CN113707748A - 外延片及光电探测器芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种外延片，包括：衬底(2)及依次层叠在所述衬底(2)表面的N型欧姆接触层(3)、收集层(5)、崖层(6)、过渡层、本征吸收层(9)、P型吸收层(10)、阻挡层(11)、P型欧姆接触层(12)；所述P型吸收层(10)在本征吸收层(9)指向阻挡层(11)的方向上掺杂浓度逐渐增大。本发明通过将吸收层设计为本征吸收层和P型渐变吸收层，在不降低响应度的前提下，提高了探测器的带宽和饱和特性；通过添加崖层，提高了吸收层的电场强度，提高了电子漂移速度，提高了探测器带宽和饱和特性；通过在InP材料和InGaAs材料之间添加InGaAsP过渡层，减小了电子在异质结交界处的堆积，提高了探测器带宽和饱和特性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种外延片及光电探测器芯片。
背景技术
随着现代社会信息化进程的不断加速，通信容量呈“爆炸式”增长，光电探测器作为光传输系统链路中的核心器件，用于实现信号的光电转换，其性能直接决定了通信系统的性能。大容量超高速的光通信系统对光电探测器提出了“宽带宽、高响应度和高饱和输入”的要求。
传统的单行载流子探测器(UTC-PD)，吸收层为P型掺杂，掺杂浓度高，层内电场极低，电子主要以低速的扩散运动为主，而降低吸收层厚度又会导致响应度降低，因此难以同时实现高带宽和高响应度。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明针对宽带高饱和输入、高效率的实际需求提出了新的光电探测器芯片中外延片的结构，在P型吸收层下插入一层本征吸收层，提高了吸收层内电场，提高了电子漂移速度，在保持高响应度的同时，提高了器件的带宽和饱和特性。
(二)技术方案
本发明一方面提供了一种外延片，包括：衬底2及依次层叠在所述衬底2表面的N型欧姆接触层3、收集层5、崖层6、过渡层、本征吸收层9、P型吸收层10、阻挡层11、P型欧姆接触层12；所述P型吸收层10在本征吸收层9指向阻挡层11的方向上掺杂浓度逐渐增大。
可选地，所述本征吸收层9为InGaAs，且所述本征吸收层9进行低浓度掺杂，掺杂浓度不大于2.0×1016cm-3。
可选地，所述P型吸收层10的材料为InGaAs，所述P型吸收层10的掺杂浓度不小于1.0×1017cm-3，且不高于1.0×1019cm-3。
可选地，所述本征吸收层9和所述P型吸收层10的宽度比例为预设比例，在所述预设比例下，可获得最大的宽带。
可选地，所述过渡层包括第一过渡层7和第二过渡层8，所述第一过渡层(7)为禁带宽度1.1μm的InGaAsP，所述第二过渡层(8)禁带宽度1.4μm的InGaAsP，所述第二过渡层8靠近所述本征吸收层9。
可选地，所述过渡层进行低浓度掺杂，掺杂浓度不大于2.0×1016cm-3。
可选地，所述崖层6的材料为InP，掺杂浓度大于1.0×1017cm-3，小于1.0×1018cm-3。
可选地，所述收集层5和所述阻挡层11的材料为InP，所述收集层5的掺杂方式为N型掺杂，所述阻挡层11的掺杂方式为P型掺杂。
可选地，所述N型欧姆接触层3的材料为InP，掺杂方式为N型掺杂，掺杂浓度不小于1.0×1019cm-3；所述P型欧姆接触层12的材料为InGaAs，掺杂方式为P型掺杂，掺杂浓度不小于1.0×1019cm-3。
本发明另一方面提供了一种应用上述所述外延片的光电探测器芯片，所述光电探测器芯片包括：外延片；增透膜1，形成于所述外延片的衬底2表面的对立面；N电极4，形成于所述外延片的N型欧姆接触层3；P电极14，形成于所述外延片的P型欧姆接触层12。
(三)有益效果
本发明具有以下有益效果：
(1)通过将吸收层设计为本征吸收层和P型渐变吸收层，在不降低响应度的前提下，提高了探测器的带宽和饱和特性。
(2)通过添加崖层，提高了吸收层的电场强度，提高了电子漂移速度，提高了探测器带宽和饱和特性。
(3)通过在InP材料和InGaAs材料之间添加InGaAsP过渡层，减小了电子在异质结交界处的堆积，提高了探测器带宽和饱和特性。
