CN112448105A - 移相器及天线 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种移相器及天线，属于通信技术领域。本发明的移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的介质层；第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近介质层一侧的第一电极层；第二基板包括第二基底，设置在第二基底靠近介质层一侧的第二电极层和参考电压引入端，参考电压引入端与第二电极层连接；第一电极层和第二电极层中的一者包括主体结构、连接在主体结构长度方向上的分支结构；当第一电极层包括主体结构和分支结构时，分支结构背离主体结构的一端与第二电极层在第一基底上的正投影重叠；当第二电极层包括主体结构和分支结构时，分支结构背离主体结构的一端与第一电极层在第一基底上的正投影重叠。

Description

移相器及天线
技术领域
本发明属于通信技术领域，具体涉及一种移相器及天线。
背景技术
现今的液晶移相器结构，在对盒后的上玻璃基板引入周期性的贴片电容加载，可变电容的调节是通过调节异面两金属板上加载的电压差驱动液晶分子偏转，得到不同的液晶材料特性，对应到电容的容值可变。共表面波导(CPW)结构因其接地电极和信号电极在同一平面内，更易于结构的连接设计，可以省掉玻璃打孔的功能需求。
液晶盒内的CPW的信号电极与加载的周期贴片电容形成交叠电容，在两个平面形成电压差，该结构需要盒内贴片电容连接信号电极一侧接地电极，形成电流回路。目前的贴片电容和接地电极的导通方式是通过添加比盒厚稍大的金属球来实现，但由于掺杂浓度的限制，且粒子位置难以精准控制，特定区域的导电特性可控性较低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器及天线。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；其中，
所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述介质层一侧的第一电极层；所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的第二电极层和参考电压引入端，所述参考电压引入端与所述第二电极层连接；
所述第一电极层和所述第二电极层中的一者包括：主体结构，以及连接在所述主体结构长度方向上的分支结构；
当所述第一电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第二电极层在所述第一基底上的正投影重叠；
当所述第二电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影重叠。
可选地，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；
所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极；所述参考电压引入端与所述第一参考电极和所述第二参考电极连接；其中，
所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；
所述第一参考电极与所述第一分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠；
所述第二参考电极与所述第二分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠。
可选地，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：第一主体结构和第二主体结构；所述分支结构包括：第一分支结构和第二分支结构；其中，
所述第一分支结构连接在所述第一主体结构长度方向、且靠近所述第二主体结构的一侧；所述第二分支结构连接在所述第二主体结构长度方向、且靠近所述第一主体结构的一侧；
所述参考电压引入端与所述第一主体结构和所述第二主体结构连接；
所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一主体结构和所述第二主体结构在所述第一基底上的正投影之间；
所述第一电极层与所述第一分支结构背离所述第一主体结构的一端，以及与第二分支结构背离所述第二主体结构的一端，在所述第一基底上的正投影重叠。
可选地，所述第一分支结构和所述第二分支结构一一对应设置，且对应设置的第一分支结构和第二分支结构连接为一体成型结构。
可选地，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述主体结构长度方向、靠近所述第一电极层的一侧设置有所述分支结构，且所述分支结构靠近所述第一电极层的一端与所述第一电极层的在所述第一基底上的正投影重叠；所述参考电压引入端与所述主体结构连接。
