CN117525777A - 移相器、移相器的制备方法及天线 - Google Patents

移相器、移相器的制备方法及天线 Download PDF

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CN117525777A CN202311368636.7A CN202311368636A CN117525777A CN 117525777 A CN117525777 A CN 117525777A CN 202311368636 A CN202311368636 A CN 202311368636A CN 117525777 A CN117525777 A CN 117525777A
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Abstract

本公开提供一种移相器、移相器的制备方法及天线，属于通信技术领域。本公开的移相器包括：相对设置的第一介质基板和第二介质基板，设置在第一介质基板和第二介质基板之间的可调电介质层，第一电极层和第二电极层；第一电极层和第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变可调电介质层的介电常数；其中，第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场。通过本公开的方案，能够实现移相器的幅度和相位的矢量控制，使移相器的幅度和相位能够满足系统使用需求。

Description

移相器、移相器的制备方法及天线
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种移相器、移相器的制备方法及天线。
背景技术
常规的液晶移相器通过控制偏置电压，改变液晶介电常数，从而改变液晶传输线的相位延迟来实现移相功能，具有低剖面、成本低、无极调控的优势。但是常规液晶移相器的偏置电压与其插损和相位延迟为一一对应的关系，对于所需的某个相位延迟，其插损也是固定的，即液晶移相器本身无法进行幅度和相位的独立控制，移相的同时也会产生带来幅度的变化。但是该调整后的相位与随之调整的幅度，常常难以满足移相器所适配的系统对移相器的相位和幅度要求。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种移相器、移相器的制备方法及天线，能够通过分隔设置的信号电极和/或参考电极和可调电介质层组成多段传输线，通过控制多段传输线的偏置电压，实现移相器的幅度和相位的矢量控制，从使移相器的幅度和相位能够满足系统使用需求。
本发明实施例的一方面提供了一种移相器，该移相器具体包括相对设置的第一介质基板和第二介质基板，设置在所述第一介质基板和所述第二介质基板之间的可调电介质层，第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和所述第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变所述可调电介质层的介电常数；其中，
所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各所述第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，
所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各所述第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场。
在一些实施方式中，所述第一电极层设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，所述第二电极层设置在所述第二介质基板靠近所述可调电介质层的一侧。
在一些实施方式中，所述第一电极层设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，所述第二电极层设置在所述第二介质基板背离所述可调电介质层的一侧。
在一些实施方式中，所述第二电极层包括微带线。
在一些实施方式中，所述微带线包括直线型或者蜿蜒线。
在一些实施方式中，在所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述第一介质基板包括多个间隔设置的第一子介质基板，相邻所述第一子介质基板之间电连接；所述第一子电极与所述第一子介质基板一一对应设置；
在所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第二介质基板包括多个间隔设置的第二子介质基板，相邻所述第二子介质基板之间电连接；所述第二子电极与所述第二子介质基板一一对应设置。
在一些实施方式中，所述第一电极层包括第一主体结构和连接在所述第一主体结构的长度方向上、且间隔设置的多个第一分支结构；所述第二电极层包括第二主体结构和连接在所述第二主体结构的长度方向上、且间隔设置的多个第二分支结构；一个所述第一分支结构和一个所述第二分支结构在所述介质基板上的正投影至少部分重叠；
当所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述第一主体结构包括多个间隔设置的第一子主体结构，所述第一子主体结构和连接在其上的所述第一分支结构构成所述第一子电极；
当所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第二主体结构包括多个间隔设置的第二子主体结构，所述第二子主体结构和连接在其上的所述第二分支结构构成所述第二子电极。
