CN112420859A - 850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法 - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P ammonium sulfide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[S-2] UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009509 drug development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004832 voltammetry Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括半导体主体、阴极、阳极、钝化薄膜、且该两个金属电极的表面与共面波导电极连接；半导体主体的结构包括依次复合的半绝缘GaAs衬底、缓冲层、阴极接触层、过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、覆盖层、阳极接触层。制备方法为：在半绝缘GaAs衬底上依次生长出阴极接触层缓冲层、阴极接触层、过渡层等制得半导体主体；制备环形阳极、第一层台阶、阴极、第二台阶、钝化薄膜、共面波导电极。本发明可以工作于850nm波段，具有低暗电流、高响应度、高响应带宽的特点，能够满足850nm波段短距离光互联系统的需求。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体光电探测器，具体涉及一种工作于850nm波段的基于GaAs/AlGaAs的吸收区部分耗尽光电探测器，属于光电探测器技术领域。
背景技术
在一些例如药物研发、环境气候变化模拟等领域的高性能计算系统中，对系统的数据传输速度具有很高的带宽需求。在这种短距离数据传输系统中，相较于传统的电互联，使用光互连的方式在能耗比、成本以及可靠性中更能体现出优势。现今的短距离光互联系统主要由工作在850nm波段的垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface EmittingLaser，VCSEL)，多模光纤(Multi-Mode Fiber，MMF)和光电探测器构成，对光电探测器的性能要求主要包括高响应度，低噪声，以及高频率响应带宽等。目前的850nm PIN探测器通常需要高响应度和高带宽之间做取舍，无法两者兼顾。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：现有光电探测器无法同时满足短距离光互联系统对光电探测器的性能主要要求，主要包括高响应度，低噪声，以及高频率响应带宽。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器，其特征在于，包括半导体主体，半导体主体包括半绝缘GaAs衬底，半绝缘GaAs衬底上依次设有缓冲层、阴极接触层、过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、覆盖层、阳极接触层，阴极接触层和过渡层构成第二台阶，过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、覆盖层和阳极接触层构成第一台阶，第一台阶上设有阳极上设有阴极，第二台阶上设有阴极，阳极、阴极向同一侧的半绝缘GaAs衬底延伸，阳极的延伸部分及其两侧的阴极的延伸部分与半绝缘GaAs衬底上的镀金层构成共面波导电极；第一台阶、第二台阶、半绝缘GaAs衬底的表面设有两层钝化薄膜。
优选地，所述的耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层用于吸收波长在850nm波段的光子；所述的阴极接触层、过渡层和覆盖层对波长在850nm波段的光子透明，阴极接触层用于使半导体主体与阴极之间形成欧姆接触，阳极接触层用于使半导体主体与阳极之间形成欧姆接触，钝化薄膜用于减少表面漏电流，并增加光电探测器对波长在850nm波段的光子的透射率。
优选地，所述阴极接触层采用n型重掺杂的AlGaAs材料；阳极接触层采用p型重掺杂的GaAs材料。
优选地，所述阴极过渡层、覆盖层分别采用本征和p型重掺杂的AlGaAs材料。
优选地，所述非耗尽GaAs吸收层由多个成阶梯状掺杂浓度的p型掺杂的GaAs层构成；所述耗尽GaAs吸收层采用的本征的GaAs材料。
优选地，所述缓冲层采用本征的GaAs材料。
本发明还提供了上述850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)：利用金属有机化学气相沉积方法在半绝缘GaAs衬底上依次生长出缓冲层、阴极接触层、过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、覆盖层、阳极接触层；
步骤2)：利用电子束蒸发技术在阳极接触层表面依次蒸镀钛、铂、金，构成环形阳极，并用快速退火炉进行退火；
步骤3)：利用电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术刻蚀第一层台阶，刻蚀面停止在阴极接触层内；
步骤4)：利用电子束蒸发技术在阴极接触层表面依次蒸镀锗金、镍、金，构成阴极，并用快速退火炉进行退火；
步骤5)：利用湿法刻蚀形成包围第一层台阶和阴极的第二层台阶，刻蚀面停止在半绝缘GaAs衬底内；
步骤6)：利用硫化铵溶液和等离子体增强化学气相淀积工艺，在半绝缘GaAs衬底上、第一层台阶侧壁、第二台阶侧壁以及阳极接触层表面形成两层钝化薄膜；