(4)通过在InP衬底背面进行抛光减薄处理和涂镀增透膜，提高了光耦合效率，提高了探测器响应度。
附图说明
图1示意性示出了本发明提供的外延片及光电探测器芯片的结构示意图。
图2示意性示出了本发明提供的外延片及光电探测器芯片的工艺流程图。
【附图标记说明】
1-增透膜；
2-衬底；
3-N型欧姆接触层；
4-N电极；
5-收集层；
6-崖层；
7-第一过渡层；
8-第二过渡层；
9-本征吸收层；
10-P型吸收层；
11-阻挡层；
12-P型欧姆接触层；
13-钝化层；
14-P电极。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明提供了一种外延片，参见图1，图1示出了本发明提供的外延片的结构，包括：衬底2及依次层叠在所述衬底2表面的N型欧姆接触层3、收集层5、崖层6、过渡层、本征吸收层9、P型吸收层10、阻挡层11、P型欧姆接触层12。其中，P型吸收层10在本征吸收层9指向阻挡层11的方向上掺杂浓度逐渐增大。
在本发明一实施例中，衬底2的厚度不小于200μm，采用InP材料，为增加其导电性，可以对衬底2进行低浓度的N型掺杂，掺杂浓度1.0×1016cm-3。
本征吸收层9、P型吸收层10皆为InGaAs，本征吸收层9与P型吸收层10的总厚度为200～1000nm。本征吸收层9进行低浓度掺杂以增加其导电性，掺杂浓度不大于2.0×1016cm-3，掺杂浓度低，仍可近似视为本征吸收层。P型吸收层10掺杂方式为P型渐变掺杂，从本征吸收层9指向阻挡层11的方向，掺杂浓度逐渐增大，掺杂浓度不小于1.0×1017cm-3，且不高于1.0×1019 cm-3。在P型吸收层，有效载流子为电子，电子在P型吸收层中进行扩散运动，在本征吸收层，有效载流子为电子和空穴，在电场作用下做漂移运动。渐变掺杂可以在P型吸收层内部产生内建电场，提高带宽和饱和特性。
本征吸收层9和P型吸收层10的宽度比例为预设比例，在预设比例下，可获得最大的宽带。即在吸收层固定，即响应度固定的情况下，通过调节本征吸收层9和P型吸收层10的比例，可获得最大的带宽。
过渡层为两层，靠近崖层的一层过渡层为第一过渡层7，材料为InGaAsP，Q1.1，靠近本征吸收层的一层过渡层为第二过渡层8，材料为InGaAsP，Q1.4，每层厚度为10～20nm。过渡层进行低浓度的掺杂，掺杂浓度不大于2.0×1016cm-3。通过在InP材料和InGaAs材料之间添加InGaAsP过渡层，减小了电子在异质结交界处的堆积，提高了探测器带宽和饱和特性。其中，InGaAsP Q1.1和InGaAsP Q1.4代表InGaAsP不同的组分，Q1.4和Q1.1分别表示禁带宽度是1.4μm和1.1μm。根据禁带宽度可以计算出InGaAsP四种元素的组分。
崖层6的材料为InP，厚度30～60nm，，掺杂浓度大于1.0×1017cm-3，小于1.0×1018cm-3。崖层6耗尽后的电离施主产生空间正电荷使过渡层和吸收层的电场强度增加，减少电子在耗尽区内的积累，从而提高探测器的带宽和饱和特性。
收集层5和所述阻挡层11的材料为InP，收集层5的掺杂方式为N型掺杂，阻挡层11的掺杂方式为P型掺杂。N型欧姆接触层3的材料为InP，掺杂方式为N型掺杂，掺杂浓度不小于1.0×1019 cm-3；P型欧姆接触层12的材料为InGaAs，掺杂方式为P型掺杂，掺杂浓度不小于1.0×1019cm-3。
本发明还提供了一种应用上述外延片的光电探测器芯片，参见图1，光电探测器芯片包括：外延片；增透膜1，形成于所述外延片的衬底2表面的对立面；N电极4，形成于所述外延片的N型欧姆接触层3；P电极14，形成于所述外延片的P型欧姆接触层12。在本发明一实施例中，光电探测器芯片的制备流程如下：
在衬底2上生长出外延片；
从P极欧姆接触层12朝向衬底2的方向蚀刻，蚀刻至N极欧姆接触层3，形成P台台面，如图1所示；
从N极欧姆接触层3朝向衬底2的方向蚀刻至衬底2，形成N台台面，如图1所示；
在N极欧姆接触层3和P极欧姆接触层12以及P台侧壁生长一层二氧化硅钝化层13；
在钝化层13上开电极窗口，制作P电极14和N电极4；
对P电极14和N电极4进行退火合金处理；