在一些实施方式中，移相器还包括设置在所述第一介质基板背离所述介质基板一侧的第三电极层。
在一些实施方式中，所述第一电极层和所述第二电极层均设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧；所述第一电极层包括信号电极，所述第二电极层包括第一参考电极和第二参考电极；所述信号电极位于所述第一参考电极和所述第二参考电极之间；
当所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述信号电极包括多个间隔设置的子信号电极，一个所述子信号电极构成一个所述第一子电极；
当所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第一参考电极包括多个间隔设置的第一子参考电极，所述第二参考电极包括多个间隔设置的第二子参考电极，所述第一子参考电极和第二子参考电极一一对应设置，且对应设置的所述第一子参考电极和第二子参考电极构成一个所述第二子电极。
在一些实施方式中，移相器还包括设置在所述第一介质基板背离所述介质基板一侧的第三电极层。
在一些实施方式中，所述可调电介质层包括液晶层。
本发明实施例的第二方面，提供了一种移相器的制备方法，其包括如下具体步骤：
提供相对设置的第一介质基板和第二介质基板；
形成第一电极和第二电极；所述第一电极层和所述第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变所述可调电介质层的介电常数；其中，所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各所述第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各所述第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场；
在所述第一介质基板和所述第二介质基板之间形成可调电介质层。
本发明实施例的第三方面，提供了一种天线，其包括如上所述移相器。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1为一种传输线周期性并联加载可变电容的等效模型；
图2为一种移相器的俯视图；
图3为图2的A-A'的截面图；
图4a为本公开实施例提供的一种移相器的主视图；
图4b为图4a所示的移相器的侧视图；
图4c为图4a所示的移相器的俯视图；
图5a为本公开实施例提供的又一种移相器的主视图；
图5b为图5a所示的移相器的侧视图；
图5c为图5a所示的移相器的俯视图；
图6a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图6b为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图6c为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图7a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图7b为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图7c为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图8为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图9a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图9b为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图10a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图10b为图10a所示的移相器的俯视图；
图11为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图12为本公开实施例提供的一种移相器的制备方法；
图13a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图13b为图13a所示的移相器沿B-B’方向的示意图；
图14a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
图14b为图14a所示的移相器的侧视图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明实施例进一步详细说明。然而，应该理解，所公开的实施例仅仅是示例，并且其他实施例可以采取各种替代形式。附图不一定按比例绘制；某些功能可能被夸大或最小化以显示特定部件的细节。因此，本文公开的具体结构和功能细节不应被解释为限制性的，而仅仅是作为用于教导本领域技术人员以各种方式使用本申请的代表性基础。如本领域普通技术人员将理解的，参考任何一个附图所示出和描述的各种特征可以与一个或多个其他附图中所示的特征组合以产生没有明确示出或描述的实施例。所示特征的组合为典型应用提供了代表性实施例。然而，与本公开的教导相一致的特征的各种组合和修改对于某些特定应用或实施方式可能是期望的。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。术语“和/或”当用于列举两个或更多个项目时意指本身可以采用所列项目中的任一个，或可以采用所列项目的两个或更多个的任何组合。