可选地，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；
所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极，以及连接在所述第一参考电极靠近所述第二参考电极一侧的第三分支结构，连接在所述第二参考电极靠近所述第一参考电极一侧的第四分支结构；
所述参考电压引入端与所述第一参考电极和所述第二参考电极连接；
所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；
所述第一分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠；
所述第二分支结构与所述第四分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠。
可选地，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述分支结构长度方向上的一侧连接有分支结构；所述第二电极层包括：参考电极，以及连接所述参考电极靠近所述分支结构一侧的第三分支结构；且所述分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且二者在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；所述参考电压引入端与所述参考电极连接。
可选地，所述参考电压引入端包括地信号引入端。
可选地，
所述参考电压引入端通过信号连接线与所述第二电极层连接；其中，
所述信号连接线与所述参考电压引入端同层设置，且材料相同；或者，所述信号连接线与所述第二电极层同层设置，且材料相同。
可选地，所述主体结构和所述分支结构为一体成型结构。
可选地，位于所述主体结构同一侧的分支结构按照周期性排布。
可选地，所述介质层包括液晶分子。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种天线，其包括上述的移相器。
附图说明
图1为本发明实施例的第一种具体实现方式的液晶移相器的俯视图；
图2为图1的液晶移相器的截面图；
图3为本发明实施例的第一种具体实现方式的另一种液晶移相器的俯视图；
图4为本发明实施例的第二种具体实现方式的液晶移相器的俯视图；
图5为图4的液晶移相器的截面图；
图6为本发明实施例的第二种具体实现方式的另一种液晶移相器的俯视图；
图7为本发明实施例的第三种具体实现方式的液晶移相器的俯视图；
图8为图7的液晶移相器的截面图；图9为本发明实施例的第四种具体实现方式的液晶移相器的俯视图；
图10为图9的液晶移相器的截面图；
图11为本发明实施例的第四种具体实现方式的另一种液晶移相器的俯视图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明实施例提供一种移相器，其具体可以是一种共表面波导(CPW)型移相器。该移相器包括相对设置的第一基板、第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的介质层。其中，该介质层包括但不限于液晶分子。而当介质层为液晶分子时，该移相器则为一种液晶移相器，在下述实施例中以液晶移相器对本发明实施例的移相器进行具体说明。
具体的，本发明实施例中的移相器的第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近介质层一侧的第一电极层。
第二基板包括：第二基底没设置在第二基底靠近介质层一侧的第二电极层。
其中，第一电极层和第二电极层中的一者包括：主体结构，以及连接在主体结构长度方向上的分支结构；当第一电极层包括主体结构和分支结构时，分支结构背离主体结构的一端与第二电极层在第一基底上的正投影重叠；当第二电极层包括主体结构和分支结构时，分支结构背离主体结构的一端与第一电极层在第一基底上的正投影重叠。
特别的是，在第二基底上靠近介质层的一侧设置有参考电压引入端，且该参考电压引入端与第二电极层电连接，用以在给第二电极层输入微波信号时，以使主体结构、分支结构、第二电极层形成电流回路。
在此需要说明的是，在本发明实施例中第一电极层用以被输入微波信号，也就是说，由于第一电极层被输入微波信号，因此第二电极层作为参考电极。当第一电极层包括主体结构和分支结构时，第一电极层的分支结构与第二电极层在第二基底上投影存在交叠，此时，第二电极层作为参考电极，而在本实施例中第二电极层直接连接参考电压引入端，且通过参考电压引入端给第二电极层写入参考电压时，能够使得第一电极层的主体结构和分支结构与第二电极层形成电流回路，故无需将第二电极层如现有技术通过导电金球连接第一基板上的参考电压引入端(也即接地端)，故使得本发明实施例中液晶移相器的结构简单，且集成度高。
