CN112457001A - 一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及压敏电阻的技术领域，具体公开了一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，包括以下步骤：S1、一次混磨；S2、二次混磨；S3、续球磨；S4、喷雾、干燥、造粒、排胶、烧结、退火、还原处理、上侧面绝缘釉、焊接铜导线电极、硫化和固化，制得压敏电阻芯片。本申请的高致密性氧化锌压敏电阻芯片可增加氧化锌压敏电阻的均匀性和致密性，使氧化锌压敏电阻在工作时不易热崩溃损坏；另外，申请的制备方法具有简单易操作，应用范围广泛的优点。

Description

一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法
技术领域
本申请涉及压敏电阻的技术领域，更具体地说，它涉及一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法。
背景技术
氧化锌压敏电阻是一种由多组分金属氧化物制得的多晶半导体电子陶瓷，主要以氧化锌(ZnO)为主要原料，添加多种成分金属氧化物，采用典型的电子陶瓷材料工艺制备而成。高温烧制成的氧化锌压敏电阻具有优良的非线性伏安特性和雷电波冲击吸收能力，被广泛应用于电力系统线路保护的避雷器中，可以吸收电力系统中出现的各种过电压/电流，包括操作过电压/电流、雷电过电压/电流等，从而有效保护电力系统的各种关键和重要设备。对国防、医院、政府机构、通讯等领域的关键和重要设备的保护至关重要。
相关技术中，氧化锌压敏电阻的制备步骤通常包括有原料混合、球磨、成型、排胶和烧结等，原料混合时易产生气泡，从而导致所制得的氧化锌压敏电阻有气泡，导致氧化锌压敏电阻的致密性不佳。而对于氧化锌压敏电阻，均匀性和致密性尤为重要，均匀性和致密性不佳易导致氧化锌压敏电阻在工作时易热崩溃损坏。
发明内容
为了改善氧化锌压敏电阻制备时易产生气泡，导致氧化锌电阻的致密性和均匀性不佳的问题，本申请提供一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法。
本申请提供的一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法采用如下的技术方案：
一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，包括如下步骤：
S1、一次混磨：按重量份计，取3-5份氧化铋、3.5-4.5份氧化锑、1.0-1.5份氧化钴、0.7-0.9份氧化锰、0.3-0.5份氧化镍、0.02-0.05份硝酸铝、0.01-0.02份硝酸银、0.4-0.6份分散剂、0.02-0.08份膨胀剂和12-18份去离子水混合后，球磨1.5-2.0h，得第一中间体；
S2、二次混磨：按重量份计，取85-95份氧化锌原料、8-12份第一中间体与10-20份去离子水混合后，球磨1.0-1.5h，得第二中间体；
S3、续球磨：按重量份计，取70-90份第二中间体、50-60份去离子水和6-10份聚乙烯醇溶液，将第二中间体与去离子水混合后球磨1.5-2.0h，得球磨液，向球磨液中加入聚乙烯醇溶液，得混料，继续球磨0.5-1.5h并调节PH，得颗粒料浆；
S4、对颗粒浆料进行喷雾、干燥、造粒后得备用瓷料，将备用瓷料保压排气后，压制排胶，得第三中间体，对第三中间体烧结后放入小球磨罐球磨，球磨后清洗、脱水、烘干，得压敏电阻黑裸片，将压敏电阻黑裸片进行退火热处理后，进行还原处理，还原处理后上侧面绝缘釉、焊接铜导线电极，焊接铜导线电极后硫化、固化，制得压敏电阻芯片。
通过采用上述技术方案，由于采用一次混磨和二次混磨，一次混磨可使占少量的组分混合均匀，形成良好的结合；由于在制备氧化锌压敏电阻的原料中，一次混磨中的组分占少量，而二次混磨中的氧化锌原料占大量，二次混磨可使形成良好的结合的占少量的组分均匀地分散在大量的氧化锌原料中，进一步形成良好的结合。分两次混磨相较于一次性同时混磨，有效减少了混磨时各组分因结合不良而产生的气泡，从而减少了所制得的氧化锌压敏电阻的气泡，有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性和致密性，有效增加了氧化锌压敏电阻的方波容量，从而增加了氧化锌压敏电阻的能量吸收能力，使氧化锌压敏电阻在工作时不易热崩溃损坏。