步骤7)：利用电镀技术在半绝缘GaAs衬底上电镀一层金，作为共面波导电极，与阴极、阳极相连。
优选地，所述步骤1)中缓冲层采用掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征GaAs层；阴极接触层由一层掺杂浓度为3×1018cm-3的n型AlGaAs层和一层掺杂浓度为1×1018cm-3的n型AlxGa1-xAs层组成，其中组分x为0.15；过渡层由两层掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征AlxGa1-xAs层组成，其中组分x分别为0.10、0.05；耗尽GaAs吸收层采用掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征GaAs层；非耗尽GaAs吸收层由四层掺杂浓度不同的p型GaAs层构成，其中，掺杂浓度依次为2×1017cm-3、5×1017cm-3、1×1018cm-3、2×1018cm-3；覆盖层采用一层掺杂浓度为2×1018cm-3的p型AlxGa1-xAs层，其中组分x为0.15；阳极接触层采用GaAs层，掺杂类型为p型掺杂，掺杂浓度为1×1019cm-3。
更优选地，所述缓冲层的厚度为200nm，阴极接触层的厚度为1100nm，过渡层厚度为20nm，耗尽GaAs吸收层的厚度为1200nm，非耗尽GaAs吸收层中四层GaAs层厚度均为100nm，覆盖层的厚度为400nm，阳极接触层的厚度为50nm。
优选地，所述步骤2)中蒸镀的钛、铂、金的厚度分别为20nm、30nm、250nm，退火温度为440℃，时间60秒；所述步骤3)中第一层台阶为直径20μm至56μm的圆柱形；所述步骤4)中蒸镀的锗金、镍、金的厚度分别为40nm、20nm、80nm，退火温度为360℃，时间60秒；所述步骤6)中钝化薄膜的材料为氮化硅，厚度为110nm；所述步骤7)中共面波导电极的厚度为2μm。
本发明提供了一种基于GaAs/AlGaAs吸收区部分耗尽光电探测器，该探测器基于生长技术成熟的GaAs衬底，可以工作于850nm波段，具有低暗电流、高响应度、高响应带宽的特点，能够满足850nm波段短距离光互联系统的需求。
与现有850m波段的光电探测器相比，本发明的有益效果如下：
1、该光电探测器基于生长技术成熟的GaAs衬底，成本相对较低，同时材料品质能够得到保证，从而器件性能较稳定；
2、该光电探测器使用的化合物半导体材料与GaAs衬底晶格匹配，从而有较低的暗电流；
3、该光电探测器采用本征GaAs层和p型掺杂GaAs层作为吸收区，其吸收谱能够覆盖850nm波段，吸收区上下的覆盖层、过渡层和阴极接触层均采用AlGaAs材料，拥有较大的带隙，在不减少响应度的同时保证光生载流子拥有较小的渡越时间，即拥有较大的响应带宽。
4、该光电探测器采用p型掺杂GaAs材料作为非耗尽吸收层，梯度状的渐变掺杂结构会产生内建电场，加速载流子在非耗尽GaAs吸收层的扩散作用。
附图说明
图1-7为实施例提供的基于GaAs/AlGaAs 850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器不同步骤时的示意图。
具体实施方式
为使本发明更明显易懂，兹以优选实施例，并配合附图作详细说明如下。
实施例
一种基于GaAs/AlGaAs的850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：利用金属有机化学气相沉积方法在半绝缘GaAs衬底a上依次生长出缓冲层b、阴极接触层c、过渡层d、耗尽GaAs吸收层e、非耗尽GaAs吸收层f、覆盖层g和阳极接触层h如图1所示；各层的参数如表1所示：
表1
| 材料 | 厚度(nm) | 掺杂浓度(cm<sup>-3</sup>) | 掺杂类型 |
| GaAs阳极接触层 | 50 | 1×10<sup>19</sup> | p |
| Al<sub>0.15</sub>Ga<sub>0.85</sub>As覆盖层 | 400 | 2×10<sup>18</sup> | p |
| 非耗尽GaAs吸收层 | 100 | 2×10<sup>18</sup> | p |
| 非耗尽GaAs吸收层 | 100 | 1×10<sup>18</sup> | p |
| 非耗尽GaAs吸收层 | 100 | 5×10<sup>17</sup> | p |
| 非耗尽GaAs吸收层 | 100 | 2×10<sup>17</sup> | p |
| 耗尽GaAs吸收层 | 1200 | <1×10<sup>15</sup> | i |
| Al<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.95</sub>As过渡层 | 10 | <1×10<sup>15</sup> | i |
| Al<sub>0.10</sub>Ga<sub>0.90</sub>As过渡层 | 10 | <1×10<sup>15</sup> | i |
| Al<sub>0.15</sub>Ga<sub>0.85</sub>As阴极接触层 | 100 | 1×10<sup>18</sup> | n |
| Al<sub>0.15</sub>Ga<sub>0.85</sub>As阴极接触层 | 1000 | 3×10<sup>18</sup> | n |
| GaAs缓冲层 | 200 | i | |
| 半绝缘GaAs衬底 |
由表1可见，缓冲层b厚度为200nm，采用掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征GaAs层。
