CN112447889A - 一种led芯片及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 469
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 respectively Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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Abstract
本申请提供了一种LED芯片及其制作方法，涉及LED技术领域。该LED芯片包括衬底；位于衬底一侧的缓冲层；位于缓冲层一侧的发光层，其中，发光层包括N型层；位于发光层一侧的反射镜层，反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；位于反射镜层一侧的P型电极以及与N型层连接的N型电极，P型电极与N型电极间隔设置。本申请提供的LED芯片及其制作方法具有器件性能更好的效果。
Description
技术领域
本申请涉及LED技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制作方法。
背景技术
目前，为了提升LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片的光电转换效率，一般会在电极处设置反射电极，利用反射电极对LED发出的光进行反射，进而达到提升LED芯片出光性能的目的。
现阶段，反射层电极仍然存在一些问题，如反射层与P型半导体层欧姆接触电阻率低、反射率低、在使用过程中反射镜电极热稳定性差等问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种LED芯片及其制作方法，以解决现有技术中LED芯片欧姆接触电阻率低、反射率低、热稳定性差等问题。
为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
一方面，本申请提供了一种LED芯片，所述LED芯片包括：衬底；位于所述衬底一侧的缓冲层；位于所述缓冲层一侧的发光层，其中，所述发光层包括N型层；位于所述发光层一侧的反射镜层，所述反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；位于所述反射镜层一侧的P型电极以及与所述N型层连接的N型电极，所述P型电极与所述N型电极间隔设置。
可选地，所述钯层的厚度为1～5nm。
可选地，所述钯层的厚度为1nm。
可选地，所述氧化镍层的厚度为1～5nm。
可选地，所述氧化镍层的厚度为2nm。
可选地，制作所述反射层的材料包括铝或银，制作所述保护层的材料包括镍、铬或钛。
可选地，所述发光层还包括量子阱层、P型层以及P型接触层，所述缓冲层、所述N型层、所述量子阱层、所述P型层以及、所述P型接触层以及所述反射镜层逐层连接。
另一方面，本申请实施例提供了一种LED芯片制作方法，所述方法包括：提供一衬底；沿所述衬底的一侧生长缓冲层；沿所述缓冲层的一侧生长发光层；其中，所述发光层包括N型层；沿所述发光层的一侧制作反射镜层，其中，所述反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；沿所述反射镜层的一侧制作P型电极，并制作与所述N型层连接的N型电极，其中，所述P型电极与所述N型电极间隔设置。
可选地，所述发光层的一侧包括反射区，所述沿所述发光层的一侧制作反射镜层的步骤包括：沿所述反射层的位置生长钯层；沿所述钯层的一侧生长镍层，并在氧气环境下进行退火，以在所述钯层的一侧制作氧化镍层；沿所述氧化镍层的一侧生长反射层；沿所述反射层的一侧生长保护层。
可选地，所述钯层的厚度为1～5nm，所述氧化镍层的厚度为1～5nm。
相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：
本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括衬底；位于衬底一侧的缓冲层；位于缓冲层一侧的发光层，其中，发光层包括N型层；位于发光层一侧的反射镜层，反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；位于反射镜层一侧的P型电极以及与N型层连接的N型电极，P型电极与N型电极间隔设置。由于本申请提供的LED芯片中，反射镜层中包括钯层、氧化镍层、反射层以及保护层，因此，在对器件进行热处理过程中，氧化镍层可以防止反射层中金属向发光层的渗入，进而在进行热处理中，有效提升了器件的热稳定性，性能更好。同时，由于氧化镍层为透明层，因此其具有很高的透光率，保证了反射镜层的高反射率。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本申请实施例提供LED芯片的一种剖面示意图。