优选的，所述膨胀剂为膨胀石墨分散到表面活性剂中制成，所述表面活性剂为阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂中任意一种。
通过采用上述技术方案，相较于阳离子表面活性剂，阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂可与膨胀石墨形成良好的结合，有效提高了膨胀石墨的分散性。膨胀石墨可在制备氧化锌压敏电阻的过程中膨胀，从而填充各组分之间的缝隙，有效减少了所制得的氧化锌压敏电阻的气泡，有效提高了氧化锌压敏电阻的致密性，有效增加了氧化锌压敏电阻的方波容量，从而增加了氧化锌压敏电阻的能量吸收能力，使氧化锌压敏电阻在工作时不易热崩溃损坏。
优选的，所述膨胀剂为膨胀石墨分散到阴离子表面活性剂中制成，所述表面活性剂为CMN表面活性剂或CMC-Na表面活性剂中任意一种。
通过采用上述技术方案，相较于非离子表面活性剂，阴离子活性剂能与膨胀石墨形成良好的结合，有效提高膨胀石墨的分散性。阴离子表面活性剂中，CMN表面活性剂和CMC-Na表面活性剂能够利用强烈的疏水作用吸附在膨胀石墨上，CMN表面活性剂中的磺酸基团和CMC-Na表面活性剂中的羧酸基团提供的静电斥力使膨胀石墨能够稳定分散。同时，CMN表面活性剂和CMC-Na表面活性剂的芳环结构和膨胀石墨之间存在强烈的π-π作用，π体系之间存在较强的吸引力，使膨胀石墨和表面活性剂之间的吸附力增强，从而有效提高了膨胀石墨稳定的分散性。
优选的，所述膨胀剂为膨胀石墨分散到CMC-Na表面活性剂中制成，其制备过程包括如下步骤：按重量份计，取20-30份膨胀石墨、1-2份CMC-Na表面活性剂和70-80份水混合后，超声处理，调节pH，得膨胀剂。
通过采用上述技术方案，CMC-Na表面活性剂相较于CMN表面活性剂更能稳定地与膨胀石墨形成良好的结合，同时超声处理，更进一步地使CMC-Na表面活性剂与膨胀石墨形成良好的结合，从而更进一步地提高了膨胀石墨的分散性。
优选的，所述CMC-Na表面活性剂在膨胀剂中的质量分数为1%-2%。
通过采用上述技术方案，随着CMC-Na表面活性剂在膨胀剂中的质量分数的增加，CMC-Na表面活性剂在膨胀石墨表面产生的电荷密度增加，当CMC-Na表面活性剂在膨胀剂中的质量分数为1%-2%时，在膨胀石墨的表面，CMC-Na表面活性剂吸附接近饱和，继续增加CMC-Na表面活性剂在膨胀剂中的质量分数，膨胀石墨颗粒表面的电荷密度不易继续增加。通过CMC-Na表面活性剂在膨胀剂中的质量分数为1%-2%，使CMC-Na表面活性剂和膨胀石墨结合更为稳定，有效提高了膨胀石墨颗粒分散的稳定性。
优选的，所述膨胀剂的pH为7-9。
通过采用上述技术方案，在酸性条件下，H+浓度大，膨胀石墨颗粒由于表面带负电荷，从而对H+产生强烈的选择性吸附CMC-Na表面活性剂分子中的醚键氧原子也会吸附溶液中的H+，因此膨胀石墨颗粒表面的电荷密度减小，CMC-Na表面活性剂和膨胀石墨之间的吸附力减小。随着pH的增加，CMC-Na表面活性剂亲水端解离程度增加，同时促进了膨胀石墨表面含氧官能团解离成离子，CMC-Na表面活性剂和膨胀石墨之间的吸附力增大。然而pH过高时会增加膨胀剂的电解质浓度，压缩带电粒子表面双电层，从而使CMC-Na表面活性剂和膨胀石墨之间的吸附力减小。当膨胀剂pH为7-9时，CMC-Na表面活性剂和膨胀石墨之间的吸附力易达到最大，从而使CMC-Na表面活性剂和膨胀石墨结合更为稳定，有效提高了膨胀剂稳定的分散性。
优选的，所述氧化锌原料为固含量为10%-25%的氧化锌溶胶。
通过采用上述技术方案，氧化锌溶胶为胶状物，相较于氧化锌粉体，具有良好的流动性和分散性，能够与制备氧化锌压敏电阻的各组分形成均匀良好的结合，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性，有效增加了氧化锌压敏电阻的方波容量，从而增加了氧化锌压敏电阻的能量吸收能力，使氧化锌压敏电阻在工作时不易热崩溃损坏。
优选的，所述分散剂为D-134分散剂。