图1为一种传输线周期性并联加载可变电容的等效模型；图2为一种移相器的俯视图；图3为图2的A-A'的截面图。传输线周期性并联加载可变电容，通过改变可变电容的容值，可以实现相位的变化，其等效模型如图1所示。其中，Lt、Ct为传输线等效的线电感和线电容，取决于传输线及基板的特性。可变电容Cvar(V)可以通过MEMS电容、可变二极管电容等来实现。目前，通过压控液晶来实现平板电容的电容值改变，从而制备液晶移相器。
图2和图3给出一种示例性的移相器，等效电路图同样如图1所示，该液晶移相器包括相对设置的第一介质基板10和第二介质基板20，以及形成在第一基板和第二基板之间的液晶层30，第一介质基板10靠近可调电介质层30的一侧设置有参考电极40，第二介质基板20靠近可调电介质30的一侧设置有信号电极50。通过给信号电极50和参考电极40施加不同的偏置电压，可以改变可调电介质层的介电常数，从而改变传输线的相位延迟，从而实现移相器的移相功能。但是该移相器的偏置电压与其插损和相位延迟为一一对应的关系，对于所需的某个相位延迟，其插损也是固定的，即该移相器无法进行幅度和相位的独立控制，移相的同时也会产生带来幅度的变化。但是该调整后的相位与随之调整的幅度，常常难以满足移相器所适配的系统对移相器的相位和幅度要求。
为解决上述问题，本发明实施例提供如下技术方案，能够通过分隔设置的信号电极和/或参考电极和可调电介质层组成多段传输线，通过控制多段传输线的偏置电压，实现移相器的幅度和相位的矢量控制，从使移相器的幅度和相位能够满足系统使用需求。
在此需要说明的是，实现移相器的幅度和相位的矢量控制指的是对移相器的幅度和相位实现更加精确的控制。
在介绍本发明实施例的技术方案之前，需要说明的是，以下所提供的移相器中的可调电介质层包括但不限于液晶层。
第一种实施例，图4a为本公开实施例提供的一种移相器的主视图，图4b为图4a所示的移相器的侧视图，图4c为图4a所示的移相器的俯视图，其中，在图4a省略了第二介质基板和可调电介质层；图5a为本公开实施例提供的又一种移相器的主视图，图5b为图5a所示的移相器的侧视图，图5c为图5a所示的移相器的俯视图，其中，在图5a省略了第二介质基板和可调电介质层；图6a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图6b为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图6c为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；图7a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图7b为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图7c为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；图8为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；图9a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图9b为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图；图10a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图10b为图10a所示的移相器的俯视图；图11为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图。
本发明实施例的第一个方面，提出了一种移相器。在如图4a～图4c所示的实施例中，该移相器具体包括相对设置的第一介质基板10和第二介质基板20，设置在第一介质基板10和第二介质基板20之间的液晶层30。该移相器还包括第一电极层40和第二电极层50；第一电极层40和第二电极层50在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变液晶层30的介电常数。其中，第一电极层40包括多个间隔设置的第一子电极41，且各第一子电极41均与第二电极层50在被施加偏置电压后产生电场；和/或，第二电极层50包括多个间隔设置的第二子电极，且各第二子电极均与第一电极层40在被施加偏置电压后产生电场。第二电极层可以为微带线，微带线可以包括直线型或者蜿蜒线。在本公开示例中，以第一电极层40包括多个间隔设置的第一子电极41，第二电极层包括直线型微带线为例进行描述。每个第一子电极41与液晶层30和第二电极层50组成一段传输线。通过给第一子电极41和第二电极层50施加不同的偏置电压，即实现每段传输线的偏置电压的控制，从而实现每段传输线的相位和幅度的调节，最终实现所需的相位延迟和损耗控制。在本公开示例中，第一电极层可以为参考电极层，第一子电极可以为参考电极；第二电极层可以为信号电极层，第二电极层包括第二电极，第二电极可以为信号电极。以下通过举例，对本公开示例中的移相器进行描述，应当理解，此处所描述的举例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
具体的，如如图5a～图5c所示，第一电极层40包括2个间隔设置的第一子电极41。一个第一子电极41与第二电极之间的偏置电压为V1，将该一个第一子电极41与第二电极视为液晶延迟传输线1；另一个第一子电极41与第二电极之间的偏置电压为V2，V1和V2可以进行单独控制，将该另一个第一子电极41与第二电极视为液晶延迟传输线2。在液晶延迟传输线1和液晶延迟传输线2中，传输线的偏置电压与其传输损耗与传输相位延迟有一一对应的关系，因此，令传输线1偏置电压V1对应传输系数为幅度A1和相位P1，传输线2的偏置电压V2对应传输系数为幅度A2和相位P2，对于所需的传输系数幅度Ak和相位Pk；通过控制两段传输线的偏置电压使Ak＝A1+A2，并且Pk＝P1+P2，即可实现所需的相位延迟和损耗控制，通过两段移相器级联，实现了移相器的幅度和相位的矢量调控。
