CN117317545A - 移相器及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种移相器及电子设备，属于通信技术领域，其中移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，设置在第一基板和第二基板之间的可调电介质层；第一基板包括第一介质基板，设置在第一介质基板靠近可调电介质层一侧的第一电极层；第一电极层包括并排设置的第一传输线和第二传输线，至少一个第一电极设置在两者之间；第二基板包括第二介质基板，设置在第二介质基板靠近可调电介质层一侧的第二电极层；第二电极层包括至少一个第二电极和至少一个第三电极；第一电极相对设置第一端部和第二端部；一个第一电极的第一端部和第一传输线与一个第一电极的第二端部和第二传输线分别与同一第二电极和同一第三电极在第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
Description
技术领域
本公开属于通信技术领域，具体涉及一种移相器及电子设备。
背景技术
移相器在通信领域中的多种电子设备中都有所使用，以相控阵天线为例，凭借其快速波束扫描等优良特性在现代无线通信系统中占有重要地位，移相器作为相控阵天线中的重要组成部分，其结构与性能直接影响整个相控阵天线的表现，因此设计一款结构紧凑，设计灵活的移相器非常有必要。
移相器需要用到很多的匹配支节，涉及到很多尺寸很小的电容，而这些小尺寸的电容的制作公差会影响电容大小，从而影响移相器的性能及一致性，并且对实际的生产加工影响较大。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器及电子设备。
第一方面，本公开实施例提供一种移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的可调电介质层；
所述第一基板包括第一介质基板，设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层一侧的第一电极层；所述第一电极层包括并排设置的第一传输线和第二传输线，以及设置在第一传输线和第二传输线之间的至少一个第一电极；
所述第二基板包括第二介质基板，设置在所述第二介质基板靠近所述可调电介质层一侧的第二电极层；所述第二电极层包括至少一个第二电极和至少一个第三电极；其中，
所述第一电极包括相对设置的第一端部和第二端部；一个所述第一电极的第一端部和所述第一传输线均与同一所述第二电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠；一个所述第一电极的第二端部和所述第二传输线均与同一所述第三电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
其中，所述第一传输线包括第一主体部，以及连接在所述第一主体部延伸方向上的至少一个第一枝节；所述第一枝节位于所述第一主体部靠近所述第一电极的一侧；一个所述第一枝节和一个所述第一电极的第一端部与同一所述第二电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
其中，所述第一传输线包括第一主体部，以及连接在所述第一主体部延伸方向上的至少一个第一枝节；所述第一枝节位于所述第一主体部靠近所述第一电极的一侧；所述第一主体部、一个所述第一枝节和一个所述第一电极的第一端部与同一所述第二电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
其中，所述第二传输线包括第二主体部，以及连接在所述第二主体部延伸方向上的至少一个第二枝节；所述第二枝节位于所述第二主体部靠近所述第一电极的一侧；一个所述第二枝节和一个所述第一电极的第二端部与同一所述第二电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
其中，所述第二传输线包括第二主体部，以及连接在所述第二主体部延伸方向上的至少一个第二枝节；所述第二枝节位于所述第二主体部靠近所述第一电极的一侧；所述第二主体部、一个所述第二枝节和一个所述第一电极的第二端部与同一所述第二电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