通过采用上述技术方案，由于采用D-134分散剂，D-134分散剂具有良好的分散力，可使各组分更进一步相互均匀分散，从而形成良好的结合结合，同时D-134分散剂对氧化锌压敏电阻的成形的密度、強度、成形速度均有改善，且D-134分散剂价格低廉，几乎不含灰份，广泛应用于精密技术領域，有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
综上所述，本申请具有以下有益效果：
1、由于本申请采用一次混磨和二次混磨，由于分两次混磨有效减少了混磨时各组分因结合不良而产生的气泡，从而减少了所制得的氧化锌压敏电阻的气泡，有效提高了氧化锌压敏电阻的致密性；
2、本申请中优选采用膨胀剂为膨胀石墨分散到表面活性剂中制成，由于膨胀石墨可在制备氧化锌压敏电阻的过程中膨胀，从而填充各组分之间的缝隙，有效减少混磨时各组分之间产生的气泡，从而减少了所制得的氧化锌压敏电阻的气泡，有效提高了氧化锌压敏电阻的致密性，有效增加了氧化锌压敏电阻的方波容量，从而增加了氧化锌压敏电阻的能量吸收能力，使氧化锌压敏电阻在工作时不易热崩溃损坏。
具体实施方式
以下结合实施例对本申请作进一步详细说明。
本申请实施例中，所用的仪器设备和原料辅料如下所示，但不以此为限：
机器：天津顺诺仪器的NDJ-5S数显旋转粘度计、Tektronix的4200A-SCS吉时利四探针测试仪、常州市致新精密电子有限公司的ZX8517C LCR数字电桥；
药品:东莞市蒙浩新材料科技有限公司的PVP K-12表面活性剂、任丘市尚康化工有限公司的CMC-Na表面活性剂、郑州凯邦化工产品有限公司的XH-18十六烷基三甲基溴化铵。
原料和/或中间体的制备例
制备例1
取0.3g二水合乙酸锌与120g无水乙醇混合后，得溶解液，向溶解液中加入0.2g二乙醇胺后，在60℃下恒温水浴搅拌3h，得氧化锌溶胶。
实施例
实施例1
一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，包括如下步骤：
（1）一次混磨：称取3g氧化铋、3.5g氧化锑、1g氧化钴、0.7g氧化锰、0.3g氧化镍、0.02g硝酸铝、0.01g硝酸银、0.4gD-134分散剂、0.02g膨胀剂和12g去离子水混合后，以400r/min的转速球磨1.5h，得第一中间体；所述膨胀剂为10g膨胀石墨、1gCMC-Na表面活性剂和70g水混合后，超声处理60min，调节pH至7制备而成。
（2）二次混磨：称取85g氧化锌溶胶、8g第一中间体与10g去离子水混合后，以400r/min的转速球磨1.0h，得第二中间体；
（3）续球磨：称取第70g第二中间体与50g去离子水混合后以225r/min的转速球磨1.5h后，得球磨液，向球磨液中加入6g聚乙烯醇溶液，继续以225r/min的转速球磨0.5h并调节PH至8，得颗粒料浆；
（4）对颗粒浆料进行喷雾、干燥、造粒后得备用瓷料，将备用瓷料保压排气后，压制排胶，得第三中间体，对第三中间体烧结后放入小球磨罐球磨，球磨后清洗、脱水、烘干，得压敏电阻黑裸片，将压敏电阻黑裸片进行退火热处理后，进行还原处理，还原处理后上侧面绝缘釉、焊接铜导线电极，焊接铜导线电极后硫化、固化，制得压敏电阻芯片。
实施例2
一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，包括如下步骤：
（1）一次混磨：称取4g氧化铋、4g氧化锑、1.25g氧化钴、0.8g氧化锰、0.4g氧化镍、0.04g硝酸铝、0.02g硝酸银、0.5gD-134分散剂、0.05g膨胀剂和15g去离子水混合后，以425r/min的转速球磨2h，得第一中间体；所述膨胀剂为20g膨胀石墨、1.5gCMC-Na表面活性剂和75g水混合后，超声处理70min，调节pH至8制备而成。
（2）二次混磨：称取90g氧化锌溶胶、10g第一中间体与15g去离子水混合后，以425r/min的转速球磨1.5h，得第二中间体；
（3）续球磨：称取第80g第二中间体与55g去离子水混合后以225r/min的转速球磨2h后，得球磨液，向球磨液中加入8g聚乙烯醇溶液，继续以225r/min的转速球磨1h并调节PH至9，得颗粒料浆；