当然，除以上举例给出的第一电极层40包括2个间隔设置的第一子电极41之外，第一电极层40还可以包括3个或者4个或者更多的第一子电极，来形成移相器传输线的级联，从而实现多个分隔的第一子参考电极与第二电极之间的偏置电压的独立控制，级联的传输线的传输系数等于各段传输线的传输系数之和，以此实现移相器的幅度和相位的矢量调控。
在一些示例中，如图6a～图6c所示，第二电极层50包括多个间隔设置的第二子电极51，且各第二子电极51均与第一电极层40在被施加偏置电压后产生电场。每个第二子电极51与液晶层30和第一电极层40组成一段传输线。通过给第二子电极51和第一电极层40施加不同的偏置电压，即实现每段传输线的偏置电压的控制，从而实现每段传输线的相位和幅度的调节，最终实现所需的相位延迟和损耗控制。在本公开示例中，第一电极层可以为参考电极层，第一电极层包括第一电极，第一电极可以为参考电极；第二电极层可以为信号电极层，第二子电极可以为信号电极。
在一些示例中，如图7a～图7c所示，第一电极层40包括多个间隔设置的第一子电极41，第二电极层50包括多个间隔设置的第二子电极51，第一子电极41与第二子电极51一一对应设置。一个第一子电极与一个第二子电极形成一段传输线。通过给第一子电极和第二子电极施加不同的偏置电压，以及通过对每段传输线的偏置电压的控制，从而实现每段传输线的相位和幅度的调节，最终实现所需的相位延迟和损耗控制。在本公开示例中，第一电极层可以为参考电极层，第一子电极可以为参考电极；第二电极层可以为信号电极层，第二子电极可以为信号电极。
在一些示例中，如图4所示，第一电极层40设置在第一介质基板10靠近可调电介质层30的一侧，第二电极层50设置在第二介质基板20靠近可调电介质层30的一侧。当然，如图8所示，当第一电极层40设置在第二介质基板20靠近可调电介质层30的一侧，第二电极层50可以设置在第一介质基板10靠近可调电介质层30的一侧。
在一些示例中，如图9a所示，当第一电极层40设置在第一介质基板10靠近可调电介质层30的一侧时，第二电极层50还可以设置在第二介质基板20远离可调电介质层30的一侧。当然，如图9b所示，当第一电极层40设置在第二介质基板20靠近可调电介质层30的一侧时，第二电极层50还可以设置在第一介质基板10远离可调电介质层30的一侧。
在一些示例中，参照图10a和图10b，在第一电极层40包括多个间隔设置的第一子电极41时，第一介质基板10包括多个间隔设置的第一子介质基板11，相邻第一子介质基板11之间电连接；第一子电极41与第一子介质基板11一一对应设置。在第二电极层50包括多个间隔设置的第二子电极51时，第二介质基板20包括多个间隔设置的第二子介质基板21，相邻第二子介质基板21之间电连接；第二子电极51与第二子介质基板21一一对应设置。在本公开示例中，相邻的子介质基板之间通过射频连接器实现电连接。
以上示例中，均以第二电极为直线型微带线为例进行描述。当然，在一些示例中，第二电极还可以是蜿蜒线，该蜿蜒线包括但不限于S形、L形、螺旋形或其他形状的蜿蜒线。在本公开如图11所示的示例中，第一电极层40包括第一电极，第一电极为L型，第二电极层50包括第二电极，第二电极为L形，第二电极包括多个间隔设置的第二子电极51。通过采用蜿蜒线的第一电极和第二电极，降低了移相器的长度，并且还可以灵活设置移相器的端口位置。
相应的，针对如图4所示的移相器，在本公开实施例中还提供一种移相器的制备方法。图12为本公开实施例提供的一种移相器的制备方法，如图12所示，该方法具体包括：
S10、提供相对设置的第一介质基板和第二介质基板。
S20、形成第一电极和第二电极。第一电极层和第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变可调电介质层的介电常数。其中，第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场。
S30、在第一介质基板和第二介质基板之间形成可调电介质层。
第二种实施例，图13a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图13b为图13a所示的移相器沿B-B’方向的示意图。如图13a和图13b所示，该移相器的结构与第一种实施例中图4所示的移相器的结构类似，区别在于，该移相器的第一电极层40包括第一主体结构42和连接在第一主体结构42的长度方向上、且间隔设置的多个第一分支结构43；第二电极层50包括第二主体结构52和连接在第二主体结构52的长度方向上、且间隔设置的多个第二分支结构53；一个第一分支结构42和一个第二分支结构53在介质基板(第一介质基板10或第二介质基板20)上的正投影至少部分重叠。当第一电极层40包括多个间隔设置的第一子电极41时，第一主体结构52包括多个间隔设置的第一子主体结构420，第一子主体结构420和连接在其上的第一分支结构43构成第一子电极51；当第二电极层50包括多个间隔设置的第二子电极51时，第二主体结构52包括多个间隔设置的第二子主体结构520，第二子主体结构520和连接在其上的第二分支结构53构成第二子电极51。在本公开示例中，第一电极层可以为参考电极层，第二电极层可以为信号电极层。通过给第一主体结构42和第二主体结构52加载偏置电压，从而改变液晶分子的介电常数发生改变，从而实现对微波信号的移相。在本公开示例中，移相器的第一电极层40与第二电极层50之间构成差分传输线，通过级联的差分传输线，实现对移相器的幅度和相位的矢量控制。