其中，所述第一电极的数量为多个，且相邻设置的第一电极之间的间距相等。
其中，所述第一电极的第一端部与所述第二电极在第一介质基板上的正投影的交叠面积，与所述第一电极的第二端部与所述第三电极在所述第一介质基板上的正投影的交叠面积相等。
其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极的数量均为多个；所述第二电极与所述第一传输线在所述第一介质基板上的交叠面积相等，和/或所述第三电极与所述第二传输线在所述第一介质基板上的交叠面积相等。
其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极的数量均为多个；所述第二电极与所述第一电极的第一端部在所述第一介质基板上的交叠面积相等，和/或所述第三电极与所述第一电极的第二端部在所述第一介质基板上的交叠面积相等。
其中，所述可调电介质层包括液晶层。
第二方面，本公开实施例提供一种电子设备，其包括上述任一所述移相器。
其中，所述电子设备还包括设置在所述第一介质基板背离所述可调电介质层一侧的参考电极层。
附图说明
图1为一种现有技术中示例性的液晶移相器；
图2为图1的A-A＇的剖面图；
图3为本公开实施例的第一种移相器的俯视图；
图4为图3所示的移相器的第一基板的俯视图；
图5为图3所示的移相器的第二基板的俯视图；
图6为图3的B-B＇的剖面图；
图7为本公开实施例的第二种移相器的局部示意图；
图8为图7所示的移相器的第一基板的俯视图；
图9为图7所示的移相器的第二基板的俯视图；
图10为图7的C-C＇的剖面图；
图11为本公开实施例的第三种移相器的局部示意图；
图12为图11所示的移相器的第一基板的俯视图；
图13为图11所示的移相器的第二基板的俯视图；
图14为图11的D-D＇的剖面图；
图15为本公开实施例的多个第一电极的局部示意图；
图16为图15所示的移相器的第一基板的俯视图；
图17为图15所示的移相器的第二基板的俯视图；
图18为图15的E-E＇的剖面图；
图19为本公开实施例的多个第一电极、第二电极和第三电极的局部示意图；
图20为图19所示的移相器的第一基板的俯视图；
图21为图19所示的移相器的第二基板的俯视图；
图22为图19的F-F＇的剖面图；
其中附图标记为：第一介质基板10；第二介质基板20；可调电介质层30；第一传输线11；第二传输线12；第一主体部111；第一枝节112；第二主体部121；第二枝节122；第一电极21；第二电极22；第三电极23；贴片结构24。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种现有技术中示例性的液晶移相器；图2为图1的A-A＇的剖面图；如图1和2所示，该移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的可调介质层30。第一基板包括第一介质基板10，设置在第一介质基板10靠近可调电介质层30一侧的第一电极层。其中，第一电极层包括并排设置、且沿微波信号传输方向延伸的第一传输线11和第二传输线12。第二基板包括与第一介质基板10相对设置的第二介质基板20，以及设置在第二介质基板20上的沿微波信号传输方向并排设置的多个贴片结构24。各贴片结构24的两个端部分别与第一传输线11和第二传输线12在第一介质基板10上的正投影至少部分重叠，故贴片结构24分别与第一传输线11、第二传输线12形成多个电容。在该种情况下，可以给第一传输线11、第二传输线12和贴片结构24上施加直流偏置电压，以控制可调电介质层30的介电常数，从而调节单位长度的总电容，进而达到对第一传输线11和第二传输线12输出微波信号的移相作用。现有技术中，移相器包括多个电容，通常采用小尺寸电容，在移相器的生产制作过程中，这些小尺寸电容的制作公差会影响电容大小，使各电容的电容量有所差异，从而影响移相器的性能以及一致性。
移相器在通信领域中的多种电子设备中都有所使用，以相控阵天线为例，移相器作为相控阵天线中的重要组成部分，其结构与性能直接影响整个相控阵天线的表现。因此需要一款结构紧凑，设计灵活的移相器，更加可靠的移相器。因此，需要提高移相器的性能和一致性，以及使用寿命。