当然，也可以是第二电极层包括主体结构和分支结构，此时参考电压引入端则可以与主体结构连接，以使主体结构和分支结构、第一电极层形成电流回路。具体工作原理与上述原理相似，故在此不再重复赘述。
为了更清楚本发明实施例中的液晶移相器的结构，以下以第一电极层为信号电极，第二电极层为参考电极，且参考电压引入端与第二电极层同层设置为例进行说明。
第一种具体实现方式，如图1和2所示，液晶移相器包括相对设置第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层30。
其中，第一基板包括：第一基底10，设置在第一基底10靠近液晶层30一侧的信号电极1；该信号电极1包括主体结构11和分支结构；主体结构11包括沿其长度方向延伸、且相对设置的第一侧和第二侧；分支结构包括第一分支结构12和第二分支结构13；第一分支结构12连接在主体结构11的第一侧；第二分支结构13连接在主体结构11的第二侧。
第二基板包括：第二基底20，设置在第二基底20靠近液晶层30的参考电极2和参考电压引入端3；其中，参考电极2包括：间隔设置的第一参考电极21和第二参考电极22，且第一参考电极21和第二参考电极22在第一基底10上正投影将主体结构11在第一基底10上的正投影，限定在二者之间；第一参考电极21与第一分支结构12背离主体结构11的一端在第一基底10上的正投影存在交叠；第二参考电极22与第二分支结构13背离主体结构11的一端在第一基底10上的正投影存在交叠。
在此需要说明的是，第一参考电极21和第二参考电极22可以连接同一参考电压引入端3，也可以分别连接不同的参考电压引入端3，但应当理解的是，不管是连接同一参考电压引入端3，还是连接不同的参考电压引入端3，第一参考电极21和第二参考电极22被输入的参考电压信号通常是相同，且能够使得信号电极1在被输入微波信号时，通过加载信号电极1和参考电极2(第一参考电极21和第二参考电极22)上电压存在一定的压差，而使得信号电极1的分支结构(第一分支结构12和第二分支结构13)与参考电极2交叠所形成的液晶电容中的液晶层的介电常数发生改变，以改变微波信号的相位。
在此需要说明的是，第一基板上设置有信号电压引入端，该信号电压引入端是通过信号连接线与信号电极1连接的，用以为信号电极1提供信号电压，该信号电压与参考电压的电压值是不同的。
其中，信号电极1的第一分支结构12和第二分支结构13均呈周期性排布。也就是说，第一分支结构12和第二分支结构13沿主体结构对称设置；任意两相邻的第一分支结构12之间的间距相同，或者按照一定规律单调增或者单调减；同理，任意两相邻的第二分支结构13之间的间距相同，或者按照一定规律单调增或者单调减。这样一来，可以在给信号电极1、参考电极2(第一参考电极21和第二参考电极22)施加电压时，使得二者之间液晶层30的介电常数呈一定规律的变化，方便对微波信号的移相度的控制。当然，任意两相邻的第一分支结构12之间的间距也可以是不同的，且不具有一定的排布规律；各个第一分支结构12与第一参考电极21在第一基底10上的正投影的交叠面积也可以是不同的；同理，任意两相邻的第二分支结构12之间的间距也可以是不同的，且不具有一定的排布规律；各个第二分支结构12与第二参考电极21在第一基底10上的正投影的交叠面积也可以是不同的。
同时，应当理解的是，如图3所示，信号电极1也可以仅包括第一分支结构12和第二分支结构13中的一者，以及主体结构11；而在信号电极1仅包括第一分支结构12时，参考电极2则仅包括第一参考电极21；在信号电极1仅包括第二分支结构13时，参考电极1则仅包括第二参考电极22。该种结构的液晶移相器的工作原理与上述移相器的工作原理大致相同，在此不再详细描述。
第二种具体实现方式，如图4和5所示，液晶移相器包括相对设置第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层30。
其中，第一基板包括：第一基底10，设置在第一基底10靠近液晶层30一侧的信号电极1。
第二基板包括：第二基底20，设置在第二基底20靠近液晶层30一侧的参考电极2和参考电压引入端3；该参考电极2包括第一参考电极21和第二参考电极22；其中，第一参考电极21包括：第一主体结构211，以及连接在第一主体结构211连接在信号电极1一侧的第一分支结构212；第二参考电极22包括第二主体结构221，以及连接在第二主体结构221靠近信号电极1一侧的第二分支结构222；第一主体结构211和第二主体结构221均与参考电压引入端3连接。应当理解的是，将第一分支结构212和第二分支结构222均与参考电压引入端3连接也是可行的。
在此需要说明的是，第一基板上设置有信号电压引入端，该信号电压引入端是通过信号连接线与信号电极1连接的，用以为信号电极1提供信号电压，该信号电压与参考电压的电压值是不同的。