在一些示例中，如图13b所示，移相器还可以包括设置在第一介质基板10背离第二介质基板20一侧的第三电极层60，第三电极层60为参考电极层，参考电极层包括但不限于接地层，只要参考电极层与第一主体结构42形成电流回路，以及参考电极层和第二主体结构52形成电流回路即可。在本公开示例中，移相器的第一电极层与第三电极层，以及第二电极层与第三电极层之间构成差分传输线，通过级联的差分传输线实现对移相器的幅度和相位的矢量控制。
除以上示例外，该种结构的移相器，各个结构的设计均可以与第一种实施例相同，故在此不再重复赘述。
第三种实施例，图14a为本公开实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图14b为图14a所示的移相器的侧视图。如图14a和图14b所示，该移相器的结构与第一种实施例中图4所示的移相器的结构类似，区别在于，该移相器的第一电极层40和第二电极层50均设置在第一介质基板10靠近可调电介质层30的一侧；第一电极层40包括信号电极，第二电极层50包括第一参考电极501和第二参考电极502；信号电极位于第一参考电极501和第二参考电极502之间。当第一电极层40包括多个间隔设置的第一子电极41时，信号电极包括多个间隔设置的子信号电极，一个子信号电极构成一个第一子电极41；当第二电极层50包括多个间隔设置的第二子电极51时，第一参考电极501包括多个间隔设置的第一子参考电极，第二参考电极502包括多个间隔设置的第二子参考电极，第一子参考电极和第二子参考电极一一对应设置，且对应设置的第一子参考电极和第二子参考电极构成一个第二子电极51。
在本公开示例中，通过给第一子电极41施加第一偏置电压，给第二子电极51(即第一子参考电极和第二子参考电极)施加第二偏置电压，通过控制第一偏置电压和第二偏置电压的大小，以调节改变液晶分子的介电常数发生改变，从而实现对微波信号的移相。本公开示例中，移相器的第一子电极41和第二子电极51构成共面波导，通过对共面波导偏置电压的控制，实现对移相器的幅度和相位的矢量控制。
在一些示例中，移相器还可以包括设置在第一介质基板10背离第二介质基板20一侧的第三电极层60，第三电极层60为参考电极层。
除以上示例外，该种结构的移相器，各个结构的设计均可以与第一种实施例相同，故在此不再重复赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例的第二个方面，提出了一种天线和一种包含该天线的电子设备。其中，天线可以包括上述任一移相器阵列。当然，对于天线其还可以包括辐射部、馈电结构等器件。
本公开实施例中的电子设备还包括收发单元、射频收发机、信号放大器、功率放大器、滤波单元。电子设备中的天线可以作为发送天线，也可以作为接收天线。其中，收发单元可以包括基带和接收端，基带提供至少一个频段的信号，例如提供2G信号、3G信号、4G信号、5G信号等，并将至少一个频段的信号发送给射频收发机。而天线系统中的天线接收到信号后，可以经过滤波单元、功率放大器、信号放大器、射频收发机的处理后传输给首发单元中的接收端，接收端例如可以为智慧网关等。
进一步地，射频收发机与收发单元相连，用于调制收发单元发送的信号，或用于解调天线接收的信号后传输给收发单元。具体地，射频收发机可以包括发射电路、接收电路、调制电路、解调电路，发射电路接收基底提供的多种类型的信号后，调制电路可以对基带提供的多种类型的信号进行调制，再发送给天线。而天线接收信号传输给射频收发机的接收电路，接收电路将信号传输给解调电路，解调电路对信号进行解调后传输给接收端。
进一步地，射频收发机连接信号放大器和功率放大器，信号放大器和功率放大器再连接滤波单元，滤波单元连接至少一个天线。在天线系统进行发送信号的过程中，信号放大器用于提高射频收发机输出的信号的信噪比后传输给滤波单元；功率放大器用于放大射频收发机输出的信号的功率后传输给滤波单元；滤波单元具体可以包括双工器和滤波电路，滤波单元将信号放大器和功率放大器输出的信号进行合路且滤除杂波后传输给天线，天线将信号辐射出去。在天线系统进行接收信号的过程中，天线接收到信号后传输给滤波单元，滤波单元将天线接收的信号滤除杂波后传输给信号放大器和功率放大器，信号放大器将天线接收的信号进行增益，增加信号的信噪比；功率放大器将天线接收的信号的功率放大。天线接收的信号经过功率放大器、信号放大器处理后传输给射频收发机，射频收发机再传输给收发单元。
在一些示例中，信号放大器可以包括多种类型的信号放大器，例如低噪声放大器，在此不做限制。
在一些示例中，本公开实施例提供的电子设备还包括电源管理单元，电源管理单元连接功率放大器，为功率放大器提供用于放大信号的电压。
以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本发明实施例公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明实施例的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上的本发明实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本发明实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明实施例的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种移相器，其包括相对设置的第一介质基板和第二介质基板，设置在所述第一介质基板和所述第二介质基板之间的可调电介质层，第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和所述第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变所述可调电介质层的介电常数；其中，