阴极接触层c的厚度为1100nm，由一层掺杂浓度为3×1018cm-3的n型AlxGa1-xAs层和一层掺杂浓度为1×1018cm-3的n型AlxGa1-xAs层组成，其中组分为x＝0.15，后者用于减少杂质离子向GaAs吸收层扩散；
过渡层d厚度由两层厚度均为10nm、掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征AlxGa1-xAs层组成，其中组分x依次为x＝0.10和x＝0.05；
耗尽GaAs吸收层e的厚度为1200nm，采用掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征GaAs层；
非耗尽GaAs吸收层f的结构为：4层厚度均为100nm的GaAs层，掺杂类型均为p型掺杂，其中掺杂浓度依次为2×1017cm-3，5×1017cm-3，1×1018cm-3，2×1018cm-3；
覆盖层g的厚度为400nm，其材料为AlxGa1-xAs，掺杂类型为p型掺杂，掺杂浓度为1×1019cm-3，其中组分为x＝0.15；
阳极接触层h的厚度为50nm，采用掺杂浓度为2×1019cm-3的p型掺杂的GaAs层。
步骤2：利用电子束蒸发技术在阳极接触层表面依次蒸镀钛、铂、金，构成环形阳极2，并用快速退火炉进行快速退火，如图2所示；
步骤3：利用电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术刻蚀第一层台阶1，刻蚀面停止在阴极接触层c内，如图3所示；
步骤4：利用电子束蒸发技术在阴极接触层表面依次蒸镀锗金、镍、金，构成阴极3，并用快速退火炉进行快速退火，如图4所示；
步骤5：利用湿法刻蚀形成包围第一层台阶1和阴极3的第二台阶4，刻蚀面停止在半绝缘GaAs衬底a内，如图5所示；
步骤6：利用等离子体增强化学气相淀积在半绝缘GaAs衬底上a、第一台阶1侧壁、第二台阶4侧壁以及阳极接触层h表面形成钝化薄膜5，如图6所示。
步骤7：利用电镀技术在半绝缘GaAs衬底上电镀一层金，作为共面波导电极6，与阴极、阳极相连，如图7所示。
对上述步骤制得的第一台阶直径为34μm的光电探测器进行直流伏安特性测试，用半导体器件参数分析仪(Keysight B1500A Semiconductor Device Analyzer)给予光电探测器直流偏置并测得暗电流。测试得到在-5V偏压下暗电流能够达到约500fA。
对上述步骤制得的第一台阶直径为34μm的光电探测器进行频率响应测试和响应度测试。测试得到的3dB带宽值在-0.5V偏压下能够达到17.4GHz，在850nm波长的响应度为0.5A/W。
Claims (5)
1.一种850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器，其特征在于，包括半导体主体，半导体主体包括半绝缘GaAs衬底(a)，半绝缘GaAs衬底(a)上依次设有缓冲层(b)、阴极接触层(c)、过渡层(d)、耗尽GaAs吸收层(e)、非耗尽GaAs吸收层(f)、覆盖层(g)、阳极接触层(h)，阴极接触层(c)和过渡层(d)构成第二台阶(4)，过渡层(d)、耗尽GaAs吸收层(e)、非耗尽GaAs吸收层(f)、覆盖层(g)和阳极接触层(h)构成第一台阶(1)，第一台阶(1)上设有阳极(2)上设有阴极(3)，第二台阶(4)上设有阴极(3)，阳极(2)、阴极(3)向同一侧的半绝缘GaAs衬底(a)延伸，阳极(2)的延伸部分及其两侧的阴极(3)的延伸部分与半绝缘GaAs衬底(a)上的镀金层构成共面波导电极(6)；第一台阶(1)、第二台阶(4)、半绝缘GaAs衬底(a)的表面设有两层钝化薄膜(5)。
2.如权利要求1所述的850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器，其特征在于，所述的耗尽GaAs吸收层(e)、非耗尽GaAs吸收层(f)用于吸收波长在850nm波段的光子；所述的阴极接触层(c)、过渡层(d)和覆盖层(g)对波长在850nm波段的光子透明，阴极接触层(c)用于使半导体主体与阴极(3)之间形成欧姆接触，阳极接触层(h)用于使半导体主体与阳极(2)之间形成欧姆接触，钝化薄膜(5)用于减少表面漏电流，并增加光电探测器对波长在850nm波段的光子的透射率。
3.如权利要求1所述的850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器，其特征在于，所述非耗尽GaAs吸收层(e)由多个成阶梯状掺杂浓度的p型掺杂的GaAs层构成；所述耗尽GaAs吸收层(e)采用的本征的GaAs材料。
4.如权利要求1所述的850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器，其特征在于，所述缓冲层(b)采用掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征GaAs层；阴极接触层(c)由一层掺杂浓度为3×1018cm-3的n型AlGaAs层和一层掺杂浓度为1×1018cm-3的n型AlxGa1-xAs层组成，其中组分x为0.15；过渡层(d)由两层掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征AlxGa1-xAs层组成，其中组分x分别为0.10、0.05；耗尽GaAs吸收层(e)采用掺杂浓度为1×1015cm-3以下的本征GaAs层；非耗尽GaAs吸收层(f)由四层掺杂浓度不同的p型GaAs层构成，其中，掺杂浓度依次为2×1017cm-3、5×1017cm-3、1×1018cm-3、2×1018cm-3；覆盖层(g)采用一层掺杂浓度为2×1018cm-3的p型AlxGa1-xAs层，其中组分x为0.15；阳极接触层(h)采用GaAs层，掺杂类型为p型掺杂，掺杂浓度为1×1019cm-3。