第一主体结构211和第二主体结构221在第一基底10上的正投影，将信号电极1在第一基底10上的正投影限定在二者之间；第一分支结构212和第二分支结构均222与信号电极1在第一基底10上的正投影存在交叠。这样一来，当信号电极1被输入微波信号时，可以通过加载在信号电极1、第一分支结构212和第二分支结构222上的电压，以使信号电极1分别与第一分支结构212和第二分支结构222形成的液晶电容中的液晶层30的介电常数发生改变，以改变微波信号的相位。
其中，第一参考电极21的第一分支结构212和第二参考电极22的第二分支结构222均呈周期性排布。也就是说，任意两相邻的第一参考电极的第一分支结构212之间的间距相同，或者按照一定规律单调增或者单调减；同理，任意两相邻的第二参考电极的第二分支结构222之间的间距相同，或者按照一定规律单调增或者单调减。这样一来，可以在给信号电极、参考电极(第一参考电极和第二参考电极)施加电压时，使得二者之间液晶层30的介电常数呈一定规律的变化，方便对微波信号的移相度的控制。当然，任意两相邻的第一分支结构12之间的间距也可以是不同的，且不具有一定的排布规律；各个第一分支结构12与第一参考电极21在第一基底10上的正投影的交叠面积也可以是不同的；同理，任意两相邻的第二分支结构12之间的间距也可以是不同的，且不具有一定的排布规律；各个第二分支结构12与第二参考电极21在第一基底10上的正投影的交叠面积也可以是不同的。
与上述结构相似，在本发明实施例中，液晶移相器的第二基板上，仅在参考电极2的主体结构长度方向、靠近信号电极1的一侧设置有所述分支结构，且分支结构靠近信号电极1的一端与信号电极1的在第一基底10上的正投影重叠；参考电压引入端3与主体结构连接。具体的，如图6所示，参考电极2可以仅包括第一参考电极21，也即包括第一主体结构211和第一分支结构212；或者参考电极2仅包括第二参考电极22，也即包括第二主体结构221和第二分支结构222；以参考电极2仅包括第一主体结构211和第一分支结构212为例，此时，第一分支结构212背离参考电极2的一端与信号电极1在基底上的投影重叠；参考电压引入端3连接第一参考电极21。该种结构的液晶移相器的工作原理与上述移相器的工作原理大致相同，在此不再详细描述。
第三种具体实现方式，如图7和8所示，该种液晶移相器与上述的第二种具体实现方式中的液晶移相器的结构大致相似，区别仅在于，该液晶移相器的连接在第一参考电极21的第一分支结构212和第二参考电极22的第二分支结构222一一对应设置，且对应设置的第一分支结构212和第二分支结构222连接为一体成型结构。此时仅需将参考电压引入端3连接在第一主体结构211和第二主体结构221中的一者上即可。而该种液晶移相器与上述的第二种具体实现方式中的液晶移相器的工作原理是相同，故在不再赘述。
第四种具体实现方式，如图9和10所示，液晶移相器包括相对设置第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层30。
其中，第一基板包括：第一基底10，设置在第一基底10靠近液晶层30一侧的信号电极1；该信号电极1包括主体结构11和分支结构；主体结构11包括沿其长度方向延伸、且相对设置的第一侧和第二侧；分支结构包括第一分支结构12和第二分支结构13；第一分支结构12连接在主体结构11的第一侧；第二分支结构13连接在主体结构11的第二侧。
第二基板包括：第二基底20，设置在第二基底20靠近液晶层30的参考电极2和参考电压引入端3；其中，参考电极2包括：间隔设置的第一参考电极21和第二参考电极22，连接在第一参考电极21靠近主体结构11一侧的第三分支结构23，连接在第二参考电极22靠近主体结构11一侧的第四分支结构24。
其中，第一参考电极21和第二参考电极22在第一基底10上正投影将主体结构11在第一基底10上的正投影，限定在二者之间；第一分支结构12与第三分支结构23一一对应设置，且二者在第一基底10上的正投影至少部分重叠；第二分支结构12与第四分支结构24一一对应设置，且二者在第一基底10上的正投影至少部分重叠。第一参考电极21和第二参考电极22可以连接同一参考电压引入端3，也可以分别连接不同的参考电压引入端3，但应当理解的是，无论是连接同一参考电压引入端3还是不同的参考电压引入端3，第一参考电极21和第二参考电极22被输入的参考电压信号通常是相同，且能够使得信号电极1在被输入微波信号时，通过加载信号电极1和参考电极2(第一参考电极21和第二参考电极22)上电压存在一定的压差，而使得第一分支结构12和第三分支结构23极交叠所形成的液晶电容，以及第二分支结构13和第四分支结构24极交叠所形成的液晶电容中的液晶层30的介电常数发生改变，以改变微波信号的相位。