图2为本申请实施例提供LED芯片的另一种剖面示意图。
图3为本申请实施例提供LED芯片制作方法的一种流程图。
图4为本申请实施例提供的发光层的剖面示意图。
图5为本申请实施例提供的图4中S108的子步骤的流程图。
图6为本申请实施例提供的反射镜层的剖面示意图。
图7为本申请实施例提供的N型区的剖面示意图。
图8为本申请实施例提供的图4中S110的子步骤的流程图。
图9为本申请实施例提供的S1101对应的器件剖面示意图。
图10为本申请实施例提供的S1102对应的器件剖面示意图。
图11为本申请实施例提供的S1103对应的器件剖面示意图。
图12为本申请实施例提供的S1104对应的器件剖面示意图。
图13为本申请实施例提供的基于倒装工艺的LED芯片制作方法的流程图。
图14为本申请实施例提供的S112对应的器件剖面示意图。
图15为本申请实施例提供的S114对应的器件剖面示意图。
图16为本申请实施例提供的S116对应的器件剖面示意图。
图17为本申请实施例提供的S118对应的器件剖面示意图。
图18为本申请实施例提供的S120对应的器件剖面示意图。
图19为本申请实施例提供的图18中器件倒置的剖面示意图。
图20为本申请实施例提供的S122对应的器件剖面示意图。
图21为本申请实施例提供的在图20的基础上增设二次保护层的剖面示意图。
图中：100-LED芯片；101-衬底；102-缓冲层；103-发光层；104-N型层；105-多量子阱层；106-P型层；107-P型接触层；108-反射镜层；109-钯层；110-氧化镍层；111-反射层；112-保护层；113-N型区；114-N型电极；115-P型电极；116-阻挡层；117-绝缘层；118-电极孔；119-连接层；120-临时衬底；121-一次保护层；122-P型区；123-二次保护层。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
正如背景技术中所述，为了提升LED芯片的光电转换效率，一般会在电极处设置反射电极，而目前提供的反射电极，一般包括钯层、反射层以及保护层，然而，目前提供的反射电极存在较高的比接触电阻率，反射电极的质量不高。
有鉴于此，为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种LED芯片，通过在反射电极中增加氧化镍层，进而使发射电极的比接触电阻率更低，质量更高。
下面对本实施例提供的LED芯片进行示例性说明：
请参阅图1，作为一种可选的实现方式，该LED芯片100包括衬底101、缓冲层102、发光层103、反射镜层108以及电极。其中，缓冲层102位于衬底101的一侧，发光层103位于缓冲层102的一侧，反射镜层108位于发光层103的一侧，即衬底101、缓冲层102、发光层103、反射镜层108逐层连接。同时，电极包括P型电极115与N型电极114，P型电极115与反射镜连接，N型电极114与发光层103中的N型层104连接。并且，P型电极115与N型电极114之间间隔设置，即P型电极115与N型电极114之间不接触。
其中，本实施例所述的反射镜层108，即为反射电极，其可以对发光层103发出的光进行反射，进而提升LED芯片的光电转换效率。同时，为了提升LED芯片的电流输入输出能力，反射镜层108与P型电极115及发光层103之间欧姆接触。
其中，本实施例提供的反射镜层108包括逐层连接的钯层109、氧化镍层110、反射层111以及保护层112，其中，钯层109能够起到与发光层103之间实现良好的欧姆接触的作用，进而极大地提升器件的光电性能。反射层111能够起到反射光的作用，进而使发光层103发出的光，经过发射层的反射作用后，全部从器件中发射出，避免了光被其它层级结构吸收，同时避免了光沿垂直方向发射出，提升了器件的光电转换效率。氧化镍层110能够有效地防止热处理过程中上层发射层金属向发光层103的渗入，进而能够保证反射镜层108的比接触电阻率较低，同时使得器件的质量较高。保护层112能够起到保护反射层111，防止反射层111氧化的作用。
可选地，制作反射层111的材料包括铝或银，制作保护层112的材料包括镍、铬或钛。例如，反射层111的材料可以选择铝，保护层112的材料可以选择镍，则反射镜层108中四层结构的材料分别为钯/氧化镍/铝/镍。
同时，申请人通过试验得知，氧化镍层110的厚度较薄时，其反射率较高；钯层109的厚度越薄，反射镜层108的反射率越大，且钯层109的厚度对器件的反射率的影响更大。因此，要提高反射镜层108的反射率，则需要设置较薄钯层109，以减少钯层109对于光的吸收。但是，由于钯层109作为接触层，其过薄会使电极接触的电阻增加，降低接触的电学性能。因此，钯层109需要控制在一个合适的厚度，使得电极既拥有高的反射率又能保持低的比接触电阻。
