CN112464499A - 非易失芯片擦写数据检查方法、装置、存储介质和终端 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种非易失芯片擦写数据检查方法、装置、存储介质和终端，在待测设计擦写操作完成后会将待测设计内所有数据写到一个数据存储文件中去，写完之后打开该数据存储文件并将全部数据导过来，与参考模型全部数据做对比，若对比相同则证明擦写成功，若对比不同则证明擦写失败；本技术方案无需在待测设计每次擦写操作完成后执行全芯片读操作，通过导出数据存储文件中的数据实现自动擦写数据的检查，检查操作瞬间完成，几乎不消耗仿真时间，大大节省了仿真时间，提高了仿真验证效率。
Description
技术领域
本发明涉及非易失芯片仿真技术领域，尤其涉及的是一种非易失芯片擦写数据检查方法、装置、存储介质和终端。
背景技术
非易失存储器仿真验证时需要对擦写结果进行检查，看擦写结果是否正常，传统的做法是每次擦写完成都要对芯片仿真模型进行发送读指令读出全芯片的数据，来确认擦写结果是否正确，但全芯片读出指令操作耗时长，浪费仿真时间，导致仿真效率低下。
因此，现有的技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种非易失芯片擦写数据检查方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的非易失存储器仿真验证擦写结果时，需要对芯片仿真模型进行发送读指令读出全芯片数据，耗时长，仿真效率低下的问题。
本发明的技术方案如下：一种非易失芯片擦写数据检查方法，其中，具体包括以下步骤：
预设数据存储文件；
向待测设计和参考模型发送仿真激励；
待测设计根据仿真激励执行相应操作，参考模型根据仿真激励执行相应操作；
将执行相应操作后的待测设计内的所有数据写入数据存储文件内；
导出数据存储文件内的全部数据；
对比导出的所述数据存储文件内的全部数据与参考模型的全部数据是否相同，
若相同，操作成功，输出仿真结果；
若不相同，操作失败，输出仿真结果。
所述的非易失芯片擦写数据检查方法，其中，所述相应操作为擦操作和写操作。
所述的非易失芯片擦写数据检查方法，其中，所述待测设计为与待测非易失芯片的存储单元一致的模型。
所述的非易失芯片擦写数据检查方法，其中，所述仿真激励包括操作指令和对应存储单元的地址。
一种非易失芯片擦写数据检查装置，其中，包括：
文件预设模块，预设数据存储文件；
仿真激励发送模块，向待测设计和参考模型发送仿真激励；
待测设计，根据仿真激励执行相应操作；
参考模型，根据仿真激励执行相应操作；
数据写入模块，将执行相应操作后的待测设计内的所有数据写入数据存储文件内；
数据导出模块，导出数据存储文件内的全部数据；
数据对比模块，对比导出的所述数据存储文件内的全部数据与参考模型的全部数据是否相同；
仿真结果输出模块，输出仿真结果。
所述的非易失芯片擦写数据检查装置，其中，所述非易失芯片擦写数据检查装置采用验证平台实现。
所述的非易失芯片擦写数据检查装置，其中，所述非易失芯片擦写数据检查装置采用UVM验证平台实现。
所述的非易失芯片擦写数据检查装置，其中，所述数据存储文件为UVM验证平台内用于存储数据的存储空间。
一种存储介质，其中，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。
一种终端，其中，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行上述任一项所述的方法。
本发明的有益效果：本发明通过提供一种非易失芯片擦写数据检查方法、装置、存储介质和终端，在待测设计擦写操作完成后会将待测设计内所有数据写到一个数据存储文件中去，写完之后打开该数据存储文件并将全部数据导过来，与参考模型全部数据做对比，若对比相同则证明擦写成功，若对比不同则证明擦写失败；本技术方案无需在待测设计每次擦写操作完成后执行全芯片读操作，通过导出数据存储文件中的数据实现自动擦写数据的检查，检查操作瞬间完成，几乎不消耗仿真时间，大大节省了仿真时间，提高了仿真验证效率。
附图说明
图1是本发明中非易失芯片擦写数据检查方法的步骤流程图。
图2是本发明中非易失芯片擦写数据检查装置的示意图。
图3是本发明中终端的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
如图1所示，一种非易失芯片擦写数据检查方法，具体包括以下步骤：
S1：预设数据存储文件；
S2：向待测设计和参考模型发送仿真激励；
S3：待测设计根据仿真激励执行相应操作，参考模型根据仿真激励执行相应操作；
S4：将执行相应操作后的待测设计内的所有数据写入数据存储文件内；
S5：导出数据存储文件内的全部数据；
S6：对比导出的所述数据存储文件内的全部数据与参考模型的全部数据是否相同，若相同，则跳转至S7，若不相同，则跳转至S8；
S7：操作成功，输出仿真结果；
S8：操作失败，输出仿真结果。
在某些具体实施例中，所述相应操作为擦操作和写操作。
其中，所述待测设计为和待测非易失芯片的存储单元具备行为一样。假设待测非易失芯片的存储单元由控制块和多个存储块组成，一般的仿真验证主要针对控制块进行验证，存储块在出厂前会完成对应的测试。