对衬底2背面抛光减薄和生长增透膜1。
本发明通过在衬底2背面进行抛光减薄处理和涂镀增透膜2，提高了光耦合效率，提高了探测器响应度。
在本发明的一实施例中，外延片的结构为：
首先在InP衬底2上生长一层N极欧姆接触层3，材料为InP，厚度为100nm，掺杂类型为N型掺杂，杂质为硅，掺杂浓度为1.0×1019cm-3。
生长收集层5，材料为InP，厚度为400nm，掺杂类型为N型掺杂，杂质为硅，掺杂浓度为1.0×1016cm-3。
生长崖层6，材料为InP，厚度为50nm，掺杂类型为N型掺杂，杂质为硅，掺杂浓度为4.0×1017cm-3。
生长两层过渡层，靠近崖层的一层材料为InGaAsP，Q1.1，另一层材料为InGaAsP，Q1.4，两层厚度均为15nm，掺杂类型为N型掺杂，杂质为硅，掺杂浓度为1.0×1016cm-3。
生长本征吸收层9，材料为InGaAs，厚度为200nm，掺杂类型为N型掺杂，杂质为硅，掺杂浓度为1.0×1016cm-3。
生长P型吸收层10。材料为InGaAs，厚度为400nm，掺杂类型为P型掺杂，杂质为锌，掺杂浓度为5.0×1017cm-3～2.0×1018cm-3，从本征吸收层9指向阻挡层11的方向，掺杂浓度逐渐增大。
生长阻挡层11，材料为InP，厚度为100nm，掺杂类型为P型掺杂，杂质为锌，掺杂浓度为1.5×1018cm-3。
生长P极欧姆接触层12，材料为InGaAs，厚度为50nm，掺杂类型为P型掺杂，杂质为锌，掺杂浓度为2.0×1019cm-3。
可选地，以上结构可采用MOCVD方式制作。
在本发明的另一实施例中，光电探测器芯片的工艺流程，如图2所示，流程如下：
1.清洗外延片和掩模版
采用“三氯乙烯-丙酮-乙醇”的水浴加热方法，三氯乙烯水浴加热10min，再用丙酮水浴加热5min(2组)，乙醇水浴加热5min(2组)，最后用去离子水反复冲洗，直至有机物去除干净，并用氮气吹干。若外延片和掩模版表面有难以去除的有机物，可采用氧气等离子体去胶的办法。
2.生长SiO2掩膜
采用PECVD方法沉积SiO2，厚度600nm。
3.光刻出P台形状
对P电极台面形成胶掩蔽，P电极台面区有胶，其余区域无胶，胶厚2um。
4.ICP刻蚀P台
首先采用HF湿法腐蚀将图形转移至SiO2层，再以二氧化硅为掩蔽采用ICP(电感耦合等离子体)法刻蚀，刻蚀至N极欧姆接触层3为止。
5.生长SiO2掩膜
采用PECVD(等离子增强化学气相沉积)方法沉积SiO2，厚度600nm。
6.光刻出N台形状
对N电极台面形成胶掩蔽，N电极台面区有胶，其余区域无胶，胶厚2um。
7.ICP刻蚀N台
采用HF湿法腐蚀将图形转移至SiO2层，再以二氧化硅为掩蔽采用ICP(电感耦合等离子体)法刻蚀，刻蚀至衬底2为止。
8.HF去SiO2
用HF+NH4F+H2O(3∶6∶10)配比液去除SiO2，将片子放入聚四氟乙烯花篮，放入配比液进行腐蚀，时间20-30s，观察表面颜色是否处理干净。腐蚀完成后按步骤1清洗干净。
9.生长SiO2钝化层
用三氯乙烯、丙酮、乙醇按步骤1分别清洗样品表面，氮气干燥后用冰点光栅溴溶液去除干刻带来的损伤层，再用浓度大于8％的硫化铵浸泡20min，去离子水冲洗并用氮气干燥，之后按步骤1清洗去除残留的硫化铵钝化液，吹干后，立即用PECVD生长一层SiO2，厚度350nm。
10.制作电极窗口
接触电极包括P电极14和N电极4。首先采用正胶光刻出电极窗口图形，使电极窗口处无胶，其他区域有胶。采用HF+NH4F+H2O(3∶6∶10)腐蚀液去除电极窗口处的钝化层，露出电极欧姆接触表面。
11.制作金属电极
在上一步后，保留光刻胶，采用磁控溅射的方式生长电极金属Ti/Au合金，泡丙酮剥离制备出金属电极。
12.退火合金
为使半导体和金属之间形成良好的欧姆接触，增加粘附性，需要对合金进行快速退火。温度为390℃，时间40s。
13.背面抛光减薄
将器件背面减薄至200μm后，再用研磨液进行抛光处理。完成上述步骤后，样品抛光面应非常光滑，使用台阶仪测量得到抛光后的表面起伏应小于5μm，方达到预期要求。
14.背面生长增透膜1