有鉴于此，经申请人研究发现，当钯层109的厚度为1～5nm时，反射镜的反射效果更好。同时，氧化镍层110的厚度也为1～5nm。可选的，钯层109的厚度可采用1nm，氧化镍层110的厚度为2nm，此时，反射镜能够显示出较高的反射率，其反射率可达到80％以上。
需要说明的是，本实施例提供的LED芯片，可以采用垂直工艺制作而成，也可以采用倒装工艺制作而成，本实施例对此并不做任何限定。例如，图1所示的LED芯片的剖面结构为通过垂直工艺制作而成，通过倒装工艺制作而成的LED芯片的剖面结构如图2所示。
并且，本实施例对LED芯片的各个层级结构的材料也并不做限定。
例如，衬底101可以采用蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底或氮化铝衬底，缓冲层102能够起到减小衬底101与其它材质之间晶格失配的效果，缓冲层102的材质可以采用AlGaN或AlN等。
并且，本实施例使用的LED外延晶圆是采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长的。三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)和氨(NH3)分别用作Ga、Al、In和N的来源，氮气和氢气被用作载气。
作为一种实现方式，发光层103包括N型层104、多量子阱层105、P型层106以及P型接触层107，缓冲层102、N型层104、多量子阱层105、P型层106以及P型接触层107逐层连接，N型电极114与N型层104连接，P型接触层107与反射镜层108连接。
其中，N型层104、多量子阱层105以及P型层106用于复合发光，即N型层104提供的电子与P型层106提供的空穴在多量子阱层105中复合发光。并且，N型层104可以为N型AlGaN层，P型层106可以为P型AlGaN层。
P型接触层107用于连接P型层106与反射镜层108，进而起到减小P型层106与反射镜层108之间晶格失配的作用。其中，P型接触层107的材质也可以采用AlGaN或GaN。
当然地，发光层103还可包括其它的层级结构，例如，发光层103还可包括非掺杂层，非掺杂层分别连接缓冲层102与N型层104，其中，非掺杂层可采用未掺杂的AlGaN层，其同样能够起到减小N型层104与衬底101之间晶格失配的作用。
通过本实施例提供的LED芯片，能够通过在反射镜层108中分别设置钯层109、氧化镍层110、反射层111以及保护层112的方式，使得LED芯片的出光率较高。同时，氧化镍层110能够有效的防止反射层111中金属向P型接触层107中的扩散，使得在高温处理后，其比接触电阻率也较低，提升了器件性能。
基于上述实现方式，本申请实施例还提供了一种LED芯片制作方法，请参阅图3，该方法包括：
S102，提供一衬底。
S104，沿衬底的一侧生长缓冲层。
S106，沿缓冲层的一侧生长发光层；其中，发光层包括N型层。
S108，沿发光层的一侧制作反射镜层，其中，反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层。
S110，沿反射镜层的一侧制作P型电极，并制作与N型层连接的N型电极，其中，P型电极与N型电极间隔设置。
需要说明的是，本实施例提供的LED芯片的外延晶圆是采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长的。三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)和氨(NH3)分别用作Ga、Al、In和N的来源，氮气和氢气被用作载气。其中，作为一种实现方式，衬底101可选用蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底或氮化铝衬底，缓冲层102能可采用AlGaN缓冲层或AlN缓冲层等。当生长缓冲层102后，可在缓冲层102的一侧继续外延生长发光层103。
同时，为了能够更好的起到减小层级结构之间的晶格失配的作用，本实施例提供的LED芯片还包括非掺杂层，可选地，该非掺杂层可以为未掺杂的Al0.05Ga0.95N层，其厚度为2μm，然后在非掺杂层远离衬底101的一侧继续生长发光层103。
可选地，请参阅图4，发光层103包括N型层104、多量子阱层105、P型层106以及P型接触层107，缓冲层102、N型层104、多量子阱层105、P型层106以及P型接触层107逐层连接，N型电极114与N型层104连接，P型接触层107与反射镜层108连接。
其工作原理为，N型层104提供的电子与P型层106提供的空穴在多量子阱层105中复合发光。并且，P型接触层107能够保证与电极之间实现欧姆接触。