鉴于此，本公开实施例提供一种移相器，采用两个或多个大电容串联替代一个小尺寸电容，以此降低电容在制作过程中的公差对移相器产品一致性的影响，提升移相器性能；并且由于采用了大电容，使电容附近的电流密度相较于采用小电容时，电容附近的电流密度有所减少，从而增加了移相器的寿命。
以下结合附图和具体实施例对本公开实施例的移相器进行说明。
本公开实施例提供的第一种移相器，图3为本公开实施例的第一种移相器的俯视图；图4为图3所示的移相器的第一基板的俯视图；图5为图3所示的移相器的第二基板的俯视图；图6为图3的B-B＇的剖面图；如图3-6所示，本申请中的移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的可调电介质层30。第一基板包括第一介质基板10，第二基板包括第二介质基板20；第一电极层设置在第一介质基板10靠近可调电介质层30一侧，第二电极层设置在第二介质基板20靠近可调电介质层30一侧。第一电极层包括并排设置的第一传输线11和第二传输线12，以及设置在第一传输线11和第二传输线12之间的至少一个第一电极21；第二电极层包括至少一个第二电极22和至少一个第三电极23。
需要说明的是，在本公开实施例中位于第二介质基板20的第二电极22和第三电极23位于第一介质基板10上的正投影面积，大于如图1所示的贴片电极24位于第一介质基板10上的正投影面积；在本公开实施例中第一介质基板10上还包括第一电极21，因此与第二介质基板20上第二电极22和第三电极23的正相对面积，大于如图1所示的贴片电极24与第一传输线11和第二传输线12正相对面积。本申请中由于可形成电容的电极面积增大，可以通过调整各重叠部分相对面积的大小调整电容大小，使移相器的设计更加灵活，由于增大了电容的电极面积，降低了电容附近的电流密度，进而降低了移相器在工作时产生的热量，增加了移相器的使用寿命。
进一步的，第一电极21包括相对设置的第一端部和第二端部；一个第一电极21的第一端部和第一传输线11均与同一第二电极22在第一介质基板10上的正投影至少部分重叠；一个第一电极21的第二端部和第二传输线12均与同一第三电极23在第一介质基板10上的正投影至少部分重叠。第一传输线11和第二电极22的正相对部分形成一个电容，第一电极21的第一端部与第二电极22的正相对部分形成一个电容，第一电极21的第二端部与第三电极23的正相对部分形成一个电容，第二传输线12和第三电极23的正相对部分形成一个电容。与第二电极22正相对的第一电极21的第一端部和第一传输线11所形成的两电容并联形成一个大电容，与第三电极23正相对的第一电极21的第二端部和第二传输线12所形成的两电容并联形成一个大电容，两个大电容彼此串联，形成适用于移相器的小电容。使用大电容串联等效成小电容的方法，减少了小电容制作公差对移相器一致性的影响，提高了产品一致性。
本公开实施例提供的第二种移相器，图7为本公开实施例的第二种移相器的局部示意图；图8为图7所示的移相器的第一基板的俯视图；图9为图7所示的移相器的第二基板的俯视图；图10为图7的C-C＇的剖面图；如图7-10所示，第一传输线11包括第一主体部111，以及连接在第一主体部111延伸方向上的至少一个第一枝节112，第一枝节112位于第一主体部111靠近第一电极21的一侧；第二传输线12包括第二主体部121，以及连接在第二主体部121延伸方向上的至少一个第二枝节122，第二枝节122位于第二主体部121靠近第一电极21的一侧。第一主体部111、一个第一枝节112和一个第一电极21的第一端部与同一第二电极22在第一介质基板10上的正投影至少部分重叠。第二主体部121、一个第二枝节122和一个所述第一电极21的第二端部与同一第三电极23在第一介质基板10上的正投影至少部分重叠。
进一步的，第一主体部111和第一枝节112与第二电极22正相对部分形成一个电容，第一电极21第一端部和第二电极22的正相对部分形成一个电容，两电容并联形成一个大电容；第二主体部121和第二枝节122与第三电极23正相对部分形成一个电容，第一电极21第二端部和第三电极23的正相对部分形成一个电容，两电容并联形成一个大电容；两部分并联电容彼此串联，等效成适用于移相器的小电容。通过在第一传输线11和第二传输线12的的主体结构上设置分枝结构，增大了第一传输线11和第二传输线12可形成电容的面积。