在某些具体实施例中，所述仿真激励包括操作指令和对应存储单元的地址。
如图2所示，一种非易失芯片擦写数据检查装置，包括：
文件预设模块101，预设数据存储文件；
仿真激励发送模块102，向待测设计和参考模型发送仿真激励；
待测设计103，根据仿真激励执行相应操作；
参考模型104，根据仿真激励执行相应操作；
数据写入模块105，将执行相应操作后的待测设计内的所有数据写入数据存储文件内；
数据导出模块106，导出数据存储文件内的全部数据；
数据对比模块107，对比导出的所述数据存储文件内的全部数据与参考模型的全部数据是否相同；
仿真结果输出模块108，输出仿真结果。
在某些具体实施例中，所述非易失芯片擦写数据检查装置采用UVM验证平台实现。
其中，所述数据存储文件为UVM验证平台内用于存储数据的存储空间。
请参照图3，本发明实施例还提供一种终端。如示，终端300包括处理器301和存储器302。其中，处理器301与存储器302电性连接。处理器301是终端300的控制中心，利用各种接口和线路连接整个终端的各个部分，通过运行或调用存储在存储器302内的计算机程序，以及调用存储在存储器302内的数据，执行终端的各种功能和处理数据，从而对终端300进行整体监控。
在本实施例中，终端300中的处理器301会按照如下的步骤，将一个或一个以上的计算机程序的进程对应的指令加载到存储器302中，并由处理器301来运行存储在存储器302中的计算机程序，从而实现各种功能：预设数据存储文件；向待测设计和参考模型发送仿真激励；待测设计根据仿真激励执行相应操作，参考模型根据仿真激励执行相应操作；将执行相应操作后的待测设计内的所有数据写入数据存储文件内；导出数据存储文件内的全部数据；对比导出的所述数据存储文件内的全部数据与参考模型的全部数据是否相同，若相同，操作成功，输出仿真结果；若不相同，操作失败，输出仿真结果。
存储器302可用于存储计算机程序和数据。存储器302存储的计算机程序中包含有可在处理器中执行的指令。计算机程序可以组成各种功能模块。处理器301通过调用存储在存储器302的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。
本申请实施例提供一种存储介质，所述计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：预设数据存储文件；向待测设计和参考模型发送仿真激励；待测设计根据仿真激励执行相应操作，参考模型根据仿真激励执行相应操作；将执行相应操作后的待测设计内的所有数据写入数据存储文件内；导出数据存储文件内的全部数据；对比导出的所述数据存储文件内的全部数据与参考模型的全部数据是否相同，若相同，操作成功，输出仿真结果；若不相同，操作失败，输出仿真结果。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种非易失芯片擦写数据检查方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
预设数据存储文件；
向待测设计和参考模型发送仿真激励；
待测设计根据仿真激励执行相应操作，参考模型根据仿真激励执行相应操作；
将执行相应操作后的待测设计内的所有数据写入数据存储文件内；
导出数据存储文件内的全部数据；
对比导出的所述数据存储文件内的全部数据与参考模型的全部数据是否相同，
若相同，操作成功，输出仿真结果；
若不相同，操作失败，输出仿真结果。
2.根据权利要求1所述的非易失芯片擦写数据检查方法，其特征在于，所述相应操作为擦操作和写操作。
3.根据权利要求1所述的非易失芯片擦写数据检查方法，其特征在于，所述待测设计为与待测非易失芯片的存储单元一致的模型。
4.根据权利要求1所述的非易失芯片擦写数据检查方法，其特征在于，所述仿真激励包括操作指令和对应存储单元的地址。
5.一种非易失芯片擦写数据检查装置，其特征在于，包括：
文件预设模块，预设数据存储文件；
仿真激励发送模块，向待测设计和参考模型发送仿真激励；
待测设计，根据仿真激励执行相应操作；
参考模型，根据仿真激励执行相应操作；
数据写入模块，将执行相应操作后的待测设计内的所有数据写入数据存储文件内；
数据导出模块，导出数据存储文件内的全部数据；
数据对比模块，对比导出的所述数据存储文件内的全部数据与参考模型的全部数据是否相同；
仿真结果输出模块，输出仿真结果。
6.根据权利要求5所述的非易失芯片擦写数据检查装置，其特征在于，所述非易失芯片擦写数据检查装置采用验证平台实现。
7.根据权利要求6所述的非易失芯片擦写数据检查装置，其特征在于，所述非易失芯片擦写数据检查装置采用UVM验证平台实现。
8.根据权利要求7所述的非易失芯片擦写数据检查装置，其特征在于，所述数据存储文件为UVM验证平台内用于存储数据的存储空间。
9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至4任一项所述的方法。
10.一种终端，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至4任一项所述的方法。
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