其中，N型层104与P型层106均可以为掺杂的AlGaN层或AlN层，例如，N型层104可以为3μm厚的Si掺杂Al0.05Ga0.95N层，P型层106可以为110nm厚的Mg掺杂Al0.05Ga0.95N层，多量子阱层105可以为多个周期性排列的In0.02Ga0.98N/Al0.15Ga0.85 N，P型接触层107可以为20nm厚的Mg掺杂p-GaN接触层。可以理解地，在实际外延的过程中，可采用金属有机化学气相沉积法逐层外延上述层级结构。
作为一种实现方式，为了防止出现N型层104中电子穿过多量子阱层105并进入P型层106，进而降低LED芯片的光电转换效率的情况，该LED芯片中还包括电子阻挡层116，该电子阻挡层116位于多量子阱层105与P型层106之间。可选地，该电子阻挡层116可以为20nm的Mg掺杂的Al0.3Ga0.7N电子阻挡层116。
换言之，在实际制作过程中，使用金属有机化学气相沉积法在衬底101的表面一侧依次外延生长缓冲层102、连接层119、N型层104、多量子阱层105、电子阻挡层116、P型层106以及P型的阻挡层116。
同时，在生长发光层103后，为了提升LED芯片的出光率，还会继续外延生长反射镜层108。
其中，本实施例提供LED芯片制作方法可以采用倒装工艺或垂直工艺制作而成。其中，发光层的一侧包括反射区，反射区用于生长反射镜层，当采用垂直工艺制作LED芯片时，请参阅图5，S108包括：
S1081，沿发射层的位置生长钯层。
S1082，沿钯层的一侧生长镍层，并在氧气环境下进行退火，以在钯层的一侧制作氧化镍层。
S1083，沿氧化镍层的一侧生长反射层；
S1084，沿反射层的一侧生长保护层。
生长的反射镜层108如图6所示。可选的，本实施例可采用在P型接触层107上通过电子束蒸发沉积Pd/Ni，然后在快速退火炉中氧气环境下退火，其退火温度为350～500℃m，退火时间为5～15min，例如，在400℃氧化10分钟(氧气流量为5ml/min)形成Pd/NiO合金，即形成钯层109与氧化镍层110。然后在氧化镍层110上继续生长反射层111与保护层112，可选地，制作反射层111的材料可以为Al或Ag，制作保护层112的材料可以为Ni、Cr或Ti。例如，当反射层111的材料采用Al，保护层112的材料采用Ni时，则在氧化镍层110的表面继续沉积Al与Ni，进而形成发射层与保护层112。其中，钯层109能够起到与P型接触层107之间欧姆接触的作用，反射层111可以起到反射发光层103发出的光的作用，保护层112可以起到保护发射层的作用，防止反射层111被氧化。
通过设置氧化镍层110，一方面，能够有效地防止热处理过程中反射层111金属向p型接触层的渗入，进而能够制备高质量的反射电极，同时在氮气环境中经300℃热处理10分钟后，仍能保持低比接触电阻率和高反射率，另一方面，由于氧化镍为透明层，且氧化镍的厚度较小，因此其对光的吸收较小，不会影响器件的光电转换性能。
并且，当氧化镍层110的厚度较薄时，其反射率较高，同时，钯层109的厚度越薄，反射镜层108的反射率越大，且钯层109的厚度对器件的反射率的影响更大。因此，要提高反射镜层108的反射率，则需要设置较薄钯层109，以减少钯层109对于光的吸收。但是，由于钯层109作为接触层，其过薄会使电极接触的电阻增加，降低接触的电学性能。因此，钯层109需要控制在一个合适的厚度，使得电极既拥有高的反射率又能保持低的比接触电阻。
有鉴于此，经申请人研究发现，当钯层109的厚度为1～5nm时，反射镜的反射效果更好。同时，氧化镍层110的厚度也为1～5nm。可选的，钯层109的厚度可采用1nm，氧化镍层110的厚度为2nm，此时，反射镜能够显示出较高的反射率，其反射率可达到80％以上。同时，反射层111的厚度可以为100～500nm，保护层112的厚底可以为1～5nm。
在生长反射镜层108后，需要继续制作P型电极与N型电极114，当采用垂直工艺时，可直接采用刻蚀工艺在发光层103的除反射区的剩余部分区域进行刻蚀，直至露出N型层104，换言之，采用刻蚀工艺将除反射区的剩余部分区域的P型接触层107、P型层106、电子阻挡层116、多量子阱层105以及部分N型层104进行刻蚀，露出N型层104，进而在该区域形成N型区113，刻蚀后形成的N型区113如图7所示。
需要说明的是，由于反射镜层采用金属材料，因此其不易刻蚀，而通过在反射区的位置生长反射镜层，使得露出了部分发光层，然后对发光层进行刻蚀，并露出N型区113。
在制作N型区113后，可在N型区113上沉积N型电极114，并在保护层112的表面沉积P型电极115，以完成LED芯片的制作，制作形成的器件如图1所示。当然地，在其它的一些实施例中，为了起到保护P型电极115与N型电极114的效果，还可在器件的表面沉积绝缘层117。