（4）对颗粒浆料进行喷雾、干燥、造粒后得备用瓷料，将备用瓷料保压排气后，压制排胶，得第三中间体，对第三中间体烧结后放入小球磨罐球磨，球磨后清洗、脱水、烘干，得压敏电阻黑裸片，将压敏电阻黑裸片进行退火热处理后，进行还原处理，还原处理后上侧面绝缘釉、焊接铜导线电极，焊接铜导线电极后硫化、固化，制得压敏电阻芯片。
实施例3
一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，包括如下步骤：
（1）一次混磨：称取5g氧化铋、4.5g氧化锑、1.5g氧化钴、0.9g氧化锰、0.5g氧化镍、0.6g硝酸铝、0.03g硝酸银、0.6gD-134分散剂、0.08g膨胀剂和18g去离子水混合后，以450r/min的转速球磨2.5h，得第一中间体；所述膨胀剂为30g膨胀石墨、2gCMC-Na表面活性剂和80g水混合后，超声处理80min，调节pH至9制备而成。
（2）二次混磨：称取95g氧化锌溶胶、12g第一中间体与20g去离子水混合后，以450r/min的转速球磨2h，得第二中间体；
（3）续球磨：称取第90g第二中间体与60g去离子水混合后以225r/min的转速球磨2h后，得球磨液，向球磨液中加入10g聚乙烯醇溶液，继续以225r/min的转速球磨1.5h并调节PH至10，得颗粒料浆；
（4）对颗粒浆料进行喷雾、干燥、造粒后得备用瓷料，将备用瓷料保压排气后，压制排胶，得第三中间体，对第三中间体烧结后放入小球磨罐球磨，球磨后清洗、脱水、烘干，得压敏电阻黑裸片，将压敏电阻黑裸片进行退火热处理后，进行还原处理，还原处理后上侧面绝缘釉、焊接铜导线电极，焊接铜导线电极后硫化、固化，制得压敏电阻芯片。
实施例4
实施例4中采用NSF-10表面活性剂以代替实施例1中的CMC-Na表面活性剂，其余条件和组分比例均与实施例1中相同。
实施例5
实施例5中采用CMN表面活性剂以代替实施例1中的CMC-Na表面活性剂，其余条件和组分比例均与实施例1中相同。
实施例6
实施例6中采用市售的氧化锌粉体作为氧化锌原料，以代替实施例1中的氧化锌溶胶，其余条件和组分比例均与实施例1中相同。
对比例
对比例1-3
对比例1-3中采用步骤X依次代替实施例1-3中的步骤（1）和步骤（2），其余条件和组分比例依次与实施例1-3中相同；所述步骤X为将一次混磨和二次混磨中的所有原料一次性混磨。
对比例4-6
对比例4-6中采用十六烷基三甲基溴化铵作为表面活性剂依次一一代替实施例1-3中的CMC-Na表面活性剂，其余条件和组分比例依次一一与实施例1-3中相同。
对比例7-9
对比例7-9中采用PVP K-12表面活性剂依次一一代替实施例1-3中的CMC-Na表面活性剂，其余条件和组分比例依次一一与实施例1-3中相同。
对比例10-12
对比例10-12中采用pH为4的膨胀剂依次一一代替实施例1-3中的膨胀剂，其余条件和组分比例依次一一与实施例1-3相同。
对比例13-15
对比例13-15中采用pH为10的膨胀剂依次一一代替实施例1-3中的膨胀剂，其余条件和组分比例依次一一与实施例1-3相同。
对比例16-18
对比例16-18中CMC-Na表面活性剂的质量分数为膨胀剂的0.5%，其余条件和组分比例依次一一与实施例1-3相同。
对比例19-21
对比例19-21中采用YF1分散剂依次一一代替实施例1-3中的D-134分散剂，其余条件和组分比例依次一一与实施例1-3相同。
性能检测试验
分别对实施例1-6以及对比例1-18进行性能测试，将实施例1-6以及对比例1-21中制备的中压梯度氧化锌压敏电阻进行性能检测。
检测方法/试验方法
（1）膨胀剂的稳定性检测：将膨胀剂室温下分别静置1h、2h、3h、4h和5h后，取上层膨胀剂通过数显旋转粘度计测定测试膨胀剂的粘度。首先，使数显旋转粘度计保持水平状态，将转子倾斜地放入上层的膨胀剂中，然后安装转子，根据测定的粘度范围选择粘度标准液，开始检测，稳定时读取数值。随着静止时间的增加，上层膨胀剂粘度的变化率反映出膨胀剂的沉降率，沉降率越小，膨胀剂的稳定性越好，则制备出的氧化锌压敏电阻的均匀性和致密性越好。
（2）膨胀剂的分散性检测：利用吉时利四探针测试仪对烧结后的第三中间体的表面电阻进行测定，表面电阻越小，则膨胀剂的分散性越好，反映出氧化锌压敏电阻的均匀性和致密性越好。