所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各所述第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，
所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各所述第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场。
2.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极层设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，所述第二电极层设置在所述第二介质基板靠近所述可调电介质层的一侧。
3.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极层设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，所述第二电极层设置在所述第二介质基板背离所述可调电介质层的一侧。
4.根据权利要求2或3所述的移相器，其中，所述第二电极层包括微带线。
5.根据权利要求4所述的移相器，其中，所述微带线包括直线型或者蜿蜒线。
6.根据权利要求2或3所述的移相器，其中，在所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述第一介质基板包括多个间隔设置的第一子介质基板，相邻所述第一子介质基板之间电连接；所述第一子电极与所述第一子介质基板一一对应设置；
在所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第二介质基板包括多个间隔设置的第二子介质基板，相邻所述第二子介质基板之间电连接；所述第二子电极与所述第二子介质基板一一对应设置。
7.根据权利要求2所述的移相器，其中，所述第一电极层包括第一主体结构和连接在所述第一主体结构的长度方向上、且间隔设置的多个第一分支结构；所述第二电极层包括第二主体结构和连接在所述第二主体结构的长度方向上、且间隔设置的多个第二分支结构；一个所述第一分支结构和一个所述第二分支结构在所述介质基板上的正投影至少部分重叠；
当所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述第一主体结构包括多个间隔设置的第一子主体结构，所述第一子主体结构和连接在其上的所述第一分支结构构成所述第一子电极；
当所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第二主体结构包括多个间隔设置的第二子主体结构，所述第二子主体结构和连接在其上的所述第二分支结构构成所述第二子电极。
8.根据权利要求7所述的移相器，其中，还包括设置在所述第一介质基板背离所述介质基板一侧的第三电极层。
9.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极层和所述第二电极层均设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧；所述第一电极层包括信号电极，所述第二电极层包括第一参考电极和第二参考电极；所述信号电极位于所述第一参考电极和所述第二参考电极之间；
当所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述信号电极包括多个间隔设置的子信号电极，一个所述子信号电极构成一个所述第一子电极；
当所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第一参考电极包括多个间隔设置的第一子参考电极，所述第二参考电极包括多个间隔设置的第二子参考电极，所述第一子参考电极和第二子参考电极一一对应设置，且对应设置的所述第一子参考电极和第二子参考电极构成一个所述第二子电极。
10.根据权利要求9所述的移相器，其中，还包括设置在所述第一介质基板背离所述介质基板一侧的第三电极层。
11.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述可调电介质层包括液晶层。
12.一种移相器的制备方法，其包括：
提供相对设置的第一介质基板和第二介质基板；
形成第一电极和第二电极；所述第一电极层和所述第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变所述可调电介质层的介电常数；其中，所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各所述第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各所述第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场；
在所述第一介质基板和所述第二介质基板之间形成可调电介质层。
13.一种天线，其包括：如权利要求1至12任一项所述移相器。
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