5.如权利要求4所述的850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器，其特征在于，所述缓冲层(b)的厚度为200nm，阴极接触层(c)的厚度为1100nm，过渡层(d)厚度为20nm，耗尽GaAs吸收层(e)的厚度为1200nm，非耗尽GaAs吸收层(f)中四层GaAs层厚度均为100nm，覆盖层(g)的厚度为400nm，阳极接触层(h)的厚度为50nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011291398.0A CN112420859B (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112420859A true CN112420859A (zh) | 2021-02-26 |
| CN112420859B CN112420859B (zh) | 2022-05-13 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011291398.0A Active CN112420859B (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112420859B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113130694A (zh) * | 2021-04-02 | 2021-07-16 | 上海科技大学 | 一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103887360A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-06-25 | 中国科学院半导体研究所 | InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 |
| US20160172523A1 (en) * | 2013-05-31 | 2016-06-16 | Tyco Electronics Svenska Holdings Ab | High Speed Photodetector |
| CN110323289A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-10-11 | 上海科技大学 | 一种单载流子光电探测器 |
| CN110854141A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种单片集成型平衡光电探测器芯片及制作方法 |
| CN111430497A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 上海科技大学 | 用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法 |
-
2020
- 2020-11-18 CN CN202011291398.0A patent/CN112420859B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160172523A1 (en) * | 2013-05-31 | 2016-06-16 | Tyco Electronics Svenska Holdings Ab | High Speed Photodetector |
| CN103887360A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-06-25 | 中国科学院半导体研究所 | InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 |
| CN110323289A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-10-11 | 上海科技大学 | 一种单载流子光电探测器 |
| CN110854141A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种单片集成型平衡光电探测器芯片及制作方法 |
| CN111430497A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 上海科技大学 | 用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| BAZALEVSKY, M 等: "AlGaAs/GaAs photodetectors for detection of luminescent light from scintillators", 《16TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS》 * |
| 尚竞成 等: "新型台面型GaAs基BIB探测器的背景电流测试与分析", 《太赫兹科学与电子信息学报》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113130694A (zh) * | 2021-04-02 | 2021-07-16 | 上海科技大学 | 一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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