（3）耐受时间检测：利用LCR数字电桥对制备的氧化锌压敏电阻芯片进行测定，压敏电压U1mA607、施加交流电压533（v）、启动电流1（A），氧化锌压敏电阻发生热崩溃损坏时，记录下时间，该时间为耐受时间。耐受时间越长，反映出氧化锌压敏电阻的均匀性和致密性越好。
具体检测结果如下表表1所示：
表1 性能检测表
Figure DEST_PATH_IMAGE001
参照表1的性能检测进行对比可以发现：
将实施例1-3进行性能对比，实施例2的沉降率最低，表面电阻最小，同时耐受时间最长，这是由于实施例2中添加的物料的比例最佳，说明本申请技术方案是可实施的。
将实施例1和实施例4进行对比，由于实施例4中采用NSF-10表面活性剂以代替实施例1中的CMC-Na表面活性剂，由于NSF-10表面活性剂为非离子表面活性剂，降低了膨胀剂的分散性，从而降低了氧化锌压敏电阻的均匀性，使其表面电阻有所增加，耐受时间有所下降。这说明本申请采用CMC-Na表面活性剂，有效提高了膨胀剂的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
将实施例1和实施例5进行对比，由于实施例5中采用CMN表面活性剂以代替实施例1中的CMC-Na表面活性剂，由于CMN表面活性剂相较于CMC-Na表面活性剂不易与膨胀石墨结合，降低了膨胀剂的分散性，从而降低了氧化锌压敏电阻的均匀性，其表面电阻有所增加，耐受时间有所下降。这说明本申请采用CMC-Na表面活性剂，有效提高了膨胀剂的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
将实施例1和实施例6进行对比，由于实施例6中采用市售的氧化锌粉体作为氧化锌原料，以代替实施例1中的氧化锌溶胶，由于氧化锌溶胶为胶状物，氧化锌粉体相较于氧化锌溶胶，降低了各组分之间的分散性，从而降低了氧化锌压敏电阻的均匀性，其表面电阻有所增加，耐受时间有所下降。这说明本申请采用氧化锌溶胶作为氧化锌原料，有效提高了各组分之间的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
将对比例1-3和实施例1-3依次一一进行对比，由于对比例1-3中混磨时各组分同时进行球磨，由于将各组分同时进行球磨，不易使各组分之间分散均匀，不易于各组分之间形成良好的结合，易产生气泡，其表面电阻有所增加，耐受时间有所下降。这说明本申请采用一次混磨和二次混磨，有效提高了各组分之间的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性和致密性。
将对比例4-6和实施例1-3依次一一进行对比，由于对比例4-6中采用十六烷基三甲基溴化铵作为表面活性剂依次代替实施例1-3中的CMC-Na表面活性剂，由于十六烷基三甲基溴化铵为阳离子表面活性剂，降低了膨胀石墨的分散性，从而降低了氧化锌压敏电阻的均匀性，其表面电阻有所增加，耐受时间有所下降。这说明本申请采用CMC-Na表面活性剂，有效提高了膨胀剂的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
将对比例7-9和实施例1-3依次一一进行对比，由于对比例7-9中采用PVP K-12表面活性剂依次代替实施例1-3中的CMC-Na表面活性剂，由于PVP K-12表面活性剂为非离子表面活性剂，降低了膨胀剂的分散性，从而降低了氧化锌压敏电阻的均匀性，其表面电阻有所增加，耐受时间有所下降。这说明本申请采用CMC-Na表面活性剂，有效提高了膨胀剂的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
将对比例7和实施例4进行对比，对比例7中的PVP K-12表面活性剂和实施例4中的NSF-10表面活性剂同为非离子表面活性剂，由于PVP K-12表面活性剂相较于NSF-10表面活性剂，不易与膨胀石墨形成良好的结合，降低了膨胀剂的分散性，从而降低了氧化锌压敏电阻的均匀性，使对比例7中的表面电阻有所增加，耐受时间有所降低。这说明本身申请中NSF-10表面活性剂优于PVP K-12表面活性剂。