本公开实施例提供的第三种实施例，图11为本公开实施例的第三种移相器的局部示意图；图12为图11所示的移相器的第一基板的俯视图；图13为图11所示的移相器的第二基板的俯视图；图14为图11的D-D＇的剖面图；如图11-14所示，第一传输线11包括第一主体部111，以及连接在第一主体部111延伸方向上的至少一个第一枝节112，第一枝节112位于第一主体部111靠近第一电极21的一侧；第二传输线12包括第二主体部121，以及连接在第二主体部121延伸方向上的至少一个第二枝节122位于第二主体部121靠近第一电极21的一侧。一个第一枝节112和一个第一电极21的第一端部与同一第二电极22在第一介质基板10上的正投影至少部分重叠。一个第二枝节122和一个第一电极21的第二端部与同一所述第三电极23在第一介质基板10上的正投影至少部分重叠。
进一步的，第一枝节112与第二电极22正相对部分形成一个电容，第一电极21第一端部和第二电极22的正相对部分形成一个电容，两电容并联形成一个大电容；第二枝节122与第三电极23正相对部分形成一个电容，第一电极21第二端部和第三电极23的正相对部分形成一个电容，两电容并联形成一个大电容；两部分大电容彼此串联，等效成适用于移相器的小电容。第一传输线11和第二传输线12的第一主体部111和第二主体部121不再用作电容的一部分，仅靠第一枝节112和第二枝节122与第二电极层的第二电极22和第三电极23形成电容，因此本公开实施中适当地增大第一枝节112和第二枝节122的面积。
需要说明的是，本公开实施例中，不对第一主体部111和第二主体部与第一枝节112和第二枝节122的面积比例，以及材料和制作流程做进一步的限定。
在一些示例中，图15为本公开实施例的多个第一电极的局部示意图；图16为图15所示的移相器的第一基板的俯视图；图17为图15所示的移相器的第二基板的俯视图；图18为图15的E-E＇的剖面图；如图15-18所示，在第一介质基板10的第一电极层上，第一电极21可以并排设置多个，且相邻的第一电极21之间的距离相等。以并排设置三个第一电极21为例，第二电极22分别于第一传输线11、靠近第一传输线11的第一电极21和中间的第一电极21的第一端部形成三个并联的电容，第三电极23分别于第二传输线12、靠近第二传输线12的第一电极21和中间的第一电极21的第二端部形成三个并联的电容，两部分并联电容彼此串联，等效为适用于移相器的小电容。通过在第一电极层设置多个第一电极21，增大了第一介质基板10上可形成电容的电极面积，进一步的降低制作公差对移相器一致性的影响。
在一些示例中，图19为本公开实施例的多个第一电极、第二电极和第三电极的局部示意图；图20为图19所示的移相器的第一基板的俯视图；图21为图19所示的移相器的第二基板的俯视图；图22为图19的F-F＇的剖面图；如图19-22所示，在第一介质基板10的第一电极层上，第一电极21可以并排设置多个，且相邻的第一电极21之间的距离相等。第二电极22可以并排设置多个，且相邻的第二电极22之间的距离相等。第三电极23可以并排设置多个，且相邻的第三电极23之间的距离相等。以并排设置三个第一电极21、两个第二电极22和两个第三电极23为例，靠近第一传输线11的第二电极22分别于第一传输线11和靠近第一传输线11的第一电极21的第一端部形成两个并联的电容，远离第一传输线11的第二电极22分别于靠近第一传输线11的第一电极21的第二端部和中间的第一电极21的第一端部形成两个并联的电容，靠近第二传输线12的第三电极23分别于第二传输线12和靠近第二传输线12的第一电极21的第二端部形成两个并联的电容，远离第二传输线12的第三电极23分别于靠近第二传输线12的第一电极21的第一端部和中间的第一电极21的第二端部形成两个并联的电容，四部分并联电容彼此串联，等效为适用于移相器的小电容。通过在第一电极层和第二电极层设置多个第一电极21、第二电极22和第三电极23，增大了第一介质基板10和第二介质基板20上可形成电容的电极面积，进一步的降低制作公差对移相器一致性的影响。
需要说明的是，前述所有公开实施例中，所有第一电极21的第一端部均在靠近第一传输线11一侧，第一电极21的第二端部均在靠近第二传输线12一侧。
在一些示例中，第一电极21的第一端部与第二电极22在第一介质基板10上的正投影的交叠面积，与第一电极21的第二端部与第三电极23在所述一介质上的正投影的交叠面积相等。
在一些示例中，第一电极21、第二电极22和第三电极23的数量均为多个；第二电极22与第一传输线11在第一介质基板10上的交叠面积相等，和/或第三电极23与第二传输线12在第一介质基板10上的交叠面积相等。