当采用倒装工艺制作LED芯片时，请参阅图8，S110的步骤包括：
S1101，在保护层的一侧生长P型电极。
S1102，基于P型电极制作阻挡层。
S1103，刻蚀发光层，直至露出N型层，以形成N型区。
S1104，在N型区中制作与N型层连接的N型电极。
其中，S1101对应的器件剖面示意图如图9所示，S1102对应的器件剖面示意图如图10所示。S1103对应的器件剖面示意图如图11所示；S1104对应的器件剖面示意图如图12所示。
需要说明的是，阻挡层116的材料可以为采用镍、金、钛、铂、钯、氮化钛或钨中的一种或几种的组合，本申请实施例对阻挡层116的材料并不做出限制。
同时，在S110后，请参阅图13，该方法还包括：
S112，制作绝缘层。
S114，去除绝缘层位于N型电极表面的部分，形成暴露N型电极的电极孔。
如图14所示，绝缘层117覆盖阻挡层116和N型电极114的表面并填充于N型电极114与接触N型区113之间的间隙。制作绝缘层117的材料可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或几种的组合，本申请实施例对绝缘层117的材料并不做出限制。
为了实现后续的连接，还需要在N型电极114处制作电极孔118，制作的电极孔118如图15所示。
S116，基于绝缘层和电极孔制作与N型电极连接的连接层。
制作的连接层119如图16所示。其中，连接层119可以采用钛、镍、铝、金、锡其中的一种或者几种金属的合金，连接层119的厚度可以为2-4um。在半导体器件的制作过程中，一块晶圆上可以形成多个接触孔，并可以制作形成多个N型电极114，连接层119可以将晶圆上制作的多个N型电极114连接起来。
S118，基于连接层键合连接临时衬底。
本实施例中，请参阅图17，在将临时衬底120与已经制作完成的结构进行键合连接时，可以先在连接层119的表面和临时衬底120的表面分别涂覆粘合剂。再在键合条件下，将连接层119和临时衬底120键合连接。键合条件中的键合温度可以为100℃-200℃，键合连接固化时间可以为5-15min，键合力度可以为3-10KN。粘合剂可以采用在高温、或特定化学溶剂作用下能解聚成低分子化合物和/或线性低聚体的高聚物。临时衬底120可以采用玻璃衬底101、石英衬底101或蓝宝石衬底101。
S120，去除衬底。
在完成临时衬底120的键合连接后，可以采用研磨、抛光、ICP刻蚀、湿法腐蚀和激光剥离工艺中的一种或多种将衬底101去除。去除衬底101后可以得到如图18所示的结构。
S122，制作用于形成多个芯片单元的划片槽，并制作用于形成P型电极的P型区122。
图19示出了图18中器件倒置的剖面示意图。在图19的基础上，可以先基于缓冲层102的部分表面生长一次保护层121。再如图20所示，基于一次保护层121，去除缓冲层102、发光层103以及反射镜层108的一部分，将部分P型电极115暴露。然后如图21所示，去除一次保护层121，并基于暴露出的P型电极115制作二次保护层123，二次保护层123将暴露出的P型电极115、阻挡层116、绝缘层117覆盖，并覆盖缓冲层102、发光层103以及反射镜层108的侧面。
S124，在P型区122中制作与P型电极连接的P型加厚电极。
如图2所示，可以先去除二次保护层123的一部分，将P型电极115暴露。再制作与暴露出的P型电极115连接的加厚电极，形成P型加厚电极。
在制作加厚电极后，可以去除临时衬底120，并基于划片槽分割形成多个芯片单元，完成LED芯片的制备。例如，可以采用化学溶剂解离法、加热解离法或激光照射解离法将临时衬底120去除，得到如图2所示的器件。
需要说明的是，在本申请实施例中，如果不键合连接临时衬底120，而直接进行衬底101的去除，去除衬底101后的结构的厚度很薄，很容易出现裂片、蜷曲等问题，从而导致无法进行后续制作。本申请实施例中通过在去除衬底101之前先键合连接临时衬底120，使临时衬底120可以作为后续制作流程的支撑结构，使去除了衬底101后的器件具有一定的厚度，器件出现裂片和蜷曲的概率大大降低，方便进行后续制作。
综上所述，本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括衬底；位于衬底一侧的缓冲层；位于缓冲层一侧的发光层，其中，发光层包括N型层；位于发光层一侧的反射镜层，反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；位于反射镜层一侧的P型电极以及与N型层连接的N型电极，P型电极与N型电极间隔设置。由于本申请提供的LED芯片中，反射镜层中包括钯层、氧化镍层、反射层以及保护层，因此，在对器件进行热处理过程中，氧化镍层可以防止反射层中金属向发光层的渗入，进而在进行热处理中，有效提升了器件的热稳定性，性能更好。同时，由于氧化镍层为透明层，因此其具有很高的透光率，保证了反射镜层的高反射率。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其它的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (10)