采用PECVD设备生长折射率为2，厚度为200nm的SiNx薄膜以降低抛光面的反射率，预计反射率小于1％。采用SiH4和NH3作为反应气体。沉积条件为：衬底温度为250℃，反应腔内气压为102Pa，射频功率为15W。
15.背面制备定位窗口
使用等离子体干法刻蚀去除多余的SiNx形成圆环，标明背面光入射位置。
本发明提供的外延片及光电探测器芯片具有一下有益效果：
(1)通过将吸收层设计为本征吸收层和P型渐变吸收层，在不降低响应度的前提下，提高了探测器的带宽和饱和特性。
(2)通过添加崖层，提高了吸收层的电场强度，提高了电子漂移速度，提高了探测器带宽和饱和特性。
(3)通过在InP材料和InGaAs材料之间添加InGaAsP过渡层，减小了电子在异质结交界处的堆积，提高了探测器带宽和饱和特性。同时，InP材料和InGaAs材料还具有以下优点：在光电效应中，InGaAs可以很好地响应1550nm波长的光，1550nm是通信波长，且InP和InGaAs晶格匹配程度高。
(4)通过在InP衬底背面进行抛光减薄处理和涂镀增透膜，提高了光耦合效率，提高了探测器响应度。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种外延片，其特征在于，包括：
衬底(2)及依次层叠在所述衬底(2)表面的N型欧姆接触层(3)、收集层(5)、崖层(6)、过渡层、本征吸收层(9)、P型吸收层(10)、阻挡层(11)、P型欧姆接触层(12)；
所述P型吸收层(10)在本征吸收层(9)指向阻挡层(11)的方向上掺杂浓度逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述本征吸收层(9)为InGaAs，且所述本征吸收层(9)进行低浓度掺杂，掺杂浓度不大于2.0×1016cm-3。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型吸收层(10)的材料为InGaAs，所述P型吸收层(10)的掺杂浓度不小于1.0×1017cm-3，且不高于1.0×1019cm-3。
4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述本征吸收层(9)和所述P型吸收层(10)的宽度比例为预设比例，在所述预设比例下，可获得最大的宽带。
5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述过渡层包括第一过渡层(7)和第二过渡层(8)，所述第一过渡层(7)为禁带宽度1.1μm的InGaAsP，所述第二过渡层(8)禁带宽度1.4μm的InGaAsP，其中，所述第二过渡层(8)靠近所述本征吸收层(9)。
6.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述过渡层进行低浓度掺杂，掺杂浓度不大于2.0×1016cm-3。
7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述崖层(6)的材料为InP，掺杂浓度大于1.0×1017cm-3，小于1.0×1018cm-3。
8.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述收集层(5)和所述阻挡层(11)的材料为InP，所述收集层(5)的掺杂方式为N型掺杂，所述阻挡层(11)的掺杂方式为P型掺杂。
9.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型欧姆接触层(3)的材料为InP，掺杂方式为N型掺杂，掺杂浓度不小于1.0×1019cm-3；所述P型欧姆接触层(12)的材料为InGaAs，掺杂方式为P型掺杂，掺杂浓度不小于1.0×1019cm-3。
10.一种应用权利要求1-9任一项所述的外延片的光电探测器芯片，其特征在于，所述光电探测器芯片包括：
外延片；
增透膜(1)，形成于所述外延片的衬底(2)表面的对立面；
N电极(4)，形成于所述外延片的N型欧姆接触层(3)；
P电极(14)，形成于所述外延片的P型欧姆接触层(12)。
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