在一些示例中，第一电极21、第二电极22和第三电极23的数量均为多个；第二电极22与第一电极21的第一端部在第一介质基板10上的交叠面积相等，和/或第三电极23与第一电极21的第二端部在第一介质基板10上的交叠面积相等。
需要说明的是，第一电极21的第一端部与第二电极22在第一介质基板10上的正投影的交叠面积，与第一电极21的第二端部与第三电极23在所述第一介质板10上的正投影的交叠面积，第二电极22与第一传输线11在第一介质基板10上的交叠面积，第三电极23与第二传输线12在第一介质基板10上的交叠面积，第二电极22与第一电极21的第一端部在第一介质基板10上的交叠面积，第三电极23与第一电极21的第二端部在第一介质基板10上的交叠面积，各交叠面积的大小和各交叠面积的比例在本公开实施例中不做进一步的限定，可以根据具体产品进行调整。
在一些示例中，可调电介质层30包括液晶层。液晶层在第一电极层和第二电极层所形成的各个电容之间，形成电场，以驱动液晶层的液晶分子偏转，改变液晶层的介电常数，从而实现对第一传输线11和第二传输线12所传输的微波信号进行移相。
在一些示例中，第一介质基板10和第二介质基板20的材料包括但不限于石英、玻璃等具有较低微波损耗的硬性材质。
在一些示例中，对于第一电极层和第二电极层的材料均可以采用铜、金、银等低电阻、低损耗金属，均可采用磁控溅射、热蒸镀、电镀等方式制备。
本公开实施例还提供了一种电子设备，其包括天线，天线包括上述的任一移相器。
在一些示例中，为使电子设备的正常工作，需要在第一介质基板10背离可调电介质层30一侧的设置参考电极层，作为金属参考地使用。
本公开实施例的电子设备可以是需要使用移相器的各种设备，例如：相控阵天线。
本公开实施的电子设备，采用本公开前述的移相器，由于在制作中将小电容替换为多个串联的大电容，降低了产品的公差，提高了产品的一致性；并且由于采用大电容，使电容附近的电流密度有所下降，一定程度上降低了电子设备的发热，使电子设备的寿命有所延长。
该电子设备中的天线还包括收发单元、射频收发机、信号放大器、功率放大器、滤波单元。该天线可以作为发送天线，也可以作为接收天线。其中，收发单元可以包括基带和接收端，基带提供至少一个频段的信号，例如提供2G信号、3G信号、4G信号、5G信号等，并将至少一个频段的信号发送给射频收发机。而通信系统中的透明天线接收到信号后，可以经过滤波单元、功率放大器、信号放大器、射频收发机(图中未示)的处理后传输给收发单元中的接收端，接收端例如可以为智慧网关等。
进一步地，射频收发机与收发单元相连，用于调制收发单元发送的信号，或用于解调透明天线接收的信号后传输给收发单元。具体地，射频收发机可以包括发射电路、接收电路、调制电路、解调电路，发射电路接收基底提供的多种类型的信号后，调制电路可以对基带提供的多种类型的信号进行调制，再发送给天线。而透明天线接收信号传输给射频收发机的接收电路，接收电路将信号传输给解调电路，解调电路对信号进行解调后传输给接收端。
进一步地，射频收发机连接信号放大器和功率放大器，信号放大器和功率放大器再连接滤波单元，滤波单元连接至少一个天线。在通信系统进行发送信号的过程中，信号放大器用于提高射频收发机输出的信号的信噪比后传输给滤波单元；功率放大器用于放大射频收发机输出的信号的功率后传输给滤波单元；滤波单元具体可以包括双工器和滤波电路，滤波单元将信号放大器和功率放大器输出的信号进行合路且滤除杂波后传输给透明天线，天线将信号辐射出去。在通信系统进行接收信号的过程中，天线接收到信号后传输给滤波单元，滤波单元将天线接收的信号滤除杂波后传输给信号放大器和功率放大器，信号放大器将天线接收的信号进行增益，增加信号的信噪比；功率放大器将天线接收的信号的功率放大。天线接收的信号经过功率放大器、信号放大器处理后传输给射频收发机，射频收发机再传输给收发单元。
在一些示例中，信号放大器可以包括多种类型的信号放大器，例如低噪声放大器，在此不做限制。
在一些示例中，本公开实施例提供的天线还包括电源管理单元，电源管理单元连接功率放大器，为功率放大器提供用于放大信号的电压。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的可调电介质层；