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
衬底；
位于所述衬底一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层一侧的发光层，其中，所述发光层包括N型层；
位于所述发光层一侧的反射镜层，所述反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；
位于所述反射镜层一侧的P型电极以及与所述N型层连接的N型电极，所述P型电极与所述N型电极间隔设置。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述钯层的厚度为1～5nm。
3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述钯层的厚度为1nm。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述氧化镍层的厚度为1～5nm。
5.如权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述氧化镍层的厚度为2nm。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，制作所述反射层的材料包括铝或银，制作所述保护层的材料包括镍、铬或钛。
7.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光层还包括量子阱层、P型层以及P型接触层，所述缓冲层、所述N型层、所述量子阱层、所述P型层以及、所述P型接触层以及所述反射镜层逐层连接。
8.一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
沿所述衬底的一侧生长缓冲层；
沿所述缓冲层的一侧生长发光层；其中，所述发光层包括N型层；
沿所述发光层的一侧制作反射镜层，其中，所述反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；
沿所述反射镜层的一侧制作P型电极，并制作与所述N型层连接的N型电极，其中，所述P型电极与所述N型电极间隔设置。
9.如权利要求8所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述发光层的一侧包括反射区，所述沿所述发光层的一侧制作反射镜层的步骤包括：
沿所述反射层的位置生长钯层；
沿所述钯层的一侧生长镍层，并在氧气环境下进行退火，以在所述钯层的一侧制作氧化镍层；
沿所述氧化镍层的一侧生长反射层；
沿所述反射层的一侧生长保护层。
10.如权利要求9所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述钯层的厚度为1～5nm，所述氧化镍层的厚度为1～5nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011358715.6A CN112447889A (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 一种led芯片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011358715.6A CN112447889A (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 一种led芯片及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112447889A true CN112447889A (zh) | 2021-03-05 |
Family
ID=74737956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011358715.6A Pending CN112447889A (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 一种led芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112447889A (zh) |
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