其中，信号电极1的第一分支结构12和第二分支结构13(第三分支结构23和第四分支结构24)均呈周期性排布。也就是说，第一分支结构12和第二分支结构13沿主体结构11对称设置；任意两相邻的第一分支结构12之间的间距相同，或者按照一定规律单调增或者单调减；同理，任意两相邻的第二分支结构13之间的间距相同，或者按照一定规律单调增或者单调减。这样一来，可以在给信号电极1、参考电极2(第一参考电极21和第二参考电极22)施加电压时，使得二者之间液晶层30的介电常数呈一定规律的变化，方便对微波信号的移相度的控制。当然，任意两相邻的第一分支结构12之间的间距也可以是不同的，且不具有一定的排布规律；各个第一分支结构12与第三分支结构23在第一基底10上的正投影的交叠面积也可以是不同的；同理，任意两相邻的第二分支结构12之间的间距也可以是不同的，且不具有一定的排布规律；各个第二分支结构12与第四分支结构24在第一基底10上的正投影的交叠面积也可以是不同的。
与上述结构相似，在本发明实施例中，仅在信号电极1的分支结构长度方向上的一侧连接有分支结构；在参考电极2靠近分支结构一侧的第三分支结构；且分支结构与第三分支结构一一对应设置，且二者在第一基底10上的正投影至少部分重叠；参考电压引入端3与参考电极2连接。具体的，如图11所示，信号电极1也可以仅包括第一分支结构12和第二分支结构13中的一者，以及主体结构11；而在信号电极仅包括第一分支结构12时，参考电极2则仅包括第一参考电极21和第三分支结构23；在信号电极1仅包括第二分支结构22时，参考电极2则仅包括第二参考电极22和第四分支结构24；以信号电极1包括主体结构11和第一分支结构12，参考电极包括第一参考电极21和第三分支结构23为例；此时第一分支结构12和第三分支结构23一一对应设置，且二者在基底上的投影至少部分重叠；参考电压引入端3连接第一参考电极21。该种结构的液晶移相器的工作原理与上述移相器的工作原理大致相同，在此不再详细描述。
在本发明的一些实施例中，若参考电压引入端3设置在第一基底10上，参考电压引入端3通过信号连接线与第一电极层连接，且信号连接线与参考电压引入端3同层设置，且材料性同；或者信号连接线与第一电极层同层设置，且材料性同。若参考电压引入端3设置在第二基底20上，参考电压引入端3通过信号连接线与第二电极层连接，且信号连接线与参考电压引入端3同层设置，且材料性同；或者信号连接线与第二电极层同层设置，且材料性同。这样一来，可以使得移相器的结构更加轻薄化，且能够降低移相器的生成成本，提高生产效率。其中，本发明实施例中的参考电压引入端通常采用金属材料，例：如铜；第一电极层和第二电极层通常采用透明导电材料，例如：氧化铟锡。
在本发明的一些实施例中，上述的主体结构和与之连接分支结构为一体成型结构，这样一来，可以采用一次制备工艺同时完成主体结构和与之连接分支结构的制备，从而降低移相器的生成成本，提高生产效率。
在本发明的一些实施例中，上述的参考电压引入端具体可以是地信号引入端，也即将地信号作为参考信号。当然，应当理解的是，只要是在移相器工作时，能够使得第一电极层和第二电极层之间存在一定电压差，使得第一电极层和第二电极层形成电流回路的任何参考电压均能够作为参考电压引入端所引入的信号。
在本发明的一些实施例中，介质层的材料包括液晶分子；此时，液晶介质层中的液晶分子为正性液晶分子或负性液晶分子，需要说明的是，当液晶分子为正性液晶分子时，本发明具体实施例液晶分子长轴方向与第二电极之间的夹角小于等于45°。当液晶分子为负向液晶分子时，本发明具体实施例液晶分子长轴方向与第二电极之间的夹角大于度小于90°，保证了液晶分子发生偏转后，改变液晶层的介电常数，以达到移相的目的。
本发明实施例还提供一种天线，该天线包括上述的任意一种移相器。其中，在第二基底的背离液晶介质层的一侧还设置有至少两个贴片单元，其中，每两个贴片单元之间的间隙与电极条之间的间隙对应设置。这样一来，可以使得经过上述的任意一种移相器进行相位调整后的微波信号从贴片单元之间的间隙辐射出去。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；其中，
所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述介质层一侧的第一电极层；
所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的第二电极层和参考电压引入端，所述参考电压引入端与所述第二电极层连接；
所述第一电极层和所述第二电极层中的一者包括：主体结构，以及连接在所述主体结构长度方向上的分支结构；
当所述第一电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第二电极层在所述第一基底上的正投影重叠；
当所述第二电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影重叠。