所述第一基板包括第一介质基板，设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层一侧的第一电极层；所述第一电极层包括并排设置的第一传输线和第二传输线，以及设置在第一传输线和第二传输线之间的至少一个第一电极；
所述第二基板包括第二介质基板，设置在所述第二介质基板靠近所述可调电介质层一侧的第二电极层；所述第二电极层包括至少一个第二电极和至少一个第三电极；其中，
所述第一电极包括相对设置的第一端部和第二端部；一个所述第一电极的第一端部和所述第一传输线均与同一所述第二电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠；一个所述第一电极的第二端部和所述第二传输线均与同一所述第三电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一传输线包括第一主体部，以及连接在所述第一主体部延伸方向上的至少一个第一枝节；所述第一枝节位于所述第一主体部靠近所述第一电极的一侧；一个所述第一枝节和一个所述第一电极的第一端部与同一所述第二电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
3.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一传输线包括第一主体部，以及连接在所述第一主体部延伸方向上的至少一个第一枝节；所述第一枝节位于所述第一主体部靠近所述第一电极的一侧；所述第一主体部、一个所述第一枝节和一个所述第一电极的第一端部与同一所述第二电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
4.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第二传输线包括第二主体部，以及连接在所述第二主体部延伸方向上的至少一个第二枝节；所述第二枝节位于所述第二主体部靠近所述第一电极的一侧；一个所述第二枝节和一个所述第一电极的第二端部与同一所述第三电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
5.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第二传输线包括第二主体部，以及连接在所述第二主体部延伸方向上的至少一个第二枝节；所述第二枝节位于所述第二主体部靠近所述第一电极的一侧；所述第二主体部、一个所述第二枝节和一个所述第一电极的第二端部与同一所述第三电极在所述第一介质基板上的正投影至少部分重叠。
6.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极的数量为多个，且相邻设置的第一电极之间的间距相等。
7.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极的第一端部与所述第二电极在第一介质基板上的正投影的交叠面积，与所述第一电极的第二端部与所述第三电极在所述第一介质基板上的正投影的交叠面积相等。
8.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极的数量均为多个；所述第二电极与所述第一传输线在所述第一介质基板上的交叠面积相等，和/或所述第三电极与所述第二传输线在所述第一介质基板上的交叠面积相等。
9.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极的数量均为多个；所述第二电极与所述第一电极的第一端部在所述第一介质基板上的交叠面积相等，和/或所述第三电极与所述第一电极的第二端部在所述第一介质基板上的交叠面积相等。
10.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述可调电介质层包括液晶层。
11.一种电子设备，其包括权利要求1-10中任一项所述的移相器。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其中，所述电子设备还包括设置在所述第一介质基板背离所述可调电介质层一侧的参考电极层。
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