将对比例10-12和实施例1-3依次一一进行对比，由于对比例10-12中采用pH为4的膨胀剂依次代替实施例1-3中的膨胀剂，由于pH在8左右时，CMC-Na表面活性剂的亲水端解离程度可达到最大，随着pH的降低，CMC-Na表面活性剂的亲水端解离程度降低，从而抑制了膨胀石墨表面含氧官能团解离成相应的例子，降低了膨胀剂的分散性，其表面电阻有所增加，耐受时间有所降低。这说明本申请采用pH为7-9的膨胀剂有效提高了膨胀剂的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
将对比例13-15和实施例1-3依次一一进行对比，由于对比例13-15中采用pH为10的膨胀剂依次代替实施例1-3中的膨胀剂，由于pH在8时，CMC-Na表面活性剂的亲水端解离程度可达到最大，随着pH的增加，CMC-Na表面活性剂的亲水端解离程度降低，从而抑制了膨胀石墨表面含氧官能团解离成相应的离子，降低了膨胀剂的分散性，其表面电阻有所增加，耐受时间有所降低。这说明本申请采用pH为7-9的膨胀剂有效提高了膨胀剂的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
将对比例16-18和实施例1-3依次一一进行对比，由于对比例16-18中CMC-Na表面活性剂的质量分数为膨胀剂的0.5%，由于CMC-Na表面活性剂的质量分数接近膨胀剂的1.5%时，膨胀石墨的表面吸附接近饱和，膨胀石墨表面的电荷密度不易继续增加，膨胀剂的稳定性最佳。CMC-Na表面活性剂的质量分数为膨胀剂的0.5%时，导致膨胀石墨的表面吸附未饱和，降低了膨胀剂的稳定性，降低了氧化锌压敏电阻的均匀性，其沉降率有所增加，耐受时间有所降低。这说明本申请采用CMC-Na表面活性剂在膨胀剂中的质量分数为1%-2%，有效提高了膨胀剂的稳定性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
最后，将对比例19-21和实施例1-3依次一一进行对比，由于对比例19-21中采用YF1分散剂依次代替实施例1-3中的D-134分散剂，其沉降率有所增加，耐受时间有所减少。这说明了本申请采用D-134分散剂有效提高了各组分之间的分散性，从而有效提高了氧化锌压敏电阻的均匀性。
本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。

Claims (8)

1.一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
S1、一次混磨：按重量份计，取3-5份氧化铋、3.5-4.5份氧化锑、1.0-1.5份氧化钴、0.7-0.9份氧化锰、0.3-0.5份氧化镍、0.02-0.05份硝酸铝、0.01-0.02份硝酸银、0.4-0.6份分散剂、0.02-0.08份膨胀剂和12-18份去离子水混合后，球磨1.5-2.0h，得第一中间体；
S2、二次混磨：按重量份计，取85-95份氧化锌原料、8-12份第一中间体与10-20份去离子水混合后，球磨1.0-1.5h，得第二中间体；
S3、续球磨：按重量份计，取70-90份第二中间体、50-60份去离子水和6-10份聚乙烯醇溶液，将第二中间体与去离子水混合后球磨1.5-2.0h，得球磨液，向球磨液中加入聚乙烯醇溶液，得混料，继续球磨0.5-1.5h并调节PH，得颗粒料浆；
S4、对颗粒浆料进行喷雾、干燥、造粒后得备用瓷料，将备用瓷料保压排气后，压制排胶，得第三中间体，对第三中间体烧结后放入小球磨罐球磨，球磨后清洗、脱水、烘干，得压敏电阻黑裸片，将压敏电阻黑裸片进行退火热处理后，进行还原处理，还原处理后上侧面绝缘釉、焊接铜导线电极，焊接铜导线电极后硫化、固化，制得压敏电阻芯片。
2.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述膨胀剂为膨胀石墨分散到表面活性剂中制成，所述表面活性剂为阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂中任意一种。
3.根据权利要求2所述的一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述膨胀剂为膨胀石墨分散到阴离子表面活性剂中制成，所述表面活性剂为CMN表面活性剂或CMC-Na表面活性剂中任意一种。
4.根据权利要求3所述的一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述膨胀剂为膨胀石墨分散到CMC-Na表面活性剂中制成，其制备过程包括如下步骤：
按重量份计，取20-30份膨胀石墨、1-2份CMC-Na表面活性剂和70-80份水混合后，超声处理，调节pH，得膨胀剂。
5.根据权利要求4所述的一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述CMC-Na表面活性剂在膨胀剂中的质量分数为1%-2%。
6.根据权利要求4所述的一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述膨胀剂的pH为7-9。
7.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述氧化锌原料为固含量为10%-25%的氧化锌溶胶。
8.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化锌压敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述分散剂为D-134分散剂。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113257506A (zh) * 2021-06-25 2021-08-13 深圳市中鹏电子有限公司 一种低电阻率的氧化锌压敏电阻及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4510112A (en) * 1983-01-21 1985-04-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for fabricating ZnO-based varistors
CN105001443A (zh) * 2015-08-04 2015-10-28 北京化工大学 一种膨胀石墨与氧化锌复合改性的聚氨酯海绵及其制备方法
CN105440657A (zh) * 2016-01-13 2016-03-30 南阳理工学院 一种外墙保温材料及其制备方法
CN106145926A (zh) * 2015-04-17 2016-11-23 汉能新材料科技有限公司 一种氧化锌电子陶瓷的制造方法
CN111029071A (zh) * 2019-12-31 2020-04-17 常州泰捷防雷科技有限公司 一种中电压梯度氧化锌压敏电阻mov芯片的制备方法
CN111285676A (zh) * 2020-02-24 2020-06-16 武汉理工大学 一种氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4510112A (en) * 1983-01-21 1985-04-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for fabricating ZnO-based varistors
CN106145926A (zh) * 2015-04-17 2016-11-23 汉能新材料科技有限公司 一种氧化锌电子陶瓷的制造方法
CN105001443A (zh) * 2015-08-04 2015-10-28 北京化工大学 一种膨胀石墨与氧化锌复合改性的聚氨酯海绵及其制备方法
CN105440657A (zh) * 2016-01-13 2016-03-30 南阳理工学院 一种外墙保温材料及其制备方法
CN111029071A (zh) * 2019-12-31 2020-04-17 常州泰捷防雷科技有限公司 一种中电压梯度氧化锌压敏电阻mov芯片的制备方法
CN111285676A (zh) * 2020-02-24 2020-06-16 武汉理工大学 一种氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113257506A (zh) * 2021-06-25 2021-08-13 深圳市中鹏电子有限公司 一种低电阻率的氧化锌压敏电阻及其制备方法

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