2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；
所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极；所述参考电压引入端与所述第一参考电极和所述第二参考电极连接；其中，
所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；
所述第一参考电极与所述第一分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠；
所述第二参考电极与所述第二分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠。
3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：第一主体结构和第二主体结构；所述分支结构包括：第一分支结构和第二分支结构；其中，
所述第一分支结构连接在所述第一主体结构长度方向、且靠近所述第二主体结构的一侧；所述第二分支结构连接在所述第二主体结构长度方向、且靠近所述第一主体结构的一侧；
所述参考电压引入端与所述第一主体结构和第二主体结构连接；
所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一主体结构和所述第二主体结构在所述第一基底上的正投影之间；
所述第一电极层与所述第一分支结构背离所述第一主体结构的一端，以及与第二分支结构背离所述第二主体结构的一端，在所述第一基底上的正投影重叠。
4.根据权利要求3所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构一一对应设置，且对应设置的第一分支结构和第二分支结构连接为一体成型结构。
5.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述主体结构长度方向、靠近所述第一电极层的一侧设置有所述分支结构，且所述分支结构靠近所述第一电极层的一端与所述第一电极层的在所述第一基底上的正投影重叠；所述参考电压引入端与所述主体结构连接。
6.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；
所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极，以及连接在所述第一参考电极靠近所述第二参考电极一侧的第三分支结构，连接在所述第二参考电极靠近所述第一参考电极一侧的第四分支结构；
所述参考电压引入端与所述第一参考电极和所述第二参考电极连接；
所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；
所述第一分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠；
所述第二分支结构与所述第四分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠。
7.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述分支结构长度方向上的一侧连接有分支结构；所述第二电极层包括：参考电极，以及连接所述参考电极靠近所述分支结构一侧的第三分支结构；且所述分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且二者在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；所述参考电压引入端与所述参考电极连接。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的移相器，其特征在于，所述参考电压引入端包括地信号引入端。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的移相器，其特征在于，所述参考电压引入端通过信号连接线与所述第二电极层连接；其中，
所述信号连接线与所述参考电压引入端同层设置，且材料相同；或者，所述信号连接线与所述第二电极层同层设置，且材料相同。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的移相器，其特征在于，所述主体结构和所述分支结构为一体成型结构。
11.根据权利要求1-7中任一项所述的移相器，其特征在于，位于所述主体结构同一侧的分支结构按照周期性排布。
12.根据权利要求1-7中任一项所述的移相器，其特征在于，所述介质层包括液晶分子。
13.一种天线，其特征在于，包括权利要求1-12中任一项所述的移相器。
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