进行仿真得到第一参数及第二参数的第二取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第二取值计算得到第一电路参数值;
根据所述第二模型参数值进行仿真得到第一参数及第二参数的第三取值,并根据所述预设公式、所述第一参数以及第二参数的第三取值计算得到第二电路参数值。
8.根据权利要求1所述的电路仿真方法,其特征在于,所述在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值,包括:
根据所述取值区间的区间长度获取一对应的插值距离;
根据所述插值距离在所述取值区间进行线性插值以得到多个仿真模型参数值。
9.一种电路仿真装置,其特征在于,包括:
第一获取模块,用于获取目标电路的模型参数的初始值以及目标电路参数值;
设置模块,用于根据所述模型参数的初始值设置第一模型参数值以及第二模型参数值,第一模型参数值大于所述初始值,第二模型参数值小于所述初始值;
第一仿真模块,分别根据所述初始值、第一模型参数值以及第二模型参数值进行仿真,得到对应的初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值;
确定模块,用于根据所述初始电路参数值、第一电路参数值以及第二电路参数值确定目标电路参数值对应的目标模型参数值所在的取值区间;
第二仿真模块,用于在所述取值区间进行多次仿真,以得到与所述目标模型参数值。
10.一种存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-8任一项所述的方法。
11.一种电子设备,其特征在于,包括处理器以及存储器,所述存储器存储有计算机可读取指令,当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时,运行如权利要求1-8任一项所述的方法。
CN202011413264.1A 2020-12-03 2020-12-03 电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备 Active CN112464597B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011413264.1A CN112464597B (zh) 2020-12-03 2020-12-03 电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011413264.1A CN112464597B (zh) 2020-12-03 2020-12-03 电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112464597A CN112464597A (zh) 2021-03-09
CN112464597B true CN112464597B (zh) 2024-04-12

Family

ID=74800252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011413264.1A Active CN112464597B (zh) 2020-12-03 2020-12-03 电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112464597B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113609815B (zh) * 2021-09-16 2022-05-13 芯和半导体科技(上海)有限公司 一种电路仿真优化方法、装置、计算机设备及存储介质
CN115952760B (zh) * 2023-03-15 2023-10-13 北京芯愿景软件技术股份有限公司 一种数模电路仿真方法、装置、设备及计算机存储介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004145410A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Renesas Technology Corp 回路の設計方法および回路設計支援システム
JP2008276363A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Nec Electronics Corp 回路シミュレーション装置、及び回路シミュレーションプログラム
CN104378321A (zh) * 2014-11-26 2015-02-25 英特格灵芯片(天津)有限公司 自适应均衡参数调整、传输性能测试的集成方法和电路
CN108242200A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 自加热效应模型及测试方法
CN110738016A (zh) * 2019-10-12 2020-01-31 南方电网科学研究院有限责任公司 一种电力电子电路暂态仿真插值计算方法
CN111148206A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 发射功率的调整方法、装置、存储介质和终端

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8935146B2 (en) * 2007-03-05 2015-01-13 Fujitsu Semiconductor Limited Computer aided design apparatus, computer aided design program, computer aided design method for a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor circuit based on characteristic value and simulation parameter
US8161430B2 (en) * 2008-04-22 2012-04-17 Qualcomm Incorporated System and method of resistance based memory circuit parameter adjustment

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004145410A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Renesas Technology Corp 回路の設計方法および回路設計支援システム
JP2008276363A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Nec Electronics Corp 回路シミュレーション装置、及び回路シミュレーションプログラム
CN104378321A (zh) * 2014-11-26 2015-02-25 英特格灵芯片(天津)有限公司 自适应均衡参数调整、传输性能测试的集成方法和电路
CN108242200A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 自加热效应模型及测试方法
CN110738016A (zh) * 2019-10-12 2020-01-31 南方电网科学研究院有限责任公司 一种电力电子电路暂态仿真插值计算方法
CN111148206A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 发射功率的调整方法、装置、存储介质和终端

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
器件参数提取和全域寻优;赵国南, 张蠡;电子学报;第19卷(第03期);第84-88, 96页 *
最优化电路设计的仿真分析方法;汪汉新, 叶俊民;计算机应用与软件;第21卷(第07期);第49-51页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112464597A (zh) 2021-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110442936B (zh) 基于数字孪生模型的设备故障诊断方法、装置及系统
CN112464597B (zh) 电路仿真方法、装置、存储介质及电子设备
US20170371992A1 (en) Integrated circuit including parametric analog elements
US10423732B2 (en) Bidomain simulator
CN109242300B (zh) 一种业务指标值的展示方法、装置、及计算机设备
JP2018124937A (ja) 異常検出装置、異常検出方法およびプログラム
US20170061313A1 (en) System and Method for Estimating a Performance Metric
US9268536B2 (en) Behavior invariant optimization of maximum execution times for model simulation
US20140316720A1 (en) Data processing system with real-time data center air flow simulator
Wang et al. Maximum likelihood parameter estimation algorithm for controlled autoregressive autoregressive models
Hu Control description language
CN111596802B (zh) 一种触摸屏校准方法、装置及计算机可读存储介质
CN109426912B (zh) 风控系统优化方法、系统、装置以及电子设备
JP2010277577A (ja) 制御及び推定のための線形モデルのリアルタイムスケジューリング
CN110192178A (zh) 程序打补丁的方法、装置、微控制单元和终端设备
US20180173822A1 (en) Corner Database Generator
US10546076B2 (en) Analytical consistent sensitivities for external intervening between two sequential equilibriums
CN111291936A (zh) 产品生命周期预估模型生成方法、装置及电子设备
CN116307284B (zh) 能耗预测方法、电子设备及存储介质
CN114492251B (zh) 超算环境的低速流场发散处理方法、装置、设备及介质
US20190220551A1 (en) Automated design of a piping system
US20230385495A1 (en) Efficient circuit simulation method and apparatus, device, and storage medium
CN112526936A (zh) 参数控制方法、参数控制设备及系统
CN107730053B (zh) 系统模型建立方法及装置
US20220067236A1 (en) Physical system simulation

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant